JP6453168B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
第7の態様に係る基板処理装置は、第1から第6の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路は前記ヒーターを上面から透視したときに少なくとも前記発熱体の下方に配設されている。
第8の態様に係る基板処理装置は、第1から第7の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路は、前記ヒーターの上面から透視したときに少なくとも1回折り返されて配設されている。
第9の態様に係る基板処理装置は、第1から第8の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記ヒーターを上面から透視したときに、前記加熱用流路は前記ヒーターの内周面の周りを周方向に略一周した後、前記発熱体に沿った面内で前記ヒーターの外周面側に折り返されて、前記ヒーターを逆向きに略一周する配設を繰り返されている。
第10の態様に係る基板処理装置は、第1から第9の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路の長手方向における略中央部分に前記不活性ガスの導入孔が設けられている。
第11の態様に係る基板処理装置は、第1から第10の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱用流路は、前記基板側の天井面と、前記天井面に向かい合う底面と、前記天井面と前記底面とを繋ぐ一対の側面とを含む。
<1.基板処理装置1の構成>
基板処理装置1の構成について、図1〜図4を参照しながら説明する。図1〜図3は、実施形態に係る基板処理装置1の構成を説明するための図である。図1、図2は、基板処理装置1の側面模式図、上面模式図である。図3は、基板処理装置1を斜め上方からみた概略斜視図である。図4は、基板処理装置1が吐出する処理液の液流と、不活性ガスのガス流とが基板Wの周縁部に当たる各位置の位置関係の一例を示す基板Wの上面模式図である。
回転保持機構2は、基板Wを、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持しつつ回転可能な機構である。回転保持機構2は、基板Wを、主面の中心c1を通る鉛直な回転軸a1のまわりで回転させる。
飛散防止部3は、スピンチャック21とともに回転される基板Wから飛散する処理液等を受け止める。
表面保護部4は、スピンチャック21上に保持されて回転している基板Wの上面の周縁部に当たるように不活性ガスのガス流を吐出するガス吐出機構(「周縁部用ガス吐出機構」とも、「ガス吐出部」とも称される)44Aを備える。「不活性ガス」は、基板Wの材質およびその表面に形成された薄膜との反応性に乏しいガスであり、例えば、窒素(N2)ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどである。ガス吐出機構44Aは、ガス吐出機構441、442を備えて構成されている。ガス吐出機構441、442は、不活性ガスを、例えば、ガス柱状のガス流G1、G2として吐出する。ガス吐出機構442は、ガス吐出機構441が吐出するガス流G1が基板Wの周縁部に当たる位置(「第1位置」)P1よりも基板Wの回転方向の上流側の位置(「第2位置」)P2に当たるように不活性ガスのガス流G2を吐出する。
処理部5は、スピンチャック21上に保持された基板Wの上面周縁部における処理領域S3に対する処理を行う。具体的には、処理部5は、スピンチャック21上に保持された基板Wの処理領域S3に処理液を供給する。
ノズル移動機構6は、ガス吐出機構44A、443および処理液吐出機構83Aのノズルヘッド48〜50をそれぞれの処理位置と退避位置との間で移動させる機構である。
基板Wの下面周縁部の下方には、加熱機構7が設けられている。加熱機構7は、基板Wの下面周縁部に沿って基板Wの周方向に延在する環状のヒーター71と、ガス吐出機構(「遮断用ガス吐出機構」)444と、ヒーター71への電力の供給を制御部130の制御に従って行う図示省略の電気回路を備える。
図10は、ヒーター71と基板の間に吐出される不活性ガスのガス流G4の一例を示す図である。ヒーター71は、発熱体73の発熱によって対向面S7から基板Wの下面に熱線H1を放射して基板Wを加熱する。ガス吐出機構444が供給する不活性ガスは、加熱用流路74に導入され、加熱用流路74を流れる過程で発熱体73によって予め加熱される。加熱されたガスは、貫通孔76、77を通って、吐出口78、79から不活性ガスのガス流G4として空間V1に吐出される。
図12は、基板処理装置1が処理液によって基板を処理する動作の一例を示すフローチャートである。図12を参照しつつ、以下に基板処理装置1の動作を説明する。図12に示される動作の開始に先立って、基板Wは、基板処理装置1に搬入されてスピンチャック21によって保持されている。また、ノズルヘッド48〜50は、ノズル移動機構6によって処理位置に配置されており、スプラッシュガード31は、ガード駆動機構32によって上方位置に配置されている。
21 スピンチャック(基板保持部)
41,42 ノズル
51a〜51d ノズル
48〜50 ノズルヘッド
231 回転機構
83 処理液供給部
83A 処理液吐出機構(薬液吐出部)
44A ガス吐出機構
441、442、443 ガス吐出機構
444 ガス吐出機構(ガス吐出部)
71 ヒーター
73 発熱体
S3 処理領域
S4 非処理領域
P1 位置
P2 位置
PL 位置
G1〜G4 不活性ガスのガス流
L1 処理液の液流
130 制御部
W 基板
Claims (11)
- 基板を略水平に保持し、所定の回転軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、
前記基板保持部を前記回転軸周りに回転させる回転機構と、
前記基板の処理面に薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板の処理面とは反対側の面と非接触で対向する対向面を備え、前記基板を加熱するヒーターと、
前記基板の前記反対側の面と、前記ヒーターの前記対向面との間の空間に予め加熱された不活性ガスを吐出するガス吐出機構と、
を備え、
前記ヒーターは、前記対向面に沿って環状の帯状に延在する発熱体と、該発熱体と接合されて前記対向面を有する上部材とを備えるとともに、前記発熱体から前記上部材への伝熱によって前記対向面から前記基板の前記反対側の面に熱線を放射して前記基板を加熱し、
前記ガス吐出機構は、前記不活性ガスを供給する流路として前記発熱体に沿って配設された加熱用流路を有し、
前記加熱用流路の幅が前記発熱体の帯幅より狭い、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記ヒーターは前記基板の周縁部に沿って環状の帯状に設けられ、
前記基板保持部は、ポンプに接続され、前記ポンプが負圧を供給すると、前記基板の処理面とは反対側の面の下方中央部を吸着することで前記基板を保持する、基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記ガス吐出機構は、
前記加熱用流路を流れるときに前記ヒーターによって加熱された前記不活性ガスを前記空間に吐出する、基板処理装置。 - 請求項1から請求項3の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は、前記発熱体に沿って二次元的に配設されている基板処理装置。 - 請求項1から請求項4の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は、前記発熱体に対して前記基板と反対側に配設されている、基板処理装置。 - 請求項1から請求項5の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記ガス吐出機構は、
前記ヒーターの外周縁部と、前記ヒーターの内周縁部とにそれぞれ設けられた吐出口を備えており、前記不活性ガスを当該各吐出口から前記空間に吐出する、基板処理装置。 - 請求項1から請求項6の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は前記ヒーターを上面から透視したときに少なくとも前記発熱体の下方に配設されている、基板処理装置。 - 請求項1から請求項7の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は前記ヒーターの上面から透視したときに少なくとも1回折り返されて配設されている、基板処理装置。 - 請求項1から請求項8の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記ヒーターを上面から透視したときに、前記加熱用流路は前記ヒーターの内周面の周りを周方向に略一周した後、前記発熱体に沿った面内で前記ヒーターの外周面側に折り返されて、前記ヒーターを逆向きに略一周する配設を繰り返されている、基板処理装置。 - 請求項1から請求項9の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路の長手方向における略中央部分に前記不活性ガスの導入孔が設けられている、基板処理装置。 - 請求項1から請求項10の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱用流路は、前記基板側の天井面と、前記天井面に向かい合う底面と、前記天井面と前記底面とを繋ぐ一対の側面とを含む、基板処理装置。
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