JPH0845811A - パターン形成方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
パターン形成方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0845811A JPH0845811A JP6174940A JP17494094A JPH0845811A JP H0845811 A JPH0845811 A JP H0845811A JP 6174940 A JP6174940 A JP 6174940A JP 17494094 A JP17494094 A JP 17494094A JP H0845811 A JPH0845811 A JP H0845811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- film
- electron beam
- resist film
- pattern transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターン転写用レジスト膜の化学的安定性の
経時的変化を防止する。 【構成】 半導体基板１上に電子線感光レジスト膜３を
堆積した後、その電子線感光レジスト膜３上に防護膜４
を堆積することにより、電子線感光レジスト膜３を大気
から保護できるようにした。
経時的変化を防止する。 【構成】 半導体基板１上に電子線感光レジスト膜３を
堆積した後、その電子線感光レジスト膜３上に防護膜４
を堆積することにより、電子線感光レジスト膜３を大気
から保護できるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン形成方法およ
びそれを用いた半導体集積回路装置の製造技術に関し、
例えば半導体集積回路装置の製造工程における露光処理
工程に際して、荷電粒子を用いた露光技術によって、目
的とする所定のパターンを形成するパターン形成方法に
適用して有効な技術に関するものである。
びそれを用いた半導体集積回路装置の製造技術に関し、
例えば半導体集積回路装置の製造工程における露光処理
工程に際して、荷電粒子を用いた露光技術によって、目
的とする所定のパターンを形成するパターン形成方法に
適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の製造工程における
露光処理工程において荷電粒子を用いて露光処理を行う
技術として、例えば電子線露光技術がある。
露光処理工程において荷電粒子を用いて露光処理を行う
技術として、例えば電子線露光技術がある。
【０００３】電子線露光技術は、光の代わりに適度に絞
った電子線を電子線感光レジスト膜に照射することによ
り、化学反応を起こさせ、目的とする所定のパターンを
転写する露光技術である。
った電子線を電子線感光レジスト膜に照射することによ
り、化学反応を起こさせ、目的とする所定のパターンを
転写する露光技術である。
【０００４】電子線感光レジスト膜の材料には種々ある
が素子や配線等の微細化・高集積化に伴い、解像度を向
上させる等の観点から小量の電子線照射で化学反応を起
こす化学増幅系の電子線感光レジスト膜が主流となって
いる。
が素子や配線等の微細化・高集積化に伴い、解像度を向
上させる等の観点から小量の電子線照射で化学反応を起
こす化学増幅系の電子線感光レジスト膜が主流となって
いる。
【０００５】ところで、電子線感光レジスト膜を塗布し
た半導体ウエハは、通常、現像に至るまでの間、ほとん
どが大気中に放置されている。他の製品の製造の兼ね合
いから必ずしも全ての半導体ウエハが順調に流れるとは
限らないからである。
た半導体ウエハは、通常、現像に至るまでの間、ほとん
どが大気中に放置されている。他の製品の製造の兼ね合
いから必ずしも全ての半導体ウエハが順調に流れるとは
限らないからである。
【０００６】なお、電子線露光技術については、例えば
株式会社オーム社、１９８９年６月２０日発行「超微細
加工入門」Ｐ２６〜Ｐ３２に記載があり、電子線露光技
術の特徴、電子露光装置および電子線露光技術における
問題等について説明されている。
株式会社オーム社、１９８９年６月２０日発行「超微細
加工入門」Ｐ２６〜Ｐ３２に記載があり、電子線露光技
術の特徴、電子露光装置および電子線露光技術における
問題等について説明されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記電子線
露光技術において化学増幅系の電子線感光レジスト膜を
用いる露光技術においては、以下の問題があることを本
発明者は見い出した。
露光技術において化学増幅系の電子線感光レジスト膜を
用いる露光技術においては、以下の問題があることを本
発明者は見い出した。
【０００８】すなわち、化学増幅系の電子線感光レジス
ト膜は、小量の電子線照射でも反応を起こすので、高い
解像度が得られるが、反面、大気中に浮遊しているイオ
ン等とも反応し易いために、大気中に放置されている間
にイオン等と反応してしまう結果、その化学的安定性が
経時的に変化してしまい、その感度も経時的に変動して
しまう問題がある。
ト膜は、小量の電子線照射でも反応を起こすので、高い
解像度が得られるが、反面、大気中に浮遊しているイオ
ン等とも反応し易いために、大気中に放置されている間
にイオン等と反応してしまう結果、その化学的安定性が
経時的に変化してしまい、その感度も経時的に変動して
しまう問題がある。
【０００９】一方、電子線感光レジスト膜の解像度を上
げるために、膜厚を薄くする方法もあるが、この技術を
製品に適用した場合、下地段差に起因して電子線感光レ
ジスト膜の平坦化が難しいとともに、その電子線感光レ
ジスト膜の形成に際して異物が発生し易いという問題が
ある。
げるために、膜厚を薄くする方法もあるが、この技術を
製品に適用した場合、下地段差に起因して電子線感光レ
ジスト膜の平坦化が難しいとともに、その電子線感光レ
ジスト膜の形成に際して異物が発生し易いという問題が
ある。
【００１０】さらに、電子線感光レジスト膜の解像度を
上げるために電子線感光レジスト膜の感度を高くする方
法として、例えばレジスト膜中における酸発生剤の量を
増やしたり、酸発生剤の代わりに増感剤を用いたりする
方法があるが、共に、電子線感光レジスト膜の化学的安
定性が経時的に変化しやすいという問題がある上、電子
線感光レジスト膜のコストが高くなるという問題があ
る。
上げるために電子線感光レジスト膜の感度を高くする方
法として、例えばレジスト膜中における酸発生剤の量を
増やしたり、酸発生剤の代わりに増感剤を用いたりする
方法があるが、共に、電子線感光レジスト膜の化学的安
定性が経時的に変化しやすいという問題がある上、電子
線感光レジスト膜のコストが高くなるという問題があ
る。
【００１１】本発明の目的は、パターン転写用レジスト
膜の化学的安定性が経時的に変化するのを防止すること
のできる技術を提供することにある。
膜の化学的安定性が経時的に変化するのを防止すること
のできる技術を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、パターン転写用レジ
スト膜の形成処理を難しくすることなく、また、異物の
発生を生じることなく、パターン転写用レジスト膜の解
像度を向上させることのできる技術を提供することにあ
る。
スト膜の形成処理を難しくすることなく、また、異物の
発生を生じることなく、パターン転写用レジスト膜の解
像度を向上させることのできる技術を提供することにあ
る。
【００１３】本発明の他の目的は、高価なパターン転写
用レジスト膜を用いることなく、パターン転写用レジス
ト膜の解像度を向上させることのできる技術を提供する
ことにある。
用レジスト膜を用いることなく、パターン転写用レジス
ト膜の解像度を向上させることのできる技術を提供する
ことにある。
【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１６】すなわち、本発明のパターン形成方法は、
所定の基板上に所定のパターンを形成する際に、前記所
定の基板上にパターン転写用レジスト膜を堆積する工程
と、前記パターン転写用レジスト膜上に、そのパターン
転写用レジストを大気から保護するため、所定の酸を主
成分とする有機膜からなる防護膜を堆積する工程と、前
記所定の基板に対して露光処理を施し、前記パターン転
写用レジスト膜に所定のパターンを転写する工程とを有
するものである。
所定の基板上に所定のパターンを形成する際に、前記所
定の基板上にパターン転写用レジスト膜を堆積する工程
と、前記パターン転写用レジスト膜上に、そのパターン
転写用レジストを大気から保護するため、所定の酸を主
成分とする有機膜からなる防護膜を堆積する工程と、前
記所定の基板に対して露光処理を施し、前記パターン転
写用レジスト膜に所定のパターンを転写する工程とを有
するものである。
【００１７】また、本発明のパターン形成方法は、前記
所定の酸がポリチエニルアルカンスルホン酸であるもの
である。
所定の酸がポリチエニルアルカンスルホン酸であるもの
である。
【００１８】さらに、本発明のパターン形成方法は、前
記防護膜が、水溶性および導電性の少なくとも一方の性
質を有するものである。
記防護膜が、水溶性および導電性の少なくとも一方の性
質を有するものである。
【００１９】
【作用】上記した本発明によれば、パターン転写用レジ
スト膜上に防護膜を形成したことにより、所定の基板を
大気中に放置しておいたとしても、パターン転写用レジ
スト膜が大気に直接触れないようにすることができ、パ
ターン転写用レジスト膜と大気中のイオン等との反応を
防止することができるので、パターン転写用レジスト膜
の化学的安定性が経時的に変化するのを防止することが
可能となる。
スト膜上に防護膜を形成したことにより、所定の基板を
大気中に放置しておいたとしても、パターン転写用レジ
スト膜が大気に直接触れないようにすることができ、パ
ターン転写用レジスト膜と大気中のイオン等との反応を
防止することができるので、パターン転写用レジスト膜
の化学的安定性が経時的に変化するのを防止することが
可能となる。
【００２０】また、上記した本発明によれば、防護膜を
所定の酸を主成分とする有機膜としたことにより、パタ
ーン転写用レジスト膜中における酸触媒反応を活発化さ
せることができるので、パターン転写用レジスト膜の感
度を向上させることが可能となる。
所定の酸を主成分とする有機膜としたことにより、パタ
ーン転写用レジスト膜中における酸触媒反応を活発化さ
せることができるので、パターン転写用レジスト膜の感
度を向上させることが可能となる。
【００２１】さらに、上記した本発明によれば、防護膜
に導電性を持たせることにより、荷電粒子等を用いた露
光処理に際して、防護膜上に電荷等が溜るのを防止する
ことができるので、その溜った電荷等に起因する荷電粒
子の照射位置ずれを防止することが可能となる。また、
防護膜を水溶性とすることにより、防護膜を容易に除去
することが可能となる。
に導電性を持たせることにより、荷電粒子等を用いた露
光処理に際して、防護膜上に電荷等が溜るのを防止する
ことができるので、その溜った電荷等に起因する荷電粒
子の照射位置ずれを防止することが可能となる。また、
防護膜を水溶性とすることにより、防護膜を容易に除去
することが可能となる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２３】図１は本発明の一実施例である半導体集積
回路装置の製造工程を示す工程図、図２〜図７は図１の
製造工程に沿って示した半導体基板の要部断面図であ
る。
回路装置の製造工程を示す工程図、図２〜図７は図１の
製造工程に沿って示した半導体基板の要部断面図であ
る。
【００２４】本実施例の半導体集積回路装置の製造方法
を図１の工程図に沿って図２〜図７を用いて説明する。
を図１の工程図に沿って図２〜図７を用いて説明する。
【００２５】図２には本実施例の半導体集積回路装置の
製造工程中における半導体基板（所定の基板）１の要部
断面図が示されている。半導体基板１は、例えばｐ形の
シリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、図示はしないが、そ
の主面においてフィールド絶縁膜に囲まれた素子形成領
域には、例えばＭＯＳ・ＦＥＴ（Metal Oxide Semicond
uctor Field Effect Transisitor）等のような半導体集
積回路素子が形成されている。
製造工程中における半導体基板（所定の基板）１の要部
断面図が示されている。半導体基板１は、例えばｐ形の
シリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、図示はしないが、そ
の主面においてフィールド絶縁膜に囲まれた素子形成領
域には、例えばＭＯＳ・ＦＥＴ（Metal Oxide Semicond
uctor Field Effect Transisitor）等のような半導体集
積回路素子が形成されている。
【００２６】半導体基板１上には、図示しない層間絶縁
膜を隔てて、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはＡｌ−
Ｓｉ−銅（Ｃｕ）合金からなる配線用導体膜２がスパッ
タリング法または蒸着法等によって堆積されている。
膜を隔てて、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはＡｌ−
Ｓｉ−銅（Ｃｕ）合金からなる配線用導体膜２がスパッ
タリング法または蒸着法等によって堆積されている。
【００２７】まず、このような半導体基板１の配線用導
体膜２上に、配線用導体膜２をパターニングするための
電子線感光レジスト膜（パターン転写用レジスト）３を
スピン塗布法等によって堆積する（工程１０１）。
体膜２上に、配線用導体膜２をパターニングするための
電子線感光レジスト膜（パターン転写用レジスト）３を
スピン塗布法等によって堆積する（工程１０１）。
【００２８】この電子線感光レジスト膜３としては、例
えばクレゾールノボラック樹脂等のようなノボラック系
樹脂と、例えばテトラヒドロピラニル化ポリ等のような
阻害剤と、例えばアルキルオニウム塩等のような酸発生
剤とからなるポジ形レジストが用いられており、その厚
さは、例えば２μｍ以下である。
えばクレゾールノボラック樹脂等のようなノボラック系
樹脂と、例えばテトラヒドロピラニル化ポリ等のような
阻害剤と、例えばアルキルオニウム塩等のような酸発生
剤とからなるポジ形レジストが用いられており、その厚
さは、例えば２μｍ以下である。
【００２９】続いて、この電子線感光レジスト膜３上
に、図３に示すように、電子線感光レジスト膜３を大気
から保護するための防護膜４をスピン塗布法等によって
堆積する（工程１０２）。
に、図３に示すように、電子線感光レジスト膜３を大気
から保護するための防護膜４をスピン塗布法等によって
堆積する（工程１０２）。
【００３０】防護膜４は、ポリチエニルアルカンスルホ
ン酸を主成分とする有機膜からなり、水溶性および導電
性を有している。このように、本実施例においては、電
子線感光レジスト膜３を上記したような防護膜４によっ
て被覆したことにより、以下の効果が得られるようにな
っている。
ン酸を主成分とする有機膜からなり、水溶性および導電
性を有している。このように、本実施例においては、電
子線感光レジスト膜３を上記したような防護膜４によっ
て被覆したことにより、以下の効果が得られるようにな
っている。
【００３１】第１に、半導体基板１を大気中に放置した
としても、電子線感光レジスト膜３と大気中のイオン等
との反応を防止することができるので、電子線感光レジ
スト膜３の化学的安定性を向上させることができ、その
感度の変動を防止することが可能となる。また、大気中
のイオン等との反応を防止できるので、電子線感光レジ
スト膜３をさらに感度の高い材料で構成することが可能
となる。
としても、電子線感光レジスト膜３と大気中のイオン等
との反応を防止することができるので、電子線感光レジ
スト膜３の化学的安定性を向上させることができ、その
感度の変動を防止することが可能となる。また、大気中
のイオン等との反応を防止できるので、電子線感光レジ
スト膜３をさらに感度の高い材料で構成することが可能
となる。
【００３２】第２に、防護膜４をポリチエニルアルカン
スルホン酸を主成分とする有機膜としたことにより、電
子線感光レジスト膜３中における酸触媒反応を活発化さ
せることができるので、電子線感光レジスト膜の感度を
向上させることが可能となる。
スルホン酸を主成分とする有機膜としたことにより、電
子線感光レジスト膜３中における酸触媒反応を活発化さ
せることができるので、電子線感光レジスト膜の感度を
向上させることが可能となる。
【００３３】第３に、防護膜４を導電性としたことによ
り、後述する電子線による露光処理に際して、防護膜４
上に電荷等が溜るのを防止できるので、その蓄積した電
荷等に起因する電子線の照射位置ずれ等を防止すること
ができる。したがって、パターン転写位置精度を向上さ
せることが可能となる。
り、後述する電子線による露光処理に際して、防護膜４
上に電荷等が溜るのを防止できるので、その蓄積した電
荷等に起因する電子線の照射位置ずれ等を防止すること
ができる。したがって、パターン転写位置精度を向上さ
せることが可能となる。
【００３４】第４に、防護膜４を水溶性としたことによ
り、防護膜４を露光処理後に容易に除去することが可能
となる。
り、防護膜４を露光処理後に容易に除去することが可能
となる。
【００３５】防護膜４を堆積した後、図４に示すよう
に、半導体基板１の主面の所定位置に細く絞った電子線
（荷電粒子）ＥＢを照射することにより、電子線感光レ
ジスト膜３に半導体集積回路パターンを転写する（工程
１０３）。
に、半導体基板１の主面の所定位置に細く絞った電子線
（荷電粒子）ＥＢを照射することにより、電子線感光レ
ジスト膜３に半導体集積回路パターンを転写する（工程
１０３）。
【００３６】この際、防護膜４は、電子線露光処理装置
（図示せず）の接地部と電気的に接続されている。これ
は、防護膜４上に帯電した電荷を電子線露光処理装置の
接地部に逃がすためである。
（図示せず）の接地部と電気的に接続されている。これ
は、防護膜４上に帯電した電荷を電子線露光処理装置の
接地部に逃がすためである。
【００３７】次いで、図５に示すように、半導体基板１
に対してベーク処理を施すことにより、電子線感光レジ
スト膜３中において酸発生させ易くする（工程１０
４）。また、必要に応じて半導体基板１を純水等を用い
て洗浄することにより防護膜４（図３参照）を除去す
る。この洗浄処理は、露光処理後のベーク処理の前でも
後でも良い。
に対してベーク処理を施すことにより、電子線感光レジ
スト膜３中において酸発生させ易くする（工程１０
４）。また、必要に応じて半導体基板１を純水等を用い
て洗浄することにより防護膜４（図３参照）を除去す
る。この洗浄処理は、露光処理後のベーク処理の前でも
後でも良い。
【００３８】続いて、半導体基板１に対して現像処理を
施すことにより、図６に示すように、電子線の照射され
てない領域のみに電子線感光レジスト膜３が残るような
レジストパターン３ａを形成した後、半導体基板１に対
してポストベーク処理を施す（工程１０５）。
施すことにより、図６に示すように、電子線の照射され
てない領域のみに電子線感光レジスト膜３が残るような
レジストパターン３ａを形成した後、半導体基板１に対
してポストベーク処理を施す（工程１０５）。
【００３９】その後、そのレジストパターン３ａをエッ
チングマスクとして、その下層の配線用導体膜２におい
てそのレジストパターン３ａから露出する部分をエッチ
ング除去することにより、図７に示すように、半導体基
板１上に配線パターン２ａを形成した後、レジストパタ
ーン３ａをアッシング処理等によって除去する（工程１
０６）。これ以降は、通常の半導体集積回路装置の製造
工程と同じである。
チングマスクとして、その下層の配線用導体膜２におい
てそのレジストパターン３ａから露出する部分をエッチ
ング除去することにより、図７に示すように、半導体基
板１上に配線パターン２ａを形成した後、レジストパタ
ーン３ａをアッシング処理等によって除去する（工程１
０６）。これ以降は、通常の半導体集積回路装置の製造
工程と同じである。
【００４０】このように、本実施例によれば、以下の効
果を得ることが可能となる。
果を得ることが可能となる。
【００４１】(1).電子線感光レジスト膜３上に防護膜４
を形成したことにより、半導体基板１を大気中に放置し
たとしても、電子線感光レジスト膜３が大気に直接触れ
ないようにすることができ、電子線感光レジスト膜３と
大気中のイオン等との反応を防止することができるの
で、電子線感光レジスト膜３の化学的安定性が経時的に
変化するのを防止することが可能となる。
を形成したことにより、半導体基板１を大気中に放置し
たとしても、電子線感光レジスト膜３が大気に直接触れ
ないようにすることができ、電子線感光レジスト膜３と
大気中のイオン等との反応を防止することができるの
で、電子線感光レジスト膜３の化学的安定性が経時的に
変化するのを防止することが可能となる。
【００４２】(2).上記(1) により、電子線感光レジスト
膜３の感度の経時的な変動を防止することが可能とな
る。
膜３の感度の経時的な変動を防止することが可能とな
る。
【００４３】(3).上記(1) により、電子線感光レジスト
膜３をさらに感度の高い材料で構成することが可能とな
る。
膜３をさらに感度の高い材料で構成することが可能とな
る。
【００４４】(4).防護膜４をポリチエニルアルカンスル
ホン酸を主成分とする有機膜としたことにより、電子線
感光レジスト膜３中における酸触媒反応を活発化させる
ことができるので、電子線感光レジスト膜３の感度を向
上させることが可能となる。
ホン酸を主成分とする有機膜としたことにより、電子線
感光レジスト膜３中における酸触媒反応を活発化させる
ことができるので、電子線感光レジスト膜３の感度を向
上させることが可能となる。
【００４５】(5).上記(1),(3) および(4) により、電子
線感光レジスト膜３のコストを高くすることなく、露光
処理におけるパターン解像度を向上させることが可能と
なる。
線感光レジスト膜３のコストを高くすることなく、露光
処理におけるパターン解像度を向上させることが可能と
なる。
【００４６】(6).上記(1),(3) および(4) により、電子
線感光レジスト膜を薄くしなくとも解像度を向上させる
ことができるので、下地段差の影響を考慮する必要もな
いし、薄い電子線感光レジスト膜３を形成する際に発生
する異物についても考慮する必要がない。
線感光レジスト膜を薄くしなくとも解像度を向上させる
ことができるので、下地段差の影響を考慮する必要もな
いし、薄い電子線感光レジスト膜３を形成する際に発生
する異物についても考慮する必要がない。
【００４７】(7).防護膜４を導電性としたことにより、
電子線ＥＢによる露光処理に際して、防護膜４上に電荷
等が溜るのを防止できるので、その蓄積した電荷等に起
因する電子線の照射位置ずれ等を防止することが可能と
なる。したがって、パターン転写位置精度を向上させる
ことが可能となる。
電子線ＥＢによる露光処理に際して、防護膜４上に電荷
等が溜るのを防止できるので、その蓄積した電荷等に起
因する電子線の照射位置ずれ等を防止することが可能と
なる。したがって、パターン転写位置精度を向上させる
ことが可能となる。
【００４８】(8).防護膜４を水溶性としたことにより、
防護膜４を露光処理後に容易に除去することが可能とな
る。
防護膜４を露光処理後に容易に除去することが可能とな
る。
【００４９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５０】例えば前記実施例においては、Ａｌまたは
Ａｌ合金からなる配線用導体膜をパターニングするため
の露光処理に本発明を適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく種々適用可能であ
り、例えばＡｌまたはＡｌ合金からなる導体膜の上層ま
たは下層の少なくともいずれか一方にチタンあるいはタ
ングステン等のバリヤメタル層を設けた構造の配線用導
体膜をパターニングする場合にも本発明を適用できる。
また、ポリシリコン膜またはシリサイド膜等をパターニ
ングする場合にも本発明を適用できる。
Ａｌ合金からなる配線用導体膜をパターニングするため
の露光処理に本発明を適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく種々適用可能であ
り、例えばＡｌまたはＡｌ合金からなる導体膜の上層ま
たは下層の少なくともいずれか一方にチタンあるいはタ
ングステン等のバリヤメタル層を設けた構造の配線用導
体膜をパターニングする場合にも本発明を適用できる。
また、ポリシリコン膜またはシリサイド膜等をパターニ
ングする場合にも本発明を適用できる。
【００５１】また、前記実施例においては、配線パター
ンを形成するための露光処理に本発明を適用した場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではなく種々
適用可能であり、例えば絶縁膜に接続孔を穿孔するため
の露光処理等のような絶縁膜をパターニングする際の露
光処理にも本発明を適用できる。
ンを形成するための露光処理に本発明を適用した場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではなく種々
適用可能であり、例えば絶縁膜に接続孔を穿孔するため
の露光処理等のような絶縁膜をパターニングする際の露
光処理にも本発明を適用できる。
【００５２】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の製造工程におけるパターン形成方法に適
用した場合について説明したが、これに限定されず種々
適用可能であり、例えばフォトマスク上に所定のパター
ンを形成する際のパターン形成方法や液晶基板上に所定
のパターンを形成する際のパターン形成方法等のような
他のパターン形成方法に適用することも可能である。
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の製造工程におけるパターン形成方法に適
用した場合について説明したが、これに限定されず種々
適用可能であり、例えばフォトマスク上に所定のパター
ンを形成する際のパターン形成方法や液晶基板上に所定
のパターンを形成する際のパターン形成方法等のような
他のパターン形成方法に適用することも可能である。
【００５３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５４】(1).前記した本発明によれば、パターン転
写用レジスト膜上に防護膜を形成したことにより、所定
の基板を大気中に放置しておいたとしても、パターン転
写用レジスト膜が大気に直接触れないようにすることが
でき、パターン転写用レジスト膜と大気中のイオン等と
の反応を防止することができるので、パターン転写用レ
ジスト膜の化学的安定性が経時的に変化するのを防止す
ることが可能となる。
写用レジスト膜上に防護膜を形成したことにより、所定
の基板を大気中に放置しておいたとしても、パターン転
写用レジスト膜が大気に直接触れないようにすることが
でき、パターン転写用レジスト膜と大気中のイオン等と
の反応を防止することができるので、パターン転写用レ
ジスト膜の化学的安定性が経時的に変化するのを防止す
ることが可能となる。
【００５５】(2).上記(1) により、パターン転写用レジ
スト膜の感度の経時的な変動を防止することが可能とな
る。
スト膜の感度の経時的な変動を防止することが可能とな
る。
【００５６】(3).上記(1) により、パターン転写用レジ
スト膜をさらに感度の高い材料で構成することが可能と
なる。
スト膜をさらに感度の高い材料で構成することが可能と
なる。
【００５７】(4).前記した本発明によれば、防護膜を所
定の酸を主成分とする有機膜としたことにより、パター
ン転写用レジスト膜中における酸触媒反応を活発化させ
ることができるので、パターン転写用レジスト膜の感度
を向上させることが可能となる。
定の酸を主成分とする有機膜としたことにより、パター
ン転写用レジスト膜中における酸触媒反応を活発化させ
ることができるので、パターン転写用レジスト膜の感度
を向上させることが可能となる。
【００５８】(5).上記(1),(3) および(4) により、高価
なパターン転写用レジスト膜を用いないでも、露光処理
におけるパターン解像度を向上させることが可能とな
る。
なパターン転写用レジスト膜を用いないでも、露光処理
におけるパターン解像度を向上させることが可能とな
る。
【００５９】(6).上記(1),(3) および(4) により、パタ
ーン転写用レジスト膜を薄くしなくとも解像度を向上さ
せることができるので、下地段差の影響を考慮する必要
もないし、薄いパターン転写用レジスト膜を形成する際
に発生する異物についても考慮する必要がない。
ーン転写用レジスト膜を薄くしなくとも解像度を向上さ
せることができるので、下地段差の影響を考慮する必要
もないし、薄いパターン転写用レジスト膜を形成する際
に発生する異物についても考慮する必要がない。
【００６０】(7).前記した発明によれば、防護膜に導電
性を持たせることにより、荷電粒子等を用いた露光処理
に際して、防護膜上に電荷等が溜るのを防止することが
できるので、その溜った電荷等に起因する荷電粒子の照
射位置ずれを防止することが可能となる。また、防護膜
を水溶性とすることにより、防護膜を容易に除去するこ
とが可能となる。
性を持たせることにより、荷電粒子等を用いた露光処理
に際して、防護膜上に電荷等が溜るのを防止することが
できるので、その溜った電荷等に起因する荷電粒子の照
射位置ずれを防止することが可能となる。また、防護膜
を水溶性とすることにより、防護膜を容易に除去するこ
とが可能となる。
【図１】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す工程図である。
製造工程を示す工程図である。
【図２】図１の半導体集積回路装置の製造工程に沿って
示した半導体基板の要部断面図である。
示した半導体基板の要部断面図である。
【図３】図１の半導体集積回路装置の製造工程に沿って
示した半導体基板の要部断面図である。
示した半導体基板の要部断面図である。
【図４】図１の半導体集積回路装置の製造工程に沿って
示した半導体基板の要部断面図である。
示した半導体基板の要部断面図である。
【図５】図１の半導体集積回路装置の製造工程に沿って
示した半導体基板の要部断面図である。
示した半導体基板の要部断面図である。
【図６】図１の半導体集積回路装置の製造工程に沿って
示した半導体基板の要部断面図である。
示した半導体基板の要部断面図である。
【図７】図１の半導体集積回路装置の製造工程に沿って
示した半導体基板の要部断面図である。
示した半導体基板の要部断面図である。
１ 半導体基板（所定の基板） ２ 配線用導体膜 ２ａ 配線パターン ３ 電子線感光レジスト膜（パターン転写用レジスト
膜） ３ａ レジストパターン ４ 防護膜
膜） ３ａ レジストパターン ４ 防護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 背戸 文子 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 加藤 誠 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 佐藤 一彦 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (7)
- 【請求項１】 所定の基板上に所定のパターンを形成す
る際に、前記所定の基板上にパターン転写用レジスト膜
を堆積する工程と、前記パターン転写用レジスト膜上
に、そのパターン転写用レジスト膜を大気から保護する
ため、所定の酸を主成分とする有機膜からなる防護膜を
堆積する工程と、前記所定の基板に対して露光処理を施
し、前記パターン転写用レジスト膜に所定のパターンを
転写する工程とを有することを特徴とするパターン形成
方法。 - 【請求項２】 前記防護膜は、水溶性および導電性の少
なくとも一方の性質を有することを特徴とする請求項１
記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 前記所定の酸は、ポリチエニルアルカン
スルホン酸であることを特徴とする請求項１または２記
載のパターン形成方法。 - 【請求項４】 前記パターン転写用レジスト膜は、ノボ
ラック系樹脂と、阻害剤と、酸発生剤からなるポジ形レ
ジストであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
１項に記載のパターン形成方法。 - 【請求項５】 前記ノボラック系樹脂はクレゾールノボ
ラック樹脂であり、前記阻害剤はテトラヒドロピラニル
化ポリであり、前記酸発生剤はアルキルオニウム塩であ
ることを特徴とする請求項４記載のパターン形成方法。 - 【請求項６】 前記露光処理に際して荷電粒子を用いる
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の
パターン形成方法。 - 【請求項７】 前記所定の基板は半導体ウエハまたはフ
ォトマスクであることを特徴とする請求項１〜６のいず
れか１項に記載のパターン形成方法を用いた半導体集積
回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6174940A JPH0845811A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | パターン形成方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6174940A JPH0845811A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | パターン形成方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845811A true JPH0845811A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=15987395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6174940A Withdrawn JPH0845811A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | パターン形成方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845811A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012997A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理システム |
| US7766565B2 (en) | 2005-07-01 | 2010-08-03 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP6174940A patent/JPH0845811A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012997A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理システム |
| US7766565B2 (en) | 2005-07-01 | 2010-08-03 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6235453B1 (en) | Low-k photoresist removal process | |
| US6291137B1 (en) | Sidewall formation for sidewall patterning of sub 100 nm structures | |
| US6432619B2 (en) | Method for reducing photolithographic steps in a semiconductor interconnect process | |
| US20050040491A1 (en) | Fuse stucture | |
| JPH02276248A (ja) | 導電性スタツド及び導線を形成する方法 | |
| US6153361A (en) | Method of removing photoresist at the edge of wafers | |
| KR100190365B1 (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 포토마스크 및 그 형성 방법 | |
| JPH0845811A (ja) | パターン形成方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 | |
| CN115223849A (zh) | 一种半导体器件及其制作方法 | |
| US20050263899A1 (en) | Photoresist process to enable sloped passivation bondpad openings for ease of metal step coverings | |
| JPH03151668A (ja) | メタライゼーションプロセス | |
| TWI238456B (en) | Composite layer method for minimizing PED effect | |
| US5872055A (en) | Method for fabricating polysilicon conducting wires | |
| EP0104235A4 (en) | METHOD OF FORMING A HYBRID LITHOGRAPHIC PROTECTION MATERIAL WITH ELECTRONIC / OPTICAL RADIUS. | |
| JPH0536583A (ja) | 位置合せ方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| KR100214277B1 (ko) | 셀 어퍼쳐 제조방법과 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPS61141158A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JPS58194345A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2738693B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| KR0167243B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH0423824B2 (ja) | ||
| JPH09127705A (ja) | パターン形成方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| KR0124487B1 (ko) | 고집적 반도체소자의 미세 콘택 형성방법 | |
| KR0136914B1 (ko) | 알루미늄 필름의 부식방지를 위한 2중층 증착방법 | |
| JP2004040019A (ja) | 金属配線の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |