KR20080049016A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 프로그램 및그 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 기판에 레지스트액을 도포하는 도포 처리와, 도포 처리 후의 기판을 가열 처리하는 제1 가열 처리와, 레지스트막을 미리 결정된 패턴으로 노광하는 노광 처리와, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 제2 가열 처리와, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리를 일련의 처리로서 실행하고, 상기 기판에 미리 결정된 레지스트 패턴을 형성하는 기판 처리 장치로서,상기 현상 처리 후에 상기 기판에 형성된 레지스트 패턴의 사이드 월 앵글을 측정 검사하는 검사 장치와,상기 현상 처리 후의 레지스트 패턴의 사이드 월 앵글의 목표값과 상기 검사 장치에 의한 사이드 월 앵글의 검사 결과의 차분에 기초하여 상기 현상 처리 후의 사이드 월 앵글이 상기 목표값에 근사하도록, 상기 제1 가열 처리 또는 상기 제2 가열 처리에서의 처리 조건을 설정하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 검사 장치는, 상기 현상 처리 후에 상기 기판에 형성된 레지스트 패턴의 선폭을 측정 검사하고,상기 제어부는, 상기 현상 처리 후의 레지스트 패턴의 선폭의 목표값과 상기 검사 장치에 의한 선폭의 검사 결과의 차분에 기초하여 상기 현상 처리 후의 레지스트 패턴의 선폭이 상기 목표값에 근사하도록, 상기 제2 가열 처리 또는 상기 제1 가열 처리에서의 처리 조건을 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 가열 처리를 행하는 제1 열처리 장치와, 상기 제2 가열 처리를 행하는 제2 열처리 장치를 구비하고,상기 제1 열처리 장치와 상기 제2 열처리 장치는 각각,복수의 가열 영역으로 구획되며, 상기 복수의 가열 영역 상에 상기 기판이 적재되는 열처리판과, 상기 복수의 가열 영역의 각각을 독립적으로 가열하는 가열 수단을 가지며,상기 검사 장치는, 상기 복수의 가열 영역의 각각에서 가열 처리된 상기 기판의 각 기판 영역에 대하여 상기 현상 처리 후의 레지스트 패턴을 측정 검사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제어 수단은 상기 열처리판의 복수의 가열 영역의 각각에 대해서 가열 처리의 조건 설정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제어부는 적어도 열처리 온도와 레지스트액의 종류의 조합에 의해 정해지는 처리 레시피마다 상기 제1 가열 처리 또는 상기 제2 가열 처리에서의 처리 조건을 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 가열 처리 및 제2 가열 처리에서의 가열 처리의 조건은 적어도 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 기판에 레지스트액을 도포하는 도포 처리와, 도포 처리 후의 기판을 가열 처리하는 제1 가열 처리와, 레지스트막을 미리 결정된 패턴으로 노광하는 노광 처리와, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 제2 가열 처리와, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리를 일련의 처리로서 실행하고, 상기 기판에 미리 결정된 레지스트 패턴을 형성하는 기판 처리 방법으로서,상기 현상 처리 후에 상기 기판에 형성된 레지스트 패턴의 사이드 월 앵글을 측정 검사하는 단계와,상기 현상 처리 후의 레지스트 패턴의 사이드 월 앵글의 목표값과, 상기 검사 장치에 의한 사이드 월 앵글의 검사 결과의 차분에 기초하여 다음 회의 처리에 서의 상기 현상 처리 후의 사이드 월 앵글이 상기 목표값에 근사하도록, 상기 제1 가열 처리 또는 상기 제2 가열 처리에서의 처리 조건을 설정하는 단계를 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 현상 처리 후에 상기 기판에 형성된 레지스트 패턴의 선폭을 측정 검사하는 단계와,상기 현상 처리 후의 레지스트 패턴의 선폭의 목표값과, 상기 검사 장치에 의한 선폭의 검사 결과의 차분에 기초하여 상기 현상 처리 후의 패턴의 선폭이 상 기 목표값에 근사하도록, 상기 제2 가열 처리 또는 상기 제1 가열 처리에서의 처리 조건을 설정하는 단계를 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 가열 처리 및 제2 가열 처리의 조건은 적어도 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 기판에 레지스트액을 도포하는 도포 처리와, 도포 처리 후의 기판을 가열 처리하는 제1 가열 처리와, 레지스트막을 미리 결정된 패턴으로 노광하는 노광 처리와, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 제2 가열 처리와, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리를 일련의 처리로서 실행하고, 상기 기판에 미리 결정된 레지스트 패턴을 형성하며,상기 현상 처리 후에 상기 기판에 형성된 레지스트 패턴의 사이드 월 앵글을 측정 검사하는 단계와,상기 현상 처리 후의 레지스트 패턴의 사이드 월 앵글의 목표값과, 상기 검사 장치에 의한 사이드 월 앵글의 검사 결과의 차분에 기초하여 다음 회의 처리에 서의 상기 현상 처리 후의 사이드 월 앵글이 상기 목표값에 근사하도록, 상기 제1 가열 처리 또는 상기 제2 가열 처리에서의 처리 조건을 설정하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에서 컴퓨터로 하여금 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 프로그램.
- 제10항에 기재한 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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