JP6196173B2 - 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Description
10 カセットステーション
11 処理ステーション
12 インターフェイスステーション
13 露光装置
20 カセット載置台
21 カセット載置板
22 搬送路
23 ウェハ搬送装置
30 下部反射防止膜形成装置
31 レジスト塗布装置
32 上部反射防止膜形成装置
33 現像処理装置
40 熱処理装置
41 アドヒージョン装置
42 周辺露光装置
70 ウェハ搬送機構
71、72 ウェハ検査装置
73、74 ウェハ載置部
80 ウェハ搬送機構
90 ウェハ搬送機構
300 制御部
W ウェハ
D ウェハ搬送領域
C カセット
Claims (6)
- 基板を処理する基板処理システムであって、
基板の表面に粗密のレジストパターンを形成する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
前記基板処理システムの外部に設けられ、複数の露光ステージを備えた露光装置と、前記処理ステーションとの間で基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
基板表面に形成されたレジストパターンの線幅を測定する基板検査装置と、
前記基板検査装置でのレジストパターンの線幅の測定結果に基づいて、前記処理ステーション内の各処理装置の処理パラメータまたは前記露光装置の処理パラメータの少なくともいずれかを補正する制御部と、を有し、
前記制御部は、製品となる基板を処理する過程において、
密のレジストパターン及び粗のレジストパターンそれぞれについて、規定の処理パラメータにより形成したレジストパターンの線幅と、前記規定の処理パラメータから所定の値だけ変化させた処理パラメータにより形成したレジストパターンの線幅との間の差分と、前記処理パラメータの変化量との相関関係を求め、
前記相関関係に基づいて、処理パラメータの変化量に対する密のレジストパターンの線幅の変化量と粗のレジストパターンの線幅の変化量との差が最小となる処理パラメータを特定し、該処理パラメータを補正する制御をさらに行うことを特徴とする、基板処理システム。 - 前記処理パラメータは、前記処理ステーションで行われるPEB処理における加熱温度、現像処理における現像時間、現像処理後に行われる加熱処理における加熱温度若しくはシュリンク処理後に行われる加熱処理における加熱温度、又は露光装置で行われる露光処理における露光時間の少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。
- 基板を処理する基板処理システムにおける基板の処理方法であって、
前記基板処理システムは、
基板の表面に粗密のレジストパターンを形成する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
前記基板処理システムの外部に設けられ、複数の露光ステージを備えた露光装置と、前記処理ステーションとの間で基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
基板表面に形成されたレジストパターンの線幅を測定する基板検査装置と、を有し、
前記基板の処理方法は、製品となる基板を処理する過程において、
規定の処理パラメータにより形成したレジストパターンの線幅と、前記規定の処理パラメータから所定の値だけ変化させた処理パラメータにより形成したレジストパターンの線幅とを測定し、
密のレジストパターン及び粗のレジストパターンそれぞれについて、測定された線幅の差分と、前記処理パラメータの変化量との相関関係を求め、
前記相関関係に基づいて、処理パラメータの変化量に対する密のレジストパターンの線幅の変化量と粗のレジストパターンの線幅の変化量との差が最小となる処理パラメータを特定し、該処理パラメータを補正することを特徴とする、基板処理方法。 - 前記処理パラメータは、前記処理ステーションで行われるPEB処理における加熱温度、現像処理における現像時間、現像処理後に行われる加熱処理における加熱温度若しくはシュリンク処理後に行われる加熱処理における加熱温度、又は露光装置で行われる露光処理における露光時間の少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項3に記載の基板処理方法。
- 請求項3または4に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項5に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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