JP2000146444A - 加熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 揮発した溶剤が装置外へ漏れることがない加
熱処理装置を提供すること。 【解決手段】 排気孔３８は、ホットプレート３１上の
第１の領域ばかりでなく、この第１の領域を取り囲
む第２の領域まで及ぶ大きさにされ、その入口には多
数の透孔３９を有する板状部材４０が配置されている。
そして、第１の領域及び第２の領域の排気を行い、
しかも加熱処理を行っていないときにも排気を行ってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレジスト処
理工程において半導体ウェハ等の被処理体を加熱処理す
る加熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスでは、フ
ォトリソグラフィー技術が利用されている。フォトリソ
グラフィー技術においては、半導体ウェハ（以下、単に
「ウェハ」と呼ぶ。）の表面にレジストを塗布し、この
塗布レジストを所定パターンに露光処理し、さらに現像
処理する。これによりウェハ上に所定パターンのレジス
ト膜が形成され、さらに成膜及びエッチング処理するこ
とにより所定パターンの回路が形成される。

【０００３】従来から、これら一連のレジスト処理は、
例えばレジスト液塗布ユニットや現像処理ユニット、加
熱処理ユニット等が一体化された塗布現像処理システム
を用いて行われている。

【０００４】図１３は従来の塗布現像処理システムにお
ける加熱処理ユニットの一例を示す正面図である。図１
３に示すように、加熱処理ユニット１０１のほぼ中央に
ウェハＷを加熱処理するためのホットプレート１０２が
配置され、ホットプレート１０２表面からウェハＷの受
け渡しのための複数の支持ピン１０３が出没可能となっ
ている。また、ホットプレート１０２の周囲には、ホッ
トプレート１０２を取り囲むように出没可能とされたシ
ャッター部材１０４が配置されている。

【０００５】ホットプレート１０２の上面には、ホット
プレート１０２上の雰囲気を排気するための排気カバー
１０５が配置されている。排気カバー１０５は、ホット
プレート１０２とほぼ等しい直径の円錐形状を有し、そ
のほぼ中央（ホットプレート１０２のほぼ中央に対応す
る位置）より図示を省略した排気装置に接続されてい
る。

【０００６】そして、支持ピン１０３がホットプレート
１０２から突き出て、シャッター部材１０４が没した状
態で、図示を省略した搬送装置からウェハＷを受け渡さ
れる。

【０００７】次に、支持ピン１０３が下降してホットプ
レート１０２より没し、シャッター部材１０４が上昇
し、ホットプレート１０２とシャッター部材１０４と排
気カバー１０５との間で閉空間が形成される。この状態
で、ウェハＷが加熱処理され、排気カバー１０５を介し
て揮発した溶剤の排気が行われる。

【０００８】この後、支持ピン１０３が上昇してウェハ
Ｗをホットプレート１０２から浮かせ、同時にシャッタ
ー部材１０４が下降し、搬送装置へウェハＷが受け渡さ
れる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た加熱処理ユニット１０１では、加熱処理の際にホット
プレート１０２とシャッター部材１０４と排気カバー１
０５との間で形成される閉空間内に揮発した溶剤の雰囲
気が充満しているため、特に加熱処理終了後にウェハＷ
を搬送装置へ受け渡すためにシャッター部材１０４が下
降したときに、揮発した溶剤が加熱処理ユニット１０１
の外に漏れ、他のプロセスに悪影響を与える、という課
題がある。また、上述した従来の排気カバー１０５はそ
の中央より排気装置に接続される構造であるため、排気
カバー１０５内における排気の流れに偏りを生じて均一
に排気ができず、ウェハＷにおけるレジスト膜厚の均一
性を悪化させる、という課題もある。さらに、揮発した
溶剤が排気カバー１０５の温度の低い部分に結露し、こ
の量が多くなると結露した溶剤がウェハＷ上に落下す
る、という課題もある。

【００１０】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたもので、揮発した溶剤が装置外へ漏れること
がない加熱処理装置を提供することを目的としている。
本発明の別の目的は、均一に排気を行うことができる加
熱処理装置を提供することを目的としている。本発明の
さらに別の目的は、揮発した溶剤が結露して被処理体上
に落下することがない加熱処理装置を提供することを目
的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１記載に係る本発明の加熱処理装置は、被処
理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理
領域と、前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む
第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有する
排気カバーと、前記排気孔を介して前記第１及び第２の
領域の排気を行う排気手段とを具備するものである。

【００１２】請求項２に係る本発明の加熱処理装置は、
請求項１記載の加熱処理装置であって、前記被処理体を
加熱する際に、前記第１の領域の外周と前記排気カバー
との隙間を塞ぐシャッター部材をさらに具備するもので
ある。

【００１３】請求項３に係る本発明の加熱処理装置は、
請求項１または２記載の加熱処理装置であって、前記排
気手段が、前記被処理体を加熱しないときにも前記排気
孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行うもので
ある。

【００１４】請求項４に係る本発明の加熱処理装置は、
請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の加熱
処理装置であって、前記排気カバーが、箱型の構造で、
側面から前記排気手段に接続されているものである。

【００１５】請求項５に係る本発明の加熱処理装置は、
請求項１から請求項４のうちいずれか1項に記載の加熱
処理装置であって、前記排気カバーを加熱するための加
熱手段をさらに具備するものである。

【００１６】請求項６に係る本発明の加熱処理装置は、
請求項１から請求項５のうちいずれか1項に記載の加熱
処理装置であって、前記排気孔の入口に取り付けられ
た、多数の透孔を有する板状部材をさらに具備するもの
である。

【００１７】請求項７に係る本発明の加熱処理装置は、
被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱
処理領域を備え、前記第１の領域とこの第１の領域を取
り囲む第２の領域とを同時に排気するようにしたもので
ある。

【００１８】請求項８に係る本発明の加熱処理装置は、
請求項７記載の加熱処理装置であって、前記被処理体を
加熱しないときにも前記第１の領域及び前記第２の領域
を排気するようにしたものである。

【００１９】請求項１、７記載に係る本発明では、被処
理体が載置され加熱される第１の領域を取り囲む第２の
領域についても排気を行うように構成したので、第１の
領域中で揮発した溶剤が第２の領域においても排気さ
れ、当該装置外へ漏れることはない。また、第２の領域
から周囲の溶剤を含まない気体を排気カバー内に取り入
れるようになるので、排気カバー内における揮発溶剤の
濃度が薄まり、揮発した溶剤が排気カバー内に結露して
付着することが少なくなる。

【００２０】請求項２に係る本発明では、被処理体を加
熱する際に、第２の領域についての排気に加えて、シャ
ッター部材によって第１の領域の外周と排気カバーとの
隙間を塞いでいるので、第２の領域で排気カバー内に流
れる排気が第１の領域で排気カバー内に流れる排気の流
れを乱すようなことがなくなり、揮発した溶剤が当該装
置外へ漏れることはない。

【００２１】請求項３、８に係る本発明では、被処理体
を加熱しないときにも第１及び第２の領域を排気するよ
うに構成したので、加熱処理終了後においても揮発した
溶剤が当該装置外へ漏れることはない。

【００２２】請求項４に係る本発明では、排気カバーが
箱型の構造であるので、排気カバー内が排気すべき気体
を一旦蓄えるバッファーとして機能することになり、ま
たその側面から排気を行うようにしたので、排気カバー
内をより均一に排気することができ、従って排気カバー
によってより均一な排気を行うことができる。

【００２３】請求項５に係る本発明では、排気カバーを
加熱しているので、揮発した溶剤が排気カバー内に結露
して付着することがなくなる。

【００２４】請求項６に係る本発明では、多数の透孔を
有する板状部材を排気孔の入口に取り付けたので、より
均一な排気を行うことが可能となる。また、排気カバー
に揮発した溶剤が結露してもその溶剤が被処理体上に落
下する可能性が低くなる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係る塗
布現像処理システムの平面図、図２は図１に示した塗布
現像処理システムの正面図、図３は図１に示した塗布現
像システムの背面図である。

【００２６】図１乃至図３に示すように、この塗布現像
処理システム１は、カセットステーション１０、処理ス
テーション１１及びインターフェイス部１２を一体に接
続した構成を有している。カセットステーション１０で
は、ウエハＷがカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚
単位で、外部から塗布現像処理システム１に搬入され、
また塗布現像処理システム１から外部に搬出される。ま
た、カセットＣに対してウエハＷが搬出・搬入される。
処理ステーション１１では、塗布現像処理工程の中で１
枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユ
ニットが所定位置に多段に配置されている。インターフ
ェイス部１２では、この塗布現像処理システム１に隣接
して設けられる露光装置１３との間でウエハＷが受け渡
される。

【００２７】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａ
の位置に複数個、例えば４個のカセットＣが、それぞれ
のウエハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ
方向（図１中の上下方向）一列に載置される。このカセ
ットＣ配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収容され
たウエハＷのウエハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に
移動可能なウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って
移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスす
る。

【００２８】ウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に
構成されており、後述するように処理ステーション１１
側の第３の処理ユニット群Ｇ３における多段ユニット部
に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるよう
になっている。

【００２９】処理ステーション１１では、図１に示すよ
うに、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設け
られ、その周りに各種処理ユニットが１組または複数の
組に亙って多段集積配置されて処理ユニット群を構成し
ている。かかる塗布現像処理システム１においては、５
つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配
置可能な構成であり、第１及び第２の処理ユニット群Ｇ
１、Ｇ２はシステム正面側に配置され、第３の処理ユニ
ット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置
され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェイス部
１２に隣接して配置され、さらに破線で示した第５の処
理ユニット群Ｇ５を背面側に配置することが可能となっ
ている。搬送装置２２は、θ方向に回転自在でＺ方向に
移動可能に構成されており、各処理ユニットとの間でウ
エハＷの受け渡しが可能とされている。

【００３０】第１の処理ユニット群Ｇ１では、図２に示
すように、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像
処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。そして第１の処理ユニット群Ｇ１と同様に、第２
の処理ユニット群Ｇ２においても、２台のスピンナ型処
理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）
及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重
ねられている。

【００３１】図２に示すように、この塗布現像処理シス
テム１の上部には、例えばＵＬＰＡフィルタなどの高性
能フィルタ２３が、前記３つのゾーン（カセットステー
ション１０、処理ステーション１１、インターフェイス
部１２）毎に設けられている。この高性能フィルタ２３
の上流側から供給された空気は、当該高性能フィルタ２
３を通過する際に、パーティクルや有機成分が捕集、除
去される。したがって、この高性能フィルタ２３を介し
て、上記のカセット載置台２０、ウエハ搬送体２１の搬
送路２１ａ、第１〜第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、
後述する第３〜第５の処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５
及びインターフェイス部１２には、上方からの清浄な空
気のダウンフローが、同図の実線矢印または点線矢印の
方向に供給されている。

【００３２】第３の処理ユニット群Ｇ３では、図３に示
すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行う
オーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクー
リングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高める
ためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、
露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられてい
る。

【００３３】同様に、第４の処理ユニット群Ｇ４では、
図３に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を
行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、冷却処理も兼ねた
エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯ
Ｌ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、アドヒー
ジョンユニット（ＡＤ）、プリベーキングユニット（Ｐ
ＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢ
ＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。

【００３４】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）やエクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いプ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベー
キングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）及びアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の
熱的な相互干渉を少なくすることができる。

【００３５】インターフェイス部１２では、図１に示す
ように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に
示すように、このインターフェイス部１２の正面側に
は、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバ
ッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には
周辺露光装置２４が配設されている。

【００３６】インターフェイス部１２の中央部には、ウ
エハ搬送体２５が設けられている。ウエハ搬送体２５
は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセット
ＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるよう
になっている。ウエハ搬送体２５は、θ方向にも回転自
在となるように構成されており、処理ステーション１１
側の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置１
３側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスでき
るようになっている。

【００３７】図４は本発明の加熱処理装置に係るポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の正面図である。
図４に示すように、ポストベーキングユニット（ＰＯＢ
ＡＫＥ）のほぼ中央には、ウェハＷを加熱処理するため
のホットプレート３１が配置されている。このホットプ
レート３１内には、例えば加熱された流体が流れる配管
（図示を省略）が設けられ、この配管に加熱された流体
を流すことでホットプレート３１が加熱されるようにな
っている。このホットプレート３１には、ウェハＷの受
け渡しのための複数の支持ピン３２が出没可能に配置さ
れ、ホットプレート３１の裏面に配置された昇降機構３
３により昇降されるようになっている。

【００３８】また、ホットプレート３１の周囲には、ホ
ットプレート３１を取り囲むようにシャッター部材３４
が出没可能に配置され、ホットプレート３１の裏面に配
置された昇降機構３５により昇降されるようになってい
る。さらに、シャッター部材３４の内壁には、高温ガ
ス、例えば不活性ガスとしてのＮ２を噴出するための噴
出孔３６が多数設けられている。噴出孔３６は高温ガス
供給装置（図示を省略）に接続されている。ホットプレ
ート３１の上面には、箱型の構造の排気カバー３７が配
置されている。

【００３９】図５はこの排気カバー３７を図４における
Ａ−Ａ矢視方向から見た図である。図４及び図５に示す
ように、この排気カバー３７のホットプレート３１と対
面する面には、排気孔３８が設けられている。この排気
孔３８は、ホットプレート３１上の第１の領域ばかり
でなく、この第１の領域を取り囲む第２の領域まで
及ぶ大きさにされている。そして、排気孔３８の入口に
は、多数の透孔３９を有する板状部材４０が配置されて
いる。

【００４０】また、この排気カバー３７の上部には、排
気カバー３７内を加熱するための加熱装置４１が配置さ
れている。さらに、排気カバー３７の一側面には、排気
パイプ４２が接続され、排気パイプ４２には排気装置４
３が接続されている。そして、上記の第１の領域及び
第２の領域が排気孔３８を介してこの排気装置４３に
より排気されるようになっている。

【００４１】次に動作について説明する。まず、支持ピ
ン３２がホットプレート３１から突き出て、シャッター
部材３４が没した状態で、搬送装置２２から支持ピン３
２上にウェハＷが受け渡される。次に、支持ピン３２が
下降してホットプレート３１より没し、シャッター部材
３４が上昇し、ホットプレート３１とシャッター部材３
４と排気カバー３７との間で閉空間が形成される。この
状態で、ウェハＷが加熱処理される。

【００４２】図６はそのときの図４の一部拡大図であ
る。図６の実線矢印に示すように、排気カバー３７は、
ホットプレート３１上の第１の領域ばかりでなく、こ
の第１の領域を取り囲む、即ちシャッター部材３４の
外周の第２の領域についても排気を行う。

【００４３】この後、支持ピン３２が上昇してウェハＷ
をホットプレート３１から浮かせ、同時にシャッター部
材３４が下降し、搬送装置２２へウェハＷが受け渡され
る。

【００４４】図７はそのときの図４の一部拡大図であ
る。この場合も、即ちウェハＷを加熱していないときに
も、図７の実線矢印に示すように、排気カバー３７は、
ホットプレート３１上の第１の領域及びそれを取り囲
む第２の領域の排気を行う。

【００４５】以上のように、この実施の形態によれば、
ホットプレート３１上の第１の領域及びそれを取り囲
む第２の領域の排気を行うようにしたので、第１の領
域中で揮発した溶剤が第２の領域においても排気さ
れ、当該ユニット外へ漏れることはなく、他のプロセス
へ悪影響を与えることはなくなる。しかも、揮発溶剤の
濃度が高くなる加熱処理の際には、シャッター部材３４
によって第１の領域と第２の領域を塞いでいるの
で、第２の領域で排気カバー３７内に流れる排気が第
１の領域で排気カバー３７内に流れる排気の流れを乱
すようなことがなくなるので、揮発した溶剤がシャッタ
ー部材３４より漏れることが少なくなり、これによって
も揮発した溶剤が当該ユニット外へ漏れることはなくな
る。加えて、加熱処理を行っていないときにも排気カバ
ー３７により排気を行っているので、加熱処理終了後に
ウェハＷを搬送装置２２へ受け渡すためにシャッター部
材３４が下降したときであっても揮発した溶剤がユニッ
ト外に漏れることもなくなる。

【００４６】また、この実施の形態によれば、第２の領
域から周囲の溶剤を含まない気体を排気カバー３７内
に取り入れるようになるので、排気カバー３７内におけ
る揮発溶剤の濃度が薄まり、揮発した溶剤が排気カバー
３７内に結露して付着することが少なくなる。しかも、
加熱装置４１により排気カバー３７内を加熱するように
構成したので、結露が生じることは皆無となる。

【００４７】さらに、排気カバー３７が箱型の構造であ
るので、排気カバー３７内が排気すべき気体を一旦蓄え
るバッファーとして機能することになり、またその側面
から排気を行うようにしたので、排気カバー３７内をよ
り均一に排気することができ、従って排気カバー３７に
よってより均一な排気を行うことができる。

【００４８】次に本発明の他の実施の形態について説明
をおこなう。図８は、図６で示した図４の一部拡大図の
他の実施の形態である。この図８に示すように、シャッ
ター部材３４の内部には加熱機構、例えばヒーター２０
０とシャッター部材３４の温度を検出する温度検出機
構、例えば熱電対２０１が設けられている。前記ヒータ
ー２００は、電力供給装置、例えば交流電源２０２に接
続され、この交流電源２０２からの電力により所定の温
度にシャッター部材３４の温度を設定可能に構成されて
いる。また、前記熱電対２０１の温度検出データは制御
機構、例えばＣＰＵ２０３に取りこまれ、温度検出デー
タに基づいて、ＣＰＵ２０３は、前記交流電源２０２に
ヒーター２００に送る電力の量を指示するよう構成して
いる。このように、シャッター部材３４の温度を所望の
温度、例えばウェハＷから揮発した溶剤の付着を抑制す
る温度に設定できるので、前記溶剤が付着してパーティ
クルとなる発生要因を予防することが可能となり、ウェ
ハＷの処理の歩留まりを向上することができる。

【００４９】また、シャッター部材３４に設けられた噴
出孔３６から噴出するＮ２の温度を所望の温度に加熱す
ることができるので、Ｎ２の温度と処理空間内の温度と
を略同温に設定しておけばウェハＷの温度がＮ２の吹き
出し部分での温度低下を抑えることができ、ウェハＷの
温度の面内均一性を高めることができ、ウェハＷの処理
の歩留まりを向上することができる。

【００５０】また、第１の領域の上方の透孔３９はそ
の孔径がφｘ２に設定され、また第２の領域の上方の
透孔３９はその孔径がφｘ１に設定されている。これら
の孔径の関係は、φｘ１＞φｘ２の関係に設定されてい
る。したがって、第１の領域からの孔単位の排気量は
第２の領域の孔単位の排気量より小さくなる、このよ
うに、第１の領域の透孔３９と第２の領域の透孔３
９の径を変化させる事によりシャッター部材３４内の処
理空間からの排気量を調節でき、その処理空間の保温性
を高め、ホットプレート３１の温度を安定化することが
できる。その結果、ウェハＷの温度の面内均一性が良く
なり処理の歩留まりを向上することができる。また、前
述において第１の領域の上方の透孔３９の孔径と第２
の領域の上方の透孔３９の孔径φｘ１の関係をφｘ１
＞φｘ２の関係に設定したが、ウェハＷの処理プロセス
等において、これらの関係をφｘ１＜φｘ２に設定して
も良いことは言うまでもない。

【００５１】また、排気カバー３７の側壁には、さらに
透孔３９ａが設けられており、この透孔３９ａからも気
体を吸引可能に構成している。このように排気カバー３
７の側壁にも透孔３９ａを設けたことにより、第１の領
域の透孔３９と第２の領域の透孔３９から吸引した
垂直流の気体をより水平流に加速することができ、排気
カバー３７内での渦流の発生を抑制でき、さらに排気カ
バー３７内での吸引した気体に含有する溶剤の付着を抑
制することができる。したがって、前記溶剤が付着して
パーティクルとなる発生要因を予防することが可能とな
り、ウェハＷの処理の歩留まりを向上することができ、
排気カバー３７内を洗浄するメンテナンス時間の周期を
延命化することができ装置の稼働率を向上することがで
きる。

【００５２】次に本発明の他の実施の形態について説明
をおこなう。図９は、図４で示したポストベーキングユ
ニット（ＰＯＢＡＫＥ）の正面図の他の実施の形態であ
る。この図９に示すように、排気装置４３側の排気経路
としての排気パイプ４２の下方壁２１０は、排気装置４
３方向に所定の角度θで下降傾斜するよう構成されてい
る。これは、万が一にも排気カバー３７内に結露等が生
じた際、排気装置４３方向にその液体が流れるようにし
たものである。したがって、排気カバー３７の透孔３９
から結露した液体が漏れ出しウェハＷへの付着を防止し
ているので、ウェハＷの処理の歩留まりを向上すること
ができるよう構成されている。

【００５３】さらに、下方壁２１０の排気装置４３側に
は、結露した液体を収容する溜め部２１１を有するトラ
ッブ部２１２が配置されている。このトラッブ部２１２
の溜め部２１１の下方位置には溜め部２１１に収納され
る結露した液体を排出するための排出口２１３が設けら
れ、この排出口２１３は排液路２１４に接続され、排出
されるよう構成されている。さらに、溜め部２１１・排
出口２１３・排液路２１４の側方には、加熱機構、例え
ばヒーター２１５が設けられており、結露した液体が固
化するのを防止している。

【００５４】また、トラッブ部２１２の上方位置には、
排気カバー３７内の気体に含まれる溶剤等を強制的に液
化するための冷却機構２１６が設けられており、冷却機
構２１６には、冷却機構２１６に電力を供給する電力供
給機構としての直流電源が接続されている。したがっ
て、冷却機構２１６により排気カバー３７内の気体に含
まれる溶剤等は強制的に液化されトラッブ部２１２に回
収される。このように構成されたことにより、排気装置
４３による排気気体に溶剤等が含まれないために、排気
装置４３の寿命を延命化することができる。

【００５５】次に本発明の他の実施の形態について説明
をおこなう。図１０は、図５で示した排気カバーを図４
におけるＡ−Ａ矢視方向から見た図の他の実施の形態で
ある。この図１０に示すように、排気カバー３７を排気
する排気経路としての排気パイプ４２が複数方向、例え
ば４方向に設けられている。これらの４方向に設けられ
た排気パイプ４２は排気装置４３に接続される。このよ
うに、４方向から排気パイプ４２によって排気カバー３
７内を排気するので、より均一に排気カバー３７内を排
気することができ、ウェハＷ上の排気ムラを防止するこ
とが可能となる。したがって、ウェハＷの処理の歩留ま
りを向上することができる。

【００５６】次に本発明の他の実施の形態について説明
をおこなう。図１１は、図４で示した加熱処理装置に係
るポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の正面図
の他の実施の形態である。この図１１に示すように、排
気カバー３７内には、この排気カバー３７内を移動可能
に構成された洗浄機構としての洗浄ブラシ２２０が配置
されている。この洗浄ブラシ２２０は、図１２に示すよ
うに洗浄ブラシ２２０は、アーム部２２１により保持さ
れると共にこのアーム部２２１の移動により回動可能に
構成されている。また、洗浄ブラシ２２０は胴体部２２
２とこの胴体部２２２に植毛された複数の毛体２２３と
で構成されている。この洗浄ブラシ２２０は、ウェハＷ
の処理後或いは装置のメンテナンス時に稼動し、排気カ
バー３７内に付着した不要物を清掃することができる。
これにより、排気カバー３７内を洗浄するメンテナンス
時間の周期を延命化することができ装置の稼働率を向上
することができる。

【００５７】また、シャッター部材３４に設けられた複
数の噴出孔３６は高温ガス供給装置、例えば不活性ガス
としてのＮ２供給装置２３０と処理空間及び排気カバー
３７内に付着した不要物を清掃する洗浄ガスを供給する
洗浄ガス供給装置２３１とのそれぞれの一方を選択可能
とする三方弁２３２と接続されている。この三方弁２３
２は、制御機構としてのＣＰＵ２０３の指示信号２３４
により制御される。すなわち、ウェハＷの処理中におい
ては、ＣＰＵ２０３の指示信号２３４により三方弁２３
２はＮ２供給装置２３０と接続され、ウェハＷの処理後
或いは装置のメンテナンス時の所定の時期、つまり洗浄
を必要とする時期においてＣＰＵ２０３の指示信号２３
４により三方弁２３２は洗浄ガス供給装置２３１と接続
される。このように構成したことで、有効に装置内に付
着した溶剤等を洗浄することができるのでパーティクル
となる発生要因を予防することが可能となり、ウェハＷ
の処理の歩留まりを向上することができる。また、前述
の洗浄ブラシでの洗浄と共に併用することでさらに洗浄
効率を高めることも可能である。

【００５８】なお、本発明は上述した実施の形態には限
定されない。例えば、上記実施の形態では、排気孔３８
が矩形であったが、これに限らず円形としたもよい。排
気孔を円形とすることで、排気のバランスがよくなり、
上述した乱流が発生する可能性をさらに低くすることが
できる。また、被処理体としてはウェハＷばかりでな
く、他の被処理体、例えばＬＣＤ基板等にも本発明を当
然適用できる。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１、７記載
に係る本発明によれば、第１の領域中で揮発した溶剤が
第２の領域においても排気され、当該装置外へ漏れるこ
とはなくなる。また、第２の領域から周囲の溶剤を含ま
ない気体を排気カバー内に取り入れるようになるので、
排気カバー内における揮発溶剤の濃度が薄まり、揮発し
た溶剤が排気カバー内に結露して付着することが少なく
なる。

【００６０】請求項２に係る本発明によれば、第２の領
域で排気カバー内に流れる排気が第１の領域で排気カバ
ー内に流れる排気の流れを乱すようなことがなくなり、
揮発した溶剤が当該装置外へ漏れることはなくなる。

【００６１】請求項３、８に係る本発明によれば、加熱
処理終了後においても揮発した溶剤が当該装置外へ漏れ
ることはなくなる。

【００６２】請求項４に係る本発明によれば、排気カバ
ーによってより均一な排気を行うことができるようにな
る。

【００６３】請求項５に係る本発明によれば、揮発した
溶剤が排気カバー内に結露して付着することがなくな
る。

【００６４】請求項６に係る本発明によれば、より均一
な排気を行うことが可能となる。また、排気カバーに揮
発した溶剤が結露してもその溶剤が被処理体上に落下す
る可能性が低くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理シス
テムの平面図である。

【図２】 図１に示した塗布現像処理システムの正面図
である。

【図３】 図１に示した塗布現像処理システムの背面図
である。

【図４】 本発明の加熱処理装置に係るポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の正面図である。

【図５】 排気カバーを図４におけるＡ−Ａ矢視方向か
ら見た図である。

【図６】 図４の一部拡大図である。

【図７】 図４の一部拡大図である。

【図８】 図６の他の実施の形態を示す図である。

【図９】 図４の他の実施の形態を示す図である。

【図１０】 図５の他の実施の形態を示す図である。

【図１１】 図４の他の実施の形態を示す図である。

【図１２】 図１１の一部拡大斜視図である。

【図１３】 従来の加熱処理ユニットの正面図である。

【符号の説明】

３１ ホットプレート ３４ シャッター部材 ３７ 排気カバー ３８ 排気孔 ３９ 透孔 ４０ 板状部材 ４１ 加熱装置 ４３ 排気装置 Ｗ ウェハ

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体が載置され加熱される第１の領
   域を有する加熱処理領域と、 前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領
   域と対面するように設けられた排気孔を有する排気カバ
   ーと、 前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行
   う排気手段とを具備することを特徴とする加熱処理装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の加熱処理装置であって、 前記被処理体を加熱する際に、前記第１の領域の外周と
   前記排気カバーとの隙間を塞ぐシャッター部材をさらに
   具備することを特徴とする加熱処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の加熱処理装置で
   あって、 前記排気手段が、前記被処理体を加熱しないときにも前
   記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う
   ことを特徴とする加熱処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちいずれか１
   項に記載の加熱処理装置であって、 前記排気カバーが、箱型の構造で、側面から前記排気手
   段に接続されていることを特徴とする加熱処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のうちいずれか1
   項に記載の加熱処理装置であって、 前記排気カバーを加熱するための加熱手段をさらに具備
   することを特徴とする加熱処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のうちいずれか1
   項に記載の加熱処理装置であって、 前記排気孔の入口に取り付けられた、多数の透孔を有す
   る板状部材をさらに具備することを特徴とする加熱処理
   装置。
7. 【請求項７】 被処理体が載置され加熱される第１の領
   域を有する加熱処理領域を備え、 前記第１の領域とこの第１の領域を取り囲む第２の領域
   とを同時に排気するようにしたことを特徴とする加熱処
   理装置。
8. 【請求項８】 請求項７記載の加熱処理装置であって、 前記被処理体を加熱しないときにも前記第１の領域及び
   前記第２の領域を排気するようにしたことを特徴とする
   加熱処理装置。
9. 【請求項９】 請求項６記載の加熱処理装置であって、 前記第１の領域の透孔の径と前記第２の領域の透孔の径
   とは異なることを特徴とする加熱処理装置。
10. 【請求項10】 請求項６または９記載の加熱処理装置で
    あって、 前記第１の領域の透孔の径は、前記第２の領域の透孔の
    径より小さいことを特徴とする加熱処理装置。
11. 【請求項11】 請求項２記載の加熱処理装置であって、 前記シャッター部材には、加熱機構が設けられているこ
    とを特徴とする加熱処理装置。
12. 【請求項12】 請求項１から請求項１１のうちいずれか
    1項に記載の加熱処理装置であって、 前記排気手段の排気経路には、排気する気体に含まれる
    不純物の除去をおこなうトラップ部が設けられているこ
    とを特徴とする加熱処理装置。
13. 【請求項13】 請求項１から請求項１2のうちいずれか1
    項に記載の加熱処理装置であって、 前記排気カバー内の不純物の除去をおこなう洗浄機構を
    備えていることを特徴とする加熱処理装置。