CN112185851A - 基板处理装置 - Google Patents

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CN112185851A CN202010634817.XA CN202010634817A CN112185851A CN 112185851 A CN112185851 A CN 112185851A CN 202010634817 A CN202010634817 A CN 202010634817A CN 112185851 A CN112185851 A CN 112185851A
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太田乔
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Abstract

本发明提供一种基板处理装置，有效抑制处理液相对于基板的下表面的蔓延。该基板处理装置具备：保持部，其用于能够旋转地保持基板；旋转驱动部，其用于使上述保持部旋转；以及对置板，其在俯视下包围上述保持部且与上述基板对置，上述对置板具备：第一气体供给部，其设于径向的内侧，且用于至少向上述基板与上述对置板之间供给气体；以及至少一个位移部，其设于比上述第一气体供给部靠径向外侧的与上述基板对置的面，且与径向内侧相比，径向外侧的与上述基板之间的距离短。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
一直以来，在半导体基板等基板的制造工序中，使用基板处理装置对基板进行各种处理(基板处理)。该处理使用用于处理该基板的处理液(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017－11015号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在基板处理中，若处理液蔓延到处理的基板的下表面(背面)，则可能产生意外的变质。专利文献1中，通过向基板的下表面吹气，抑制处理液蔓延。
但是，在专利文献1公开的技术中，在吹向基板的下表面的气体的压力不均匀的情况下，有时无法充分抑制处理液的蔓延。
本申请说明书公开的技术基于以上记载的问题而做成，目的在于提供能够有效抑制处理液相对于基板的下表面的蔓延的技术。
用于解决课题的方案
本申请说明书公开的技术的方案1具备：保持部，其用于能够旋转地保持基板；旋转驱动部，其用于使上述保持部旋转；以及对置板，其在俯视下包围上述保持部且与上述基板对置，上述对置板具备：第一气体供给部，其设于径向的内侧，且用于至少向上述基板与上述对置板之间供给气体；以及至少一个位移部，其设于比上述第一气体供给部靠径向外侧的与上述基板对置的面，且与径向内侧相比，径向外侧的与上述基板之间的距离短。
本申请说明书公开的技术的方案2与方案1相关，上述对置板在比上述位移部靠径向的外侧还具备第二气体供给部，该第二气体供给部用于向上述基板与上述对置板之间供给气体。
本申请说明书公开的技术的方案3与方案1或2相关，在上述对置板的径向上设有多个上述位移部。
本申请说明书公开的技术的方案4与方案1～3中任一个相关，上述位移部呈在上述对置板的周向上延伸的台阶形状。
本申请说明书公开的技术的方案5与方案1～4中任一个相关，上述第一气体供给部朝向上述保持部供给上述气体。
本申请说明书公开的技术的方案6与方案1～5中任一个相关，上述第一气体供给部设于上述对置板的径向内侧的侧面，上述对置板还具备突起部，该突起部设于径向内侧的侧面且比上述第一气体供给部靠近上述基板。
本申请说明书公开的技术的方案7与方案1～6中任一个相关，还具备：移动部，其连结于上述对置板，且用于使上述对置板相对于上述基板接近或远离；以及控制部，其用于控制上述移动部的动作。
本申请说明书公开的技术的方案8与方案7相关，还具备调整部，该调整部用于调整上述移动部与上述对置板之间的连结距离。
本申请说明书公开的技术的方案9与方案7或8相关，还具备拍摄部，该拍摄部用于拍摄上述基板，上述控制部基于由上述拍摄部拍摄的图像中的上述基板的侧视下的形状，来控制上述移动部的动作。
本申请说明书公开的技术的方案10与方案7～9中任一个相关，还具备：药液供给部，其用于对上述基板供给药液；以及清洗液供给部，其用于对上述基板供给清洗液，上述控制部控制上述移动部的动作，以便由上述清洗液供给部供给上述清洗液的期间的上述对置板与上述基板之间的距离比由上述药液供给部供给上述药液的期间的上述对置板与上述基板之间的距离长。
本申请说明书公开的技术的方案11与方案1～10中任一个相关，上述对置板还具备端部清洗液吐出部，该端部清洗液吐出部沿径向外侧的侧面设置，且用于向上述基板的端部吐出清洗液。
发明效果
根据本申请说明书公开的技术的方案1～11，从第一气体供给部供给的气体在位移部的径向的内侧压力变得均匀，进一步地，以压力均匀的状态向位移部的径向的外侧排出。因此，通过压力均匀的气体的排出，能够有效地抑制处理液相对于基板的下表面的蔓延。
另外，根据以下示出的详细的说明和附图，将更了解本申请说明书公开的技术相关的目的、特征、方案、优点。
附图说明
图1是概略性地表示实施方式相关的基板处理系统的结构的例的图。
图2是概略性地表示实施方式相关的基板处理系统的基板处理装置的结构的例的图。
图3是概略性地表示实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板及其周边的结构的例的剖视图。
图4是概略性地表示实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板及其周边的结构的例的另一剖视图。
图5是表示未配置基板的状态的旋转卡盘及背面遮断板的例的立体图。
图6是表示实施方式相关的基板处理装置的连结螺纹部的结构的例的剖视图。
图7是表示实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板的外缘部的结构的另一例的剖视图。
图8是表示实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板的外缘部的结构的另一例的立体图。
图9是表示实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板的外缘部的结构的另一例的剖视图。
图10是表示基板处理系统的各要素与控制部的连接关系的例的功能块图。
图11是表示实施方式相关的基板处理系统的动作的流程图。
图12是表示实施方式相关的基板处理装置的处理工序的样子的例的图。
图13是表示实施方式相关的基板处理装置的处理工序的样子的例的图。
图14是表示实施方式相关的基板处理装置的处理工序的样子的例的图。
图15是概略性地表示背面遮断板的台阶部的变形例的剖视图。
图16是概略性地表示背面遮断板的台阶部的另一变形例的剖视图。
图中：
1—基板处理系统，2—索引部分，3—处理部分，3A—搬送模块，3B—处理模块，7—控制部，21—基板容纳器，22、133A—载置台，23—索引机器人，23A—基台部，23B—多关节臂，23C、23D、33C、33D—手，31—搬送机构，33—搬送机器人，33A—水平驱动部，33B—铅垂驱动部，33E—支柱，33F—连结件，50—处理室，50A—隔壁，50B—开口部，50C—闸门，51—旋转卡盘，51A—旋转基座，51C—旋转轴，51D—旋转马达，52—药液嘴，53—药液箱，54—药液配管，55—送液装置，56—药液阀，57—循环配管，58—循环阀，59—温度调节装置，60—冲洗液嘴，61—冲洗液配管，62—冲洗液阀，64—清洗液嘴，65—清洗液配管，66—清洗液阀，71—CPU，72—ROM，73—RAM，74—存储部，75—总线配线，76—输入部，77—显示部，78—通信部，100A、100B、100C—基板处理装置，133B—水平滑块，133C—水平马达，133D—转动马达，133G—铅垂滑块，133H—铅垂马达，152—药液臂，152A、160A—旋转驱动源，152B、160B—轴体，152C、160C—臂部，160—冲洗液臂，170、170X、170Y—背面遮断板，170A、172、173—台阶部，170C—突起部，170B、170D—气体供给部，170E—连结螺纹部，170F—檐部，170G—清洗液吐出部，171—箱体，171A—排出孔，180—间隙区域，181—加强环，182—基底环，190—移动部，190A—连接部，190B—轴，190C—弹簧，200—拍摄部，511—处理杯，513—排液口，515—排气口，1700A、1700C—气体流路，1700B、1700D—气体供给孔，1701A—帽，1701B、1701C—调整螺纹件。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式进行说明。在以下的实施方式中，为了说明技术而示出了详细的特征等，但它们只是示例，为了使实施方式可以实施，它们并非全部是必须的特征。
此外，附图只是概略性地表示，为了便于说明，在图中适当地进行了结构的省略或结构的简化。另外，不同的图中分别示出的结构等的大小以及位置的互相关系并非必须准确地记载，可以适当进行变更。另外，在不是剖视图的俯视图等图中，为了容易理解实施方式的内容，有时标注了剖面线。
另外，在以下所示的说明中，对同样的结构要素标注相同符号而图示，它们的名称和功能也同样。因此，有时为了避免重复而省略对它们的详细的说明。
另外，在以下记载的说明中，有时记载为“具备”、“包括”或“具有”某结构要素，除了另外说明，否则并非除去其它结构要素的存在的排他的表现。
另外，在以下记载的说明中，有时使用“第一”或“第二”等序数，这些术语是为了容易理解实施方式的内容而方便地使用的，并非限定于根据这些序数能够产生的顺序等。
另外，在以下记载的说明中，表示相等的状态的表现，例如“相同”、“相等”、“均一”或“均匀”等，除非另有说明，否则包括表示严格相等的状态的情况以及在公差或可得到同程度的功能的范围内产生差的情况。
另外，就以下记载的说明中的“使对象物在特定的方向上移动”等表现而言，除非另有说明，否则包括使对象物与该特定的方向平行地移动的情况以及使对象物在具有该特定的方向的成分的方向上移动的情况。
另外，以下记载的说明中，有时使用“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或“背”等表示特定的位置和方向的术语，但是这些术语是为了容易理解实施方式的内容而方便地使用的，与实际实施时的方向无关。
＜实施方式＞
以下，对本实施方式的基板处理系统、基板处理装置、以及基板处理方法进行说明。
＜基板处理系统的结构＞
图1是概略性地表示本实施方式相关的基板处理系统的结构的例的图。此外，从容易理解结构的观点出发，在该图中，有时一部分结构要素省略或简化地示出。
基板处理系统1是对半导体晶圆等圆板状的基板W逐张进行处理的单张式的处理系统。基板处理系统1对基板W进行清洗处理或蚀刻处理等各种处理。
如图1中示例地，朝向X轴正方向，基板处理系统1依次具备索引部分2和处理部分3。
另外，朝向X轴正方向，处理部分3依次具备搬送模块3A和处理模块3B。
＜索引部分＞
索引部分2具备：可以将多张基板W以层叠状态容纳的基板容纳器21；支撑基板容纳器21的载置台22；以及从基板容纳器21接收未处理的基板W，且将在处理部分3处理完成的基板W交付给基板容纳器21的索引机器人23。
此外，载置台22的数量在图1的例中为了简单而设为一个，但是也可以沿Y轴方向排列一个以上的数量。
基板容纳器21可以是将基板W以密闭状态收纳的front opening unifiedpod(FOUP：前开式晶圆传送盒)，也可以是standard mechanical inter face(SMIF：标准机械接口)晶圆盒、或者open cassette(OC：开放式晶圆匣)等。
索引机器人23例如具备：基台部23A；多关节臂23B；以及互相在铅垂方向上隔开间隔设置的两个手23C及手23D。
基台部23A例如固定于规定基板处理系统1的索引部分2的外形的机架。
多关节臂23B构成为沿水平面可转动的多个臂部可互相转动地结合，且构成为，通过在相应臂部的作为结合部位的关节部改变臂部间的角度，使相应臂部可屈伸。
另外，多关节臂23B的基端部相对于基台部23A可绕铅垂轴转动地结合。而且，多关节臂23B相对于基台部23A可升降地结合。
手23C及手23D构成为可分别保持一张基板W。
索引机器人23例如使用手23C从保持于载置台22的基板容纳器21搬出一张未处理的基板W。然后，索引机器人23从X轴负方向将该基板W交付给搬送模块3A的搬送机构31(后述)。
而且，索引机器人23例如使用手23D从搬送机构31接收一张处理完毕的基板W。然后，索引机器人23将该基板W容纳于在载置台22所保持的基板容纳器21。
＜处理部分＞
处理部分3的搬送模块3A具备可以将一张或多张基板W以水平姿势保持并且搬送的搬送机构31。
搬送机构31例如可以在被沿XZ平面及XY平面形成的隔壁(在此，未图示)围成的筒状的搬送路移动。另外，搬送机构31也可以被沿X轴方向延伸的轨道引导且往复移动。
通过搬送机构31，基板W在靠近索引部分2的X轴负方向的位置和靠近搬送机器人33(后述)的X轴正方向的位置之间被搬送。
处理部分3的处理模块3B具备：搬送基板W的搬送机器人33；以及对从搬送机构31供给的未处理的基板W进行预定处理的多个基板处理装置100A、基板处理装置100B以及基板处理装置100C。
搬送机器人33具备水平驱动部33A、铅垂驱动部33B、手33C、手33D、以及经由连结件33F安装这些结构且沿铅垂方向延伸的支柱33E。
水平驱动部33A使手33C及手33D沿水平方向移动。水平驱动部33A具备：载置台133A；将载置台133A的上表面沿水平方向往复移动的水平滑块133B；以及使水平滑块133B移动的水平马达133C。
在载置台133A的上表面设有以直线状延伸的轨道(在此，未图示)，水平滑块133B的移动方向被该轨道限制。水平滑块133B的移动例如通过线性马达机构或滚珠丝杆机构等公知的机构实现。
在水平滑块133B的前端设有手33C及手33D。若通过水平马达133C使水平滑块133B沿轨道移动，则手33C及手33D可沿水平方向进退。换言之，水平驱动部33A使手33C及手33D在从支柱33E沿水平方向分离及接近的方向上移动。
水平驱动部33A具备使载置台133A绕沿铅垂方向的转动轴线Z1转动的转动马达133D。通过转动马达133D，手33C及手33D能够绕转动轴线Z1在与支柱33E不干涉的范围转动。
铅垂驱动部33B具备铅垂滑块133G和铅垂马达133H。铅垂滑块133G与设于支柱33E且沿铅垂方向延伸的轨道(在此，未图示)卡合。
铅垂马达133H使铅垂滑块133G沿该轨道在铅垂方向上往复移动。铅垂滑块133G的移动例如通过线性马达机构或滚珠丝杆机构等公知的机构实现。
连结件33F连结铅垂滑块133G及载置台133A，且从下方支撑载置台133A。铅垂马达133H使铅垂滑块133G移动，由此载置台133A沿铅垂方向移动。由此，手33C及手33D能够沿铅垂方向升降移动。
此外，水平驱动部33A并非必须使手33C及手33D与水平方向平行地移动，也可以使手33C及手33D沿水平方向及铅垂方向的合成方向移动。即，“在水平方向上移动”是指在具有水平方向的成分的方向上移动。
同样地，铅垂驱动部33B并非必须使手33C及手33D与铅垂方向平行地移动，也可以使手33C及手33D沿铅垂方向及水平方向的合成方向移动。即，“在铅垂方向上移动”是指在具有铅垂方向的成分的方向上移动。
搬送机器人33例如使用手33C将保持于搬送机构31的一张未处理的基板W搬出。然后，搬送机器人33例如从X轴负方向将该基板W配置于基板处理装置100A的旋转基座51A(后述)的上表面。
另外，搬送机器人33例如使用手33D从基板处理装置100A内、基板处理装置100B内或基板处理装置100C内接收一张处理完毕的基板W。并且，搬送机器人33将该基板W交付给搬送机构31。
基板处理装置100A、基板处理装置100B以及基板处理装置100C沿Z轴正方向依次重叠，构成处理塔TW。
此外，基板处理装置的数量在图1的例中为了简单而设为三个，但是也是为三个以上。
另外，在图1中，基板处理装置100A、基板处理装置100B以及基板处理装置100C示出为位于搬送机器人33的X轴正方向，但是基板处理装置100A、基板处理装置100B以及基板处理装置100C配置的位置不限于该情况，例如，也可以配置于搬送机器人33的X轴正方向、Y轴正方向以及Y轴负方向的任一个。
＜基板处理装置的结构＞
图2是概略性地表示本实施方式相关的基板处理系统的基板处理装置100A的结构的例的图。此外，基板处理装置100B及基板处理装置100C的结构也与图2示例的情况相同。
基板处理装置100A是对半导体晶圆等圆板状的基板W逐张进行处理的单张式的处理装置。基板处理装置100A对基板W进行使用处理用的液体(即、包括药液、清洗液或冲洗液的处理液)或气体的流体处理、使用紫外线等的电磁波的处理、或者物理清洗处理(例如，刷清洗或喷嘴清洗等)等各种处理(清洗处理或蚀刻处理等)。
此外，作为处理对象的基板例如包括半导体基板、液晶显示装置或有机EL(electroluminescence：电致发光)显示装置等flat panel display(FPD：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、印刷基板、或者太阳能电池用基板等。
如图2所示例地，基板处理装置100A具备：具有内部空间的箱形的处理室50；在处理室50内将一张基板W以水平姿势保持，并且使基板W绕穿过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线Z旋转的旋转卡盘51；与基板W的下表面对置配置的背面遮断板170；使背面遮断板170沿铅垂方向(即，图2中的Z方向)移动的移动部190；覆盖旋转卡盘51和移动部190的箱体171；以及绕基板W的旋转轴线Z包围箱体171的筒状的处理杯511。
在此，“对置”表示例如面和面相对的状态，在相对的面彼此之间也可以介有其它物体。
处理室50被箱状的隔壁50A包围。在隔壁50A形成有用于向处理室50内搬入或从处理室50内搬出基板W的开口部50B。
开口部50B通过闸门50C开闭。闸门50C通过闸门升降机构(在此，未图示)在覆盖开口部50B的关闭位置(图2中用双点划线表示)与开放开口部50B的打开位置(图2中用实线表示)之间升降。
搬出搬入基板W时，搬送机器人穿过开口部50B使用机器人手访问处理室50内。由此，能够在旋转卡盘51的上表面配置未处理的基板W、或者从旋转卡盘51去除处理完毕的基板W。
如图2示例地，旋转卡盘51具备：在上表面真空吸附水平姿势的基板W的下表面的圆板状的旋转基座51A；从旋转基座51A的中央部向下方延伸的旋转轴51C；以及通过使旋转轴51C旋转，使吸附于旋转基座51A的基板W旋转的旋转马达51D。
旋转基座51A的上表面例如是由多孔质陶瓷等构成的平面。但是，在能够吸附基板W的范围内，也可以在旋转基座51A的上表面形成有槽或凹凸等。
背面遮断板170在俯视下以包围旋转卡盘51的周围的方式设置成环状。另外，背面遮断板170的上表面与保持于旋转基座51A的基板W的下表面对置。此外，将被背面遮断板170的上表面和基板W的下表面夹着的区域设为间隙区域180。
在背面遮断板170的上表面形成有台阶部170A。在台阶部170A，相比径向的内侧，径向的外侧的背面遮断板170的上表面与基板W的下表面之间的距离更短。
另外，在图2中，背面遮断板170具有比基板W稍小的直径，但背面遮断板170的大小不限于此，也可以与基板W为同程度，也可以比基板W大。
另外，在本实施方式中，背面遮断板170与旋转卡盘51独立，并不绕旋转轴线Z旋转，但是，也可以是，背面遮断板170可以以包含旋转轴线Z的任一轴为中心旋转。
移动部190支撑背面遮断板170，且使背面遮断板170沿铅垂方向升降。移动部190俯视下设于旋转卡盘51的周围，且通过未图示的马达沿铅垂方向升降。
通过移动部190的动作，背面遮断板170的上表面在可以与保持于旋转基座51A的基板W的下表面接触的位置(称为上位置等)和使夹在背面遮断板170的上表面与基板W的下表面之间的间隙区域180充分扩展的位置(称为下位置等)之间升降。在此，移动部190的动作由后述的控制部控制。
此外，在本实施方式中，通过移动部190的动作，背面遮断板170移动，由此间隙区域180的Z方向的宽度变动，但是，也可以存在以下情况：通过使保持于旋转基座51A的基板W相对于背面遮断板170相对移动，间隙区域180的Z方向的宽度变动。
如图2中示例地，基板处理装置100A具备：朝向保持于旋转卡盘51的基板W的上表面吐出药液的药液嘴52；供药液嘴52安装于前端的药液臂152；储存向药液嘴52供给的药液的药液箱53；将药液箱53内的药液向药液嘴52引导的药液配管54；将药液箱53内的药液向药液配管54输送的送液装置55(例如，泵)；以及开闭药液配管54的内部的药液阀56。
药液臂152具备：旋转驱动源152A；轴体152B；以及一端固定于轴体152B的上端，且另一端安装有药液嘴52的臂部152C。
就药液臂152而言，通过旋转驱动源152A使轴体152B旋转，由此安装于臂部152C的前端的药液嘴52能够沿保持于旋转卡盘51的基板W的上表面移动。即，安装于臂部152C的前端的药液嘴52能够沿水平方向移动。在此，旋转驱动源152A的驱动由后述的控制部控制。
进一步地，基板处理装置100A具备：在比药液阀56靠上游侧(即，药液箱53侧)连接药液配管54和药液箱53的循环配管57；开闭循环配管57的内部的循环阀58；以及调节在循环配管57流动的药液的温度的温度调节装置59。
药液阀56及循环阀58的开闭由后述的控制部控制。在药液箱53内的药液向药液嘴52供给的情况下，药液阀56打开，循环阀58关闭。该状态下，通过送液装置55从药液箱53输送到药液配管54的药液向药液嘴52供给。
另一方面，在停止向药液嘴52的药液的供给的情况下，药液阀56关闭，循环阀58打开。该状态下，通过送液装置55从药液箱53输送到药液配管54的药液通过循环配管57返回到药液箱53内。因此，向药液嘴52的药液的供给停止的供给停止中，药液在由药液箱53、药液配管54以及循环配管57构成的循环路径继续循环。
温度调节装置59调节在循环配管57内流动的药液的温度。从而，药液箱53内的药液在供给停止中在循环路径被加热，维持比室温高的温度。
进一步地，药液阀56能够调整开度，以从药液嘴52吐出少量的药液，进行预分配。另外，在药液嘴52附近配置有药液回收部件(在此，未图示)，从药液嘴52预分配出的药液被回收。
另外，如图2中示例地，基板处理装置100A具备：朝向保持于旋转卡盘51的基板W的上表面吐出冲洗液的冲洗液嘴60；供冲洗液嘴60安装于前端的冲洗液臂160；将来自冲洗液供给源(在此，未图示)的冲洗液向冲洗液嘴60供给的冲洗液配管61；以及切换从冲洗液配管61向冲洗液嘴60的冲洗液的供给以及供给停止的冲洗液阀62。作为冲洗液，可以使用DIW(去离子水)等。
冲洗液臂160具备：旋转驱动源160A；轴体160B；以及一端固定于轴体160B的上端且另一端安装有冲洗液嘴60的臂部160C。
就冲洗液臂160而言，通过旋转驱动源160A使轴体160B旋转，由此安装于臂部160C的前端的冲洗液嘴60可以沿保持于旋转卡盘51的基板W的上表面移动。即，安装于臂部160C的前端的冲洗液嘴60可以沿水平方向移动。在此，旋转驱动源160A的驱动由后述的控制部控制。
通过药液嘴52向基板W供给药液后，从冲洗液嘴60向基板W供给冲洗液，由此能够冲洗附着于基板W及背面遮断板170的药液。
另外，如图2中示例地，基板处理装置100A具备：用于朝向处理室50的内侧的预定部位(例如旋转基座51A)吐出清洗液的清洗液嘴64；将来自清洗液供给源(在此，未图示)的清洗液向清洗液嘴64供给的清洗液配管65；以及切换从清洗液配管65向清洗液嘴64的清洗液的供给及供给停止的清洗液阀66。作为清洗液，可以使用DIW(去离子水)等。
清洗液嘴64安装于处理室50的内壁。在基板W保持于旋转卡盘51的状态下，旋转基座51A旋转，并且从清洗液嘴64吐出清洗液。
而且，从清洗液嘴64吐出的清洗液在基板W的上表面反弹，清洗液飞散到处理室50内。通过使清洗液这样飞散，能够清洗配置于处理室50内的各种部件(背面遮断板170或处理杯511等)。
处理杯511以包围旋转卡盘51的周围的方式设置，通过未图示的马达沿铅垂方向升降。处理杯511的上部在其上端成为比保持于旋转基座51A的基板W靠上侧的上位置、与成为该基板W或比该基板W靠下侧的下位置之间升降。
从基板W的上表面飞散到外侧的处理液被处理杯511的内侧面挡住。而且，被处理杯511挡住的处理液在处理室50的底部且通过设于处理杯511的内侧的排液口513适当地排出到处理室50的外部。
另外，在处理室50的侧部设有排气口515。通过排气口515，处理室50内的环境气体适当地排出到处理室50外。
图3是概略性地表示本实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板170及其周边的结构的例的剖视图。
图3中，示出了将一张基板W以水平姿势保持并且绕旋转轴线Z使基板W旋转的旋转卡盘51、与基板W的下表面对置配置的背面遮断板170、覆盖旋转卡盘51的箱体171、以及绕基板W的旋转轴线Z包围箱体171的处理杯511。此外，在该截面中未图示移动部190。
旋转卡盘51具备：真空吸附基板W的下表面的圆板状的旋转基座51A；从旋转基座51A的中央部向下方延伸的旋转轴51C；以及通过使旋转轴51C旋转而使吸附于旋转基座51A的基板W旋转的旋转马达51D。
在背面遮断板170的上表面形成有台阶部170A。台阶部170A形成为沿背面遮断板170的周向延伸。就台阶部170A而言，相比径向的内侧(即，靠近旋转基座51A的一侧)，径向的外侧(即，从旋转基座51A远离的一侧)的背面遮断板170的上表面与基板W的下表面之间的距离更短，即间隙区域180变窄。
另外，背面遮断板170在俯视下包围旋转基座51A的周围，但在旋转基座51A与背面遮断板170之间形成有间隙。背面遮断板170具备朝向该间隙供给气体(例如，作为惰性气体的N2)、即从背面遮断板170的与旋转基座51A对置的内壁向旋转基座51A吹喷气体的气体供给部170B。气体供给部170B设于比台阶部170A靠径向的内侧。
气体供给部170B具备：作为供给的气体的流路的环状的气体流路1700A；以及从气体流路1700A贯通背面遮断板170的内壁而形成且作为用于朝向旋转基座51A吹喷气体流路1700A中的气体的孔的气体供给孔1700B。此外，在图3中，从气体供给孔1700B吹喷的气体的吹喷方向是相对于旋转基座51A垂直的朝向，但该方向例如也可以从相对于旋转基座51A垂直的朝向向基板W侧或其相反侧倾斜。
另外，气体供给部170B例如以100L～500L/min供给作为惰性气体的N2。在此，气体供给部170B的动作由后述的控制部控制。
另外，背面遮断板170在背面遮断板170的内壁的相比气体供给孔1700B更靠近基板W的一侧(即，图3的上侧)形成有突起部170C。形成有突起部170C的位置处的背面遮断板170的内壁与旋转基座51A之间的距离比未形成突起部170C的位置(例如，形成有气体供给孔1700B的位置)处的背面遮断板170的内壁与旋转基座51A之间的距离短。
另外，背面遮断板170在比台阶部170A靠径向的外侧具备向间隙区域180供给气体(例如，作为惰性气体的N2)的气体供给部170D。
气体供给部170D具备：作为供给的气体的流路的环状的气体流路1700C；以及形成为从气体流路1700C向背面遮断板170的上面侧贯通且作为用于朝向基板W的下表面(背面)吹喷气体流路1700C中的气体的孔的气体供给孔1700D。此外，在图3中，从气体供给孔1700D吹喷的气体的吹喷方向是铅垂向上，但该方向例如也可以向径向的外侧倾斜。
另外，气体供给部170D例如以100L～500L/min供给作为惰性气体的N2。另外，气体供给孔1700D也可以沿背面遮断板170的周向设置多个，该情况下，例如以2mm～10mm间距配置。在此，气体供给部170D的动作由后述的控制部控制。
背面遮断板170例如由耐化学药品性高的聚偏二氟乙烯(PVDF)等构成。
另外，在背面遮断板170的下方设有与背面遮断板170同样地包围旋转基座51A的环状的加强环181。另外，在加强环181的下方设有与背面遮断板170同样地包围旋转基座51A的环状的基底环182。
加强环181及基底环182例如由聚醚醚酮(PEEK)等构成。
背面遮断板170具备连结螺纹部170E，连结螺纹部170E从背面遮断板170的上表面向下表面贯通，且连结背面遮断板170和加强环181(进一步地，基底环182)。
另外，在背面遮断板170的外缘部形成有檐部170F，檐部170F伸出至比位于背面遮断板170的下方的箱体171的上端靠径向的外侧，且覆盖箱体171的上端。
通过形成有檐部170F，能够抑制随着基板W的处理而产生的处理液的环境气体等直接从背面遮断板170的下方侵入。但是，存在有处理液的环境气体从檐部170F与箱体171的上端之间的间隙、进一步地，从在箱体171为了排出处理液等而设置的排出孔171A等向背面遮断板170的下方间接浸入的路径。
图4是概略性地表示本实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板170及其周边的结构的例的另一剖视图。
图4中示出了旋转卡盘51、背面遮断板170、箱体171、处理杯511、以及使背面遮断板170沿铅垂方向(即，图4中的Z方向)移动的移动部190。
移动部190具备：连接于加强环181及基底环182的连接部190A；连结于连接部190A的下方且能够沿Z方向移动的轴190B；以及包围轴190B且能够沿Z方向伸缩的弹簧190C。
轴190B通过未图示的步进马达等的驱动沿Z方向移动。由此，背面遮断板170能够沿Z方向移动，能够相对于基板W接近或远离。在此，轴190B的动作由后述的控制部控制。
图5是表示未配置基板W的状态的旋转卡盘51及背面遮断板170的例的立体图。
图5中示出了旋转卡盘51的上表面的旋转基座51A和包围旋转基座51A的环状的背面遮断板170。
图6是表示本实施方式相关的基板处理装置的连结螺纹部170E的结构的例的剖视图。图6是对应于图5的背面遮断板170的周向截面X－X’的剖视图。
如图6示例地，连结背面遮断板170和加强环181(进一步地，基底环182)的连结螺纹部170E经由加强环181及基底环182使背面遮断板170和移动部190连结。
连结螺纹部170E具备：通过拧紧使背面遮断板170和加强环181(进一步地，基底环182)互相靠近的调整螺纹件1701B、和通过按入在加强环181与基底环182之间形成间隙的调整螺纹件1701C；以及分别覆盖调整螺纹件1701B及调整螺纹件1701C的帽1701A。
根据上述结构，通过调整调整螺纹件1701B的按入情况和调整螺纹件1701C的紧固情况，即通过调整经由加强环181及基底环182连结的背面遮断板170与移动部190之间的距离(连结距离)，能够调整背面遮断板170的平面度，高精度地控制相对于基板W的距离(即，间隙区域180的宽度)。
如上述地，高精度地控制基板W与背面遮断板170之间的距离，由此在后述的药液处理或干燥处理等中能够使基板W和背面遮断板170在不接触的范围内高精度地接近，因此，能够抑制药液嵌到基板W的下表面，另外，提高基板W及背面遮断板170的干燥程度。
在此，间隙区域180的宽度例如为0.1mm以上且1.0mm以下。另外，针对因基板W的挠曲等引起的水平姿势，例如，假设为0.3mm以下。
图7是表示本实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板170的外缘部的结构的另一例的剖视图。
如图7示例地，也可以在背面遮断板170的外缘部设有朝向基板W的背面端部吐出清洗液的清洗液吐出部170G。清洗液吐出部170G可以在背面遮断板170的周向上设于多处。从未图示的清洗液供给源向清洗液吐出部170G供给清洗液。作为清洗液，可以使用DIW(去离子水)等。
图7的例中，清洗液吐出部170G位于比檐部170F靠径向的内侧且比气体供给孔1700D靠径向的外侧。另外，清洗液吐出部170G沿背面遮断板170的外侧的侧面设置，从清洗液吐出部170G吐出的清洗液沿着背面遮断板170的外侧的侧面到达基板W的背面端部。清洗液吐出部170G的动作由后述的控制部控制。
图8是表示本实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板170的外缘部的结构的另一例的立体图。
如图8示例地，清洗液吐出部170G设于檐部170F的上表面(倾斜面)，且沿背面遮断板170的外壁向铅垂上方向吐出清洗液。而且，清洗液吐出部170G主要清洗基板W的背面端部。
清洗液吐出部170G从φ0.5～2.0(直径0.5mm～2.0mm)的孔吐出清洗液。另外，清洗液吐出部170G也可以在背面遮断板170的外缘部沿周向配置多个，该情况下，例如，可以等间隔配置两处～八处。
图9是表示本实施方式相关的基板处理装置的背面遮断板170的外缘部的结构的另一例的剖视图。
如图9示例地，在背面遮断板170的外缘部可以设有用于测量基板W的下表面与背面遮断板170的上表面之间的距离的拍摄部200。拍摄部200例如为CMOS照相机。
拍摄部200从背面遮断板170的径向的外侧对旋转的基板W的侧视的形状和背面遮断板170的侧视的形状进行多次拍摄，然后在各自的机架上基于图像解析测量基板W的下表面与背面遮断板170的上表面之间的距离。于是，拍摄部200能够高精度地计算基板W与背面遮断板170可以接近的距离，以便在基板W的下表面与背面遮断板170的上表面之间的距离为最小的时刻使基板W的下表面和背面遮断板170的上表面不接触。另外，通过基板W的下表面与背面遮断板170的上表面之间的距离的变动幅度，可特定基板W的弯曲量。
此外，基板W的弯曲量也可以不论拍摄部200的拍摄结果如何，后述的通信部78都从外部的主机等取得。
图10是表示基板处理系统1的各要素与控制部7的连接关系的例的功能块图。
控制部7的硬件结构与通常的计算机相同。即，控制部7具备：进行各种运算处理的中央运算处理装置(central processing unit、即CPU)71；存储基本程序的作为读取专用的存储器的只读存储器(read only memory、即ROM)72；存储各种信息的作为自由读写的存储器的随机存取存储器(random access memory、即RAM)73；以及存储控制用应用(程序)或数据等的非易失性的存储部74。
CPU71、ROM72、RAM73以及存储部74通过总线配线75等互相连接。
控制应用或数据也可以以存储于非易失性的存储介质(例如，半导体存储器、光盘或磁盘等)的状态提供给控制部7。该情况下，只要从该存储介质读取控制应用或数据的读取装置连接于总线配线75即可。
另外，控制应用或数据也可以经由网络从服务器等提供给控制部7。该情况下，只要外部装置和进行网络通信的通信部连接于总线配线75即可。
在总线配线75连接有输入部76、显示部77以及通信部78。输入部76包括键盘及鼠标等各种输入设备。作业者经由输入部76向控制部7输入各种信息。显示部77由液晶监视器等显示设备构成，显示各种信息。通信部78与外部的主机等通信，受理移动部190的马达等的驱动量相关的信息等。
控制部7与各个基板处理装置的工作部(例如，药液阀56、循环阀58、冲洗液阀62、清洗液阀66、闸门50C、旋转马达51D、气体供给部170B、气体供给部170D、轴190B、清洗液吐出部170G以及拍摄部200等)、使搬送机构31驱动的驱动部(例如，用于搬送机构31的往复移动的马达等)、索引机器人23的工作部(例如，用于使多关节臂23B驱动的马达等)、搬送机器人33的工作部(例如，水平马达133C、转动马达133D以及铅垂马达133H等)连接，且控制它们的动作。
＜基板处理装置的动作＞
接下来，参照图11～图14，对本实施方式相关的基板处理装置的动作进行说明。在此，图11是表示本实施方式相关的基板处理系统的动作的流程图。另外，图12、图13以及图14是表示本实施方式相关的基板处理装置的处理工序的样子的例的图。
如图11示例地，首先，容纳于基板容纳器21的基板W经由索引机器人23、搬送机构31以及搬送机器人33搬入任一基板处理装置。然后，该基板W被保持于旋转卡盘51(图11的步骤ST1)。
然后，进行药液处理(图11的步骤ST2)。药液处理中，通过控制部7的控制从药液嘴52吐出药液，由此进行旋转的基板W的蚀刻处理等。例如，使用作为氟化氢(HF)与硝酸(HNO3)的混合液的硝酸氟进行基板W的蚀刻处理。
另外，如图12示例地，在药液处理中，通过控制部7的控制，移动部190使背面遮断板170升降，以使间隙区域180的Z方向的宽度在比台阶部170A靠径向的外侧(即，间隙区域180的Z方向的宽度最窄的部位)例如为0.1mm以上且1.0mm以下。另外，在药液处理中，通过控制部7的控制，旋转马达51D驱动，以使基板W例如以100rpm以上且2000rpm以下的转速旋转。
另外，在药液处理中，为了抑制药液蔓延到基板W的下表面(背面)，从气体供给孔1700B(参照图3及图4)向间隙区域180内以例如100L～500L/min供给氮气(N2)等惰性气体。此外，从气体供给孔1700B(参照图3及图4)供给的气体在吹喷到旋转基座51A后，一部分流入间隙区域180(图3及图4的上方向)，另一部分流入背面遮断板170的下方及箱体171内(图3及图4的下方向)。
在此，由于在比气体供给孔1700B靠近基板W的位置设有突起部170C，从气体供给孔1700B(参照图3及图4)供给的气体的流入间隙区域180的比例被抑制，相反地，流入背面遮断板170的下方及箱体171内的比例增大。
进一步地，从气体供给孔1700D还向间隙区域180内(尤其是基板W的背面端部)以例如100L～500L/min供给氮气(N2)等惰性气体。
药液处理时，从清洗液吐出部170G也能够吐出清洗液。由此，通过清洗液吐出部170G得到的来自基板W的下方的清洗液的液膜成为障壁，可抑制从基板W的上方蔓延的药液从基板W的背面端部向径向的内侧进入。
然后，进行清洗处理(图11的步骤ST3)。在清洗处理中，通过控制部7的控制从清洗液嘴64吐出清洗液，由此能够冲洗附着于基板W及背面遮断板170、以及处理杯511等的附着物等(参照图13)。清洗处理中，通过控制部7的控制，移动部190使背面遮断板170升降，以便间隙区域180的Z方向的宽度在比台阶部170A靠径向的外侧(即，间隙区域180的Z方向的宽度最窄的部位)比药液处理时的该宽度长，例如，为1.5mm～5mm。
从清洗液嘴64吐出的清洗液也蔓延到基板W的下表面(背面)侧，因此，向背面遮断板170也供给清洗液。
如图13示例地，在清洗处理中，清洗基板W及背面遮断板170。此时，能够从清洗液吐出部170G也吐出清洗液。由此，通过清洗液吐出部170G得到的来自基板W的下方的清洗液的液膜成为障壁，可抑制从基板W的上方蔓延的清洗液从基板W的背面端部向径向的内侧进入。另外，从清洗液吐出部170G也吐出清洗液，由此能够有效去除仅通过清洗液嘴64不能去除的基板W的下表面的药液等。
为了使从清洗液吐出部170G铅垂向上吐出的清洗液供给到基板W的背面端部，期望基板W的外缘伸出到比背面遮断板170的外缘靠径向的外侧。图13的例中，基板W的外缘比背面遮断板170的外缘例如向径向的外侧伸出0.5mm～3mm。
另外，在清洗处理中，从气体供给孔1700B(参照图3及图4)向间隙区域180内以例如100L～500L/min供给氮气(N2)等惰性气体。而且，从气体供给孔1700D也向间隙区域180内(尤其是基板W的背面端部)以例如100L～500L/mim供给氮气(N2)等惰性气体。
此外，在上述的清洗处理中，通过从清洗液嘴64吐出的清洗液进行清洗，但是也可以是，例如，在从冲洗液嘴60吐出冲洗液的冲洗处理中，通过向间隙区域180供给冲洗液，由此进行基板W及背面遮断板170的清洗。
然后，进行干燥处理(图11的步骤ST4)。干燥处理中，通过控制部7的控制使旋转基座51A旋转，由此使基板W及背面遮断板170干燥。
另外，如图14示例地，在干燥处理中，通过控制部7的控制，移动部190使背面遮断板170升降，以便间隙区域180的Z方向的宽度例如成为0.1mm以上且1.0mm以下。在该状态下，基板W的下表面和对置的背面遮断板170的上表面近接。
另外，在干燥处理中，从气体供给孔1700B(参照图3及图4)向间隙区域180内以例如100L～500L/min供给氮气(N2)等惰性气体。进一步地，从气体供给孔1700D也向间隙区域180内(尤其是基板W的背面端部)以例如100L～500L/min供给氮气(N2)等惰性气体。
在干燥处理中，附着于基板W及背面遮断板170的清洗液通过基板W的旋转而飞散。
具体而言，附着于基板W的上表面及下表面的清洗液受基板W旋转而产生的离心力，从基板W的外缘部向基板W的周围飞散。
另外，附着于基板W的下表面和背面遮断板170的上表面双方的清洗液(即，液滴的粒径比间隙区域180的Z方向的宽度大的清洗液)由于与基板W的下表面接触的一侧受基板W旋转而产生的离心力，因此向基板W的外缘部被推出，进一步地向基板W的周围飞散。
另外，仅附着于背面遮断板170的上表面的清洗液(即，液滴的粒径比间隙区域180的Z方向的宽度小的清洗液)由于基板W旋转而产生的朝向径向向外侧的环境气体(含有悬浮于间隙区域180的微细粒子)的流动(例如，周向的速度为20～60m/s)，向基板W的外缘部被推出，进一步地向基板W的周周围飞散。
在基板W的中央部，附着于基板W的下表面的清洗液及附着于背面遮断板170的上表面的清洗液主要被从气体供给孔1700B(参照图3及图4)供给的惰性气体向基板W的外缘部推出。
另一方面，在基板W的外缘部，基板W旋转而产生的离心力的作用变大，因此能够对从背面遮断板170的中央部供给的惰性气体的作用变弱进行补充。
在此，期望在该干燥处理中去除全部的清洗液，但并不限于必须去除全部的清洗液的情况。另外，如图14示例地，存在从清洗液吐出部170G吐出的清洗液残存于背面遮断板170的情况，但是，由于清洗液吐出部170G沿背面遮断板170的外侧面定位，因此容易残存清洗液的部位为背面遮断板170的外侧面。因此，即使在残存有清洗液的情况下，也难以对基板W的处理产生影响。
然后，将进行了处理的基板W从旋转卡盘51卸下，然后将基板W从基板处理装置搬出，结束动作(图11的步骤ST5)。此外，在搬出基板W时，通过移动部190使背面遮断板170移动，以使基板W的下表面与背面遮断板170的上表面之间的距离为例如7mm～15mm。
＜台阶部＞
如上述地，在药液处理、清洗处理以及干燥处理中，至少从气体供给孔1700B供给气体，由此气体从间隙区域180的径向的内侧朝向径向的外侧流动。
该情况下，通过形成于背面遮断板170的上表面的台阶部170A，比台阶部170A靠径向的外侧的间隙区域180比更靠径向的内侧的间隙区域180Z方向的宽度窄。
于是，从气体供给孔1700B供给的气体在台阶部170A的径向的内侧，压力均匀，而且，以压力均匀的状态向台阶部170A的径向的外侧排出。因此，能够通过压力均匀的气体的排出有效地抑制处理液的蔓延(例如，药液、清洗液、成为环境气体的处理液、或者反弹到处理杯511的处理液等)。另外，也能够有效地进行附着于基板W及背面遮断板170的处理液的除去(主要是干燥处理)。
＜台阶部的变形例＞
图15是概略性地表示背面遮断板的台阶部的变形例的剖视图。
如图15示例地，背面遮断板170X具备多个台阶部172。台阶部172沿背面遮断板170X的周向形成。在形成有台阶部172的部分，相比靠径向的内侧，靠径向的外侧的间隙区域180更窄。
在形成有台阶部172的部位，气体在台阶部172的径向的内侧被挡住而产生压力损失，由此压力均匀，而且，以压力均匀的状态，气体向台阶部172的径向的外侧排出。因此，通过压力均匀的气体的排出，能够抑制处理液相对于基板W的下表面的蔓延。
图16是概略性地表示背面遮断板的台阶部的另一变形例的剖视图。
如图16示例地，背面遮断板170Y具备多个台阶部173。台阶部173沿背面遮断板170Y的周向形成。通过形成为阶梯状的多个台阶部173，相比径向的内侧，径向的外侧的间隙区域180变窄。
通过形成有台阶部173，气体在径向的内侧被挡住，产生压力损失，由此压力均匀，进一步地，以压力均匀的状态，气体向径向的外侧排出。因此，通过压力均匀的气体的排出，能够抑制处理液相对于基板W的下表面的蔓延。
此外，形成于背面遮断板的上表面且使间隙区域180的宽度缩窄的形状不限于上述的台阶部，例如，也可以是从径向的内侧朝向径向的外侧逐渐使间隙区域180的宽度缩窄的倾斜形状。
＜根据以上记载的实施方式产生的效果＞
接下来，表示根据以上记载的实施方式产生的效果的例。此外，在以下的说明中，基于以上记载的实施方式示例的具体的结构记载该效果，但也可以在产生同样的效果的范围内，置换成本申请说明书示例的其它具体的结构。
根据以上记载的实施方式，基板处理装置具备保持部、旋转驱动部、以及对置板。在此，保持部例如对应于旋转基座51A。另外，旋转驱动部例如对应于旋转马达51D。另外，对置板例如对应于背面遮断板170。旋转基座51A可旋转地保持基板W。旋转马达51D使旋转基座51A旋转。背面遮断板170在俯视下包围旋转基座51A。另外，背面遮断板170与基板W对置配置。另外，背面遮断板170具备第一气体供给部和至少一个位移部。在此，第一气体供给部例如对应于气体供给部170B。另外，位移部例如对应于台阶部170A。气体供给部170B设于径向的内侧，且至少向基板W与背面遮断板170之间供给气体。台阶部170A设于与比气体供给部170B靠径向的外侧的基板W对置的面。另外，就台阶部170A而言，相比径向的内侧，径向的外侧的与基板W之间的距离更短。
根据这样的结构，从气体供给孔1700B供给的气体在台阶部170A的径向的内侧被挡住而产生压力损失，由此压力变得均匀，进一步地，以压力均匀的状态向台阶部170A的径向的外侧排出。因此，通过压力均匀的气体的排出，能够有效抑制处理液相当于基板W的下表面的蔓延。另外，也能够有效地进行附着于基板W及背面遮断板170的处理液的去除(主要是干燥处理)。
此外，即使在对上述的结构适当追加了本申请说明书示例的其它结构的情况下，即，即使在适当追加了作为上述的结构未提及的本申请说明书中的其它结构的情况下，也能够产生同样地效果。
另外，根据以上记载的实施方式，背面遮断板170在比台阶部170A靠径向的外侧具备用于向基板W与背面遮断板170之间供给气体的第二气体供给部。在此，第二气体供给部例如对应于气体供给部170D。根据这样的结构，即使在由于构成背面遮断板170的材料(树脂等)的工作精度而气体的压力的均匀性不充分的情况下，通过从气体供给孔1700D辅助性地供给气体，也能够补充气体的压力的均匀性。
另外，根据以上记载的实施方式，台阶部172或台阶部173沿背面遮断板170的径向设有多个。根据这样的结构，在径向的多个部位产生临时的气体的阻挡，因此从间隙区域180排出的气体的压力的均匀性提高。
另外，根据以上记载的实施方式，台阶部170A、台阶部172或者台阶部173为沿背面遮断板170的周向延伸的台阶形状。根据这样的结构，能够在背面遮断板170的周向整体实现压力均匀的气体的排出。
另外，根据以上记载的实施方式，气体供给部170B朝向旋转基座51A供给气体。根据这样的结构，从气体供给孔1700B吹喷到旋转基座51A的气体的一部分流入间隙区域180，另一部分流入背面遮断板170的下方及箱体171内。因此，除了能够抑制处理液等进入间隙区域180，还能够抑制处理液等进入背面遮断板170的下方及箱体171内。
另外，根据以上记载的实施方式，气体供给部170B设于背面遮断板170的径向的内侧的侧面。而且，背面遮断板170具备突起部170C，突起部170C设于径向的内侧的侧面，且相比气体供给部170B，更靠近基板W。根据这样的结构，从气体供给孔1700B流入背面遮断板170的下方及箱体171内的比例增大，因此，能够抑制处理液(例如，药液、清洗液、成为环境气体的处理液、或者反弹到处理杯511的处理液等)进入背面遮断板170的下方及箱体171内。另外，通过突起部170C，气体也被临时挡住，在该部位压力变得均匀，因此，能够提高流向间隙区域180的气体的压力的均匀性。
另外，根据以上记载的实施方式，基板处理装置具备移动部190和控制部7。移动部190连接于背面遮断板170，且使背面遮断板170相对于基板W接近或远离。控制部7控制移动部190的动作。根据这样的结构，能够与基板处理的内容对应地改变基板W与背面遮断板170之间的距离，因此能够在各个处理中实现有效的间隙区域180的宽度。
另外，根据以上记载的实施方式，基板处理装置具备用于调整移动部190与背面遮断板170之间的连结距离的调整部。在此，调整部例如对应于调整螺纹件1701B或调整螺纹件1701C。根据这样的结构，通过调整调整螺纹件1701B的推入情况和调整螺纹件1701C的紧固情况，能够一边考虑因自重或风压而引起的间隙区域180的变化，一边控制背面遮断板170与基板W之间的距离(即，间隙区域180的宽度)。
另外，根据以上记载的实施方式，基板处理装置具备用于拍摄基板W的拍摄部200。而且，控制部7基于通过拍摄部200拍摄出的图像中的基板W的侧视下的形状控制移动部190的动作。根据这样的结构，能够使用拍摄出的图像高精度地控制基板W的下表面与背面遮断板170的上表面之间的距离。
另外，根据以上记载的实施方式，基板处理装置具备：用于对基板W供给药液的药液供给部；以及用于对基板W供给清洗液的清洗液供给部。在此，药液供给部例如对应于药液嘴52。另外，清洗液供给部例如对应于清洗液嘴64。而且，控制部7控制移动部190的动作，以使从清洗液嘴64供给清洗液的期间的背面遮断板170与基板W之间的距离比从药液嘴52供给药液的期间的背面遮断板170与基板W之间的距离更长。根据这样的结构，能够抑制药液向基板W的下表面的蔓延，而且能够确保清洗液清洗基板W的下表面的范围大。
另外，根据以上记载的实施方式，基板处理装置的背面遮断板170具备沿径向的外侧的侧面设置且用于向基板W的端部吐出清洗液的端部清洗液吐出部。在此，端部清洗液吐出部例如对应于清洗液吐出部170G。根据这样的结构，通过清洗液吐出部170G得到的来自基板W的下方的清洗液的液膜成为障壁，可抑制从基板W的上方蔓延的处理液(药液或清洗液等)从基板W的背面端部向径向的内侧进入。另外，通过从清洗液吐出部170G也吐出清洗液，能够有效去除仅清洗液嘴64不能去除的基板W的下表面的药液等。另外，清洗液吐出部170G位于背面遮断板170的外侧面，因此容易残存清洗液的部位为背面遮断板170的外侧面。因此，即使在残存有清洗液的情况下，也难以对基板W的处理产生影响。
＜以上记载的实施方式的变形例＞
以上记载的实施方式中，有时也记载了各个结构要素的材质、材料、尺寸、形状、相对的配置关系或者实施的条件等，但是这些在全部的方面中只是一个例子，并不限于本申请说明书记载的内容。
因此，在本申请说明书公开的技术范围内可以想定未示例的无数的变形例及等效体。例如，包括至少对一个结构要素进行变形的情况、进行追加的情况，或者进行省略的情况。
另外，在以上记载的实施方式中，未特别指定地记载了材料名称等的情况是指只要不产生矛盾，就在该材料含有其它添加物、例如含有合金等。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
保持部，其用于能够旋转地保持基板；
旋转驱动部，其用于使上述保持部旋转；以及
对置板，其在俯视下包围上述保持部且与上述基板对置，
上述对置板具备：
第一气体供给部，其设于径向内侧，且用于至少向上述基板与上述对置板之间供给气体；以及
至少一个位移部，其设于比上述第一气体供给部靠径向外侧的与上述基板对置的面，且与径向内侧相比，径向外侧的与上述基板之间的距离短。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述对置板在比上述位移部靠径向的外侧还具备第二气体供给部，该第二气体供给部用于向上述基板与上述对置板之间供给气体。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述对置板的径向上设有多个上述位移部。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述位移部呈在上述对置板的周向上延伸的台阶形状。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一气体供给部朝向上述保持部供给上述气体。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一气体供给部设于上述对置板的径向内侧的侧面，
上述对置板还具备突起部，该突起部设于径向内侧的侧面且比上述第一气体供给部靠近上述基板。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：
移动部，其连结于上述对置板，且用于使上述对置板相对于上述基板接近或远离；以及
控制部，其用于控制上述移动部的动作。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备调整部，该调整部用于调整上述移动部与上述对置板之间的连结距离。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备拍摄部，该拍摄部用于拍摄上述基板，
上述控制部基于由上述拍摄部拍摄的图像中的上述基板的侧视下的形状，来控制上述移动部的动作。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：
药液供给部，其用于对上述基板供给药液；以及
清洗液供给部，其用于对上述基板供给清洗液，
上述控制部控制上述移动部的动作，以便由上述清洗液供给部供给上述清洗液的期间的上述对置板与上述基板之间的距离比由上述药液供给部供给上述药液的期间的上述对置板与上述基板之间的距离长。
11.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述对置板还具备端部清洗液吐出部，该端部清洗液吐出部沿径向外侧的侧面设置，且用于向上述基板的端部吐出清洗液。
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