KR20080040576A - 열처리판의 온도 설정 방법, 프로그램을 기록한 컴퓨터판독 가능한 기록매체, 및 열처리판의 온도 설정 장치 - Google Patents

열처리판의 온도 설정 방법, 프로그램을 기록한 컴퓨터판독 가능한 기록매체, 및 열처리판의 온도 설정 장치 Download PDF

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KR20080040576A KR1020070109603A KR20070109603A KR20080040576A KR 20080040576 A KR20080040576 A KR 20080040576A KR 1020070109603 A KR1020070109603 A KR 1020070109603A KR 20070109603 A KR20070109603 A KR 20070109603A KR 20080040576 A KR20080040576 A KR 20080040576A
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

가열 장치의 열판은 복수의 열판 영역으로 구획되어 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는 열판 면내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 각각 설정될 수 있다. 포토리소그래피 공정이 종료된 기판 면내의 선폭이 측정되고, 그 측정 선폭의 면내 경향이 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해된다. 그 산출된 복수의 면내 경향 성분으로부터, 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향 성분이 추출되고 이것들이 합쳐져 기판면 내의 측정 선폭의 개선 가능한 면내 경향이 산출된다. 개선 가능한 면내 경향의 크기가 미리 설정되어 있는 임계값을 초과한 경우에만, 열판의 각 열판 영역의 온도 보정값의 설정이 변경된다.

Description

열처리판의 온도 설정 방법, 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록매체, 및 열처리판의 온도 설정 장치{TEMPERATURE SETTING METHOD OF THERMAL PROCESSING PLATE, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM RECORDING PROGRAM THEREON, AND TEMPERATURE SETTING APPARATUS FOR THERMAL PROCESSING PLATE}
본 발명은 열처리판의 온도 설정 방법, 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록매체, 및 열처리판의 온도 설정 장치에 관한 것이다.
예컨대 반도체 디바이스의 제조에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예컨대 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 가열 처리(노광 후 베이킹), 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차 행해지고, 이 일련의 웨이퍼 처리에 의해 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.
예컨대 전술한 노광 후 베이킹 등의 가열 처리는 통상 가열 처리 장치에서 행해지고 있다. 가열 처리 장치는 웨이퍼를 적재하여 가열하는 열판을 구비하고 있다. 열판에는, 예컨대 급전에 의해 발열하는 히터가 내장되어 있고, 이 히터에 의 한 발열에 의해 열판은 소정 온도로 조정된다.
예컨대 전술한 가열 처리에 있어서의 열처리 온도는 최종적으로 웨이퍼 상에 형성되는 레지스트 패턴의 선폭에 큰 영향을 준다. 그래서 가열시의 웨이퍼 면내의 온도를 엄격히 제어하기 위해, 전술한 가열 처리 장치의 열판은 복수의 영역으로 구획되고, 그 각 영역마다 독립된 히터가 내장되어 각 영역마다 온도 조정이 이루어진다.
상기 열판의 각 영역의 온도 조정을, 모두 동일한 설정 온도로 행하면, 예컨대 각 영역의 열 저항 등의 차이에 의해, 열판상의 웨이퍼 면내의 온도가 변동되고, 이 결과, 최종적으로 레지스트 패턴의 선폭이 변동된다고 알려져 있다. 이 때문에 열판의 각 영역마다, 온도 보정값(온도 오프셋값)이 설정되고, 열판의 면내 온도를 미세 조정하고 있었다(일본 특허 공개 제2001-143850호 공보).
전술한 열판의 최적의 온도 보정값은, 장치 상태나 처리 환경에 의해 변동하기 때문에, 적절하게 설정값을 변경해야 한다. 이 온도 보정값의 설정 변경은, 통상 작업원이 레지스트 패턴의 선폭을 측정하고, 그 선폭 측정 결과의 데이터를 보고 개개의 경험이나 지식에 의해 판단하여 행해지고 있었다. 이 때문에 온도 보정값의 설정 변경의 타이밍은 각 작업원의 경험이나 지식, 판단력 등에 의해 좌우되어 변동이 있었다. 이 결과, 작업원이 다르면, 동일한 선폭 측정 결과라도 온도 보정값을 변경하는 경우와 변경하지 않는 경우가 있기 때문에, 온도 보정값의 설정값에는 변동이 생기고, 최종적으로 레지스트 패턴의 선폭에도 변동이 생기는 경우가 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 열판 등의 열처리판의 온도 설정 변경의 타이밍을 적정화 및 일정화하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 복수의 영역으로 구획되어 상기 영역마다 온도 설정 가능하면서, 각 영역마다 면내 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 설정 가능한 열처리판에 기판을 적재하여 열처리할 때의 상기 열처리판의 온도 설정 방법이며, 이 온도 설정 방법은, 상기 열처리를 포함하는 일련의 기판 처리가 종료된 기판에 대해서 기판 면내의 처리 상태를 측정하는 공정과, 상기 측정된 처리 상태의 기판의 면내 경향으로부터, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향을 산출하는 공정과, 상기 개선 가능한 면내 경향의 크기가 미리 설정되어 있는 임계값을 초과한 경우에, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 변경하는 공정을 포함한다.
본 발명에 의하면, 측정된 처리 상태의 기판의 면내 경향으로부터, 개선 가능한 면내 경향을 산출하고, 그 개선 가능한 면내 경향의 크기가 미리 설정되어 있는 임계값을 초과한 경우에, 온도 보정값을 변경하기 때문에, 온도 보정값의 설정 변경의 타이밍을 일정화할 수 있다. 또한 개선 가능한 면내 경향이 커진 경우에만 온도 보정값을 변경하기 때문에, 불필요한 경우에 온도 보정값을 변경하지 않고, 온도 보정값의 설정 변경의 타이밍을 적정화할 수 있다.
상기 개선 가능한 면내 경향의 크기가 임계값을 초과한 경우에, 알람을 발생하도록 하여도 좋다.
상기 개선 가능한 면내 경향을 산출할 때에는, 상기 측정된 처리 상태의 기판의 면내 경향을 제르니케(Zernike) 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해하고, 이들 복수의 면내 경향 성분 중, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향 성분을 합하여, 상기 개선 가능한 면내 경향을 산출하여도 좋다.
상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 변경할 때는, 상기 면내 경향 성분의 변화량과 상기 온도 보정값의 상관을 나타내는 산출 모델을 이용하여, 상기 개선 가능한 각 면내 경향 성분이 제로(ZERO)가 되는 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 산출하고, 그 산출된 온도 보정값을 상기 열처리판의 각 영역의 온도로 설정하여도 좋다.
상기 일련의 기판 처리는 포토리소그래피 공정에서 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 처리여도 좋다. 상기 기판 면내의 처리 상태는, 레지스트 패턴의 선폭이어도 좋다. 상기 열처리는 노광 처리 후 현상 처리 전에 행해지는 가열 처리여도 좋다.
다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기한 열처리판의 온도 설정 방법은 예컨대 컴퓨터 프로그램화되어, 컴퓨터 판독 가능한 기록매체에 저장되어 있어도 좋다.
또한 다른 관점에 의한 본 발명은 기판을 적재하여 열처리하는 열처리판의 온도 설정 장치이고, 상기 열처리판은 복수 영역으로 구획되며, 상기 영역마다 온도 설정 가능하고, 또한 상기 열처리판의 각 영역마다, 열처리판의 면내 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 설정 가능하며, 상기 온도 설정 장치는 이하의 프로세스를 실행하기 위한 연산부를 갖고 있어도 좋다. 즉, 이 연산부는 상기 열처리를 포함하는 일련의 기판 처리가 종료된 기판에 대한 기판 면내의 처리 상태에 기초하여, 그 처리 상태의 기판의 면내 경향으로부터, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향을 산출하고, 상기 개선 가능한 면내 경향의 크기가 미리 설정되어 있는 임계값을 초과한 경우에, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 변경하는 프로세스를 실행하기 위한 것이다.
본 발명에 의하면, 열처리판의 온도 설정 변경의 타이밍이 적정화 및 일정화되기 때문에, 최종적인 기판의 처리 상태도 적정화되어 완정화된다.
본 발명에 의하면, 열처리판의 온도 설정 변경의 타이밍을 적정화 및 일정화여, 최종적인 기판의 처리 상태도 적정화하고 안정화한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시예에 따른 열처리판의 온도 설정 장치가 구비된 도포 현상 처리 시스템(1)의 구성을 도시하는 개략 평면도이고, 도 2는 도포 현상 처리 시스템(1)의 정면도이며, 도 3은 도포 현상 처리 시스템(1)의 배면도이다.
도포 현상 처리 시스템(1)은 도 1에 도시하는 바와 같이, 예컨대 25장의 웨 이퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 도포 현상 처리 시스템(1)에 대해서 반입출하거나, 카세트(C)에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출하는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 공정 중에 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 여러 단에 배치하고 있는 처리 스테이션(3)과, 이 처리 스테이션(3)에 인접하여 설치되어 있는 도시하지 않는 노광 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 인터페이스 스테이션(4)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(2)에는 카세트 적재대(5)가 설치되고, 이 카세트 적재대(5)는 복수의 카세트(C)를 X 방향(도 1에서 상하 방향)에 일렬로 적재 가능하게 되어 있다. 카세트 스테이션(2)에는, 반송로(6) 상에서 X 방향을 향해 이동 가능한 웨이퍼 반송체(7)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(7)는 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열 방향(Z 방향; 수직 방향)으로도 이동 가능하고, X 방향으로 배열된 각 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 선택적으로 액세스할 수 있다.
웨이퍼 반송체(7)는 Z축 둘레의 θ 방향으로 회전 가능하고, 후술하는 처리 스테이션(3)측의 제3 처리 장치군(G3)에 속하는 온도 조절 장치(60)나 트랜지션 장치(61)에 대해서도 액세스할 수 있다.
카세트 스테이션(2)에 인접하는 처리 스테이션(3)은 복수의 처리 장치가 여러 단에 배치된, 예컨대 5개의 처리 장치군(G1 내지 G5)을 구비하고 있다. 처리 스테이션(3)의 X 방향 마이너스 방향(도 1에서 아랫 방향)측에는 카세트 스테이션(2)측으로부터 제1 처리 장치군(G1), 제2 처리 장치군(G2)이 순서대로 배치되어 있다. 처리 스테이션(3)의 X 방향 플러스 방향(도 1에서 윗 방향)측에는 카세트 스테이 션(2)측으로부터 제3 처리 장치군(G3), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5)이 순서대로 배치되어 있다.
제3 처리 장치군(G3)과 제4 처리 장치군(G4) 사이에는 제1 반송 장치(10)가 설치되어 있다. 제1 반송 장치(10)는 제1 처리 장치군(G1), 제3 처리 장치군(G3) 및 제4 처리 장치군(G4) 내의 각 처리 장치에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 제4 처리 장치군(G4)과 제5 처리 장치군(G5) 사이에는, 제2 반송 장치(11)가 설치되어 있다. 제2 반송 장치(11)는 제2 처리 장치군(G2), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5) 내의 각 처리 장치에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이 제1 처리 장치군(G1)에는 웨이퍼(W)에 소정의 액체를 공급하여 처리하는 액처리 장치, 예컨대 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치(20, 21, 22), 노광 처리시의 빛의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 하부 코팅 장치(23, 24)가 아래에서부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다. 제2 처리 장치군(G2)에는, 액처리 장치, 예컨대 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 처리 장치(30 내지 34)가 아래에서부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다. 또한 제1 처리 장치군(G1) 및 제2 처리 장치군(G2)의 최하단에는, 각 처리 장치군(G1, G2) 내의 액처리 장치에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(40, 41)이 각각 설치되어 있다.
예컨대 도 3에 도시하는 바와 같이 제3 처리 장치군(G3)에는, 온도 조절 장치(60), 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 트랜지션 장치(61), 정밀도가 높은 온도 관리 하에서 웨이퍼(W)를 온도 조절하는 고정밀도 온도 조절 장치(62 내지 64) 및 웨이퍼(W)를 고온으로 가열 처리하는 고온도 열처리 장치(65 내지 68)가 아래에서부터 순서대로 9단으로 중첩되어 있다.
제4 처리 장치군(G4)에서는, 예컨대 고정밀도 온도 조절 장치(70), 레지스트 도포 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 프리베이킹 장치(71 내지 74) 및 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 베이킹 장치(75 내지 79)가 아래에서부터 순서대로 10단으로 중첩되어 있다.
제5 처리 장치군(G5)에서는, 웨이퍼(W)를 열처리하는 복수의 열처리 장치, 예컨대 고정밀도 온도 조절 장치(80 내지 83), 노광 후 현상 전의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 복수의 노광 후 베이킹 장치[이하 「PEB(Post-Exposure Baking) 장치」로 한다)(84 내지 89)가 아래에서부터 순서대로 10단으로 중첩되어 있다.
PEB 장치(84 내지 89)는 도 4에 도시하는 바와 같은 예컨대 웨이퍼(W)를 적재하여 가열하는 열처리판으로서의 열판(90)을 구비하고 있다. 열판(90)은 두께가 있는 대략 원반 형상을 갖고 있다. 열판(90)은 복수, 예컨대 5개의 열판 영역(R1, R2, R3, R4, R5)으로 구획되어 있다. 열판(90)은, 예컨대 평면에서 봤을 때 중심부에 위치하여 원형의 열판 영역(R1)과, 그 주위를 원호형으로 4등분한 열판 영역(R2 내지 R5)으로 구획되어 있다.
열판(90)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)에는, 급전에 의해 발열하는 히터(91) 가 개별적으로 내장되고, 각 열판 영역(R1 내지 R5)마다 가열할 수 있다. 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 히터(91)의 발열량은, 예컨대 온도 제어 장치(92)에 의해 조정되고 있다. 온도 제어 장치(92)는, 각 히터(91)의 발열량을 조정하여, 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도를 소정의 설정 온도로 제어할 수 있다. 온도 제어 장치(92)에 있어서의 온도 설정은, 예컨대 후술하는 온도 설정 장치(150)에 의해 행해진다.
도 1에 도시하는 바와 같이 제1 반송 장치(10)의 X 방향 플러스 방향측에는, 복수의 처리 장치가 배치되어 있고, 예컨대 도 3에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)를 소수화 처리(hydrophobic treatment)하기 위한 접착 장치(100, 101)가 아래에서부터 순서대로 2단으로 중첩되어 있다. 도 1에 도시하는 바와 같이 제2 반송 장치(11)의 X 방향 플러스 방향측에는, 예컨대 웨이퍼(W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하는 주변 노광 장치(102)가 배치되어 있다.
인터페이스 스테이션(4)에는, 예컨대 도 1에 도시하는 바와 같이 X 방향을 향해 연장되는 반송로(110) 상에서 이동하는 웨이퍼 반송체(111)와, 버퍼 카세트(112)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(11)는, 상하 이동 가능하면서 θ 방향으로도 회전 가능하고, 인터페이스 스테이션(4)에 인접한 도시하지 않는 노광 장치와, 버퍼 카세트(112) 및 제5 처리 장치군(G5)에 대하여 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)으로는, 예컨대 다음과 같은 포토리소그래피 공정의 일련의 웨이퍼 처리가 행해진다. 먼저, 카세트 적재대(5) 상의 카세트(C)로부터 미처리 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반송체(7)에 의해서 한 장씩 취출되어 제3 처리 장치군(G3)의 온도 조절 장치(60)에 순차 반송된다. 온도 조절 장치(60)에 반송된 웨이퍼(W)는 소정 온도로 온도 조절되고, 그 후 제1 반송 장치(10)에 의해서 하부 코팅 장치(23)에 반송되어 반사 방지막이 형성된다. 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 제1 반송 장치(10)에 의해 고온도 열처리 장치(65), 고정밀도 온도 조절 장치(70)에 순차 반송되어 각 장치에서 소정의 처리가 실시된다.
그 후 웨이퍼(W)는 레지스트 도포 장치(20)에 반송되어 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제1 반송 장치(10)에 의해서 프리베이킹 장치(71)에 반송되어 프리베이킹이 행해진다. 계속해서 웨이퍼(W)는 제2 반송 장치(11)에 의해서 주변 노광 장치(102), 고정밀도 온도 조절 장치(83)에 순차 반송되어 각 장치에서 소정의 처리가 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(4)의 웨이퍼 반송체(111)에 의해 도시하지 않는 노광 장치에 반송되어 노광된다. 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체(111)에 의해 예컨대 PEB 장치(84)에 반송된다.
PEB 장치(84)에서는, 미리 각 열판 영역(R1 내지 R5)마다 소정 온도로 설정된 열판(90) 상에 웨이퍼(W)가 적재되어 노광 후 베이킹이 행해진다.
노광 후 베이킹이 종료된 웨이퍼(W)는 제2 반송 장치(11)에 의해서 고정밀도 온도 조절 장치(81)에 반송되어 온도 조절된다. 그 후, 현상 처리 장치(30)에 반송되어 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 현상된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제2 반송 장 치(11)에 의해서 포스트 베이킹 장치(75)에 반송되어 포스트 베이킹이 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 고정밀도 온도 조절 장치(63)에 반송되어 온도 조절된다. 그리고 웨이퍼(W)는 제1 반송 장치(10)에 의해 트랜지션 장치(61)에 반송되고, 웨이퍼 반송체(7)에 의해 카세트(C)에 복귀되어, 일련의 웨이퍼 처리인 포토리소그래피 공정이 종료된다.
그런데, 전술한 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 면내의 처리 상태로서의 레지스트 패턴의 선폭을 측정하는 선폭 측정 장치(120)가 설치되어 있다. 선폭 측정 장치(120)는, 예컨대 카세트 스테이션(2)에 설치되어 있다. 선폭 측정 장치(120)는, 예컨대 도 5에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)를 수평으로 적재하는 적재대(121)와, 광학식 표면 형상 측정계(122)를 구비하고 있다. 적재대(121)는, 예컨대 X-Y 스테이지로 되어 있고, 수평 방향의 2차원 방향으로 이동할 수 있다.
광학식 표면 형상 측정계(122)는, 예컨대 웨이퍼(W)에 대하여 경사 방향으로부터 빛을 조사하는 광조사부(123)와, 광조사부(123)로부터 조사되어 웨이퍼(W)가 반사한 빛을 검출하는 광검출부(124)와, 이 광검출부(124)의 수광 정보에 기초하여 웨이퍼(W) 상의 레지스트 패턴의 선폭을 산출하는 산출부(125)를 구비하고 있다. 본 실시예에 따른 선폭 측정 장치(120)는, 예컨대 스캐터로미트리(Scatterometry)법을 이용하여 레지스트 패턴의 선폭을 측정하는 것이고, 산출부(125)에 있어서, 광검출부(124)에 의해 검출된 웨이퍼 면내의 광강도 분포와, 미리 기억되어 있는 가상의 광강도 분포를 대조하며, 그 대조된 가상의 광강도 분포에 대응하는 레지스 트 패턴의 선폭을 구함으로써 레지스트 패턴의 선폭을 측정할 수 있다.
선폭 측정 장치(120)는 광조사부(123) 및 광검출부(124)에 대하여 웨이퍼(W)를 상대적으로 수평 이동시키는 것에 의해, 웨이퍼 면내의 복수 지점의 선폭을 측정할 수 있다. 선폭 측정 장치(120)의 측정 결과는, 예컨대 산출부(125)로부터 후술하는 온도 설정 장치(150)에 출력할 수 있다.
다음에, 상기 PEB 장치(84 내지 89)의 열판(90)의 온도 설정을 행하는 온도 설정 장치(150)의 구성에 대해서 설명한다. 예컨대 온도 설정 장치(150)는, 예컨대 CPU나 메모리 등을 구비한 범용 컴퓨터에 의해 구성되어 있다. 온도 설정 장치(150)는, 예컨대 도 4나 도 5에 도시한 바와 같이 열판(90)의 온도 제어 장치(92)와 선폭 측정 장치(120)에 접속되어 있다.
온도 설정 장치(150)는, 예컨대 도 6에 도시하는 바와 같이 각종 프로그램을 실행하는 연산부(160)와, 예컨대 열판(90)의 온도 설정을 위한 각종 정보를 입력하는 입력부(161)와, 열판(90)의 온도 설정을 위한 각종 정보를 저장하는 데이터 저장부(162)와, 열판(90)의 온도 설정을 위한 각종 프로그램을 저장하는 프로그램 저장부(163)와, 열판(90)의 온도 설정을 위한 각종 정보를 온도 제어 장치(92)나 선폭 측정 장치(120) 사이에서 통신하는 통신부(164) 등을 구비하고 있다.
프로그램 저장부(163)에는, 예컨대 웨이퍼 면내의 선폭 측정 결과로부터, 그 웨이퍼 면내의 측정 선폭의 복수의 면내 경향 성분(Zi)(i=1 내지 n, n은 1 이상의 정수)을 산출하는 프로그램(P1)이 기억되어 있다. 이 복수의 면내 경향 성분(Zi)은, 예컨대 도 7에 도시하는 바와 같이 제르니케(Zernike) 다항식을 이용하여, 웨이퍼 면내의 측정 선폭의 면내 경향(Z)(웨이퍼 면내의 변동 경향)을 복수의 성분으로 분해하여 나타낸 것이다.
여기서 제르니케 다항식에 대해서 설명을 추가하면, 제르니케 다항식은, 광학 분야에서 자주 사용되는 반경이 1인 단위 원 상의 복소 함수이며(실용적으로는 실수 함수로서 사용되고 있다), 극좌표의 인수(t, θ)를 갖는다. 이 제르니케 다항식은 광학 분야에서는 주로 렌즈의 수차 성분을 분석하기 위해 사용되고 있고, 파면 수차를 제르니케 다항식을 이용하여 분해함으로써, 각각 독립된 파면, 예컨대 산(山)형, 안장형 등의 형상에 기초하는 수차 성분을 알 수 있다.
본 실시예에 있어서는, 예컨대 웨이퍼 면내의 다수점의 선폭 측정값을 웨이퍼면 상의 높이 방향으로 나타내고, 이들의 선폭 측정값의 점을 매끄러운 곡면에 의해 연결시킴으로써, 웨이퍼 면내의 측정 선폭의 면내 경향(Z)을 상하로 꾸불꾸불한 파면으로서 받아들인다. 그리고 그 웨이퍼 면내의 측정 선폭의 면내 경향(Z)은 제르니케 다항식을 이용하여, 예컨대 상하 방향의 Z 방향의 어긋남 성분, X 방향 기울기 성분, Y 방향 기울기 성분, 볼록형 또는 오목형으로 만곡하는 만곡 성분 등의 복수의 면내 경향 성분(Zi)으로 분해된다. 각 면내 경향 성분(Zi)의 크기는 제르니케 계수로 나타낼 수 있다.
각 면내 경향 성분(Zi)을 나타내는 제르니케 계수는 구체적으로 극좌표의 인수는 (r, θ)를 이용하여 이하의 식으로 나타낼 수 있다.
Z1(1)
Z2(1·cosθ)
Z3(r·sinθ)
Z4(2r2-1)
Z5(r2·cos2θ)
Z6(r2·sin2θ)
Z7((3r3-2r)·cosθ)
Z8((3r3-2r)·sinθ)
Z9(6r4-6r2+1)
：
본 실시예에 있어서, 예컨대 제르니케 계수(Z1)는 웨이퍼 면내의 선폭 평균값(Z 방향 어긋남 성분), 제르니케 계수(Z2)는 X 방향 기울기 성분, 제르니케 계수(Z3)는 Y 방향의 기울기 성분, 제르니케 계수(Z4, Z9)는 만곡 성분을 나타낸다.
도 6에 도시하는 바와 같이 데이터 저장부(162)에는, 예컨대 웨이퍼 면내의 측정 선폭의 면내 경향(Z)으로부터 분해된 면내 경향 성분(Zi) 중, 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한(변동 가능한) 면내 경향 성분(Zai)(i는 1 내지 n 사이의 정수)의 제르니케 계수 번호 정보(I)가 저장되어 있 다. 예컨대 이 개선 가능한 면내 경향 성분(Zai)의 특정은, 예컨대 열판(90)의 각각의 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도를 개별로 변동시키고, 그 각 경우의 웨이퍼 면내의 선폭을 측정한다. 그리고 그 각 경우의 측정 선폭의 면내 경향을 제르니케 다항식을 이용하여 분해하고, 열판 영역(R1 내지 R5)의 설정 온도의 변동에 의해 변동하는 면내 경향 성분을 개선 가능한 면내 경향 성분(Zai)으로 한다.
프로그램 저장부(163)에는, 예컨대 도 8에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 면내의 측정 선폭의 면내 경향(Z)으로부터 분해된 면내 경향 성분(Zi) 중, 개선 가능한 면내 경향 성분(Zai)을 특정하고, 이들을 합하여, 웨이퍼 면내의 측정 선폭에 있어서의 개선 가능한 면내 경향(Za)을 산출하는 프로그램(P2)이 저장되어 있다. 또한 프로그램 저장부(163)에는 산출된 개선 가능한 면내 경향(Za)의 크기(변동 정도)를 나타내는 예컨대 3σ(시그마)가 미리 정해져 있는 임계값을 초과하는지의 여부를 판단하는 프로그램(P3)이 저장되어 있다.
프로그램 저장부(163)에는, 개선 가능한 면내 경향(Za)의 크기가 임계값을 초과한 경우에, 예컨대 다음 관계식 (1)로부터 개선 가능한 면내 경향(Za)의 각 면내 경향 성분(Zai)이 제로(ZER0)가 되도록 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT)을 산출하는 프로그램(P4)이 저장되어 있다.
ΔZ = M·ΔT … (1)
관계식 (1)의 산출 모델(M)은, 예컨대 웨이퍼 면내의 선폭의 각 면내 경향 성분(Zi)의 변동량(각 제르니케 계수의 변화량)(ΔZ)과 온도 보정값(ΔT)의 상관을 나타내는 상관 행렬이다. 구체적으로는, 산출 모델(M)은, 예컨대 도 9에 도시하는 바와 같이 특정 조건의 제르니케 계수를 이용하여 나타낸 n(면내 경향 성분수)행×m(열판 영역수)열의 행렬식이다.
산출 모델(M)은 열판 영역(R1 내지 R5)의 각각의 온도를 순서대로 1℃ 상승시키고, 그 각 경우의 웨이퍼 면내에 있어서의 선폭 변동량을 측정하며, 그 선폭 변동량에 따른 제르니케 계수의 변동량(면내 경향 성분의 변동량)을 산출하고, 이들 단위 온도 변동당 제르니케 계수의 변동량을 행렬식의 각 요소(Mi, j)(1≤i≤n, 1≤j≤m, 본 실시예에서는 열판 영역수인 m=5)로서 나타낸 것이다. 또한 열판 영역의 온도를 1℃ 상승시켜도 변동하지 않는 면내 경향 성분은 제르니케 계수의 변동량이 제로(ZERO)가 되기 때문에, 그에 대응하는 요소는 제로(ZERO)가 된다.
관계식 (1)은 양변에 산출 모델(M)의 역행열 M-1을 곱함으로써, 다음 식 (2)로 나타낼 수 있다.
ΔT = M-1·ΔZ … (2)
개선 가능한 면내 경향(Za)의 각 면내 경향 성분(Zai)을 제로(ZERO)로 하기 위해서는, 면내 경향의 변화량(ΔZ)에, 개선 가능한 각 면내 경향 성분(Zai)의 값에 -1을 곱한 것이 대입되고, 그 이외의 개선 불가능한 면내 경향 성분에는 제로(ZERO)가 대입된다.
또한, 온도 설정 장치(150)에 의한 온도 설정 프로세스를 실현하기 위한 각종 프로그램은, 컴퓨터 판독 가능한 CD 등의 기록매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기록매체로부터 온도 설정 장치(150)에 설치된 것이어도 좋다.
다음에, 이상과 같이 구성된 온도 설정 장치(150)에 의한 온도 설정 프로세스에 대해서 설명한다. 도 10은 이러한 온도 설정 프로세스의 일례를 도시하는 흐름도이다.
예컨대 도포 현상 처리 시스템(1)에서 연속적으로 처리되고 있는 웨이퍼(W)가 소정 매수 간격으로 정기적으로 선폭 측정된다. 예컨대 전술한 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된 웨이퍼(W)가 카세트 스테이션(2)의 선폭 측정 장치(120)에 반송되어, 웨이퍼 면내의 레지스트 패턴의 선폭이 측정된다(도 10의 공정 S1). 이 때, 도 11에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 면내의 복수의 측정점(Q)의 선폭이 측정되고, 적어도 열판(90)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)에 대응한다, 각 웨이퍼 영역(W1, W2, W3, W4, W5)의 선폭이 측정된다.
웨이퍼 면내의 선폭의 측정 결과는 온도 설정 장치(150)에 출력된다. 온도 설정 장치(150)에서는, 예컨대 웨이퍼 영역(W1 내지 W5)의 복수의 측정점(Q)의 선폭 측정값으로부터 웨이퍼 면내의 측정 선폭의 면내 경향(Z)이 산출되고 그 면내 경향(Z)으로부터, 도 7에 도시한 바와 같이 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분(Zi)(i=1 내지 n)이 분해되어 산출된다(도 10의 공정 S2).
계속해서, 도 8에 도시하는 바와 같이 복수의 면내 경향 성분(Zi)으로부터, 미리 구해져 있는 개선 가능한 면내 경향 성분(Zai)이 추출되고 이것들이 합쳐진다. 이렇게 하여 웨이퍼 면내의 선폭의 개선 가능한 면내 경향(Za)이 산출된다(도 10의 공정 S3).
그 후, 개선 가능한 면내 경향(Za)의 크기를 나타내는 3σ가 산출되고, 그 3σ의 값이 미리 설정되어 있는 임계값(L)을 초과하는지의 여부가 판정된다(도 10의 공정 S4).
예컨대 도 12에 도시하는 (a)와 같이 개선 가능한 면내 경향(Za)의 3σ가 임계값(L) 이하인 경우에는, 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT)의 변경이 행해지지 않고, 이 웨이퍼(W)에 대한 온도 설정 프로세스가 종료된다.
예컨대 도 12에 도시하는 (b)와 같이 개선 가능한 면내 경향(Za)의 3σ가 임계값(L)을 초과한 경우에는, 열판(90)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT)이 변경된다. 예컨대 우선 관계식 (2)의 ΔZ항에 도 13에 도시하는 바와 같이 개선 가능한 면내 경향(Za)의 각 면내 경향 성분(Zai)에 -1을 곱한 것이 대입된다. 또한 개선 불가능한 면내 경향 성분에 대해서는 제로(ZERO)가 대입된다. 이 관계식 (2)에 의해, 개선 가능한 면내 경향(Za)의 각 성분(Zai)이 제로(ZERO)가 되는 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT1, ΔT2, ΔT3, ΔT4, ΔT5)이 구해진다(도 10의 공정 S5).
그 후, 각 온도 보정값(ΔT1 내지 ΔT5)의 정보가 통신부(164)로부터 온도 제어 장치(92)에 출력되고, 온도 제어 장치(92)에 있어서의 열판(90)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 설정에 새로운 온도 보정값(ΔT1 내지 ΔT5)이 설정된다(도 10의 공정 S6). 새로운 온도 보정값이 설정되면, 이 웨이퍼(W)에 대한 온도 설정 프로세스가 종료한다. 이상의 온도 설정 프로세스는, 정기적으로 반복하여 행해진다.
또한, 전술한 온도 설정 프로세스는, 예컨대 온도 설정 장치(150)에 기억된 전술한 각종 프로그램을 실행함으로써 행해진다.
이상의 실시예에 의하면, 웨이퍼 면내의 선폭을 측정하고, 그 측정 선폭의 면내 경향(Z)으로부터, 개선 가능한 면내 경향(Za)을 산출하며, 그 개선 가능한 면내 경향(Za)의 크기를 나타내는 3σ가 미리 설정되어 있는 임계값(L)을 초과하는지의 여부를 판단하고, 초과한 경우에, 열판(90)의 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT)이 변경된다. 이 경우, 웨이퍼 면내의 선폭 측정으로부터 산출된 개선 가능한 면내 경향(Za)의 크기와 미리 정해진 그 임계값(L)을 기준으로, 온도 보정값(ΔT)의 변경이 행해지기 때문에, 예컨대 작업원의 경험이나 지식에 좌우되지 않고, 온도 보정값(ΔT)의 설정 변경의 타이밍을 일정화할 수 있다. 또한, 개선 가능한 면내 경향(Za)이 커진 경우에만 온도 보정값(ΔT)을 변경하기 때문에, 불필요한 경우에 온도 보정값(ΔT)이 변경되지 않고, 온도 보정값(ΔT)의 설정 변경의 타이밍을 적정화할 수 있다.
이상의 실시예에 의하면, 개선 가능한 면내 경향(Za)을 산출할 때에, 웨이퍼 면내의 측정 선폭의 면내 경향(Z)이 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분(Zi)으로 분해되고, 이들 복수의 면내 경향 성분(Zi) 중, 개선 가능한 면내 경향 성분(Zai)이 합쳐져, 개선 가능한 면내 경향(Za)이 산출되기 때문에, 개선 가능한 면내 경향(Za)의 산출이 정확하면서 용이하게 행해진다.
또한, 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT)을 변경할 때에, 관계식 (1)의 산출 모델(M)을 이용하여, 개선 가능한 각 면내 경향 성분(Zai)이 제로(ZERO)가 되는 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT1 내지 ΔT5)이 산출되고, 그 산출된 온도 보정값(ΔT1 내지 ΔT5)이 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도로 설정되기 때문에, 온도 보정 후의 웨이퍼 처리로는, 가능한 한 개선된 최적의 선폭 면내 경향을 얻을 수 있다. 따라서 웨이퍼 면내에서 보다 균일한 선폭을 형성할 수 있다. 특히 PEB 장치(84)에서 행해지는 열처리는 포토리소그래피 공정에 의해 최종적으로 형성되는 레지스트 패턴의 선폭에 큰 영향을 미치는 것이기 때문에, PEB 장치(84)의 열판(90)의 온도 설정을 이러한 방법에 의해 행하는 것의 효과는 매우 크다.
이상의 실시예에서는, 개선 가능한 면내 경향(Za)의 산출이나, 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT)의 산출을 제르니케 다항식을 이용하여 행하고 있었지만, 다른 방법으로 행할 수도 있다.
예컨대 도 14에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 면내의 복수의 측정점(Q)의 선폭 측정값(D)을 웨이퍼면 상의 높이 방향으로 나타냄으로써, 웨이퍼 면내의 측정 선폭의 면내 경향이 표시된다. 그리고 그 복수의 측정점(Q)의 선폭 측정값(D)이 예컨대 도 15에 도시하는 바와 같이 X축을 포함하는 수직면에 투사되고, 그 선폭 측정값(D)의 분포로부터, 최소 제곱법을 이용하여, 하나의 면내 경향 성분이 되는 X 방향의 기울기 성분(Fx)이 산출된다. 또한, 복수의 측정점(Q)의 선폭 측정값(D)이 도 16에 도시하는 바와 같이 Y축을 포함하는 수직면에 투사되고, 그 선폭 측정값(D)의 분포로부터, 최소 제곱법을 이용하여, 하나의 면내 경향 성분이 되는 Y 방향의 기울기 성분(Fy)이 산출된다. 또한 선폭 측정값(D)의 전체의 면내 경향으로부터, X 방향의 기울기 성분(Fx)과 Y 방향의 기울기 성분(Fy)을 제외함으로써, 도 17에 도시하는 바와 같이 하나의 면내 경향 성분인 볼록형의 만곡 성분(Fz)이 산출된다. 예컨대 이들 면내 경향 성분(Fx, Fy, Fz)을 합함으로써, 개선 가능한 면내 경향(Fa)이 산출된다. 이 개선 가능한 면내 경향(Fa)의 크기가 미리 설정되어 있는 그 임계값(L)을 초과한 경우에만 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT)이 변경된다.
그리고, 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT)이 변경되는 경우에는, 예컨대 다음 관계식 (3)에 의해서, 개선 가능한 면내 경향(Fa)의 각 면내 경향 성분(Fx, Fy, Fz)이 제로(ZERO)가 되는 각 열판 영역(R1 내지 R2)의 온도 보정값(ΔT)이 산출된다.
ΔF = M·ΔT …(3)
관계식 (3)의 산출 모델(M)은, 예컨대 웨이퍼 면내의 선폭의 각 면내 경향 성분(Fx, Fy, Fz)의 변동량(ΔF)과 온도 보정값(ΔT)의 상관을 나타내는 상관 행렬이다.
예컨대 관계식 (3)의 ΔF항에 각 면내 경향 성분(Fx, Fy, Fz)의 값에 -1을 곱한 것이 대입되어, 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 보정값(ΔT1 내지 ΔT5)이 산출된다. 그 후 각 열판 영역(R1 내지 R5)의 온도 설정에 새로운 온도 보정값(ΔT1 내지 ΔT5)이 설정된다.
이 예에 의해서도, 개선 가능한 면내 경향(Fa)의 크기와 미리 정해진 그 임계값(L)을 기준으로 온도 보정값(ΔT)이 변경되기 때문에, 예컨대 작업원의 경험이나 지식에 좌우되지 않고, 온도 보정값(ΔT)의 설정 변경의 타이밍을 일정화하며 적정화할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자이면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예로 예상할 수 있는 것은 명백하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이다.
예컨대 상기 실시예에 있어서, 개선 가능한 면내 경향(Za)의 크기를 3σ로 나타내어 그 임계값(L)과 비교하였지만, 개선 가능한 면내 경향(Za)의 크기를 웨이퍼 면내의 최대값과 최소값의 차로 나타내어 그것과 그 임계값을 비교하여도 좋다.
상기 실시예에 있어서, 개선 가능한 면내 경향(Za)의 크기가 그 임계값(L)을 초과한 경우에, 알람을 발생하여도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 도포 현상 처리 시스템(1)의 온도 설정 장치(150)에 표시부를 설치하고 그 표시부에 알람을 표시하여도 좋다.
상기 실시예에 있어서, 온도 설정되는 열판(90)은 5개의 영역으로 구획되어 있지만, 그 수는 임의로 선택할 수 있다. 또한, 열판(90)의 구획 영역의 형상도 임의로 선택할 수 있다. 상기 실시예에서는, 웨이퍼 면내의 선폭에 기초하여, PEB 장치(84)의 열판(90)의 온도 설정을 행하는 예였지만, 프리베이킹 장치나 포스트 베이킹 장치 등에 있는 다른 열처리를 행하는 열판의 온도 설정이나, 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 처리 장치의 냉각판의 온도 설정을 행하는 경우에도 본 발명은 적용할 수 있다.
또한 이상의 실시예에서는, 웨이퍼 면내의 선폭에 기초하여 열판의 온도 설정을 행하고 있었지만, 웨이퍼 면내의 선폭 이외의 다른 처리 상태, 예컨대 레지스트 패턴 홈의 측벽의 각도(사이드 월 앵글)나 레지스트 패턴의 막 두께에 기초하여 PEB 장치, 프리베이킹 장치, 포스트 베이킹 장치 등의 열처리판의 온도 설정을 행하여도 좋다.
또한, 이상의 실시예에서는, 포토리소그래피 공정 후로서, 에칭 공정 전의 레지스트 패턴의 선폭에 기초하여 열판의 온도 설정을 행하고 있었지만, 에칭 공정 후의 패턴의 선폭이나 사이드 월 앵글에 기초하여 열처리판의 온도 설정을 행하여도 좋다. 또한 본 발명은, 웨이퍼 이외의 예컨대 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판을 열처리하는 열처리판의 온도 설정에도 적용할 수 있다.
본 발명은 기판을 적재하여 열처리하는 열처리판의 온도을 설정할 때에 유용하다.
도 1은 도포 현상 처리 시스템의 구성을 도시하는 개략 평면도.
도 2는 도 1의 도포 현상 처리 시스템의 정면도.
도 3은 도 1의 도포 현상 처리 시스템의 배면도.
도 4는 PEB 장치의 열판의 구성을 도시하는 평면도.
도 5는 선폭 측정 장치의 구성을 도시하는 개략 설명도.
도 6은 온도 설정 장치의 구성을 도시하는 블록도.
도 7은 선폭 측정에 의한 선폭의 면내 경향을 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해한 상태를 도시하는 설명도.
도 8은 개선 가능한 면내 경향 성분을 합하여 개선 가능한 면내 경향을 산출하는 내용을 도시하는 설명도.
도 9는 산출 모델의 일례를 도시하는 행렬식.
도 10은 온도 설정 프로세스를 도시하는 흐름도.
도 11은 웨이퍼 면내의 선폭의 측정점을 도시하는 설명도.
도 12는 개선 가능한 면내 경향의 3σ가 임계값을 초과한 경우와 초과하지 않은 경우를 도시하는 그래프.
도 13은 면내 경향 성분의 조정량과 온도 보정값을 대입한 산출 모델의 관계식.
도 14는 선폭 측정값의 변동 경향을 도시하는 설명도.
도 15는 선폭 측정값의 변동 경향의 X 방향의 기울기 성분을 도시하는 설명 도.
도 16은 선폭 측정값의 변동 경향의 Y 방향의 기울기 성분을 도시하는 설명도.
도 17은 선폭 측정값의 변동 경향의 만곡 성분을 도시하는 설명도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도포 현상 처리 시스템
84 : PEB 장치
90 : 열판
120 : 선폭 측정 장치
150 : 온도 측정 장치
R1∼R5 : 열판 영역
W1∼W5 : 웨이퍼 영역
M : 산출 모델
Z : 면내 경향
Zi : 면내 경향 성분
Za : 개선 가능한 면내 경향
Zai : 개선 가능한 면내 경향
W : 웨이퍼

Claims (15)

  1. 복수 영역으로 구획되어 상기 영역마다 온도 설정 가능하면서, 각 영역마다 면내 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 설정 가능한 열처리판에 기판을 적재하여 열처리할 때의 상기 열처리판의 온도 설정 방법에 있어서,
    상기 열처리를 포함하는 일련의 기판 처리가 종료된 기판에 대해서 기판 면내의 처리 상태를 측정하는 공정과,
    상기 측정된 처리 상태의 기판의 면내 경향으로부터, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향을 산출하는 공정과,
    상기 개선 가능한 면내 경향의 크기가 미리 설정되어 있는 임계값을 초과한 경우에, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 변경하는 공정
    을 포함하는 열처리판의 온도 설정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개선 가능한 면내 경향의 크기가 임계값을 초과한 경우에, 알람이 발생하는 것인 열처리판의 온도 설정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 개선 가능한 면내 경향을 산출할 때에는,
    상기 측정된 처리 상태의 기판의 면내 경향을 제르니케(Zernike) 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해하고, 이들 복수의 면내 경향 성분 중, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향 성 분을 합하여, 상기 개선 가능한 면내 경향을 산출하는 것인 열처리판의 온도 설정 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 변경할 때에는,
    상기 면내 경향 성분의 변화량과 상기 온도 보정값의 상관을 나타내는 산출 모델을 이용하여, 상기 개선 가능한 각 면내 경향 성분이 제로(ZERO)가 되는 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 산출하고, 그 산출된 온도 보정값을 상기 열처리판의 각 영역의 온도로 설정하는 것인 열처리판의 온도 설정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 일련의 기판 처리는 포토리소그래피 공정에서 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 처리인 열처리판의 온도 설정 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기판 면내의 처리 상태는 레지스트 패턴의 선폭인 것인 열처리판의 온도 설정 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 열처리는 노광 처리 후 현상 처리 전에 행해지는 것인 가열 처리인 것인 열처리판의 온도 설정 방법.
  8. 복수 영역으로 구획되어 상기 영역마다 온도 설정 가능하면서, 각 영역마다 면내 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 설정 가능한 열처리판에 기판을 적재하 여 열처리할 때의 열처리판의 온도 설정 방법을 제어하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서,
    상기 온도 설정 방법은,
    상기 열처리를 포함하는 일련의 기판 처리가 종료된 기판에 대해서 기판 면내의 처리 상태를 측정하는 공정과,
    상기 측정된 처리 상태의 기판의 면내 경향으로부터, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향을 산출하는 공정과,
    상기 개선 가능한 면내 경향의 크기가 미리 설정되어 있는 임계값을 초과한 경우에, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 변경하는 공정
    을 포함하는 것인 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  9. 복수의 영역에 구획되어 상기 영역마다 온도 설정 가능하면서, 각 영역마다 면내 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 설정 가능한 열처리판에 기판을 적재하여 열처리할 때에 상기 열처리판의 온도를 설정하는 온도 설정 장치에 있어서,
    상기 온도 설정 장치는 프로세스를 실행하기 위한 연산부를 포함하고,
    상기 프로세스는, 상기 열처리를 포함하는 일련의 기판 처리가 종료된 기판에 대한 기판 면내의 처리 상태에 기초하여, 그 처리 상태의 기판의 면내 경향으로부터, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향을 산출하며, 상기 개선 가능한 면내 경향의 크기가 미리 설정되어 있는 임계값을 초과한 경우에, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 변경하는 것인 열처 리판의 온도 설정 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 개선 가능한 면내 경향의 크기가 임계값을 초과한 경우에, 알람이 발생하는 것인 열처리판의 온도 설정 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 개선 가능한 면내 경향을 산출할 때에는,
    상기 처리 상태의 기판의 면내 경향을 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해하고, 이들 복수의 면내 경향 성분 중, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향 성분을 합하여, 상기 개선 가능한 면내 경향이 산출되는 것인 열처리판의 온도 설정 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 변경할 때에는,
    상기 면내 경향 성분의 변화량과 상기 온도 보정값의 상관을 나타내는 산출 모델을 이용하여, 상기 개선 가능한 각 면내 경향 성분이 제로(ZERO)가 되는 상기 열처리판의 각 영역의 온도 보정값을 산출하고, 그 산출된 온도 보정값을 상기 열처리판의 각 영역의 온도로 설정하는 것인 열처리판의 온도 설정 장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 일련의 기판 처리는 포토리소그래피 공정에서 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 처리인 것인 열처리판의 온도 설정 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판 면내의 처리 상태는 레지스트 패턴의 선폭인 것인 열처리판의 온도 설정 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 열처리는 노광 처리 후 현상 처리 전에 행해지는 가열 처리인 것인 열처리판의 온도 설정 장치.
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