CN107275260A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理装置(1)及基板处理方法，实施方式的基板处理装置(1)是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理装置，具备：处理室；旋转保持机构，设于上述处理室，对基板进行保持；处理液供给喷嘴，向上述基板供给处理液；遮挡板，与保持于上述旋转保持机构的上述基板对置地配置，并向相对于上述基板接触或分离的方向移动；遮挡板旋转机构，使上述遮挡板旋转；以及控制装置，在上述基板被供给处理液时，不使上述遮挡板移动，而是使上述遮挡板旋转。本发明能够防止处理基板时的基板污染。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
基板处理装置例如在半导体等的制造工序中，进行在晶圆、液晶面板等基板上形成电路图案的成膜工序、光学处理。在这些工序中，在主要使用处理液的湿法中，使用单片式的基板处理装置，对基板进行药液处理、清洗处理，干燥处理等(例如，参照日本专利公开公报2000－133625号)。在单片式的基板处理装置中，把持基板的外周面，以与基板的表面正交的轴作为旋转轴使基板旋转，并对该旋转的基板的表面供给处理液(例如蚀刻液、清洗液、纯水)。
在基板处理装置中，在向基板的表面供给处理液之后，在基板旋转的同时，一边将气体向基板的表面供给一边进行干燥处理。在该干燥处理中，使与基板对置配置并能够覆盖基板整个面的大小的遮挡板接近基板的表面，向在基板与遮挡板之间形成的空间供给气体。
在这样的装置中，从向基板的表面供给处理液而进行处理时起，将遮挡板定位于接近基板的位置。
然而，供给到基板的表面的处理液有时会在基板的表面上引发溅液。若产生该现象，则溅液的处理液将附着于接近基板的遮挡板的与基板对置的面。若将附着有该处理液的遮挡板直接使用于干燥处理，则附着于遮挡板的处理液下落到基板的表面，成为产生水印的原因。之前叙述的专利文献中未意识到该课题。
发明内容
本发明的目的在于，能够对使用了处理液的基板良好地进行处理。
实施方式的基板处理装置是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理装置，具备：旋转保持机构，对基板进行保持；处理液供给喷嘴，向上述基板供给处理液；遮挡板，与保持于上述旋转保持机构的上述基板对置地配置，并向相对于上述基板接触或分离的方向移动；遮挡板旋转机构，使上述遮挡板旋转；以及控制装置，以如下方式控制上述遮挡板旋转机构：在未供给上述处理液时将上述遮挡板定位于待机位置，在利用上述处理液供给喷嘴供给上述处理液的过程中不使上述遮挡板从上述待机位置移动而是使上述遮挡板旋转。
实施方式的基板处理装置是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理装置，具备：旋转保持机构，对基板进行保持；处理液供给喷嘴，向上述基板供给处理液；遮挡板，与保持于上述旋转保持机构的上述基板对置地配置，并向相对于上述基板接触或分离的方向移动；遮挡板旋转机构，使上述遮挡板旋转；背面喷嘴头，向上述基板的背面分别供给上述处理液与气体；以及控制装置；上述控制装置按预先设定的第1设定张数对上述遮挡板旋转机构进行下述控制，该控制为在未供给上述处理液时使上述遮挡板定位于待机位置，在利用上述处理液供给喷嘴供给上述处理液的过程中，不使上述遮挡板从上述待机位置移动而是使上述遮挡板旋转，上述控制装置按预先设定的第2设定张数进行下述控制，该控制为在上述基板被从处理室搬出之后，利用上述背面喷嘴头向上述遮挡板分别供给上述处理液与上述气体，上述控制装置按预先设定的第3设定张数进行下述控制，该控制为在上述基板被从上述处理室搬出之后，通过上述处理液供给喷嘴朝向上述遮挡板的周缘供给上述处理液。
实施方式的基板处理方法是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理工序，具有：基板保持工序，对上述基板进行保持；处理液供给工序，从处理液供给喷嘴向上述基板供给处理液；遮挡板移动工序，使与被上述基板保持工序保持的上述基板对置地配置的遮挡板，向相对于上述基板接触或分离的方向移动；以及遮挡板旋转工序，在未供给上述处理液时使上述遮挡板定位于待机位置，在利用上述处理液供给喷嘴供给上述处理液的过程中不使上述遮挡板从上述待机位置移动而是使上述遮挡板旋转。
根据本发明的实施方式，能够对使用了处理液的基板良好地进行处理。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基板处理装置的概略结构的俯视图。
图2是表示第1实施方式的处理室的概略结构的图。
图3是表示第1实施方式的遮挡板的构成的剖面图。
图4是表示第1实施方式的一系列的处理动作的图。
图5是表示第2实施方式的处理动作的图。
图6是表示第3实施方式的处理动作的图。
具体实施方式
[第1实施方式]
参照图1～图4对第1实施方式进行说明。
如图1所示，第1实施方式的基板处理装置1具备基板收纳壳体2、载置台3、输送机器人4、输送导轨5、缓冲台6、输送机器人7、输送导轨8、处理室9、以及附带单元10。
基板收纳壳体2是收纳基板W(例如，半导体晶圆)的容器。在该基板收纳壳体2以规定间隔一张一张层叠地收纳有基板W。
载置台3是用于放置基板收纳壳体2的台。如图1那样，能够以规定间隔呈一列放置多个基板收纳壳体2。
输送机器人4设于基板收纳壳体2的列的附近，以便沿多个基板收纳壳体2所排列的第1输送方向(图1所示的箭头A方向)移动。该输送机器人4将收纳于基板收纳壳体2的未处理的基板W进行取出。而且，输送机器人4根据需要沿箭头A方向移动并在缓冲台6的附近停止，并在停止位置转弯，向缓冲台6输送基板W。另外，输送机器人4从缓冲台6中取出处理完毕的基板W，根据需要沿箭头A方向移动而向所希望的基板收纳壳体2进行输送。此外，输送机器人4有时构成为，仅进行转弯，将未处理的基板W向缓冲台6输送，或者将处理完毕的基板W向所希望的基板收纳壳体2输送。作为输送机器人例如具有机器人臂、机器人手、移动机构等，能够使用公知的机器人。
输送导轨5是使输送机器人4沿箭头A方向移动的机构。由此，能够使输送机器人4移动，并在各基板收纳壳体2与缓冲台6之间输送基板W。该输送导轨5例如是LM引导件(Linear Motion Guide，直线运动导轨)。
缓冲台6设于输送机器人4所移动的输送导轨5的中央附近、并且是与载置台3相反的一侧。该缓冲台6是用于在输送机器人4与输送机器人7之间交换基板W的载置台。
输送机器人7被设为从缓冲台6向与输送机器人4的输送方向(箭头A方向)正交的第2输送方向(图1所示的箭头B方向)移动。该输送机器人7将置于缓冲台6的基板W取出，根据需要沿箭头B方向移动并在所希望的处理室9的附近停止，在停止位置转弯而将基板W输送到所希望的处理室9。另外，输送机器人7从处理室9取出处理完毕的基板W，根据需要沿箭头B方向移动而在缓冲台6附近停止，在停止位置转弯而向缓冲台6输送处理完毕的基板W。作为该输送机器人7，能够使用例如具有机器人臂、机器人手、移动机构等的公知的机器人。
输送导轨8是用于使输送机器人7沿箭头B方向移动的机构。利用该机构，能够使输送机器人7移动，并在各处理室9与缓冲台6之间输送基板W。该输送导轨8例如是LM引导件(Linear Motion Guide)。
处理室9在输送机器人7所移动的输送导轨8的两侧例如分别设有两个。在本实施方式中，该处理室9对于通过输送机器人7输送的基板W，供给处理液而对基板W进行清洗处理。另外，进行使清洗处理结束后的基板W干燥的干燥处理。之后详细叙述。
附带单元10设于输送导轨8的一端、并且是缓冲台6的相反的一侧、换句话说是基板处理装置1的端部。该附带单元10收纳有气液供给单元10a与控制单元(控制装置)10b。该气液供给单元10a向各处理室9供给各种处理液(例如，纯水、APM：氨水与过氧化氢水的混合液，IPA：异丙醇)、气体(例如氮气)。控制单元10b具备集中地控制各部的微型计算机、存储基板处理相关的基板处理信息和各种程序等的存储部(均未图示)。该控制单元10b基于基板处理信息和各种程序，控制输送机器人4、输送机器人7、各处理室9等各部分。
接着，参照图2以及图3对处理室9内的构成进行说明。
如图2所示，处理室9具有旋转保持机构21、杯体30、背面喷嘴头40、第1喷嘴52、第1喷嘴移动机构53、第2喷嘴54、第2喷嘴移动机构55、以及遮挡机构60。旋转保持机构21、杯体30、背面喷嘴头40、第1喷嘴52、第1喷嘴移动机构53、第2喷嘴54、第2喷嘴移动机构55以及遮挡机构60设于处理室9内。
处理室9例如形成为立方体形状，具有闸门(未图示)。该闸门以能够开闭的方式形成于处理室9中的输送导轨8侧的壁面。闸门在将基板W向处理室9内搬入或从处理室9搬出时开闭。此外，处理室9内通过下降流(垂直层流)保持清洁。
旋转保持机构21是将基板W保持为水平状态、并以与基板W的被处理面垂直的中心轴R作为旋转中心而使基板W旋转的机构。旋转保持机构21具有成为基座的旋转体22。在该旋转体22的周向上以规定间隔、例如60度间隔形成有6个支承销23。该支承销23抵接于基板W的端面，在杯体30内将基板W保持为水平状态。旋转保持机构21在旋转体22的下部具有有着旋转轴、马达等的旋转机构24。利用该旋转机构24，使得旋转保持机构21能够将基板W保持水平状态地旋转。此外，旋转保持机构21与控制单元10b电连接。利用控制单元10b，控制旋转保持机构21对基板W进行的保持、旋转。
杯体30具有三个上杯30a、30b、30c，三个下杯31a、31b、31c，以及底部33。该上杯30a～30c和下杯31a～31c以从周围包围利用旋转保持机构21保持的基板W的方式形成为圆筒形状。杯体30的上部、换句话说是该上杯30a～30c开口以使保持于旋转保持机构21的基板W的表面(上表面)整体露出，其各上部的周壁朝向径向的内侧倾斜。
上杯30a与下杯31a配置于旋转保持机构21的外周。上杯30b与下杯31b配置于上杯30a与下杯31a的外周。上杯30c与下杯31c配置于上杯30b与下杯31b的外周。
下杯31a～31c垂直于底部33地固定而形成，滑动自如地插入到在分别对应的上杯30a～30c的下部形成的双重构造的周壁间，成为迷宫式构造。上杯30a～30c利用未图示的上下驱动机构分别成为上下驱动自如。另外，在底部33中，在被下杯31a包围的区域中形成有排出口32a，在被下杯31a与下杯31b包围的区域中形成有排出口32b，在被下杯31b与下杯31c包围的区域中形成有排出口32c。各排出口32a～32c分别经由排出管与排液罐、气液分离器连接于排气泵(均未图示)。由此，能够将从基板W飞散的处理液通过各排出口32a～32c而分离回收。此外，上下驱动机构与控制单元10b电连接。利用控制单元10b，对上杯30a～30c的上下驱动进行控制。
背面喷嘴头40以固定状态支承于固定轴41的上端。固定轴41以非接触的方式贯通旋转机构24而固定于处理室9内的底部33。支承于固定轴41的上端的背面喷嘴头40在与旋转体22之间具有间隙。由此，背面喷嘴头40成为在被固定的状态下且不与旋转体22一起旋转的构成。该背面喷嘴头40在旋转体22的上表面侧突出，在旋转体22的上表面的与背面喷嘴头40的外周部对应的位置朝向上方形成有环状壁42。另一方面，在背面喷嘴头40的外周部，向下表面开放地形成有将环状壁42收容于内部的环状槽43。换句话说，环状壁42与环状槽43形成迷宫式构造，能够阻止在旋转体22的上表面侧飞散的处理液沿固定轴41向杯体30的外部流出。
如图2所示，背面喷嘴头40形成有开放了上表面的凹部44。该凹部44形成为随着从上部朝向下部而直径变小的圆锥形状。背面喷嘴头40中的上表面的凹部44的周边部形成有朝向径向外侧而较低地倾斜的倾斜面45。
在凹部44的底部，形成排液部的排液口46的一端开口。该排液口46用于将喷射到基板W的背面的处理液在基板W反射而向凹部44内表面滴落的处理液排出。在排液口46的另一端连接有排液管47的一端。排液管47的另一端虽然未图示，但与各排出口32a～32c相同，经由气液分离器连接于排气泵。
在凹部44的面上形成有下部处理液喷嘴48和下部气体用喷嘴50。下部处理液喷嘴48连接于处理液供给管49的一端，下部气体用喷嘴50连接于气体供给管51的一端。处理液供给管49与气体供给管51的另一端分别连接于气液供给单元10a。此外，也可以在凹部44的面上以规定间隔分别设置多个下部处理液喷嘴48与下部气体用喷嘴50。在本实施方式中，两个下部处理液喷嘴48和两个下部气体用喷嘴50在凹部44的周向上以大致90度间隔形成。
从下部处理液喷嘴48通过处理液供给管49供给的处理液S(例如，APM)、处理液L(例如，纯水)被朝向保持于旋转保持机构21的基板W的背面喷射。从下部气体用喷嘴50通过气体供给管51供给的气体G(例如，氮气)被朝向基板的背面而喷射。
下部处理液喷嘴48与下部气体用喷嘴50的喷射方向相对于中心轴R以规定的角度倾斜，朝向保持于旋转保持机构21的基板W的大致旋转中心喷射处理液S、L，气体G。
供给到旋转的基板W的处理液S、L通过离心力分散于基板W的大致整个背面，并且在基板W回弹的处理液的绝大多数向凹部44内滴落。另外，气体G也与处理液S、L相同地作用于基板W的大致整个背面。
也可以朝向偏离基板W的旋转中心的位置喷射处理液S、L。同样，也可以朝向偏离基板W的旋转中心的位置喷射气体G。处理液S、L，气体G的供给由控制单元10b控制。
第1喷嘴52向保持于旋转保持机构21的基板W的表面供给处理液L(例如，纯水)。该第1喷嘴52构成为能够利用第1喷嘴移动机构53沿保持于旋转保持机构21的基板W的表面摆动。处理液L从气液供给单元10a经由配管(未图示)供给到第1喷嘴52。
第1喷嘴移动机构53由旋转轴、马达等构成。例如，第1喷嘴移动机构53使第1喷嘴52向液供给位置和退避位置移动。液供给位置是与保持于旋转保持机构21的基板W的表面的中央附近对置的位置，退避位置是从液供给位置退避而能够进行基板W的搬入或搬出、针对基板W的干燥处理的位置。
第2喷嘴54是喷雾喷嘴。第2喷嘴54向保持于旋转保持机构21的基板W的表面供给雾状的处理液S。该第2喷嘴54构成为能够利用第2喷嘴移动机构55沿保持于旋转保持机构21的基板W的表面摆动。处理液S从气液供给单元10a经由配管(未图示)供给到第2喷嘴54。
第2喷嘴移动机构55与第1喷嘴移动机构53相同地由旋转轴、马达等构成。例如，第2喷嘴移动机构55能够使第2喷嘴54移动到液供给位置和退避位置。第1喷嘴移动机构53及第2喷嘴移动机构55与控制单元10b电连接。利用控制单元10b控制各喷嘴的移动及处理液的供给动作。
如图2以及图3所示，遮挡机构60具有遮挡板升降机构61、臂62、遮挡板63、遮挡板旋转机构64、以及遮挡板保持机构65而构成。
遮挡板升降机构61具有以与中心轴R正交的方向(与纸面正交的方向)为轴的转动部件61a。臂62的一端固定于转动部件61a。遮挡板升降机构61若使转动部件61a在规定的角度的范围转动，则臂62以转动部件61a为轴进行圆弧运动。该遮挡板升降机构61如后述那样通过使臂62进行圆弧运动，能够使遮挡板63向接触/分离方向(上下方向)移动。
臂62的另一端经由连接销65a连接于遮挡板保持机构65。连接销65a与上述转动部件61a相同地沿与中心轴R正交的方向设置。此外，在连接销65a与臂62的连接部、连接销65a与遮挡板保持机构65的连接部，分别夹设有旋转轴承(未图示)，通过遮挡板升降机构61的动作，在臂62摆动时，遮挡板63能够维持水平状态地上下移动。
如图3所示，遮挡板63是在中央具有以中心轴Q为轴的圆形的喷嘴开口63a的圆盘状的部件。该遮挡板63的直径例如为与基板W大致同径的大小。此外，也可以比基板W的大小稍大，在本实施方式中，遮挡板63的直径比基板W的直径稍小。这是为了在缩窄遮挡板63与基板W的距离时防止遮挡板63干扰支承销23。遮挡板63通过螺丝(未图示)固定于位于遮挡板旋转机构64的下端部的连接板64d。
遮挡板旋转机构64具有旋转体64a、主体64b、马达部64c、以及连接板64d而构成。在旋转体64a与主体64b的内部，以中心轴Q为中心形成有剖面圆形的气体供给喷嘴73。该气体供给喷嘴73的一端与喷嘴开口63a连通。在主体64b的侧壁侧设有气体供给口70，并与气体导入路71的一端连接。气体导入路71的另一端与气体供给喷嘴73连接，若被从气体供给口70供给气体G，则该气体G从喷嘴开口63a朝向基板W进行供给。另外，在气体供给喷嘴73的内部，沿中心轴Q形成有向基板W的表面喷射处理液P(例如，IPA：异丙醇)的处理液供给喷嘴67。该处理液供给喷嘴67的一端贯通遮挡板保持机构65，并与处理液导入部66连接。处理液供给喷嘴67的另一端形成喷嘴排出口68。该喷嘴排出口68位于喷嘴开口63a的中央。另外，处理液供给喷嘴67与气体供给喷嘴73和喷嘴开口63a同样地以中心轴Q为轴形成为剖面圆形状。旋转体64a的上部成为凸状的形状，并在中央设有开口部64f。主体64b的下部与该凸状的形状对应地形成为凹状，在凸状部分与凹状部分的对置面间形成间隙。主体64b的中央部设有以包围气体供给喷嘴73的方式形成的突出部64g。该突出部64g插入到开口部64f。在开口部64f的内周面与突出部64g的外周面之间形成间隙。在该间隙设有轴承64e，旋转体64a通过主体64b以非接触的方式被支承。该轴承64e例如是旋转轴承。
在形成于开口部64f的内周面与突出部64g的外周面之间的间隙设置有马达部64c。例如，在突出部64g的外周面固定地设有相当于马达部64c的定子的多个线圈64h，在开口部64f的内周面固定地设有相当于马达部64c的转子的永磁体64i。永磁体64i以按照每个规定角度将极性反转的方式形成环状，并且与线圈64h对置地配置。因此，若电流流过线圈64h，则旋转体64a以及遮挡板63与永磁体64i一体地以中心轴Q为轴旋转。
遮挡板保持机构65是将臂62与主体64b相连的部件，固定地设于主体64b的上部。在该遮挡板保持机构65的中央设有连接销65a能够插入的孔(未图示)。
在遮挡板保持机构65的上部设有处理液导入部66。该处理液导入部66的一端与贯通遮挡板保持机构65的内部的处理液供给喷嘴67连接。另外，在处理液导入部66的另一端连接有从气液供给单元10a供给处理液P的供给管(未图示)。遮挡板升降机构61与遮挡板旋转机构64电连接于控制单元10b。利用控制单元10b，控制遮挡板63的升降以及旋转。
接下来，对基板处理动作进行说明。首先，由输送机器人4从基板收纳壳体2取出基板W。输送机器人4根据需要沿输送导轨5移动，在停止位置转弯而将基板W搬入缓冲台6。或者，输送机器人4不沿输送导轨5移动而仅是转弯地将基板W搬入缓冲台6。之后，由输送机器人7将搬入到缓冲台6的基板W取出。输送机器人7根据需要沿输送导轨8移动至所希望的处理室9的附近，在停止位置转弯而将基板W搬入所希望的处理室9。或者，输送机器人7不沿输送导轨8移动而仅转弯地向所希望的处理室9进行搬入。此时，处理室9的闸门打开。
搬入到处理室9的基板W由旋转保持机构21来保持。此时，如图4的(a)所示，上杯30a～30c成为下降了的状态。另外，遮挡机构60的遮挡板63被定位于待机位置(在图4中由附图标记T1表示的位置)。该待机位置如图4的(a)所示那样是旋转保持机构21的上方、并且是在由输送机器人7将基板W搬入处理室9时不会妨碍基板W的搬入的位置。
之后，输送机器人7从处理室9退避，闸门关闭。
接下来，如图4的(b)所示，上杯30b与上杯30c利用上下驱动机构上升。由旋转保持机构21保持的基板W利用旋转机构24以低速(例如，500rpm)旋转。在基板W旋转的同时，相比于第1喷嘴移动机构53，第1喷嘴52移动至基板W的中央。
从气体供给口70供给气体G，从气体供给喷嘴73喷射气体G。如后所述，该气体G为了对向基板W的表面供给的处理液L、处理液S在基板W的表面溅液而进入喷嘴开口63a、喷嘴排出口68进行阻止而执行。此外，作为气体的喷射量，例如约为每分钟50升。此外，如后述那样，该状态下的气体G从气体供给喷嘴73的供给持续至图4的(g)紧前、换句话说是遮挡板63被定位于干燥处理位置T3紧前。
接下来，从第1喷嘴52向基板W的表面的中央供给处理液L。由此，附着于基板W的表面的颗粒被去除。该处理液L通过旋转的基板W的离心力朝向基板W的外周扩散，并从基板W的外周飞散。从基板W飞散的处理液L撞击于上升了的上杯30b的内周面，沿该内周面朝向排出口32b流落。流落的处理液L通过连接于排出口32b的排出管而被回收。
另外，在处理液L供给到基板W的表面时，遮挡机构60的遮挡板63维持着定位于待机位置T1，利用遮挡板旋转机构64使遮挡板63旋转。遮挡板63的转速是被固定的转速(例如，500rpm)。旋转方向是以与基板W相同的方向旋转。利用该遮挡板63的旋转，使得因基板W的表面上的处理液L的溅液而附着于遮挡板63的与基板W对置的面上的处理液L的液滴在离心力的作用下被甩开而去除。通过去除附着在遮挡板63的与基板W对置的面上的处理液L的液滴，能够抑制处理液L的液滴从遮挡板63下落到基板W的表面。另外，若不去除附着在遮挡板63的与基板W相对的面上的处理液L的液滴，则会固化而成为颗粒的原因，但这也能够被阻止。
另外，在从第1喷嘴52向基板W的表面供给处理液L的同时，朝向基板W的背面从下部处理液喷嘴48供给处理液L。由此，附着于基板W的背面的颗粒被去除。供给到基板W的背面的处理液L向基板W的外周扩散而从基板W的背面的外周飞散。从该基板W的背面的外周飞散的处理液L撞击于上升了的上杯30b的内周面，沿该内周面朝向排出口32b流落。滴落的处理液L通过与排出口32b连接的排出管而被回收。此外，处理液L的供给时间为预先设定的时间，在本实施方式中例如是10秒。
若经过预先设置的时间，则停止从第1喷嘴52以及下部处理液喷嘴48的处理液L的供给。利用第1喷嘴移动机构53，使第1喷嘴52向退避位置移动。
接下来，如图4的(c)所示，上杯30c维持上升了的状态，上杯30b利用上下驱动机构而下降。利用第2喷嘴移动机构55，使得第2喷嘴54移动至基板W的中央附近。然后，在从第2喷嘴54向基板W的表面供给雾状的处理液S的同时，利用第2喷嘴移动机构55，使得第2喷嘴54在基板W的中心与基板W的外周之间一边往返一边摆动。另外，在向基板W的表面供给雾状的处理液S的同时，从下部处理液喷嘴48朝向基板W的背面供给处理液S。此外，从下部处理液喷嘴48供给液状的处理液S。利用该处理液S将附着于基板W的包含氧化物的颗粒去除。此外，这里的处理液S的供给为预先设定的时间，在本实施方式中例如是30秒。
另外，在向基板W的表面供给处理液S时遮挡板63也在待机位置T1旋转。由此，能够通过离心力将因供给到基板W的表面的处理液S的溅液而附着于遮挡板63的与基板W对置的面上的处理液S的液滴甩开而去除。由此，能够阻止处理液S的液滴从遮挡板63的与基板W对置的面落到基板W的表面。另外，若不去除附着在遮挡板63的与基板W相对的面上的处理液S的液滴，则会固化而成为颗粒的原因，但这也能够被阻止。
供给到基板W的雾状的处理液S通过基板W的旋转而从基板W的外周飞散。飞散的雾状的处理液S撞击于上升了的上杯30c的内周面，沿该内周面朝向排出口32c滴落。滴落的雾状的处理液S通过排出口32c而被回收。另外，供给到基板W的背面的处理液S也从基板W的背面的外周飞散，被上升了的上杯30c回收。
若经过预先设定的时间，则停止从第2喷嘴54供给雾状的处理液S、以及从下部处理液喷嘴48供给处理液S。然后，第2喷嘴54利用第2喷嘴移动机构55向退避位置移动。
如图4的(d)所示，处于上杯30b与在图4的(c)的处理同样地下降、上杯30c上升了的状态。第1喷嘴52利用第1喷嘴移动机构53从退避位置向基板W的中央移动。进而，基板W的旋转速度以高速(例如，1000rpm)旋转。然后，在从第1喷嘴52向基板W的表面的中央供给处理液L的同时，从下部处理液喷嘴48朝向基板W的背面供给处理液L。由此，在前序工序中被处理过的基板W的表面所附着的雾状的处理液S与基板W的背面所附着的处理液S通过处理液L而被冲洗。另外，由于基板W的旋转速度变为高速，能够优化处理液S的排出。
该处理液L从基板W的表面的外周以及基板W的背面的外周飞散，撞击于上杯30c的内周面，并沿该内周面朝向排出口32c而滴落。然后，通过排出管被回收。
另外，遮挡板63的旋转也持续在待机位置T1，并能够将因供给到基板W的表面的处理液L的溅液而附着于遮挡板63的与基板W对置的面上的处理液L去除。由此，能够抑制处理液L的液滴从遮挡板63下落到基板W的表面。另外，若不去除附着在遮挡板63的与基板W相对的面上的处理液L的液滴，则会固化而成为颗粒的原因，但这也能够被阻止。
此外，该处理液L的供给时间为预先设定的时间，在本实施方式中是10秒。
接下来，若经过预先设定的时间，则停止从第1喷嘴52以及下部处理液喷嘴48供给处理液L。并且，利用第1喷嘴移动机构53，使得第1喷嘴52向退避位置移动。
如图4的(e)所示，上杯30a～30b通过上下驱动机构上升，基板W的旋转速度以低速(例如，10rpm)旋转。然后，遮挡板63通过遮挡板升降机构61下降至处理液供给位置(图4的(f)中由附图标记T2表示的位置)，接近基板W。执行该下降，且从处理液供给喷嘴67向基板W的表面供给处理液P。处理液P的供给如图4的(f)所示那样，可以在遮挡板63的下降开始的同时开始，也可以从下降过程中的阶段开始。
接下来，遮挡机构60的下降结束(图4的(f))。此外，在遮挡机构60被定位于处理液供给位置T2之后，处理液P的供给也在预先设定的时间内(例如，3秒)持续进行。处理液供给位置T2是从基板W的表面至遮挡板63的距离成为下述距离的位置，该距离为即使从处理液供给喷嘴67供给的处理液P在基板W的表面回弹也不会超过杯体30而飞散的程度。此外，在供给处理液P的期间，也持续从气体供给喷嘴73供给气体G。
供给到基板W的处理液P对在前序工序中供给到基板W的表面的处理液L进行冲刷。然后，基板W的表面被从处理液L替换成处理液P。此时，供给的处理液P与冲刷的处理液L一起利用旋转的基板W的离心力从基板W的表面的外周飞散，撞击于上杯30a的内周面，并沿上杯30a的内周面朝向排出口32a滴落。然后，通过排出管被回收。
若结束处理液供给位置T2处的处理液P的供给，则如图4的(g)所示，遮挡板63下降至干燥处理位置(图4中由附图标记T3表示的位置)，进一步接近基板W。若遮挡板63被定位于干燥处理位置T3，则从气体供给喷嘴73排出的气体G的流量增加(例如，每分钟250升)，遮挡板63与基板W之间的空间被气体G充满。由此，能够减少基板W的表面附近的空气，因此能够遮挡基板W的表面附近的成为产生水印的原因的氧。此时的基板W的旋转以高速(例如，1000rpm)旋转。由此，存在于基板W的表面的处理液P利用由高速旋转而作用于基板W的离心力甩开。如此来执行基板W的干燥处理。从基板W的周边向上杯30a的内周面飞散的处理液P沿着上杯30a的内周面，朝向排出口32a滴落。然后通过排出管而被回收。另外，在向基板W的表面供给气体G的同时，从下部气体用喷嘴50朝向基板W的背面供给气体G。干燥处理在预先设定的时间内进行，例如为10秒。
接下来，若经过设定的干燥处理的时间，则基板W的旋转以及遮挡板63的旋转停止，气体G的供给也停止。然后，如图4的(h)所示，上杯30a～30c利用上下驱动机构下降，遮挡板63利用遮挡板升降机构61上升至待机位置T1。
接下来，如图4的(i)所示，基板W基于支承销23的保持被释放，并被输送机器人7从处理室9搬出。
如以上说明那样，根据第1实施方式，在向基板W的表面供给处理液L以及处理液S时，在待机位置T1使遮挡机构60的遮挡板63旋转。由此，即使供给到基板W的表面的处理液L以及处理液S因基板W的表面上的溅液而成为液滴并附着于遮挡板63的与基板W对置的面，也能够通过遮挡板63的旋转作用下的离心力，在遮挡板63向处理液供给位置T2下降之前的阶段甩走而去除。因此，在为了进行干燥处理而使遮挡板63接近基板W时，能够抑制处理液L、处理液S的液滴从遮挡板63的与基板W对置的面下落而附着于基板W的表面，因此能够抑制基板W的品质不良。特别是，能够防止基板W的被处理面上产生水印。由此，能够对使用了处理液的基板良好地进行处理。
另外，在处理液L、S未附着于遮挡板63的与基板W对置的面的状态下，从处理液供给喷嘴67供给处理液P(IPA等)。因此，能够高效地将基板W上的处理液L替换处理为IPA等的处理液P。
此外，在为了进行干燥处理而使遮挡板63接近基板W时，也可以使遮挡板63的旋转停止。
[第2实施方式]
参照图5对第2实施方式进行说明。
图5的(a)～(e)所示的是对遮挡板63进行清洗的遮挡板清洗工序。该工序在基板W的处理结束且从处理室9搬出基板W之后、并且是向处理室9搬入未处理的基板W之前进行。作为实施该遮挡板清洗工序的装置，能够使用与第1实施方式相同的装置。
图5的(a)所示的是基板W的处理结束，上杯30a～30c下降、遮挡板63上升至待机位置T1且基板W被搬出的情况(与图4的(i)所示的状态相同的状态)。
在基板W被搬出之后，如图5的(b)所示，遮挡板63下降至干燥处理位置T3。之后，如图5的(c)所示，遮挡板63与旋转保持机构21旋转。这里，上杯30a～30c利用上下驱动机构上升。从下部处理液喷嘴48朝向遮挡板63的与基板W对置的面(下表面)供给处理液L。供给到遮挡板63的处理液L通过遮挡板63的旋转产生的离心力，从遮挡板63的外周向上杯30a的内周面飞散并被回收。
若结束从下部处理液喷嘴48供给处理液L，则如图5的(d)所示，气体G从下部气体用喷嘴50朝向遮挡板63的下表面供给。然后，附着于遮挡板63的下表面的处理液L通过遮挡板63的旋转与气体G的供给而被去除。由此，能够使遮挡板63的下表面干燥。
若结束从下部气体用喷嘴50供给气体G，则如图5的(e)所示，遮挡板63以及旋转保持机构21的旋转停止。进而，遮挡板63上升至待机位置T1，上杯30a～30c下降。
如以上说明那样，在基板W被从处理室9搬出之后，对遮挡板63的下表面进行清洗、干燥。由此，具有与第1实施方式相同的效果。而且，由于在处理基板W的期间将附着于遮挡板63的下表面的各处理液的液滴清洗而去除，因此能够使遮挡板63的清洗度提高，从而能够对使用了处理液的基板更良好地进行处理。
另外，在本实施方式中，在遮挡板63的下表面的清洗处理与干燥处理中，兼用在基板W的背面处理中使用的下部处理液喷嘴48与下部气体用喷嘴50。由此，无需为了遮挡板63的清洗、干燥而设置专用装置，因此能够防止基板处理装置1的大型化。
此外，清洗遮挡板63的工序也可以不在每次搬出基板W时执行，而是在处理了规定张数的基板之后执行。
[第3实施方式]
参照图6对第3实施方式进行说明。此外，对第3实施方式与第2实施方式的不同点进行说明，并省略其他说明。
图6的(a)～(e)相当于在第2实施方式中说明的对遮挡板63进行清洗的工序。此外，与第2实施方式的不同之处在于，在图6的(c)的工序中，追加了遮挡板63的周缘的侧面部的清洗处理。
如图6的(c)所示，在从下部处理液喷嘴48向遮挡板63的与基板对置的面(下表面)供给处理液L时，控制单元10b进行控制，以便第1喷嘴52利用第1喷嘴移动机构53位于遮挡板63的周缘的上方。然后，从第1喷嘴52朝向遮挡板63的周缘供给处理液L，位于遮挡板63的周缘部分的侧面部通过处理液L来清洗。
如以上说明那样，根据第3实施方式，具有与第2实施方式相同的效果。而且，利用处理液L，不仅清洗遮挡板63的下表面，也将侧面部进行清洗。若使各处理液的液滴原样附着于遮挡板63，则附着的各处理液的液滴的堆积物有时会析出而下落到基板W的表面。在本实施方式中，通过对遮挡板63的侧面部进行清洗，能够抑制处理液、IPA等堆积物的生成，因此能够抑制基板W的污染等所导致的产品不良的产生。
另外，在本实施方式中，在遮挡板63的侧面部的清洗处理中，兼用了在基板W的表面处理中使用的第1喷嘴52。由此，即使在进行遮挡板63的侧面部的清洗的情况下，也能够防止基板理装置1的大型化。
此外，第3实施方式在处理了规定张数的基板之后执行。另外，不仅仅是第1喷嘴52位于遮挡板63的周缘的上方而供给处理液L，也能够使第1喷嘴52摆动来对遮挡板63的上表面进行清洗。
以上，说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式只是作为例子而提出，并非意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够通过其他各种方式来实施，能够以不脱离发明的主旨的程度进行各种省略、替换、变更。这些实施方式、其变形包含在发明的范围、主旨内，并且包含在权利要求书所记载的发明及其等效的范围内。
例如，也可以组合第1实施方式、第2实施方式、以及第3实施方式3。在该情况下，在持续进行多张基板W的处理的情况下，将执行第1实施方式、第2实施方式、第3实施方式的每一个的基板W的处理张数(设定张数)预先设定于控制单元10b的存储部。然后，控制单元10b以基板W的处理张数达到该设定的张数作为条件，执行各实施方式的动作。具体而言，是如下的方式，每当进行一张基板W的处理时实施第1实施方式，第2实施方式是10张，第3实施方式以一批为单位进行。也可以不组合全部三个实施方式而是第1实施方式与第2实施方式的组合、第1实施方式与第3实施方式的组合。另外，设定张数为零意为不实施。
此外，本发明并不限定于上述实施方式，在实施阶段能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变形。另外，也可以适当地组合各实施方式来实施，此时可获得组合的效果。而且，上述实施方式中包含各种发明，可通过从公开的多个构成要件中选择出的组合来提出各种发明。例如，在即使从实施方式所示的全部构成要件中删除几个构成要件也能够解决课题并获得效果的情况下，可将删除了该构成要件的构成作为发明而提出。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，使基板旋转来进行清洗处理，所述基板处理装置具备：
旋转保持机构，对基板进行保持；
处理液供给喷嘴，向所述基板供给处理液；
遮挡板，与保持于所述旋转保持机构的所述基板对置地配置，并向相对于所述基板接触或分离的方向移动；
遮挡板旋转机构，使所述遮挡板旋转；以及
控制装置，以如下方式控制所述遮挡板旋转机构：在未供给所述处理液时将所述遮挡板定位于待机位置，在利用所述处理液供给喷嘴供给所述处理液的过程中不使所述遮挡板从所述待机位置移动而是使所述遮挡板旋转。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述遮挡板具有向所述基板供给气体的气体供给喷嘴，
在利用所述处理液进行所述基板的处理的期间，从所述气体供给喷嘴排出使得所述处理液不向下述喷嘴开口附着的程度的量的气体，该喷嘴开口与所述气体供给喷嘴连通并设于所述遮挡板。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述基板的背面设有分别供给所述处理液与气体的背面喷嘴头，在所述基板被从处理室搬出之后，利用所述背面喷嘴头向所述遮挡板分别供给所述处理液与所述气体。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给喷嘴朝向所述遮挡板的周缘供给所述处理液。
5.一种基板处理装置，使基板旋转来进行清洗处理，所述基板处理装置具备：
旋转保持机构，对基板进行保持；
处理液供给喷嘴，向所述基板供给处理液；
遮挡板，与保持于所述旋转保持机构的所述基板对置地配置，并向相对于所述基板接触或分离的方向移动；
遮挡板旋转机构，使所述遮挡板旋转；
背面喷嘴头，向所述基板的背面分别供给所述处理液与气体；以及
控制装置；
所述控制装置按预先设定的第1设定张数对所述遮挡板旋转机构进行下述控制：在未供给所述处理液时使所述遮挡板定位于待机位置，在利用所述处理液供给喷嘴供给所述处理液的过程中不使所述遮挡板从所述待机位置移动而是使所述遮挡板旋转，
所述控制装置按预先设定的第2设定张数进行下述控制：在所述基板被从处理室搬出之后，利用所述背面喷嘴头向所述遮挡板分别供给所述处理液与所述气体，
所述控制装置按预先设定的第3设定张数进行下述控制：在所述基板被从所述处理室搬出之后，通过所述处理液供给喷嘴朝向所述遮挡板的周缘供给所述处理液。
6.一种基板处理方法，使基板旋转来进行清洗处理，所述基板处理方法具有：
基板保持工序，对所述基板进行保持；
处理液供给工序，从处理液供给喷嘴向所述基板供给处理液；
遮挡板移动工序，使与被所述基板保持工序保持的所述基板对置地配置的遮挡板向相对于所述基板接触或分离的方向移动；以及
遮挡板旋转工序，在未供给所述处理液时使所述遮挡板定位于待机位置，在利用所述处理液供给喷嘴供给所述处理液的过程中不使所述遮挡板从所述待机位置移动而是使所述遮挡板旋转。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
在所述处理液供给工序中，从所述遮挡板供给气体。
8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
具有在所述基板被从处理室搬出之后，朝向所述遮挡板分别供给所述处理液与气体的遮挡板清洗工序。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
在所述遮挡板清洗工序中，朝向所述遮挡板的周缘供给所述处理液。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110076119A (zh) * 2018-01-26 2019-08-02 株式会社斯库林集团 基板处理方法
CN111092028A (zh) * 2018-10-24 2020-05-01 三菱电机株式会社 半导体制造装置及半导体制造方法
CN112185851A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 株式会社斯库林集团 基板处理装置
CN112582303A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7149118B2 (ja) * 2018-07-03 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
FR3085603B1 (fr) * 2018-09-11 2020-08-14 Soitec Silicon On Insulator Procede pour le traitement d'un susbtrat soi dans un equipement de nettoyage monoplaque
JP7233624B1 (ja) * 2022-08-08 2023-03-06 株式会社荏原製作所 プリウェットモジュール

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045838A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置ならびに基板処理装置に備えられた回転板および周囲部材の洗浄方法
US20030170988A1 (en) * 2002-01-30 2003-09-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
US20040261817A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Foreign matter removing apparatus, substrate treating apparatus, and substrate treating method
CN101154560A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置和基板处理方法
US20130319476A1 (en) * 2011-08-26 2013-12-05 Kazuhiro Aiura Liquid treatment apparatus and liquid treatment method
KR20140132601A (ko) * 2013-05-08 2014-11-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN105122426A (zh) * 2013-03-15 2015-12-02 株式会社思可林集团 基板处理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3698567B2 (ja) 1998-10-23 2005-09-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6402401B1 (en) * 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3808719B2 (ja) * 2001-04-17 2006-08-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5242242B2 (ja) * 2007-10-17 2013-07-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP5666414B2 (ja) * 2011-10-27 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
KR101972294B1 (ko) * 2014-03-28 2019-04-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6215748B2 (ja) * 2014-03-28 2017-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6626762B2 (ja) * 2016-03-30 2019-12-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045838A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置ならびに基板処理装置に備えられた回転板および周囲部材の洗浄方法
US20030170988A1 (en) * 2002-01-30 2003-09-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
US20040261817A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Foreign matter removing apparatus, substrate treating apparatus, and substrate treating method
CN101154560A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置和基板处理方法
US20130319476A1 (en) * 2011-08-26 2013-12-05 Kazuhiro Aiura Liquid treatment apparatus and liquid treatment method
CN105122426A (zh) * 2013-03-15 2015-12-02 株式会社思可林集团 基板处理装置
KR20140132601A (ko) * 2013-05-08 2014-11-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110076119A (zh) * 2018-01-26 2019-08-02 株式会社斯库林集团 基板处理方法
CN111092028A (zh) * 2018-10-24 2020-05-01 三菱电机株式会社 半导体制造装置及半导体制造方法
CN111092028B (zh) * 2018-10-24 2023-10-20 三菱电机株式会社 半导体制造装置及半导体制造方法
CN112185851A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 株式会社斯库林集团 基板处理装置
CN112582303A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置
CN112582303B (zh) * 2019-09-30 2024-04-02 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置

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