JP2008034739A - ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】迅速に真空度を上昇させることが可能なロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】ロードロック室ＲＬはチャンバ２０１を備える。チャンバ２０１の底部には、配管２０５ａを介して真空ポンプ２０５が接続されている。チャンバ２０１の上部には、冷却用配管２０８が埋設されている。冷却用配管２０８の一端および他端は、冷却媒体循環装置２０８ａに接続されている。チャンバ２０１内の減圧時において、チャンバ２０１内の圧力がしきい値よりも低くなった時点からチャンバ２０１内を大気圧に開放する直前までの期間、チャンバ２０１が継続的に冷却される。
【選択図】図５

Description

本発明は、大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システムに関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板に露光処理を施す露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の形成が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンのさらなる微細化が求められている。レジストパターンの微細化のために重要となる露光装置の解像度性能は、露光装置の光源の波長に依存する。そこで、波長が約１３ｎｍと極めて短いＥＵＶ（超紫外線）を用いた露光技術が開発されている。
特開２００３−３２４１３９号公報 特開２０００−１５０３９５号公報

上記のＥＵＶは、大気により吸収されやすい。そのため、露光装置内を極めて真空度が高い状態（以下、高真空状態と呼ぶ）に維持する必要がある。一方、基板処理装置内は通常大気圧である。それにより、露光装置を高真空状態に維持しつつ基板処理装置と露光装置との間で基板の搬送を行うためには、互いの環境を調整するためのロードロック室を設ける必要がある（例えば、特許文献２参照）。

基板処理装置から露光装置へ基板を搬送する際には、ロードロック室に一時的に基板が収納されるとともに、その状態でロードロック室が高真空状態にまで減圧される。その後、高真空状態のロードロック室から高真空状態の露光装置に基板が搬送される。しかしながら、ロードロック室を高真空状態にまで減圧するためには長い時間を要し、スループットの低下を招く。

本発明の目的は、迅速に真空度を上昇させることが可能なロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システムを提供することである。

（１）第１の発明に係るロードロック装置は、大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置であって、基板を収容可能で密閉空間を形成する筐体と、筐体内を減圧する減圧手段と、減圧手段による筐体内の減圧時に筐体を冷却する冷却手段とを備えるものである。

このロードロック装置においては、密閉空間を形成する筐体内に基板が収容された状態で、筐体内が減圧手段により減圧される。筐体内の減圧時には、冷却手段により筐体が冷却される。

筐体内の減圧時に筐体を冷却することにより、筐体内に残存する分子の運動を筐体の表面近傍においてほぼ停止させ、分子を筐体に付着させることができる。それにより、筐体内の真空度を迅速に上昇させることができる。その結果、減圧処理装置への基板の搬入および減圧処理装置からの基板の搬出を迅速に行うことができ、スループットを向上させることができる。

（２）冷却手段は、冷却溶媒を用いて筐体を冷却する冷却溶媒供給手段を含んでもよい。

この場合、筐体内の減圧時に冷却溶媒供給手段により冷却溶媒を用いて筐体を冷却することにより、筐体内に残存する分子の運動を筐体の表面近傍においてほぼ停止させ、分子を筐体に付着させることができる。それにより、筐体内の真空度を迅速に上昇させることができる。

（３）冷却溶媒は、液体または気体の窒素であってもよい。この場合、筐体の温度を十分に低下させることができる。それにより、筐体内の分子の運動を十分に停止させることができる。したがって、筐体内の真空度を確実に上昇させることができる。

（４）冷却溶媒は、液体または気体のヘリウムであってもよい。この場合、筐体の温度を著しく低下させることができる。それにより、筐体内の分子の運動を確実に停止させることができる。したがって、筐体内の真空度を確実に上昇させることができる。

（５）冷却手段は、冷却用のペルチェ素子を含んでもよい。この場合、簡単な構成で筐体を冷却することができるとともに、ロードロック装置の小型化および低コスト化を実現することができる。

（６）ロードロック装置は、筐体を加熱する筐体加熱手段をさらに備えてもよい。

この場合、筐体加熱手段により筐体が加熱されることにより、筐体に付着する液体が気化される。それにより、筐体に付着する液体が筐体内の減圧時に断熱膨張により凝固することが防止される。したがって、凝固物が徐々に昇華することにより筐体内の真空度が低下することを防止することができる。その結果、筐体内の真空度をより迅速に上昇させることができる。

（７）ロードロック装置は、筐体内に収容された基板を加熱する基板加熱手段をさらに備えてもよい。

この場合、基板加熱手段により筐体内の基板が加熱されることにより、その基板に付着する液体が気化される。それにより、基板に付着する液体が筐体内の減圧時に断熱膨張により凝固することが防止される。したがって、凝固物が徐々に昇華することにより筐体内の真空度が低下することを防止することができる。その結果、筐体内の真空度をより迅速に上昇させることができる。

（８）ロードロック装置は、筐体内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段をさらに備えてもよい。

この場合、乾燥ガス供給手段により筐体内に乾燥ガスが供給されることにより、基板および筐体に付着する液体が気化しやすくなる。さらに、筐体内の蒸気が乾燥ガスで置換される。それにより、基板および筐体に付着する液体が筐体内の減圧時に断熱膨張により凝固することが防止される。したがって、凝固物が徐々に昇華することにより筐体内の真空度が低下することを防止することができる。その結果、筐体内の真空度をより迅速に上昇させることができる。

（９）ロードロック装置は、筐体内の圧力を検出する圧力検出器と、圧力検出器により検出された圧力が予め定められた値よりも低くなったときに冷却手段による筐体の冷却を開始する制御部とをさらに備えてもよい。

この場合、筐体内の圧力が十分に低くなった状態で筐体が冷却される。それにより、筐体内に残存する分子の運動を筐体の表面近傍において十分に停止させ、分子を筐体に付着させることができる。それにより、筐体内の真空度をより迅速に上昇させることができる。

（１０）第２の発明に係る基板処理装置は、大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、大気圧下で基板に処理を行う常圧処理部と、常圧処理部と減圧処理装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、受け渡し部は、減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置を含み、ロードロック装置は、基板を収容可能で密閉空間を形成する筐体と、筐体内を減圧する減圧手段と、減圧手段による筐体内の減圧時に筐体を冷却する冷却手段とを備えるものである。

この基板処理装置においては、常圧処理部により大気圧下で基板に処理が行われ、受け渡し部により常圧処理部と減圧処理装置との間で基板の受け渡しが行われる。受け渡し部による減圧処理装置への基板の搬入または減圧処理装置からの基板の搬出時には基板が一時的にロードロック装置に搬入される。

ロードロック装置においては、密閉空間を形成する筐体内に基板が収容された状態で、筐体内が減圧手段により減圧される。筐体内の減圧時には、冷却手段により筐体が冷却される。

筐体内の減圧時に筐体を冷却することにより、筐体内に残存する分子の運動を筐体の表面近傍においてほぼ停止させ、分子を筐体に付着させることができる。それにより、筐体内の真空度を迅速に上昇させることができる。その結果、減圧処理装置への基板の搬入および減圧処理装置からの基板の搬出を迅速に行うことができ、スループットを向上させることができる。

（１１）第３の発明に係る基板処理システムは、大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置と、減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置とを備え、ロードロック装置は、基板を収容可能で密閉空間を形成する筐体と、筐体内を減圧する減圧手段と、減圧手段による筐体内の減圧時に筐体を冷却する冷却手段とを備えるものである。

この基板処理システムにおいては、ロードロック装置を介して減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出が行われ、減圧処理装置により大気圧より低い圧力下で基板に処理が行われる。

ロードロック装置においては、密閉空間を形成する筐体内に基板が収容された状態で、筐体内が減圧手段により減圧される。筐体内の減圧時には、冷却手段により筐体が冷却される。

筐体内の減圧時に筐体を冷却することにより、筐体内に残存する分子の運動を筐体の表面近傍においてほぼ停止させ、分子を筐体に付着させることができる。それにより、筐体内の真空度を迅速に上昇させることができる。その結果、減圧処理装置への基板の搬入および減圧処理装置からの基板の搬出を迅速に行うことができ、スループットを向上させることができる。

（１２）基板処理システムは、減圧処理装置に基板を受け渡すための受け渡し部をさらに備え、ロードロック装置は、受け渡し部に設けられてもよい。

この場合、受け渡し部において基板が一時的にロードロック装置に搬入され、その後、基板が減圧処理装置に受け渡される。ロードロック装置においては迅速に真空度を上昇させることができる。それにより、減圧処理装置への基板の搬入および減圧処理装置からの基板の搬出を迅速に行うことができる。

（１３）基板処理システムは、大気圧下で基板に処理を行う常圧処理部をさらに備え、受け渡し部は、常圧処理部と減圧処理装置との間で基板の受け渡しを行ってもよい。

この場合、常圧処理部と減圧処理装置との間における基板の搬送時には、受け渡し部において基板が一時的にロードロック装置に搬入される。ロードロック装置においては迅速に真空度を上昇させることができる。それにより、常圧処理部と減圧処理装置との間における基板の搬送を迅速に行うことができる。

本発明によれば、筐体内の真空度を迅速に上昇させることができる。その結果、減圧処理装置への基板の搬送を迅速に行うことができ、スループットを向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る減圧装置を備えた基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図５、図９および図１０には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５を含む。また、インターフェースブロック５に隣接するように露光装置６が配置される。

以下、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５の各々を処理ブロックと呼ぶ。

本実施の形態においては、基板処理装置５００内の各処理ブロックでは大気圧下で基板Ｗに種々の処理が施される。一方、露光装置６内では高真空状態（例えば１０^-6 Ｐａ）で基板Ｗに露光処理が施される。

インデクサブロック１は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１,ＩＲＨ２が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部２０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部２０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１１が設けられる。この隔壁１１には、インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック１から反射防止膜用処理ブロック２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック２からインデクサブロック１へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ８にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部３０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間には、雰囲気遮断用の隔壁１２が設けられる。この隔壁１２には、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック２からレジスト膜用処理ブロック３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック３から反射防止膜用処理ブロック２へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック４は、現像用熱処理部１２０、露光後ベーク用熱処理部１２１、現像処理部４０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。露光後ベーク用熱処理部１２１は、インターフェースブロック５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を備える。現像処理部４０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられる。この隔壁１３には、レジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック３から現像処理ブロック４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック４からレジスト膜用処理ブロック３へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック５は、第４のセンターロボットＣＲ４およびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦおよびロードロック室ＲＬが設けられている。ロードロック室ＲＬの詳細については後述する。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

また、インターフェースブロック５には、インターフェースブロック５内の各構成要素の動作を制御するローカルコントローラＬＣが設けられる。

露光装置６は、連結部１５を介してロードロック室ＲＬに接続されている。露光装置６内には、搬送機構ＥＲが設けられている。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。

まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック２の反射防止膜用塗布処理部２０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック２１およびスピンチャック２１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル２２を備える。

レジスト膜用処理ブロック３のレジスト膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。

現像処理ブロック４の現像処理部４０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル４２を備える。

インターフェースブロック５には、２つのエッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、および２つのロードロック室ＲＬが上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器５２を備える。ロードロック室ＲＬについては後述する。

次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック２の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック３のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック４の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。露光後ベーク用熱処理部１２１には、２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、現像処理ユニットＤＥＶ、エッジ露光部ＥＥＷ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよびロードロック室ＲＬの個数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜変更してもよい。

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。

インデクサブロック１のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック２の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部２０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部２０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部２０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック３の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部３０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部３０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック５の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをロードロック室ＲＬに搬入する。

次に、ロードロック室ＲＬが、高真空状態となるまで減圧される。その後、露光装置６内に設けられる搬送機構ＥＲにより、基板Ｗが、ロードロック室ＲＬから露光装置６内へ搬送される。なお、ロードロック室ＲＬは、一時的に高真空状態のままで維持される。

次に、搬送機構ＥＲにより露光処理後の基板Ｗが高真空状態に維持されたロードロック室ＲＬに搬入される。続いて、ロードロック室ＲＬが大気圧に開放され、第４のセンターロボットＣＲ４により露光処理後の基板Ｗがロードロック室ＲＬから搬出される。

なお、上記のように、基板Ｗを露光装置６へ搬送する際には、ロードロック室ＲＬが一時的に高真空状態で維持される。そのため、この期間においては、ロードロック室ＲＬは第４のセンターロボットＣＲ４から基板Ｗを受け入れることができない。

全てのロードロック室ＲＬ（本実施の形態では２つ）が基板Ｗを受け入れることができない場合、エッジ露光処理済みの基板Ｗは第４のセンターロボットＣＲ４により送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、ロードロック室ＲＬから搬出した露光処理後の基板Ｗを現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。

なお、故障等により現像処理ブロック４が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合は、インターフェースブロック５の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、露光後ベーク用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部４０に搬入する。現像処理部４０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部４０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック３の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック２の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック１のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。

（３）ロードロック室の詳細
上記のように、基板処理装置５００から露光装置６へ基板Ｗが搬送される際には、インターフェースブロック５において基板Ｗが一時的にロードロック室ＲＬに搬入される。そして、ロードロック室ＲＬが大気圧から高真空状態へ減圧された後、ロードロック室ＲＬから露光装置６へ基板Ｗが受け渡される。

一方、露光装置６から基板処理装置５００へ基板Ｗが搬送される際には、露光装置６から基板Ｗが高真空状態のロードロック室ＲＬに搬入され、その後、ロードロック室ＲＬ内の基板Ｗが現像処理部４０へ搬送される。

このように、ロードロック室ＲＬを介して露光装置６への基板Ｗの搬送を行うことにより、露光装置６内を高真空状態に維持しつつ、基板Ｗを搬送することができる。以下、ロードロック室ＲＬの詳細について説明する。

（３−１）ロードロック室の構成
図４〜図６を参照してロードロック室ＲＬの構成について説明する。図４は、ロードロック室ＲＬのＸＹ平面における模式的断面図であり、図５は、ロードロック室ＲＬのＹＺ平面における模式的断面図である。また、図６は、ロードロック室ＲＬの制御系を示す図である。

図４に示すように、ロードロック室ＲＬはチャンバ２０１を備える。チャンバ２０１の−Ｘ側の側面には、第１の搬入搬出口２０１ａが設けられ、チャンバ２０１の＋Ｙ側の側面には、第２の搬入搬出口２０１ｂが設けられている。

チャンバ２０１の＋Ｙ側には連結部１５を介して露光装置６が接続されている。連結部１５内には、露光装置６内に連通する連通通路１５ａが形成されている。チャンバ２０１内の空間は、第２の搬入搬出口２０１ｂおよび連結通路１５ａを介して露光装置６内に連通する。

なお、図４および図５においては、１つの連結通路１５ａが１つのロードロック室ＲＬのチャンバ２０１に連通しているが、共通の連結通路が全てのロードロック室ＲＬ（本実施の形態では２つ）のチャンバ２０１に連通するように設けられてもよい。

ロードロック室ＲＬにおいて、チャンバ２０１の第１の搬入搬出口２０１ａを内側から塞ぐようにシャッター２０２ａが設けられている。また、チャンバ２０１の第２の搬入搬出口２０１ｂを内側から塞ぐようにシャッター２０２ｂが設けられている。シャッター２０２ａ，２０２ｂは、それぞれシャッター駆動装置２０２Ａ，２０２Ｂにより上下方向に移動し、第１および第２の搬入搬出口２０１ａ，２０１ｂを開閉する。第１および第２の搬入搬出口２０１ａ，２０１ｂが閉じられると、チャンバ２０１内は気密な状態となる。

また、図５に示すように、チャンバ２０１内の底部には、基板Ｗを加熱するための加熱プレート２０３が設けられている。また、加熱プレート２０３およびチャンバ２０１の底部を貫通するように、複数の昇降ピン２０４が設けられている。複数の昇降ピン２０４は、昇降ピン駆動装置２０４ａにより上下方向に移動する。

また、チャンバ２０１の底部には、配管２０５ａを介して真空ポンプ２０５が接続されている。配管２０５ａには制御バルブＶ１が介挿されている。制御バルブＶ１が開かれた状態で真空ポンプ２０５が作動することにより、チャンバ２０１内が排気される。それにより、チャンバ２０１内が減圧される。なお、チャンバ２０１が減圧された後に真空ポンプ２０５を停止する際には、チャンバ２０１内への大気の進入を防止するため、制御バルブＶ１が閉じられる。

加熱プレート２０３の上方には乾燥ガス供給ノズル２０６が設けられている。乾燥ガス供給ノズル２０６は、配管２０６ａを介して乾燥ガス供給源ＧＳに接続されている。配管２０６ａには制御バルブＶ２が介挿されている。制御バルブＶ２を開くことにより、乾燥ガス供給源ＧＳから乾燥ガスが配管２０６ａを通して乾燥ガス供給ノズル２０６に導かれ、チャンバ２０１内に供給される。乾燥ガスとしては、湿度が０の大気、または窒素ガス等を用いることができる。

チャンバ２０１内の上部には、チャンバ２０１を加熱するための複数のヒータ２０７が取り付けられている。また、チャンバ２０１の上部には、冷却用配管２０８が埋設されている。冷却用配管２０８の一端および他端は、冷却媒体循環装置２０８ａに接続されている。また、冷却用配管２０８には、制御バルブＶ３，Ｖ４が介挿されている。

制御バルブＶ３，Ｖ４を開くことにより、冷却媒体循環装置２０８ａによって冷却媒体が冷却用配管２０８に循環される。それにより、チャンバ２０１が冷却される。冷却媒体としては、例えば冷却水、液体窒素、液体ヘリウム、窒素ガスまたはヘリウムガス等を用いることができる。本実施の形態では、冷却媒体として液体ヘリウムを用いる。

チャンバ２０１の側部には排気ポートＥＰが設けられている。排気ポートＥＰには、外部の排気設備へ延びる排気管２１０が接続されている。排気管２１０には制御バルブＶ５が介挿されている。制御バルブＶ５を開くことにより、チャンバ２０１内が排気される。

また、チャンバ２０１にはチャンバ２０１内の圧力を検出する圧力センサＳＥが設けられている。

ここで、ロードロック室ＲＬの制御系について説明する。図６は、ロードロック室ＲＬの制御系を説明するためのブロック図である。

図６に示すように、圧力センサＳＥは、インターフェースブロック５のローカルコントローラＬＣ（図１参照）にチャンバ２０１内の圧力の検出値を出力する。また、インターフェースブロック５のローカルコントローラＬＣは、シャッター駆動装置２０２Ａ，２０２Ｂ、加熱プレート２０３、昇降ピン駆動装置２０４ａ、真空ポンプ２０５、ヒータ２０７、制御バルブＶ１〜Ｖ５および第４のセンターロボットＣＲ４に制御信号を出力し、各々の動作を制御する。

（３−２）ロードロック室の動作
以下、図４〜図８を参照してロードロック室ＲＬの動作について説明する。図７および図８は、ロードロック室ＲＬの動作を示すフローチャートである。

まず、ローカルコントローラＬＣは、シャッター駆動装置２０２Ａによりシャッター２０２ａを下降させ、第１の搬入搬出口２０１ａを開く（ステップＳ１）。次に、ローカルコントローラＬＣは、昇降ピン駆動装置２０４ａにより昇降ピン２０４を上昇させるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４（図１）により露光処理前の基板Ｗをロードロック室ＲＬ内に搬入する（ステップＳ２）。そして、昇降ピン２０４上に基板Ｗを載置する。

続いて、ローカルコントローラＬＣは、昇降ピン駆動装置２０４ａにより昇降ピン２０４を下降させ、基板Ｗを加熱プレート２０３上に載置するとともに、シャッター駆動装置２０２Ａによりシャッター２０２ａを上昇させ、第１の搬入搬出口２０１ａを閉じる（ステップＳ３）。

次に、ローカルコントローラＬＣは、加熱プレート２０３により基板Ｗを加熱するとともに、ヒータ２０７によりチャンバ２０１を加熱する（ステップＳ４）。これにより、基板Ｗおよびチャンバ２０１に付着する水分が気化される。また、基板Ｗ上の有機膜（反射防止膜およびレジスト膜）中に残存する有機溶媒、およびチャンバ２０１に付着する有機溶媒が気化される。

次に、ローカルコントローラＬＣは、制御バルブＶ２を開くことにより乾燥ガス供給ノズル２０６からチャンバ２０１内に乾燥ガスを供給する（ステップＳ５）。また、制御バルブＶ５を開くことによりチャンバ２０１内の排気を行う（ステップＳ６）。これにより、気化された水分および有機溶媒が乾燥ガスで置換される。

次に、ローカルコントローラＬＣは、基板Ｗの加熱およびチャンバ２０１の加熱を停止するとともに、制御バルブＶ２，Ｖ５を閉じて乾燥ガスの供給および排気を停止する。

その後、ローカルコントローラＬＣは、昇降ピン駆動装置２０４ａにより昇降ピン２０４を上昇させて基板Ｗを加熱プレート２０３から離間させるとともに（ステップＳ７）、真空ポンプ２０５によりチャンバ２０１内の排気を開始する（ステップＳ８）。この場合、基板Ｗを熱源から離間させることにより、基板Ｗの温度を下げることができる。また、基板Ｗと加熱プレート２０３との間の通気性が確保されるので、基板Ｗと加熱プレート２０３との間に水分等が残留していても、チャンバ２０１内の排気時にその水分等を確実に取り除くことができる。

次に、ローカルコントローラＬＣは、圧力センサＳＥからの検出値に基づいて、チャンバ２０１内の圧力が予め設定されたしきい値Ｍ１（例えば１０^-3 Ｐａ）よりも低いか否かを判定する（ステップＳ９）。

チャンバ２０１内の圧力がしきい値Ｍ１以上の場合、ローカルコントローラＬＣは、ステップＳ９の判定を繰り返す。チャンバ２０１内の圧力がしきい値Ｍ１よりも低い場合、ローカルコントローラＬＣは、制御バルブＶ３，Ｖ４を開くことにより冷却用配管２０８内に液体ヘリウムを循環させ、チャンバ２０１の冷却を開始する（ステップＳ１０）。

この場合、チャンバ２０１内の圧力がしきい値（１０^-3 Ｐａ）よりも低くなることにより、チャンバ２０１内には気流がほぼ存在しない状態となる。そのため、チャンバ２０１内に残存する分子は、ほぼ熱運動のみを行う状態となる。

この状態でチャンバ２０１が冷却されるため、チャンバ２０１の表面近傍において、分子の熱運動のエネルギーが減少する。それにより、分子の運動がほぼ停止した状態となり、分子がチャンバ２０１の内壁に付着する。その結果、チャンバ２０１内の真空度を迅速に上昇させることができる。

特に、本実施の形態では、冷却媒体として液体ヘリウムを用いているので、チャンバ２０１の温度を十分に低下させることができる。それにより、十分に分子の運動を停止させることができる。したがって、チャンバ２０１内の真空度を確実に上昇させることができる。

次に、ローカルコントローラＬＣは、圧力センサＳＥからの検出値に基づいて、チャンバ２０１内の圧力が予め設定されたしきい値Ｍ２（例えば１０^-6 Ｐａ）よりも低いか否かを判定する（ステップＳ１１）。

チャンバ２０１内の圧力がしきい値Ｍ２以上の場合、ローカルコントローラＬＣは、ステップＳ１１の判定を繰り返す。チャンバ２０１内の圧力がしきい値Ｍ２よりも低い場合、ローカルコントローラＬＣは、シャッター２０２ｂを下降させて第２の搬入搬出口２０１ｂを開く（ステップＳ１２）。

その状態で、露光装置６の搬送機構ＥＲ（図１）により、昇降ピン２０４上の基板Ｗがロードロック室ＲＬから搬出され、露光装置６内に搬入される（ステップＳ１３）。続いて、搬送機構ＥＲにより露光処理後の基板Ｗが露光装置６からロードロック室ＲＬ内に搬入され、昇降ピン２０４上に載置される（ステップＳ１４）。

次に、ローカルコントローラＬＣは、シャッター駆動装置２０２Ｂによりシャッター２０２ｂを上昇させて第２の搬入搬出口２０１ｂを閉じる（ステップＳ１５）。続いて、制御バルブＶ３，Ｖ４を閉じてチャンバ２０１の冷却を停止するとともに、真空ポンプ２０５によるチャンバ２０１内の排気を停止する（ステップＳ１６）。その後、ローカルコントローラＬＣは、シャッター駆動装置２０２Ａによりシャッター２０２ａを下降させて第１の搬入搬出口２０１ａを開く。それにより、チャンバ２０１内が大気圧に開放される。その状態で、第４のセンターロボットＣＲ４により露光処理後の基板Ｗをロードロック室ＲＬから搬出する（ステップＳ１７）。その後、ロードロック室ＲＬにおいては、ステップＳ１〜ステップＳ１７の動作が繰り返される。

（４）本実施の形態の効果
本実施の形態では、チャンバ２０１内を減圧する際に、チャンバ２０１内の圧力がしきい値よりも低くなった時点からチャンバ２０１内を大気圧に開放する直前までの期間、チャンバ２０１を継続的に冷却する。

この場合、チャンバ２０１内に残存する分子の運動をチャンバ２０１の表面近傍においてほぼ停止させ、分子をチャンバ２０１の内壁に付着させることができる。それにより、チャンバ２０１内の真空度を迅速に上昇させることができる。その結果、基板処理装置５００と露光装置６との間の基板Ｗの搬送を迅速に行うことができ、スループットを向上させることができる。

また、本実施の形態では、チャンバ２０１内を減圧する前に、加熱プレート２０３により基板Ｗが加熱され、基板Ｗに付着する水分および基板Ｗ上の有機膜中の有機溶媒が気化される。

この場合、チャンバ２０１内の減圧時に、基板Ｗに付着する水分および有機溶媒が断熱膨張により凝固することが防止される。それにより、凝固した水分および有機溶媒が徐々に昇華してチャンバ２０１内の真空度を低下させることを防止することができる。したがって、チャンバ２０１内の真空度をより迅速に上昇させることができる。

また、本実施の形態では、チャンバ２０１内を減圧する前に、ヒータ２０７によりチャンバ２０１が加熱され、チャンバ２０１に付着する水分および有機溶媒が気化される。

この場合、チャンバ２０１内の減圧時に、チャンバ２０１に付着する水分および有機溶媒が断熱膨張により凝固することが防止される。それにより、凝固した水分および有機溶媒が徐々に昇華してチャンバ２０１内の真空度を低下させることを防止することができる。したがって、チャンバ２０１内の真空度をより迅速に上昇させることができる。

さらに、本実施の形態では、基板Ｗおよびチャンバ２０１の加熱後に、気化された水分および有機溶媒が乾燥ガスで置換される。それにより、チャンバ２０１内の減圧時に、水分および有機膜の残存溶媒が凝固して真空度を低下させることを確実に防止することができる。

（５）ロードロック室の変形例
以下、図４および図５に示したロードロック室ＲＬの変形例について説明する。

（５−１）第１の変形例
図９は、ロードロック室ＲＬの第１の変形例を示す図である。以下、ロードロック室ＲＬの第１の変形例について、図４および図５に示したロードロック室ＲＬと異なる点を説明する。

ロードロック室ＲＬの第１の変形例では、図９に示すように、冷却用配管２０８がチャンバ２０１の底部に埋設されている。また、加熱プレート２０３の代わりに、基板を支持する複数の支持ピン２２０が設けられている。

この場合、チャンバ２０１の加熱がチャンバ２０１の上部で行われ、チャンバ２０１の冷却がチャンバ２０１の下部で行われる。そのため、チャンバ２０１の加熱後に、効率良くチャンバ２０１を冷却することができる。

なお、チャンバ２０１を冷却する際には、基板Ｗの温度が低下しないように昇降ピン２０４により、基板Ｗをチャンバ２０１の底部から離間させることが好ましい。

また、加熱プレート２０３が設けられていないが、ヒータ２０７の配置または温度等を調整することにより、基板Ｗ上の水分または残留溶媒を気化させることが可能である。

（５−２）第２の変形例
図１０は、ロードロック室ＲＬの第２の変形例を示す図である。以下、ロードロック室ＲＬの第２の変形例について、図４および図５に示したロードロック室ＲＬと異なる点を説明する。

ロードロック室ＲＬの第２の変形例では、図１０に示すように、冷却用配管２０８および冷却媒体循環装置２０８ａの代わりに、冷却用のペルチェ素子２３０が設けられる。この場合、簡単な構成でチャンバ２０１を冷却することができるとともに、ロードロック室ＲＬの小型化および低コスト化を実現することができる。

なお、図１０に示すペルチェ素子２３０と、図５に示した冷却用配管２０８および冷却媒体循環装置２０８ａとを併用してもよい。

（５−３）その他の変形例
基板Ｗおよびチャンバ２０１の加熱後に、気化された水分および有機溶媒を排気ポートＥＰからチャンバ２０１の外部に十分に排出することが可能であれば、乾燥ガス供給ノズル２０６は設けなくてもよい。

また、気化された水分および有機溶媒を真空ポンプ２０５によりチャンバ２０１の外部に十分に排出することが可能であれば、乾燥ガス供給ノズル２０６および排気ポートＥＰは設けなくてもよい。

また、乾燥ガス供給ノズル２０６からチャンバ２０１内に乾燥ガスを供給することにより、基板Ｗおよびチャンバ２０１に付着する水分および有機溶媒を十分に気化させることができるのであれば、ヒータ２０７および加熱プレート２０３は設けなくてもよい。

また、上記実施の形態では、圧力センサＳＥにより検出されたチャンバ２０１内の圧力に基づいてチャンバ２０１の冷却が開始されるが、これに限らず、例えば予め設定された時間が経過した時点で、チャンバ２０１の冷却を開始してもよい。

また、チャンバ２０１内にヘリウムガスまたはアルゴンガス等の希ガスを供給する希ガス供給ノズルを設け、チャンバ２０１内の減圧前にチャンバ２０１内の雰囲気を希ガスで置換してもよい。この場合、希ガスは、窒素、酸素および水蒸気等の大気成分よりも小さいエネルギーで排気することができるので、チャンバ２０１内を迅速に減圧することが可能となる。

（６）他の実施の形態
上記実施の形態では、露光装置１６において高真空状態で基板Ｗの処理が行われるが、基板処理装置５００内の反射防止膜用塗布処理部２０、レジスト膜用塗布処理部３０、現像処理部４０およびエッジ露光部ＥＥＷのいずれかにおいて高真空状態で基板Ｗの処理が行われてもよく、または、高真空状態で基板Ｗの処理を行う他の処理部が基板処理装置５００内に設けられてもよい。

その場合、高真空状態の処理部に隣接するようにロードロック室が設けられ、そのロードロック室には、高真空状態の処理部への基板Ｗの搬入時に、一時的に基板Ｗが収納される。この状態でロードロック室内が高真空状態にされる。

（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、露光装置６が減圧処理装置に相当し、ロードロック室ＲＬがロードロック装置に相当し、チャンバ２０１が筐体に相当し、真空ポンプ２０５が減圧手段に相当し、冷却用配管２０８、冷却媒体循環装置２０８ａまたはペルチェ素子２３０が冷却手段に相当する。

また、冷却用配管２０８および冷却媒体循環装置２０８ａが冷却溶媒供給手段に相当し、ヒータ２０７が筐体加熱手段に相当し、加熱プレート２０３が基板加熱手段に相当し、乾燥ガス供給ノズル２０６が乾燥ガス供給手段に相当し、圧力センサＳＥが圧力検出器に相当し、インターフェースブロック５のローカルコントローラＬＣが制御部に相当する。

また、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４が常圧処理部に相当し、インターフェースブロック５が受け渡し部に相当し、基板処理装置５００および露光装置６が基板処理システムに相当する。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

本発明の一実施の形態に係る減圧装置を備えた基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 ロードロック室のＸＹ平面における模式的断面図である。 ロードロック室のＹＺ平面における模式的断面図である。 ロードロック室の制御系を示す図である。 ロードロック室の動作を示すフローチャートである。 ロードロック室の動作を示すフローチャートである。 ロードロック室の第１の変形例を示す図である。 ロードロック室の第２の変形例を示す図である。

符号の説明

１ インデクサブロック
２ 反射防止膜用処理ブロック
３ レジスト膜用処理ブロック
４ 現像処理ブロック
５ インターフェースブロック
６ 露光装置
２０１ チャンバ
２０３ 加熱プレート
２０５ 真空ポンプ
２０６ 乾燥ガス供給ノズル
２０７ ヒータ
２０８ａ 冷却媒体循環装置
２３０ ペルチェ素子
５００ 基板処理装置
ＬＣ ローカルコントローラ
ＲＬ ロードロック室
ＳＥ 圧力センサ

Claims (13)

1. 大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置であって、
   基板を収容可能で密閉空間を形成する筐体と、
   前記筐体内を減圧する減圧手段と、
   前記減圧手段による前記筐体内の減圧時に前記筐体を冷却する冷却手段とを備えることを特徴とするロードロック装置。
2. 前記冷却手段は、冷却溶媒を用いて前記筐体を冷却する冷却溶媒供給手段を含むことを特徴とする請求項１記載のロードロック装置。
3. 前記冷却溶媒は、液体または気体の窒素であることを特徴とする請求項２記載のロードロック装置。
4. 前記冷却溶媒は、液体または気体のヘリウムであることを特徴とする請求項２記載のロードロック装置。
5. 前記冷却手段は、冷却用のペルチェ素子を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のロードロック装置。
6. 前記筐体を加熱する筐体加熱手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のロードロック装置。
7. 前記筐体内に収容された基板を加熱する基板加熱手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のロードロック装置。
8. 前記筐体内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のロードロック装置。
9. 前記筐体内の圧力を検出する圧力検出器と、
   前記圧力検出器により検出された圧力が予め定められた値よりも低くなったときに前記冷却手段による前記筐体の冷却を開始する制御部とをさらに備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のロードロック装置。
10. 大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    大気圧下で基板に処理を行う常圧処理部と、
    前記常圧処理部と前記減圧処理装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記受け渡し部は、
    前記減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置を含み、
    前記ロードロック装置は、
    基板を収容可能で密閉空間を形成する筐体と、
    前記筐体内を減圧する減圧手段と、
    前記減圧手段による前記筐体内の減圧時に前記筐体を冷却する冷却手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
11. 大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置と、
    前記減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置とを備え、
    前記ロードロック装置は、
    基板を収容可能で密閉空間を形成する筐体と、
    前記筐体内を減圧する減圧手段と、
    前記減圧手段による前記筐体内の減圧時に前記筐体を冷却する冷却手段とを備えることを特徴とする基板処理システム。
12. 前記減圧処理装置に基板を受け渡すための受け渡し部をさらに備え、
    前記ロードロック装置は、前記受け渡し部に設けられることを特徴とする請求項１１記載の基板処理システム。
13. 大気圧下で基板に処理を行う常圧処理部をさらに備え、
    前記受け渡し部は、前記常圧処理部と前記減圧処理装置との間で基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項１２記載の基板処理システム。

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