TW201438130A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置包含：處理部，其對基板進行處理；及介面部，其與處理部相接，且與自本裝置分開之曝光機相接。介面部包含第1處理部側搬送機構、第2處理部側搬送機構、及曝光機側搬送機構。第1及第2處理部側搬送機構分別自處理部接收基板並轉移至曝光機側搬送機構，且自曝光機側搬送機構接收基板並轉移至處理部，曝光機側搬送機構自第1及第2處理部側搬送機構接收基板並搬送至曝光機，且自曝光機接收曝光處理後之基板並轉移至第1及第2處理部側搬送機構。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理半導體晶圓、光罩用之玻璃基板、液晶顯示裝置用之玻璃基板、電漿顯示器用之基板、光碟用之基板、磁碟用之基板、磁光碟用之基板等(以下簡稱為基板)之基板處理裝置，特別是關於一種於其與外部裝置即曝光機之間交接基板之技術。
先前，作為此種裝置，存在一種具備處理部與介面部之基板處理裝置。處理部對基板塗佈抗蝕劑膜，並使基板顯影。介面部係於其與外部裝置即曝光機之間交接基板。該基板處理裝置係例如如下所述般動作。首先，處理部對基板塗佈抗蝕劑膜，並傳送至介面部。介面部將自處理部所接收之基板傳送至曝光機。曝光機使基板曝光。介面部自曝光機接收完成曝光之基板，並返回至處理部。處理部使完成曝光之基板顯影。
此處，關於介面部之構成，例如於日本專利特開2010-219434號公報中詳細予以揭示。根據該文獻，介面部具備3台搬送機構。第1搬送機構自處理部接收基板並轉移至第2搬送機構。第2搬送機構自第1搬送機構接收基板並轉移至曝光機，且自曝光機接收完成曝光之基板並轉移至第3搬送機構。第3搬送機構自第2搬送機構接收基板並轉移至處理部。
然而，於具有此種構成之先前例之情形時，存在如下所述之問 題。
即，先前裝置係當第1、第2搬送機構之至少任一者停止時，介面部與處理部之間之基板搬送停滯。
本發明係鑑於如此之情況而完成者，目的在於提供一種可提高介面部之基板搬送之可靠性之基板處理裝置。
為了達成如此之目的，本發明採用如下所述之構成。
即，本發明係一種基板處理裝置，該基板處理裝置包含：處理部，其對基板進行處理；及介面部，其與處理部相接，且與自本裝置分開之曝光機相接；且介面部包含：第1處理部側搬送機構；第2處理部側搬送機構；及曝光機側搬送機構；且第1及第2處理部側搬送機構分別自處理部接收基板並轉移至曝光機側搬送機構，且自曝光機側搬送機構接收基板並轉移至處理部；曝光機側搬送機構自第1及第2處理部側搬送機構接收基板並搬送至曝光機，且自曝光機接收曝光處理後之基板並轉移至第1及第2處理部側搬送機構。
根據本發明之基板處理裝置，第1及第2處理部側搬送機構兩者均接收自處理部交出之基板且將基板傳送至處理部。因此，即便為該等處理部側搬送機構之一者停止之情形，仍可藉由使另一者動作，而於介面部與處理部之間雙向持續搬送基板。因此，可提高介面部之基板搬送之可靠性。
於本發明中，較佳為第1及第2處理部側搬送機構係以沿著與處理部相接之介面部之前表面排列之方式配置；且曝光機側搬送機構較第1及第2處理部側搬送機構配置於更後方。
由於第1及第2處理部側搬送機構係沿著介面部之前表面配置，故第1及第2處理部側搬送機構可於其與處理部之間順利地進行基板之交接。又，由於曝光機側搬送機構較第1及第2處理部側搬送機構配置於更後方，故曝光機側搬送裝置可於其與曝光機之間順利地進行基板之交接。
另，所謂「後方」，係自介面部之前表面遠離之方向。例如，所謂「第1處理部側搬送機構之後方」，係自第1處理部側搬送機構觀察與介面部之前表面側相反之方向。又，所謂「第2處理部側搬送機構之後方」，係自第2處理部側搬送機構觀察與介面部之前表面側相反之方向。
又，於本發明中，較佳為介面部具備加熱曝光處理後之基板之曝光後加熱處理單元；且第1及第2處理部側搬送機構分別將基板搬送至曝光後加熱處理單元。
第1及第2處理部側搬送機構分別將曝光處理後之基板搬送至曝光後加熱處理單元後轉移至處理部。此處，即便第1及第2處理部側搬送機構之一者停止，仍可藉由使另一者動作，而以特定之排程對自曝光機側搬送機構所接收之基板進行曝光後加熱處理。因此，可抑制介面部之處理之品質下降。
又，於本發明中，較佳為曝光後加熱處理單元較第1及第2處理部側搬送機構配置於更後方。
由於曝光後加熱處理單元較第1及第2處理部側搬送機構配置於 更後方，故第1及第2處理部側搬送機構可分別將自曝光機所接收之基板迅速地搬送至曝光後加熱處理單元。
又，於本發明中，較佳為曝光機側搬送機構與曝光後加熱處理單元以上下排列之方式配置。即，較佳為將曝光後加熱處理單元與曝光機側搬送機構積層。
藉此，可縮小介面部之設置面積。而且，第1及第2處理部側搬送機構可對於曝光後加熱處理單元與曝光機側搬送機構之兩者順利地搬送基板。
又，於本發明中，較佳為曝光後加熱處理單元包含：第1曝光後加熱處理單元，其專門藉由第1處理部側搬送機構搬送基板；及第2曝光後加熱處理單元，其專門藉由第2處理部側搬送機構搬送基板；且第1曝光後加熱處理單元於俯視下配置於第1處理部側搬送機構之後方；第2曝光後加熱處理單元於俯視下配置於第2處理部側搬送機構之後方。
第1曝光後加熱處理單元鄰接於第1處理部側搬送機構之後方。因此，第1處理部側搬送機構可對第1曝光後加熱處理單元有效地搬送基板。又，第2曝光後加熱處理單元鄰接於第2處理部側搬送機構之後方。因此，第2處理部側搬送機構可對第2曝光後加熱處理單元有效地搬送基板。
又，於本發明中，較佳為介面部具備清洗基板之清洗部；且第1及第2處理部側搬送機構分別將基板搬送至清洗部。
藉此，即便第1及第2處理部側搬送機構之一者停止，仍可藉由使另一者動作，而適當地清洗基板。以清洗部予以清洗之基板係曝光 處理前之基板或/及曝光處理後之基板。
又，於本發明中，較佳為清洗部配置於第1及第2處理部側搬送機構之側方。
由於清洗部鄰接於第1及第2處理部側搬送機構之側方，故第1及第2處理部側搬送機構可分別對清洗部順利地搬送基板。
又，於本發明中，較佳為清洗部包含：曝光前清洗處理單元，其清洗曝光處理前之基板；及曝光後清洗處理單元，其清洗曝光處理後之基板；且曝光前清洗處理單元與曝光後清洗處理單元以上下排列之方式配置。
第1及第2處理部側搬送機構分別將自處理部接收之基板搬送至曝光前清洗處理單元後轉移至曝光機。藉此，可對曝光處理前之基板進行清洗處理。又，第1及第2處理部側搬送機構分別將自曝光機所接收之基板搬送至曝光後清洗處理單元後轉移至處理部。藉此，可對曝光處理後之基板進行清洗處理。又，由於曝光前清洗處理單元與曝光後清洗處理單元係於上下方向積層，故可使清洗部之設置面積小型化。
又，於本發明中，較佳為清洗部包含：第1清洗部，其專門藉由第1處理部側搬送機構搬送基板；及第2清洗部，其專門藉由第2處理部側搬送機構搬送基板；且第1清洗部、第1處理部側搬送機構、第2處理部側搬送機構、及第2清洗部係以沿著介面部之前表面依該序排列之方式配置。
藉此，第1清洗部鄰接於第1處理部側搬送機構之側方。因此，第1處理部側搬送機構可對第1清洗部有效地搬送基板。又，第2清洗部鄰接於第2處理部側搬送機構之側方。因此，第2處理部側搬送機構可對第2清洗部有效地搬送基板。
又，於本發明中，較佳為介面部包含：曝光後加熱處理單元，其加熱曝光處理後之基板；及清洗部，其清洗基板；且第1及第2處理部側搬送機構分別將基板搬送至曝光後加熱處理單元與清洗部；清洗部具備清洗曝光處理後之基板之曝光後清洗處理單元；曝光後清洗處理單元配置於與曝光後加熱處理單元大致相同高度位置。
第1及第2處理部側搬送機構分別將自曝光機側搬送機構所接收之基板搬送至曝光後清洗處理單元與曝光後加熱處理單元後轉移至處理部。藉此，可對曝光處理後之基板不僅進行曝光後加熱處理亦進行清洗處理。又，由於曝光後清洗處理單元與曝光後加熱處理單元配置於大致相同高度位置，故第1及第2處理部側搬送機構可分別於曝光後清洗處理單元與曝光後加熱處理單元之間有效地搬送基板。
又，於本發明中，較佳為具備用於第1及第2處理部側搬送機構與處理部相互交接基板之處理部側載置部；且處理部側載置部配置於處理部與介面部之間，且距第1及第2處理部側搬送機構大致等距離之位置。
由於具備處理部側載置部，故第1及第2處理部側搬送機構可分別自處理部較佳地接收基板，且可將基板較佳地轉移至處理部。又，可使用以自處理部接收基板之第1處理部側搬送機構之動作量、與用以自處理部接收基板之第2處理部側搬送機構之動作量大致相等。同樣地，可使第1及第2處理部側搬送機構之間，用以將基板轉移至處理部之動作量大致相等。另，所謂「配置於處理部與介面部之間」，處理部側載置部之至少一部分可位於處理部內，亦可位於介面部內。例如，亦可以跨越處理部與介面部之方式設置處理部側載置部。或者， 處理部側載置部之全部可位於處理部外，亦可位於介面部外。
又，於本發明中，較佳為介面部具備用於第1及第2處理部側搬送機構與曝光機側搬送機構相互交接基板之中間載置部；且中間載置部配置於距第1及第2處理部側搬送機構大致等距離之位置。
藉此，第1及第2處理部側搬送機構可分別將基板較佳地轉移至曝光機側搬送機構，且可自曝光機側搬送機構較佳地接收基板。又，可使第1及第2處理部側搬送機構之間，用以將基板轉移至曝光機側搬送機構之動作量或用以自曝光機側搬送機構接收基板之動作量大致相等。
1‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧索引器部(ID部)
13‧‧‧處理部
14‧‧‧第1區塊
15‧‧‧第2區塊
17‧‧‧介面部(IF部)
17F‧‧‧前表面
21‧‧‧載子載置部
22‧‧‧搬送部
31‧‧‧搬送部
33‧‧‧液處理部
35‧‧‧熱處理部
41~44‧‧‧塗佈處理室
45‧‧‧塗佈處理單元
46‧‧‧保持部
47‧‧‧杯
48‧‧‧噴嘴
49‧‧‧噴嘴搬送機構
51‧‧‧熱處理單元群
52‧‧‧熱處理單元群
61‧‧‧搬送部
63‧‧‧液處理部
65‧‧‧熱處理部
71‧‧‧顯影處理室
72‧‧‧顯影處理室
73‧‧‧塗佈處理室
74‧‧‧塗佈處理室
75‧‧‧顯影處理單元
76‧‧‧保持部
77‧‧‧杯
78‧‧‧噴嘴
79‧‧‧噴嘴搬送機構
81‧‧‧熱處理單元群
82‧‧‧熱處理單元群
91‧‧‧處理部側搬送部
92‧‧‧曝光機側搬送部
95‧‧‧清洗部
96‧‧‧清洗部
97‧‧‧熱處理部
98‧‧‧熱處理部
101‧‧‧曝光前清洗處理單元
102‧‧‧曝光後清洗處理單元
111‧‧‧控制部
113‧‧‧輸入輸出部
a‧‧‧開口
b‧‧‧開口
C‧‧‧載子
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光單元
EXP‧‧‧曝光機
H‧‧‧手
m1~m8‧‧‧點
n1‧‧‧點
n2‧‧‧點
P1R~P7R‧‧‧載置部
P1S~P7S‧‧‧載置部
PAHP‧‧‧密著強化處理單元
PEB‧‧‧曝光後加熱處理單元
PHP‧‧‧熱處理單元
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
RBF‧‧‧返回緩衝部
SBF‧‧‧傳送緩衝部
TA1‧‧‧ID部內搬送機構(搬送機構)
TA2‧‧‧ID部內搬送機構(搬送機構)
TB1‧‧‧處理部內搬送機構(搬送機構)
TB1c‧‧‧處理部內搬送機構(搬送機構)
TB1d‧‧‧搬送機構
TB2‧‧‧處理部內搬送機構(搬送機構)
TB2c‧‧‧處理部內搬送機構(搬送機構)
TB2d‧‧‧搬送機構
TC1‧‧‧第1處理部側搬送機構(搬送機構)
TC2‧‧‧第2處理部側搬送機構(搬送機構)
TD‧‧‧曝光機側搬送機構(搬送機構)
UB1‧‧‧處理單元
UB2‧‧‧處理單元
UC1‧‧‧處理單元
UC2‧‧‧處理單元
W‧‧‧基板
x‧‧‧方向
y‧‧‧方向
z‧‧‧方向
雖然為了說明發明而圖示有當前認為較佳之若干個形態，但應理解，發明並非限定於如圖示之構成及方策。
圖1係顯示實施例之基板處理裝置之概略構成之模式圖。
圖2係顯示實施例之基板處理裝置之概略構成之俯視圖。
圖3係顯示搬送機構之配置之概略側視圖。
圖4係顯示液處理單元之配置之基板處理裝置之概略側視圖。
圖5係顯示熱處理單元之配置之基板處理裝置之概略側視圖。
圖6係顯示第1區塊之內部之前視圖。
圖7係顯示自背面觀察第1及第2處理部側搬送機構時之介面部之內部之後視圖。
圖8係顯示自背面觀察曝光機側搬送機構時之介面部之內部之後視圖。
圖9係自正面側觀察介面部之內部之立體圖。
圖10係自背面側觀察介面部之內部之立體圖。
以下，參照圖式說明本發明之實施例。
[基板處理裝置之概要]
首先，說明本實施例之概要。圖1係顯示實施例之基板處理裝置之概略構成之模式圖。
基板處理裝置1具備索引器部(以下記載為「ID部」)11、處理部13、及介面部(以下記載為「IF部」)17。處理部13係與ID部11及IF部17分別相接。IF部17進而與自基板處理裝置1分開之曝光機EXP相接。
ID部11可載置複數個載子C。於各載子C內，收納有基板(例如半導體晶圓)W。於ID部11中，設置有複數個ID部內搬送機構(以下，適當縮寫為「搬送機構」)TA1、TA2。各搬送機構TA1、TA2分別跨越載子C與處理部13之間搬送基板W。
處理部13具備：處理單元UB1、UB2，其處理基板W；及處理部內搬送機構(以下，適當縮寫為「搬送機構」)TB1、TB2，其搬送基板W。於處理單元UB1中專門由搬送機構TB1搬送基板W。於處理單元UB2中專門由搬送機構TB2搬送基板W。再者，各搬送機構TB1、TB2分別跨越ID部11與IF部17之間搬送基板W。
IF部17具備第1處理部側搬送機構(以下，適當縮寫為「搬送機構」)TC1、第2處理部側搬送機構(以下，適當縮寫為「搬送機構」)TC2、及單一之曝光機側搬送機構(以下，適當縮寫為「搬送機構」)TD。各搬送機構TC1、TC2分別接收自處理部13交出之基板W，且將基板W轉移至處理部13。搬送機構TD自搬送機構TC1、TC2接收基板W並搬送至曝光機EXP，且自曝光機EXP接收曝光處理後之基板W並轉移至搬送機構TC1、TC2。
說明該基板處理裝置1之動作例。搬送機構TA1自載子C內搬出基板W，並轉移至搬送機構TB1。搬送機構TB1將所接收之基板W搬送 至特定之處理單元UB1。其後，搬送機構TB1將基板W轉移至搬送機構TC1。搬送機構TC1將所接收之基板W轉移至搬送機構TD。搬送機構TD將所接收之基板W搬送至曝光機EXP。又，搬送機構TD自曝光機EXP接收基板W並轉移至搬送機構TC1。搬送機構TC1將所接收之基板W轉移至搬送機構TB1。搬送機構TB1將所接收之基板W搬送至特定之處理單元UB1。其後，搬送機構TB1將基板W轉移至搬送機構TA1。搬送機構TA1將所接收之基板W搬入至載子C內。
同樣地，搬送機構TA2、TB2、TC2、TD亦相互交接基板W。藉此，跨越ID部11與曝光機EXP之間往復搬送基板W。
於圖1中，分別以點m1至m8、n1、n2示意性地顯示將基板W自一搬送機構轉移至另一搬送機構之位置。
其結果，形成跨越ID部11與曝光機EXP之間之2個搬送路徑。關於IF部17(搬送機構TD)-曝光機EXP之區間，各搬送路徑係共通。相對於此，關於ID部11(載子C)-IF部17(搬送機構TD)之區間，各搬送路徑係相互不同。因此，於ID部11-IF部17之區間，即便於一者之搬送路徑中產生異常，仍可於另一者之搬送路徑中適當地搬送基板W。
尤其，設置於IF部17之2台處理部側搬送機構TC1/TC2之兩者對於處理部13搬入、搬出基板W。因此，即便為搬送機構TC1/TC2之一者故障之情形，仍可藉由使另一者動作，而於處理部13與IF部17之間雙向地持續搬送基板W。即，可同時提高自處理部13向IF部17搬送基板之可靠性、及自IF部17向處理部13搬送基板之可靠性。
再者，於IF部17中設置處理單元之情形時，可以各搬送機構TC1、TC2分別將基板W搬送至處理單元之方式構成。藉此，亦可提高IF部17之處理之可靠性。例如，即便為搬送機構TC1故障之情形，仍可藉由使搬送機構TC2動作，而以適當之排程對基板W實施IF部17之處理。
於圖1中，以虛線表示設置於IF部17之處理單元UC1、UC2。於處理單元UC1中，搬送機構TC1搬送基板W。於處理單元UC2中，搬送機構TC2搬送基板W。於如此之構成例中，例如，即便處理單元UC1或搬送機構TC1故障，仍可使用處理單元UC2及搬送機構TC2，以適當之排程對基板W實施IF部17之處理。
另，處理單元UB1對搬送機構TB1自搬送機構TA1所接收之基板W進行之處理、與處理單元UB1對搬送機構TB1自搬送機構TC1所接收之基板W進行之處理可相同，亦可不同。又，於上述動作例中，處理單元UB1雖處理搬送機構TB1自搬送機構TA1所接收之基板W、及搬送機構TB1自搬送機構TC1所接收之基板W之兩者，但並非限於此。例如，處理單元UB1亦可處理自搬送機構TA1所傳送之基板W、及自搬送機構TC1所傳送之基板W之任一者。關於處理單元UB2亦相同。
[基板處理裝置之整體構成]
更詳細地說明上述基板處理裝置1之各構成。此處，採用處理部13之處理係抗蝕劑膜塗佈處理與顯影處理之情形為例。又，例示於曝光機EXP中藉由液浸法對基板W進行曝光之情形。再者，例示於IF部17中設置處理單元之情形。
圖2係顯示實施例之基板處理裝置之概略構成之俯視圖。處理部13係劃分成第1區塊14與第2區塊15。ID部11、第1區塊14、第2區塊15、IF部17及曝光機EXP配置為以該順序排列於水平一方向(圖中為「x」方向)。另，將與x方向正交之水平方向設為「y」方向，上下方向設為「z」方向。
[ID部]
結合圖2參照圖3。圖3係顯示自側方(y方向)觀察基板處理裝置之內部時之搬送機構之配置之概略側視圖。
如圖2、圖3所示，ID部11具備載子載置部21與搬送部22。
載子載置部21載置載子C。載子C係藉由例如未圖示之外部搬送機構，而載置於載子載置部21。於載子C內，以水平姿勢載置有複數片基板W。作為載子C，例示FOUP(front opening unified pod：前開式晶圓盒)。
於搬送部22中，設置有ID部內搬送機構TA1、TA2。搬送機構TA1、TA2係以排列於y方向之方式配置。搬送機構TA1、TA2係所謂搬送機器人。即，搬送機構TA1、TA2分別具備載置基板W之1或2以上之手H、及用以使手H移動之各種驅動機構(未圖示)。藉由使保持有基板W之手H移動，而搬送基板W。手H係例如可於x方向、y方向及z方向上分別平行移動，可於搬送機構TA1之縱軸心之徑向上前進、後退移動，且可繞縱軸心旋轉移動。
另，搬送機構TB1至TD本身之形狀或手之可動域另說，於以手H保持基板W而搬送之方面，其他搬送機構TB1至TD亦與搬送機構TA1、TA2相同。
[處理部13~第1區塊14]
參照圖2至圖6。圖4係顯示自側方(y方向)觀察基板處理裝置之內部時之液處理單元之配置之基板處理裝置之概略側視圖。圖5係顯示自側方(y方向)觀察基板處理裝置之內部時之熱處理單元之配置之基板處理裝置之概略側視圖。圖6係自排列方向(x方向)觀察第1區塊之內部時之前視圖。
第1區塊14具備搬送部31、液處理部33、及熱處理部35。搬送部31係通過俯視下第1區塊14之y方向(寬度方向)之大致中央，且於x方向(排列方向)延伸之帶狀區域。搬送部31之兩端分別面向ID部11及第2區塊15。又，液處理部33配置於搬送部31之一側方。熱處理部35配置於搬送部31之另一側方。
如圖3、圖6所示，於搬送部31中，設置有處理部內搬送機構TB1c、TB2c。搬送機構TB1c、TB2c係以排列於上下方向(z方向)之方式配置。搬送部31之上部係搬送機構TB1c之可動域。搬送部31之下部係搬送機構TB2c之可動域。搬送機構TB1c、TB2c分別可於x方向及z方向平行移動。另，於圖2中，僅顯示有配置於上側之搬送機構TB1c。
於ID部11與第1區塊14之間，配置有載置部P1S、P1R、P2S、P2R。載置部P1S、P1R、P2S、P2R係以排列於上下方向之方式配置。搬送機構TA1將基板W載置於載置部P1S，搬送機構TB1c接收載置於載置部P1S之基板W。又，搬送機構TB1c將基板W載置於載置部P1R，搬送機構TA1接收載置於載置部P1R之基板W。同樣地，載置部P2S、P2R係用以於搬送機構TA2與搬送機構TB2c之間雙向傳送基板W。另，載置部P1S、P1R、P2S、P2R分別與圖1之點m1、m4、m5、m8對應。
參照圖4。液處理部33具備4個塗佈處理室41、42、43、44。該等塗佈處理室41至44係以排列於上下方向之方式配置。塗佈處理室41、42配置於液處理部33之上部。塗佈處理室43、44配置於液處理部33之下部。各塗佈處理室41至44分別面向搬送部31。搬送機構TB1c對於上側之塗佈處理室41、42搬入、搬出基板W。搬送機構TB2c對於下側之塗佈處理室43、44搬入、搬出基板W。
於各塗佈處理室41至44中，設置有複數個塗佈處理單元45。塗佈處理單元45具備保持部46、杯47、噴嘴48、及噴嘴搬送機構49。噴嘴48與噴嘴搬送機構49係於圖2予以顯示。保持部46保持基板W。保持部46係藉由未圖示之馬達進行旋轉。杯47配置於保持部46之周圍，回收自基板W飛散之處理液。噴嘴48對基板W噴出處理液。噴嘴搬送機構49跨越基板W之上方之位置與離開基板W之上方之位置之間搬送 噴嘴48。
塗佈處理室41、43內之各塗佈處理單元45將抗蝕劑膜用之處理液塗佈於基板W，而於基板W上形成抗蝕劑膜。設置於該等塗佈處理單元45之噴嘴48噴出抗蝕劑膜用之處理液。塗佈處理室42、44內之各塗佈處理單元45將防反射膜用之處理液塗佈於基板W，而於基板W上塗佈防反射膜。設置於該等塗佈處理單元45之噴嘴48噴出防反射膜用之處理液。
參照圖5。熱處理部35具備複數個熱處理單元。各熱處理單元於側面圖中配置成矩陣狀(例如，橫向(x方向)為3行，上下方向(z方向)為10段)。此處，將配置於上側5段之複數個熱處理單元稱為「熱處理單元群51」，配置於下側5段之複數個熱處理單元稱為「熱處理單元群52」。搬送機構TB1c對於熱處理單元群51搬入、搬出基板W。搬送機構TB2c對於熱處理單元群52搬入、搬出基板W。
熱處理單元群51、52係分別以複數個熱處理單元PHP、複數個密著強化處理單元PAHP、及複數個冷卻單元CP構成。熱處理單元PHP加熱及冷卻基板W。密著強化處理單元PAHP係對基板W塗佈HMDS(六甲基二矽氮烷)等密著強化劑，並加熱基板W。藉此，提高基板W與防反射膜之密著性。冷卻單元CP冷卻基板W。
另，塗佈處理室41、42之塗佈處理單元45與熱處理單元群51屬於圖1所示之搬送機構TB1用之處理單元UB1。塗佈處理室43、44之塗佈處理單元45與熱處理單元群52屬於搬送機構TB2用之處理單元UB2。
[處理部13~第2區塊15]
第2區塊15具備搬送部61、液處理部63、及熱處理部65。搬送部61形成於俯視下第2區塊15之大致中央。搬送部61之兩端分別面向第1區塊14(搬送部31)及IF部17。液處理部63配置於搬送部61之一側方。 熱處理部65配置於搬送部61之另一側方。
於搬送部61中，以排列於上下方向(z方向)之方式配置有搬送機構TB1d、TB2d。搬送部61之上部係搬送機構TB1d之可動域。搬送部61之下部係搬送機構TB2d之可動域。
於搬送部61與搬送部31之間設置有載置部P3S、P3R、P4S、P4R。載置部P3S/P3R係於在搬送機構TB1d與搬送機構TB1c之間交接基板W時使用。載置部P4S/P4R係於在搬送機構TB2d與搬送機構TB2c之間交接基板W時使用。
液處理部63具備2個顯影處理室71、72與2個塗佈處理室73、74。該等處理室71至74係以排列於上下方向之方式配置。處理室71、73配置於液處理部63之上部，處理室72、74配置於液處理部63之下部。各處理室71至74面向搬送部61。搬送機構TB1d對於處理室71、73搬送基板W，搬送機構TB2d對於處理室72、74搬送基板W。
於各顯影處理室71、72中，分別配置有複數個顯影處理單元75。於塗佈處理室73、74中，分別配置有複數個塗佈處理單元45。
顯影處理單元75具備保持部76、杯77、噴嘴78、及噴嘴搬送機構79。噴嘴78與噴嘴搬送機構79係於圖2予以顯示。保持部76保持基板W。保持部76係藉由未圖示之馬達進行旋轉。杯77配置於保持部76之周圍，回收自基板W飛散之顯影液。噴嘴78對基板W噴出顯影液。噴嘴搬送機構79跨越基板W之上方之位置與離開基板W之上方之位置之間搬送噴嘴78。
塗佈處理室73、74內之塗佈處理單元45將抗蝕劑覆蓋用之處理液塗佈於基板W，而於基板W上形成抗蝕劑覆蓋膜。設置於該等塗佈處理單元45之噴嘴48噴出抗蝕劑覆蓋用之處理液。
熱處理部65具備以矩陣狀縱橫配置之複數個熱處理單元。搬送機構TB1d對於上側之熱處理單元群81搬送基板W。搬送機構TB2d對 於下側之熱處理單元群82搬送基板W。
各熱處理單元群81、82分別包含複數個熱處理單元PHP、與複數個冷卻單元CP。又，於各熱處理單元群81、82之一區劃中設置有邊緣曝光單元EEW。邊緣曝光單元EEW曝光基板W之周緣部。
另，顯影處理室71之顯影處理單元75、塗佈處理室73之塗佈處理單元45及熱處理單元群81屬於上述處理單元UB1。配置於熱處理部65之上部之邊緣曝光單元EEW亦屬於處理單元UB1。顯影處理室72之顯影處理單元75、塗佈處理室74之塗佈處理單元45及熱處理單元群82屬於處理單元UB2。配置於熱處理部65之下部之邊緣曝光單元EEW亦屬於處理單元UB2。
[IF部17]
參照圖2至圖10。圖7係自背面側(曝光機EXP側)觀察搬送機構TC1、TC2之後視圖，圖8係自背面側觀察搬送機構TD之後視圖。圖9係自正面側觀察介面部之立體圖，圖10係自背面側觀察介面部之立體圖。
IF部17具備處理部側搬送部91、曝光機側搬送部92、清洗部95、96、及熱處理部97、98。俯視下將IF部17劃分成處理部13側之部分與曝光機EXP側之部分之情形時，處理部側搬送部91與清洗部95、96配置於處理部13側之部分。曝光機側搬送部92與熱處理部97、98配置於曝光機EXP側之部分。處理部側搬送部91面向處理部13(搬送部61)。曝光機側搬送部92面向曝光機EXP。各搬送部91、92彼此相接。
以下，為了說明IF部17內之佈局，將IF部17與處理部13(第2區塊15)相接之面設為前表面17F。將俯視下與前表面17F正交之方向適當地稱為「前後方向」。本實施例之情形時，前後方向與x方向一致。又，將自IF部17之內部觀察靠近前表面17F之方向及遠離之方向分別稱為「前方」及「後方」。
處理部側搬送部91與清洗部95、96係以沿著IF部17之前表面17F排列之方式配置。處理部側搬送部91配置於IF部17之y方向(寬度方向)中央部。清洗部95、96鄰接於處理部側搬送部91之y方向兩外側。
曝光機側搬送部92與熱處理部97、98鄰接於處理部側搬送部91及清洗處理部95、96之後方。曝光機側搬送部92係IF部17之後部且下部之區域。熱處理部97、98配置於曝光機側搬送部92之上方。熱處理部97、98係以排列於y方向之方式配置。
於處理部側搬送部91中，設置有第1處理部側搬送機構TC1與第2處理部側搬送機構TC2。搬送機構TC1、TC2係沿著IF部17之前表面17F配置。即，搬送機構TC1、TC2係以排列於y方向之方式配置。搬送機構TC1、TC2分別配置於與IF部17之前表面17F接近之位置。搬送機構TC1、TC2分別面向IF部17之前表面17F。於曝光機側搬送部92中，配置有曝光機側搬送機構TD。
於IF部17(處理部側搬送部91)與處理部13(搬送部61)之間，配置有載置部P5S、P5R、P6S、P6R。該等載置部P5S等係以排列於上下方向之方式配置。即，該等載置部P5S等於俯視下配置於相同位置。載置部P5S/P5R係為了搬送機構TC1與搬送機構TB1d進行基板W之交接而使用。載置部P6S/P6R係為了搬送機構TC2與搬送機構TB2d進行基板W之交接而使用。
載置部P5S、P5R、P6S、P6R配置於距搬送機構TC1、TC2大致等距離之位置。載置部P5S、P5R與搬送機構TC1之距離、及載置部P6S、P6R與搬送機構TC2之距離大致相等。具體而言，於俯視下，載置部P5S等配置於連結搬送機構TC1、TC2之線段之垂直二等分線上。
又，於處理部側搬送部91與曝光機側搬送部92之間，配置有載置部P7S、P7R、傳送緩衝部SBF、返回緩衝部RBF、載置兼冷卻部P-CP。該等載置部P7S、P7R等係於上下方向積層。即，該等載置部 P7S等於俯視下配置於相同位置。於上段配置有緩衝部SBF、RBF，於中段配置有P7S、P7R，於下段配置有載置兼冷卻部P-CP。載置部P7S等亦配置於距搬送機構TC1、TC2之距離大致相等之位置。載置部P7S等與搬送機構TC1之距離、及載置部P7S等與搬送機構TC2之距離大致相等。
載置部P7S係於搬送機構TC1、TC2將基板W轉移至搬送機構TD時使用。載置部P7R係於搬送機構TD將基板W轉移至搬送機構TC1、TC2時使用。緩衝部SBF、RBF使基板W暫時待機。載置兼冷卻部P-CP將所載置之基板W保持(冷卻)於特定之溫度。搬送機構TC1、TC2對於緩衝部SBF、RBF與載置兼冷卻部P-CP搬送基板W。搬送機構TD亦可對於緩衝部SBF、RBF與載置兼冷卻部P-CP之至少一者搬送基板W。
另，載置部P5S、P5R、P6S、P6R分別與圖1之點m2、m3、m6、m7對應。載置部P7S、P7R與圖1之點n1、n2對應。載置部P5S、P5R、P6S、P6R相當於本發明之處理部側載置部。載置部P7S、P7R相當於本發明之中間載置部。
清洗部95鄰接於搬送機構TC1之側方。於清洗部95中，專門由搬送機構TC1搬送基板W。清洗部95具備曝光前清洗處理單元101與曝光後清洗處理單元102。將前者適當縮寫為「前清洗處理單元101」，後者適當縮寫為「後清洗處理單元102」。各處理單元101、102係以排列於上下方向之方式配置。於上段配置有2個後清洗處理單元102，於下段配置有3個前清洗處理單元101。各處理單元101、102分別面向搬送機構TC1。具體而言，各處理單元101、102分別具有用以搬入、搬出基板W之開口a。各開口a面向搬送機構TC1。
前清洗處理單元101清洗曝光處理前之基板W並使其乾燥。曝光機EXP採用液浸法之情形時，較佳為前清洗處理單元101對基板W之 底面供給清洗液並清洗基板W之底面。處理基板W時，可使基板W旋轉，亦可使用刷子。藉此，可較佳地預防用以載置基板W之曝光機EXP之平台受污染。另，所謂基板W之底面係與形成抗蝕劑膜等之面為相反側之面。
後清洗處理單元102清洗曝光處理後之基板W並使其乾燥。藉此，可較佳地清洗藉由液浸法所曝光之基板W。
清洗部96係與清洗部95相同地構成。搬送機構TC2對於設置於清洗部96之各處理單元101、102搬送基板W。
清洗部95相當於本發明之第1清洗部。清洗部96相當於本發明之第2清洗部。
熱處理部97鄰接於搬送機構TC1之後方。於熱處理部97中，專門由搬送機構TC1搬送基板W。熱處理部97具備複數個曝光後加熱處理單元PEB。各曝光後加熱處理單元PEB係以排列於上下方向之方式配置。各曝光後加熱處理單元PEB之設置高度與清洗部95之後清洗處理單元102之設置高度大致相等。熱處理部97之曝光後加熱處理單元PEB與清洗部95之後清洗處理單元102配置於搬送機構TC1之周圍。自搬送機構TC1觀察，曝光後加熱處理單元PEB與後清洗處理單元102係以於圓周方向鄰接之方式配置。各曝光後加熱處理單元PEB分別面向處理部側搬送部91。具體而言，各曝光後加熱處理單元PEB分別具有用以搬入、搬出基板W之開口b。各開口b面向搬送機構TC1。各曝光後加熱處理單元PEB對曝光處理後之基板W進行曝光後熱處理(Post Exposure Bake)。
熱處理部98係與熱處理部97相同地構成。搬送機構TC2對於設置於熱處理部98之各曝光後加熱處理單元PEB搬送基板W。
熱處理部97之曝光後加熱處理單元PEB相當於本發明之第1曝光後加熱處理單元。熱處理部98之曝光後加熱處理單元PEB相當於本發 明之第2曝光後加熱處理單元。
[控制系統之構成]
基板處理裝置1具備控制部111與輸入輸出部113。
控制部111設置於例如ID部11。控制部111統括性地控制ID部11、處理部13及IF部17。具體而言，控制各種搬送機構及各種處理單元之動作。
輸入輸出部113安裝於ID部11之側壁。輸入輸出部113顯示基板處理裝置1之基板W之搬送狀況或處理狀況。又，使用者可將與輸入輸出部113之顯示關連之命令、或與各種搬送機構或處理單元之動作關連之命令輸入至輸入輸出部113。
[基板處理裝置1之動作]
接著，針對實施例之基板處理裝置1之動作進行說明。以下，分為自ID部11向IF部17之搬送、與自IF部17向ID部11之搬送而進行說明。
[自ID部11向IF部17之搬送] <ID部11>
搬送機構TA1自一載子C搬出基板W而載置於載置部P1S。搬送機構TA2自另一載子C搬出基板W而載置於載置部P2S。此處，由搬送機構TA1進行之基板搬送與由搬送機構TA2進行之基板搬送係彼此獨立地進行。可使搬送機構TA1、TA2同時動作，亦可交替進行。又，亦可僅使搬送機構TA1、TA2之一者動作。
<處理部13>
搬送機構TB1c接收載置於載置部P1S之基板W。然後，搬送機構TB1c將所接收之基板W以特定之順序搬送至塗佈處理室41、42及熱處理單元群51之各種處理單元。例如，以熱處理單元PHP、冷卻單元CP、防反射膜用之塗佈處理單元45、熱處理單元PHP、冷卻單元 CP、抗蝕劑膜用之塗佈處理單元45、熱處理單元PHP之順序搬送基板W。藉此，對基板W連續實施各種處理。於基板W上形成防反射膜及抗蝕劑膜。搬送機構TB1c將已實施一系列處理之基板W載置於載置部P3S。
搬送機構TB1d自載置部P3S接收基板W，並以特定之順序搬送至塗佈處理室73及熱處理單元群81之各種處理單元。例如，以抗蝕劑覆蓋膜用之塗佈處理單元45、熱處理單元PHP、邊緣曝光單元EEW之順序搬送基板W。藉此，對基板W連續實施各種處理。於基板W上形成抗蝕劑覆蓋膜，而曝光基板W之周緣。搬送機構TB1d將已實施一系列處理之基板W載置於載置部P5S。
另一方面，搬送機構TB2c將載置於載置部P2S之基板W以特定之順序搬送至塗佈處理室43、44及熱處理單元群52之各種處理單元。其後，搬送機構TB2c將基板W載置於載置部P4S。搬送機構TB2d將載置於載置部P4S之基板W以特定之順序搬送至塗佈處理室74及熱處理單元群82之各種處理單元。其後，將基板W載置於載置部P6S。
<IF部17>
搬送機構TC1接收載置於載置部P5S之基板W，並搬入至清洗部95之前清洗處理單元101。前清洗處理單元101清洗基板W之底面。其後，搬送機構TC1自前清洗處理單元101搬出基板W，並載置於載置部P7S。
搬送機構TC2接收載置於載置部P6S之基板W，並搬送至清洗部96之前清洗處理單元101。搬送機構TC2自前清洗處理單元101取出基板W，並載置於載置部P7S。
另，無法將基板W載置於載置部P7S時，搬送機構TC1/TC2將基板W載置於傳送緩衝器SBF或載置兼冷卻部P-CP。
搬送機構TD接收載置於載置部P7S之基板W，且傳送至曝光機 EXP。基板W係藉由曝光機EXP予以曝光。
[自IF部17搬送至ID部11] <IF部17>
搬送機構TD自曝光機EXP接收基板W，並載置於載置部P7R。
搬送機構TC1接收載置於載置部P7R之基板W，並依序搬送至清洗部95之後清洗處理單元102與熱處理部97之曝光後加熱處理單元PEB。後清洗處理單元102清洗基板W，曝光後加熱處理單元PEB對基板W進行曝光後加熱處理。搬送機構TC1將已實施一系列處理之基板W載置於載置部P5R。
搬送機構TC2接收載置於載置部P7R之基板W，並搬送至清洗部96之後清洗處理單元102及熱處理部98之曝光後加熱處理單元PEB。其後，搬送機構TC2將基板W載置於載置部P6R。
<處理部13>
搬送機構TB1d接收載置於載置部P5R之基板W，並以特定之順序搬送至顯影處理室71及熱處理單元群81之各種處理單元。例如，以冷卻單元CP、顯影處理單元75、熱處理單元PHP之順序搬送基板W。藉此，將基板W顯影。其後，搬送機構TB1d將予以顯影之基板W載置於載置部P3R。搬送機構TB1c自載置部P3R接收基板W，且載置於載置部P1R。
另一方面，搬送機構TB2d將載置於載置部P6R之基板W以特定之順序搬送至顯影處理室72及熱處理單元群82之各種處理單元。然後，搬送機構TB2d將基板W載置於載置部P4R。搬送機構TB2c接收載置於載置部P4R之基板W，且載置於載置部P2R。
<ID部11>
搬送機構TA1接收載置於載置部P1R之基板W，且搬入至載子C。搬送機構TA2接收載置於載置部P2R之基板W，且搬入至載子C。
[搬送機構TC1、TC2之動作]
接著，針對搬送機構TC1、TC2之動作進行詳細說明。由於搬送機構TC2之動作基本上與搬送機構TC1之動作相同，故僅針對搬送機構TC1進行說明。
搬送機構TC1移動至面對載置部P5S/P5R之位置。此時，搬送機構TC1保持自曝光後加熱處理單元PEB所搬出之基板W。搬送機構TC1將所保持之基板W載置於載置部P5R，並接收載置於載置部P5S之基板W。
接著，搬送機構TC1於保持基板W之狀態下旋轉移動及下降移動，而移動至面對前清洗處理單元101之位置。搬送機構TC1自前清洗處理單元101內搬出完成處理之基板W，並將自載置部P5S所接收之基板W搬入至前清洗處理單元101。
接著，搬送機構TC1旋轉移動，而移動至面對載置部P7S之位置。搬送機構TC1將自前清洗處理單元101所搬出之基板W載置於載置部P7S，並接收載置於載置部P7R之基板W。
接著，搬送機構TC1上升移動及旋轉移動，而移動至面對後清洗處理單元102之位置。搬送機構TC1對調自載置部P7R所接收之基板W、與後清洗處理單元102內之基板W。
接著，搬送機構TC1旋轉移動，而移動至面對曝光後加熱處理單元PEB之位置。搬送機構TC1對調自後清洗處理單元102所搬出之基板W與曝光後加熱處理單元PEB內之基板W。
其後，搬送機構TC1再次移動至面對載置部P5S/P5R之位置，並重複上述一系列動作。
如此般，根據實施例之基板處理裝置1，IF部17具備搬送機構TC1、TC2。因此，如上述之[基板處理裝置之概要]所說明般，即便搬送機構TC1、TC2之一者停止，仍不存在處理部13與IF部17之間之 基板W之搬送停滯之虞。因此，可提高IF部17之基板搬送之可靠性。
又，搬送機構TC1、TC2係以沿著與處理部13相接之IF部17之前表面17F排列之方式配置。因此，可順利進行基板W對於處理部13之搬入、搬出。
又，IF部17具備複數個曝光後加熱處理單元PEB，各搬送機構TC1、TC2分別對於曝光後加熱處理單元PEB搬送基板W。因此，即便搬送機構TC1、TC2之一者停止，仍可對曝光處理後之基板W以一定排程進行曝光後加熱處理。即，可抑制對曝光處理後之基板W進行曝光後加熱處理之排程不均一。此處，所謂排程，係例如自曝光機EXP交出基板W之時，至將該基板W以曝光後加熱處理單元PEB進行曝光後加熱處理為止之時間。因此，可較佳地維持基板W之處理品質。另，搬送機構TC1、TC2之一者已停止時之排程亦可與搬送機構TC1、TC2之兩者正常動作時之排程相同。
又，熱處理部97之曝光後加熱處理單元PEB鄰接於搬送機構TC1，熱處理部98之曝光後加熱處理單元PEB鄰接於搬送機構TC2。因此，搬送機構TC1、TC2分別可將基板W有效地搬送至曝光後加熱處理單元PEB。
又，由於曝光後加熱處理單元PEB配置於搬送機構TD之上方，故可減小IF部17之設置面積。
又，IF部17具備複數個清洗部95、96，各搬送機構TC1、TC2分別對於清洗部95、96搬送基板W。因此，即便搬送機構TC1、TC2之一者停止，仍可藉由使另一者動作，而清洗基板W。
又，清洗部95鄰接於搬送機構TC1，清洗部96鄰接於搬送機構TC2。因此，搬送機構TC1、TC2分別可將基板W迅速地搬送至清洗部95、96。
又，清洗部95/96具備後清洗處理單元102，後清洗處理單元102 與曝光後加熱處理單元PEB一起配置於IF部17之上部。因此，於後清洗處理單元102與曝光後加熱處理單元PEB之間移動基板W時，使基板W升降之升降量相對較少。因此，搬送機構TC1/TC2可將曝光處理後之基板W迅速地搬送至各種處理單元102、PEB。
再者，自搬送機構TC1/TC2觀察，後清洗處理單元102位於側方，曝光後加熱處理單元PEB位於後方。因此，搬送機構TC1/TC2於後清洗處理單元102與曝光後加熱處理單元PEB之間搬送基板W時，搬送機構TC1/TC2之旋轉量相對較少(例如約90度左右)。因此，搬送機構TC1/TC2可更迅速地搬送基板W。
又，清洗部95/96具備前清洗處理單元101，前清洗處理單元101配置於後清洗處理單元102之下方。因此，可分別減小清洗部95、96之設置面積。
又，載置部P7S/P7R鄰接於搬送機構TC1及搬送機構TC2之兩者。因此，搬送機構TC1、TC2分別可將基板W迅速地搬送至載置部P7S/P7R。
同樣地，由於載置部P5S/P5R鄰接於搬送機構TC1，故搬送機構TC1可將基板W迅速地搬送至載置部P5S/P5R。又，由於載置部P6S/P6R鄰接於搬送機構TC2，故搬送機構TC2可將基板W迅速地搬送至載置部P6S/P6R。
再者，於俯視下，曝光後加熱處理單元PEB、清洗部95、載置部P7S/P7R及載置部P5S/P5R(以下稱為「曝光後加熱處理單元PEB等」)係以包圍搬送機構TC1之周圍之方式配置。因此，搬送機構TC1可不於x方向或y方向平行移動而僅旋轉，即與該等曝光後加熱處理單元PEB等之各者依序對向。因此，可提高藉由搬送機構TC1之基板W之搬送效率，從而可縮短藉由搬送機構TC1之搬送時間。關於搬送機構TC2亦相同。
又，於處理部13中，藉由搬送機構TB1c/TB1d與搬送機構TB2c/TB2d而形成有2個搬送路徑。因此，即便於處理部13內一者之搬送路徑停止，仍可利用另一者之搬送路徑。因此，亦可提高處理部13之基板搬送之可靠性。
又，ID部11具備2個搬送機構TA1、TA2。因此，即便搬送機構TA1、TA2之一者停止，仍可藉由使另一者動作，而不存在ID部11之基板W之搬送停滯之虞。因此，可提高ID部11之基板搬送之可靠性。
本發明並非限於上述實施形態，可如下所述般變化實施。
(1)於上述實施例中，雖未針對搬送機構TC1、TC2具有之手H之數量進行特別說明，但可適當地選擇任意之數量。即，搬送機構TC1、TC2可具有1個手H，亦可具有2個以上之手H。
搬送機構TC1、TC2分別具備3個手H之情形時，亦可如下所述般分開使用手H。即，關於第1手H，專門使用於自接收載置於載置部P5S之基板W之動作至將基板W搬入至前清洗處理單元101之動作為止之區間。關於第2手H，專門使用於從自前清洗處理單元101搬出基板W之動作至載置於載置部P7S之動作為止之區間。關於第3手H，專門使用於從自載置部P7R接收基板W之動作至載置於載置部P5R之動作為止之區間。如此般，於搬入至前清洗處理單元101為止、與自前清洗處理單元101搬出以後，以不同之手H保持基板W。根據如此之分開使用，即便載置於載置部P5S之基板W或第1手H被粒子所污損，仍可於前清洗處理單元101中潔淨基板W。然後，將潔淨之基板W搬送至曝光機EXP，可保持潔淨之狀態直至載置於載置部P5R為止。
(2)於上述實施例中，雖於搬送機構TD之上方配置有曝光後加熱處理單元PEB，但並非限於此。搬送機構TD之配置可考慮曝光機EXP之規格而適當地選擇、變更。所謂規格，係例如用以接入、或交出基板W之曝光機EXP之搬送口之位置等。例如，較佳為於可有效進行曝 光機EXP與基板W之交接之位置配置搬送機構TD。又，可結合搬送機構TD之配置，適當地變更曝光後加熱處理單元PEB之配置。其結果，例如，亦可將搬送機構TD配置於IF部17之上部，而於搬送機構TD之下方配置曝光後加熱處理單元PEB。或，亦可將搬送機構TD配置於IF部17之中段，而將曝光後加熱處理單元PEB分離配置於搬送機構TD之上方及下方。
又，於變更曝光後加熱處理單元PEB之配置之情形時，亦可適當地變更後清洗處理單元102之配置。例如，亦可以使後清洗處理單元102成為與曝光後加熱處理單元PEB大致相同高度位置之方式，配置後清洗處理單元102。
再者，於變更後清洗處理單元102之配置之情形時，亦可適當地變更前清洗處理單元101之配置。即便為該情形，仍可將前清洗處理單元101與後清洗處理單元102於上下方向積層。例如，亦可於後清洗處理單元102之上方配置前清洗處理單元101。又，亦可於後清洗處理單元102之上方及下方配置前清洗處理單元101。
(3)於上述實施例中，不僅IF部17，於ID部11及處理部13中亦形成有2個搬送路徑，但並非限於此。例如，可將ID部11之搬送路徑之數量設為1個，亦可設為3以上。換言之，可省略搬送機構TA1、TA2之任一者，亦可除了搬送機構TA1、TA2以外將搬送機構TA3等設置於ID部11。同樣地，可將處理部13之搬送路徑之數量設為1個，亦可設為3以上。
(4)於上述實施例中，雖藉由2台搬送機構TB1c、TB1d構成搬送機構TB1，但並非限於此。
例如，亦可以1台搬送機構構成搬送機構TB1。該情形時，例如，採用如下所述之構成。即，1台搬送機構跨越搬送部31及搬送部61而於x方向上移動。然後，1台搬送機構對於屬於處理單元UB1之各 種處理單元、及載置部P1S、P1R、P5S、P5R搬送基板W。另，於該變化實施例中，可省略載置部P3S、P3R。
或者，亦可以3台以上之搬送機構構成搬送機構TB1。該情形時，採用如下所述之構成。即，以3台以上之搬送機構排列於x方向之方式，於搬送部31及搬送部61配置該等搬送機構。於搬送機構彼此之間適當地設置載置部。然後，各搬送機構分擔將基板W搬送至屬於處理單元UB1之各種處理單元，且鄰接之搬送機構彼此經由載置部而雙向傳送基板W。
關於搬送機構TB2，亦可相同地變更。
(5)於上述實施例中，雖例示有曝光機EXP以液浸法進行曝光處理之情形，但並非限於此。例如，亦可變更為不使用液體而進行曝光處理之曝光裝置。
(6)於上述實施例中，IF部17雖具備清洗部95/96或熱處理部97/98，但並非限於此。亦可適當地選擇、變更設置於IF部17之處理部。例如，可省略清洗部95/96，亦可省略熱處理部97/98。又，亦可變更為具備對基板W進行與清洗部95/96或熱處理部97/98不同之處理之處理部。
(7)於上述實施例中，處理部13雖於基板W上形成抗蝕劑膜等，且進行使基板W顯影之處理，但並非限於此。亦可適當地變更處理部13之處理之內容。
(8)亦可以適當地組合上述實施例及各變化實施例之各構成之方式進行變更。
本發明係只要不脫離其思想或本質，可以其他具體形式實施，因此，作為表示發明之範圍者，並非以上之說明，而應參照所附加之請求項。
1‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧ID部
13‧‧‧處理部
17‧‧‧IF部
C‧‧‧載子
EXP‧‧‧曝光機
m1~m8‧‧‧點
n1‧‧‧點
n2‧‧‧點
TA1‧‧‧ID部內搬送機構
TA2‧‧‧ID部內搬送機構
TB1‧‧‧處理部內搬送機構
TB2‧‧‧處理部內搬送機構
TC1‧‧‧第1處理部側搬送機構
TC2‧‧‧第2處理部側搬送機構
TD‧‧‧曝光機側搬送機構
UB1‧‧‧處理單元
UB2‧‧‧處理單元
UC1‧‧‧處理單元
UC2‧‧‧處理單元
W‧‧‧基板

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：處理部，其對基板進行處理；及介面部，其與處理部相接，且與自本裝置分開之曝光機相接；且介面部包含：第1處理部側搬送機構；第2處理部側搬送機構；及曝光機側搬送機構；且第1及第2處理部側搬送機構分別自處理部接收基板並轉移至曝光機側搬送機構，且自曝光機側搬送機構接收基板並轉移至處理部；曝光機側搬送機構自第1及第2處理部側搬送機構接收基板並搬送至曝光機，且自曝光機接收曝光處理後之基板並轉移至第1及第2處理部側搬送機構。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中第1及第2處理部側搬送機構係以沿著與處理部相接之介面部之前表面排列之方式配置；且曝光機側搬送機構較第1及第2處理部側搬送機構配置於更後方。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中介面部具備加熱曝光處理後之基板之曝光後加熱處理單元；且第1及第2處理部側搬送機構分別將基板搬送至曝光後加熱處理單元。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中曝光後加熱處理單元較第1及第2處理部側搬送機構配置於更後方。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中曝光機側搬送機構與曝光後加熱處理單元係以上下排列之方式配置。
  6. 如請求項3之基板處理裝置，其中曝光後加熱處理單元包含：第1曝光後加熱處理單元，其專門藉由第1處理部側搬送機構搬送基板；及第2曝光後加熱處理單元，其專門藉由第2處理部側搬送機構搬送基板；且第1曝光後加熱處理單元配置於俯視下第1處理部側搬送機構之後方；第2曝光後加熱處理單元配置於俯視下第2處理部側搬送機構之後方。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中介面部具備清洗基板之清洗部；且第1及第2處理部側搬送機構分別將基板搬送至清洗部。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中清洗部配置於第1及第2處理部側搬送機構之側方。
  9. 如請求項7之基板處理裝置，其中清洗部包含：曝光前清洗處理單元，其清洗曝光處理前之基板；及曝光後清洗處理單元，其清洗曝光處理後之基板；且曝光前清洗處理單元與曝光後清洗處理單元係以上下排列之方式配置。
  10. 如請求項7之基板處理裝置，其中清洗部包含：第1清洗部，其專門藉由第1處理部側搬送機構搬送基板；及第2清洗部，其專門藉由第2處理部側搬送機構搬送基板；且第1清洗部、第1處理部側搬送機構、第2處理部側搬送機構、及第2清洗部係以沿著介面部之前表面依該序排列之方式配置。
  11. 如請求項1之基板處理裝置，其中介面部包含：曝光後加熱處理單元，其加熱曝光處理後之基板；及清洗部，其清洗基板；且第1及第2處理部側搬送機構分別將基板搬送至曝光後加熱處理單元與清洗部；清洗部具備清洗曝光處理後之基板之曝光後清洗處理單元；曝光後清洗處理單元配置於與曝光後加熱處理單元大致相同高度位置。
  12. 如請求項1之基板處理裝置，其具備用於第1及第2處理部側搬送機構與處理部相互交接基板之處理部側載置部；且處理部側載置部配置於處理部與介面部之間且距第1及第2處理部側搬送機構大致等距離之位置。
  13. 如請求項1之基板處理裝置，其中介面部具備用於第1及第2處理部側搬送機構與曝光機側搬送機構相互交接基板之中間載置部；且中間載置部配置於距第1及第2處理部側搬送機構大致等距離之位置。
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