JP3963817B2

JP3963817B2 - 基板処理装置および基板処理システム

Info

Publication number: JP3963817B2
Application number: JP2002312092A
Authority: JP
Inventors: 雅伸佐藤; 健也森西
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-10-28
Filing date: 2002-10-28
Publication date: 2007-08-22
Anticipated expiration: 2022-10-28
Also published as: JP2004146708A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置および該装置を装備する基板処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の基板処理装置として、例えば基板が載置される回転台の表面から少し浮かせた状態で基板を水平保持し、その基板の両主面のうち上方を向いた一方主面（上面）にフォトレジスト液、洗浄液、リンス液、エッチング液などの処理液を供給して上面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置が知られている。この基板処理装置では、基板が載置される回転台の上に複数個の基板支持ピンを立設し、これらの基板支持ピンで基板の端縁を位置決め保持している（例えば、特許文献１参照）。そして、処理液の供給を受けた基板を回転させることで、その処理液が上面全体に広がり均一な表面処理が実行される。このように従来装置では、基板が回転台の表面から少し浮いた状態で保持されるので、基板が回転台に当接して載置された場合に生じる基板の他方主面（下面）の損傷や汚染を避けることができる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３３００３９号公報（第４頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、特許文献１に記載の装置では、基板支持ピンにより基板を回転台の表面から浮かした状態で支持し、この基板支持位置で基板に対して所定の表面処理（基板処理）を施している。つまり、回転台から上方に離れた基板支持位置に基板を位置決めし、表面処理を施している。そして、搬送アーム等が基板支持ピンに対して基板を載置したり、逆に基板支持ピンに支持されている基板を受け取っている。より具体的に説明すると、基板処理位置の基板と回転台との間に形成される空間に搬送アームを挿入して基板の搬入／搬出を行う。このため、搬送アームを侵入させるために、基板と回転台との間の空間を搬送アームの上下方向の高さよりも大きなものにする必要がある。その結果、次のような問題が生じてしまう。すなわち、基板と回転台との間隔が比較的広くなると、基板処理中に飛散した処理液のミストが基板の他方主面（下面）に回り込んで付着し、基板の他方主面が汚染されるという問題が生じる。
【０００５】
ここで、基板の他方主面へのミスト付着を防止するために、回転台に配設されている基板支持ピンの高さを低くして基板と回転台との隙間を極力狭くすることも考えられる。しかしながら、この場合、回転台と基板の他方主面で形成される空間内に、基板を保持した搬送アームを進入させて、基板を基板支持ピン上に渡すという、普及した基板の搬送機構を採用することが難しくなり、基板の搬送機構に特殊なものを要するという制約条件が発生して基板処理装置の汎用性を低下させてしまう。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、優れた汎用性を有し、しかも基板を所望の基板処理位置に位置決めしながら、該基板に対して所定の基板処理を施すことができる基板処理装置および基板処理システムを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、所定の基板処理位置に略水平状態で位置決め支持された基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、その先端部が基板の周縁部と係合可能に仕上げられるとともに、前記基板処理位置での基板の周縁部に対応して上下方向に昇降自在に設けられた基板移動部材と、前記基板移動部材を上下方向に昇降駆動することで前記基板移動部材の先端部を前記基板処理位置の上方に設けられた基板受渡し位置と、前記基板処理位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動機構と、スピンベースと、前記基板処理位置で前記基板を前記スピンベースから浮かした状態で略水平状態で支持する基板支持手段とを備え、前記昇降駆動機構は、前記基板受渡し位置に位置決めされた前記基板移動部材の先端部で前記基板を受け取ると、前記基板移動部材の先端部を前記基板と係合させたまま前記基板処理位置に移動して位置決めさせることで前記基板支持手段に前記基板を載置した後、前記基板移動部材の先端部を前記基板処理位置の下方の退避位置に移動させることを特徴としている。
【０００８】
このように構成された発明では、基板処理位置の上方に設けられた基板受渡し位置で基板の受け取りが行われる。そして、その先端部を基板の周縁部に係合させた状態で基板移動部材が基板処理位置に移動して該基板が基板処理位置に位置決めされる。これによって、基板が基板支持手段に載置され、基板処理位置で基板が基板支持手段によりスピンベースから浮かした状態で略水平状態で支持される。このように、基板の他方主面と接触することなく、基板移動部材が基板を基板処理位置に位置決めしており、基板の他方主面が汚染されるのが防止される。また、従来装置のように基板を基板処理位置に直接位置決めするのではなく、基板の受渡し位置で基板を受け取った後で基板処理位置に位置決めするようにしている。したがって、基板処理位置による制約を受けることなく、例えば基板の他方主面側の空間が非常に狭くなっていたとしても、基板の受渡しを実行することが可能となる。また、基板が基板支持手段に載置された後、基板移動部材の先端部が基板処理位置の下方の退避位置に移動されるので、基板移動部材が基板処理時に使用される処理液に触れるのを防止することができる。
【０００９】
ここで、スピンベースの上面に基板移動部材の移動経路と干渉しないように設けられ、基板支持手段に支持された基板の他方主面に対向させながら基板から離間配置された雰囲気遮断部材をさらに備えるようにしてもよい。この構成によれば、雰囲気遮断部材により基板の他方主面を基板の周囲、つまりミスト飛散雰囲気から遮断することができ、基板処理中に発生したミストが基板の他方主面側に侵入するのを防止することができる。しかも、基板受渡し位置で基板を受け取った後に基板処理位置に位置決めするようにしているので、雰囲気遮断部材を設けたために基板の他方主面側の空間が狭くなったとしても、基板の受渡しを実行することが可能となる。
【００１０】
また、処理液が基板周辺に飛散して基板移動部材や昇降駆動機構に付着するのを防止するためには、分離手段を設けるのが望ましい。この分離手段は、基板支持手段により支持された前記基板の一方主面に処理液を供給して前記基板処理を施す処理空間と、前記退避位置に移動した前記基板移動部材と前記昇降駆動機構とが配置されている機構空間とを分離するものである。そして、基板移動部材の先端部が前記退避位置に位置決めされた状態で前記基板処理を実行するように構成すると、その基板処理により処理液が処理空間内で飛散したとしても、その飛散物が機構空間に及ぶのが阻止されて基板移動部材および昇降駆動機構の汚染を確実に防止することができる。
【００１１】
その分離手段としては、例えば前記基板処理位置に位置決めされた前記基板を取り囲むように配置されるとともに、その一部に前記基板移動部材の昇降移動のための通過孔が設けられたカップ部と、前記通過孔を開閉するシャッターとで構成することができる。そして、前記基板移動部材の先端部が前記通過孔を前記退避位置側に通過した後に前記シャッターを閉じることによって、前記処理空間と前記機構空間とを確実に分離することができる。
【００１２】
また、この発明にかかる基板処理システムは、上記目的を達成するため、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、処理ユニットに対して基板を搬送する搬送ユニットとを備えている。これによって基板処理位置を適正化することで基板の他方主面へのミスト付着を効果的に防止しながら、基板の一方主面に対して処理液による基板処理を確実に実行することができる。
【００１３】
さらに、基板を反転させる反転ユニットをさらに備えると、必要に応じて基板を反転位置決めすることができ、基板処理システムの汎用性を高めることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図２は、図１の基板処理装置を上方から見た部分平面図である。この基板処理装置では、半導体ウエハなどの基板Ｓの両主面のうち一方主面Ｓ1に対して純水や薬液などのリンス液が本発明の「処理液」として供給されて一方主面Ｓ1についてリンス処理が施される一方、他方主面Ｓ2についてはリンス処理中に発生するミストが付着するのを以下のようにして防止している。すなわち、この基板処理装置は、基板Ｓの一方主面Ｓ1のみに対して本発明の「基板処理」としてリンス処理を実行する装置である。
【００１５】
この基板処理装置は、基板Ｓよりも若干大きな平面サイズを有するスピンベース１を有している。このスピンベース１の上面には、基板Ｓよりも若干小さな平面サイズを有する雰囲気遮断部材２が固着されている。また、この雰囲気遮断部材２の周縁には、図２に示すように、８個の支持ピン３がほぼ等角度間隔で配置されている。そして、各支持ピン３が基板Ｓの端部と当接可能となっており、これら８個の支持ピン３によって基板Ｓを一方主面Ｓ1を上方に向けた状態で、かつ略水平状態で支持される。このように、この実施形態では、８個の支持ピン３が本発明の「基板支持手段」として機能しているが、基板支持手段の構成はこれに限定されるものではなく、基板をスピンベースから少し浮いた状態で支持するものであれば、如何なる構成のものを採用してもよい。なお、雰囲気遮断部材２と支持ピン３との構成および特徴点などについては後で詳述する。
【００１６】
また、支持ピン３により支持された基板Ｓが水平方向に移動するのを防止するために、４つの保持部材４ａ〜４ｄがスピンベース１の周縁に設けられている。これら４つの保持部材４ａ〜４ｄのうち保持部材４ａ、４ｂは基板Ｓと当接して保持する保持ピン４１Ａが固定された固定保持部材であるのに対し、保持部材４ｃ、４ｄは保持ピン４１Ｂが可動する可動保持部材である。
【００１７】
図３は保持部材の構成を示す図である。固定保持部材４ａ、４ｂでは、同図（ａ）に示すように、スピンベース１に対してウエイト４２が固定されるとともに、そのウエイト４２の上面に固定ピンホルダ４３が取り付けられている。そして、その固定ピンホルダ４３により固定保持ピン４１Ａが固定的に保持されている。
【００１８】
一方、可動保持部材４ｃ、４ｄでは、同図（ｂ）に示すように、スピンベース１に対してシャフト４４が軸受４５により回動軸心４６回りに回動自在に軸支されている。また、このシャフト４４の上端部に可動ピンホルダ４７が取り付けられるとともに、この可動ピンホルダ４７に可動保持ピン４１Ｂが回動軸心４６から偏心して取り付けられている。このため、装置全体を制御する制御ユニット（図示省略）からの動作信号に応じてマグネット４８が作動すると、このマグネット４８の電磁力を受けてシャフト４４と可動ピンホルダ４７が回動軸心４６回りに回動駆動される。その結果、保持ピン４１が回動軸心４６に対して偏心移動して基板Ｓの端面に対して離当接する。なお、同図（ｂ）は可動保持ピン４１Ｂが離間した状態を示しており、この状態で支持ピン３に対する基板Ｓの搬入出を行う。そして、基板Ｓが支持ピン３に載置された後、マグネット４８の作動により可動保持ピン４１Ｂを偏心移動させることで基板Ｓの側面と当接する基板保持位置まで位置決めする。これによって、可動保持ピン４１Ｂは基板Ｓを固定保持ピン４１Ａとで挟み込んで水平方向に保持する。このように、この実施形態では、８つの支持ピン３で基板Ｓを略水平状態に支持するとともに、４つの保持ピン４１Ａ、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｂで基板Ｓの水平方向の移動を規制している。
【００１９】
また、スピンベース１には、図１に示すように、本発明の「回転手段」に相当するモータ５１の出力回転軸５２が連結されており、モータ５１の作動に伴って回転する。これによって、スピンベース１の上方で支持ピン３および保持ピン４１Ａ、４１Ｂにより保持されている基板Ｓはスピンベース１および雰囲気遮断部材２とともに回転軸心１１回りに回転する。
【００２０】
こうして回転駆動される基板Ｓの一方主面Ｓ1に対してリンス液を供給すべく、リンス液供給ノズル６が雰囲気遮断部材２の斜め上方位置に配置されている。このリンス液供給ノズル６には、図示を省略するリンス液圧送ユニットが接続されている。そして、後述するようなタイミングでリンス液圧送ユニットからリンス液が圧送されてくると、リンス液供給ノズル６から支持ピン３により支持された基板Ｓの一方主面Ｓ1に向けて吐出される。また、こうしてリンス液が供給された基板Ｓを回転駆動すると、リンス液が遠心力により基板Ｓの一方主面Ｓ1の全体に広がり、リンス処理が実行される。このとき、基板Ｓから振り切られる液体を回収するために、スピンベース１を取り囲むようにカップ部７が設けられている。ここでは、基板Ｓからリンス液を振り切るためには、基板Ｓの回転数を下限回転数よりも高く設定する必要があり、この実施形態では基板Ｓたる半導体ウエハとリンス液たる純水との濡れ性を考慮して基板Ｓの回転数を３００ｒｐｍ以上に設定している。なお、「下限回転数」とは基板から処理液を振り切るために要する最低限の回転数を意味しており、基板の大きさや、基板の一方主面と処理液との濡れ性などに基づき定まる値である。
【００２１】
また、この実施形態では、支持ピン３により基板Ｓを支持しているため、基板Ｓと雰囲気遮断部材２との間隔が狭くなっている。このため、その隙間に搬送ロボットのアームなどを挿入することができないという制約が存在しているが、この実施形態ではリフト機構８を設け、以下の基板搬送を行うように構成することにより上記制約にかかわらず基板を基板支持ピン３により支持して基板処理を実行可能としている。すなわち、そのリフト機構８は、
・未処理基板Ｓの搬送ロボットからの受け取り、
・受け取った未処理基板Ｓの支持ピン３への載置、
・リンス処理を受けた処理済基板Ｓの支持ピン３からの受け取り、
・受け取った処理済基板Ｓの搬送ロボットへの引渡し
を行う。この実施形態では、リフト機構８は、上下方向に延びる６本のリフタピンスタンド８１と、各リフタピンスタンド８１の上端部（先端部）に取り付けられた支持部８２と、それらのリフタピンスタンド８１の下端側でリフタピンスタンド８１を相互に連結する連結プレート８３と、連結プレート８３を上下方向に移動させるエアシリンダなどのアクチュエータ８４とを備えている。このようにリフタピンスタンド８１、支持部８２および連結プレート８３により本発明の「基板移動部材」が構成されており、基板Ｓの周縁部と係合しながら上下方向に昇降可能となっている。また、アクチュエータ８４がその基板移動部材を上下に昇降駆動する「昇降駆動機構」として機能している。
【００２２】
そして、制御ユニットからの動作指令に応じてアクチュエータ８４が作動するのに応じて連結プレート８３が上方に移動すると、６本のリフタピンスタンド８１が一体的に上昇する。ここで、支持部８２が基板処理を行う基板処理位置Ｐ83の下方側から上昇し、その基板処理位置Ｐ83まで移動してくると、支持ピン３に支持されている基板Ｓの周縁部と係合する。そして、さらに支持部８２が支持ピン３よりも高い位置まで移動すると、支持ピン３から基板Ｓを受け取る。このとき、支持部８２は支持ピン３に代わり基板Ｓの周縁部を支持する。また、その上限位置まで移動すると、図１に示すように、支持部８２が処理済基板Ｓを保持したまま、雰囲気遮断部材２から上方に離れた基板受渡し位置Ｐ81まで移動し、搬送ロボットに処理済基板Ｓの引渡しが可能となる。
【００２３】
また、この基板受渡し位置Ｐ81では、搬送ロボットから未処理基板Ｓを受け取ることが可能となっている。そして、未処理基板Ｓを受け取った後、制御ユニットからの動作指令に応じてアクチュエータ８４が逆方向に作動するのに応じて連結プレート８３が下方に移動すると、６本のリフタピンスタンド８１が一体的に下降する。ここで、支持部８２が基板処理位置Ｐ83よりも低い位置まで移動すると、支持ピン３に未処理基板Ｓが載置される。また、その下限位置（退避位置）Ｐ82まで移動すると、カップ部７よりも低い位置に収まり、リンス処理が可能となる。
【００２４】
この実施形態では、リフタピンスタンド８１および支持部８２がカップ部７と干渉するのを防止するために、カップ部７にはリフタピンスタンド８１および支持部８２が通過するための通過孔７１が設けられている。これに対応して通過孔７１の開閉を制御するシャッター８５が設けられている。すなわち、各通過孔７１の近傍にシャッター８５がカップ部７に対して回動軸心８６回りに回動自在に軸支されている。そして、図示を省略するシャッター用アクチュエータの作動に連動してシャッター８５が制御ユニットにより開閉制御される。このため、リンス処理中では、リフタピンスタンド８１および支持部８２がカップ部７よりも低い位置に収まるとともに、各通過孔７１はシャッター８５で塞がれて、カップ部７の内部雰囲気がリフト機構８に流れ込むのを確実に防止することができる。すなわち、カップ部７が基板処理位置Ｐ83に位置決めされた基板Ｓを取り囲むように配置されており、しかもカップ７部に形成された通過孔７１をシャッターが塞ぐことによって、基板処理としてのリンス処理が行われる処理空間ＴＲと、リフト機構８が配置された機構空間ＭＲとが分離されている。したがって、カップ部７で発生したミストなどが機構空間ＭＲに侵入してリフト機構８を汚染するのを確実に防止することができる。このように、本実施形態では、カップ部７とシャッター８５とが本発明の「分離手段」として機能している。ここで、シャッター８５を開閉駆動するシャッター用アクチュエータとしては、エアシリンダ、ソレノイド、モータなどを用いていることができる。
【００２５】
さらに、この実施形態では、昇降機構９が設けられてカップ部７およびリフト機構８を一体的に昇降可能となっている。この昇降機構９は、リフト機構８のアクチュエータ８４とカップ部７とに連結された昇降テーブル９１を有している。また、この昇降テーブル９１には、複数本のエアシリンダなどのアクチュエータ９２が接続されている。このため、制御ユニットからの昇降指令に応じてアクチュエータ９２が作動すると、昇降テーブル９１が昇降駆動され、カップ部７およびリフト機構８が一体的に昇降移動する。例えば、図１はアクチュエータ９２により昇降テーブル９１が下限位置Ｐ92に移動した状態を示しており、基板Ｓの搬入出が可能となっている。また、アクチュエータ９２により昇降テーブル９１が同図中の１点鎖線で示す上限位置Ｐ91に移動すると、この昇降テーブル９１の上昇移動に伴ってカップ部７およびリフト機構８が一体的に上昇してリンス処理が可能となる。図４は、そのリンス処理が可能な状態を示している。
【００２６】
このように構成された基板処理装置では、制御ユニットのメモリに予め記憶されているプログラムにしたがって制御ユニットが装置各部を制御して、未処理基板の搬入、リンス処理、および処理済基板の搬出を行う。
【００２７】
まず、昇降テーブル９１が下限位置Ｐ92に位置決めされた状態（図１）で、未処理基板Ｓの搬入が行われる（未処理基板の搬入）。具体的には、図示を省略するシャッター用アクチュエータの作動によりシャッター８５が開いた後、リフタ用アクチュエータ８４の作動によりリフタピンスタンド８１が上昇して支持部８２が基板受渡し位置Ｐ81に位置決めされる。そして、その基板受渡し位置Ｐ81で搬送ロボットから未処理基板Ｓを受け取ると、アクチュエータ８４が逆方向に作動して未処理基板Ｓの周縁部を支持部８２で支持しながらリフタピンスタンド８１が一体的に下降する。このため、支持部８２が基板処理位置Ｐ83まで下降移動してくると、支持部８２に支持されている基板Ｓの周縁部が支持ピン３と係合する。そして、さらに支持部８２が支持ピン３よりも低い位置まで移動した時点で支持ピン３に未処理基板Ｓが載置される。これに続いて、可動保持部材４ｃ、４ｄの保持ピン４１Ｂが基板保持位置に移動して基板Ｓをしっかりと保持する。なお、リフタピンスタンド８１が下限位置Ｐ82まで移動すると、カップ部７よりも低い位置に収まると、シャッター８５を閉じる。なお、シャッター８５を閉じるタイミングについては、これに限定されるものではなく、リフタピンスタンド８１の上端部（支持部８２）が通過孔７１を通過してリフタピンスタンド８１が機構空間ＭＲに移動した以降であれば、いずれのタイミングでもよいことはいうまでない。
【００２８】
このシャッター８５の閉成から適当な時間が経過すると、カップ部７をリンス位置まで上昇させた後、リンス処理を実行する。すなわち、図４に示すように、アクチュエータ９２により昇降テーブル９１を上限位置Ｐ91に移動させた後、リンス液供給ノズル６から支持ピン３により支持された基板Ｓの一方主面Ｓ1に向けてリンス液を吐出するとともに、モータ５１を作動させて基板Ｓを回転軸心１１回りに回転させる。これによってリンス処理が実行される（リンス処理）。
【００２９】
このリンス処理が完了すると、基板Ｓを回転させたままリンス液供給ノズル６からのリンス液の供給を停止して基板Ｓに付着する液体を振り切り、乾燥させる。そして、この回転乾燥処理が完了すると、モータ５１を停止させて基板Ｓを静止させる。さらに、アクチュエータ９２により昇降テーブル９１を下限位置Ｐ92に移動させた後、シャッター８５の開成とともに、リフタ用アクチュエータ８４の作動によりリフタピンスタンド８１を上昇させる。これにより、支持部８２が基板処理位置Ｐ83よりも高い位置まで移動した時点で、支持ピン３から支持部８２に処理済基板Ｓが移載され、基板受渡位置Ｐ81に位置決めされる。そして、処理済基板Ｓが搬送ロボットに引渡され、装置から搬出される（処理済基板の搬出）。なお、基板搬出が行われると、上記と同様にして、リフタピンスタンド８１をカップ部７よりも低い位置に収めるとともに、シャッター８５を閉じる。
【００３０】
このような一連の動作を繰り返すことで複数の基板Ｓについて、一方主面Ｓ1に対するリンス処理を連続的に行うことができる。
【００３１】
以上のように、この実施形態にかかる基板処理装置では、基板処理位置Ｐ83の上方に設けられた基板受渡し位置Ｐ81で基板Ｓをリフタピンスタンド８１の上端に取り付けられた支持部８２で基板Ｓの受け取りが行われた後、支持部８２を基板Ｓの周縁部に係合させた状態でリフタピンスタンド８１の支持部８２が基板処理位置Ｐ83に移動して該基板Ｓが基板処理位置Ｐ83に位置決めされる。このように、基板Ｓの他方主面Ｓ2と接触することなく、基板Ｓを基板処理位置Ｐ83に位置決めすることができ、基板Ｓの他方主面Ｓ2が汚染されるのを防止することができる。また、従来装置のように基板Ｓを基板処理位置Ｐ83に直接位置決めするのではなく、基板Ｓの受渡し位置Ｐ81で基板Ｓを受け取った後で基板処理位置Ｐ83に位置決めするようにしているので、上記のように雰囲気遮断部材２を設けたために基板Ｓの他方主面Ｓ2側の空間が非常に狭くなっていたとしても、基板Ｓの受渡しを実行することが可能となる。もちろん、雰囲気遮断部材２を設けず、基板Ｓの他方主面Ｓ2側の空間が比較的広い基板処理装置においても、本実施形態と同様のリフト機構８を適用することができる。つまり、本実施形態にかかるリフト機構８は非常に汎用性のある機構であるといえる。
【００３２】
次に、雰囲気遮断部材２の構成について、図１、図２および図５を参照しつつ詳述する。図５は雰囲気遮断部材の周縁付近の構成を示す図であり、同図（ａ）は支持ピン装着部位の近傍を示し、同図（ｂ）は支持ピン未装着部位の近傍を示している。雰囲気遮断部材２はスピンベース１の上面に設けられており、その上面２４を基板対向面として支持ピン３に支持された基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ2に対向させながら基板Ｓから離間配置されている。この雰囲気遮断部材２は、円盤状の平板部材２１と、この平板部材２１の周囲を取り囲むように配置されたドーナツ状の円環部材２２とをボルト・ナットなどの締結部材２３で締結してなるものであり、既に上述したように全体の平面サイズは基板Ｓよりも若干小さくなっている。なお、このように平面サイズを設定している理由については後で詳述する。
【００３３】
また、この雰囲気遮断部材２の両主面のうち基板Ｓと対向する基板対向面２４では、基板Ｓの略中央部と対向する中央領域２４１は平面であり、基板Ｓの周縁部と対向する周縁領域２４２は基板対向面２４の周縁に向かうにしたがって基板Ｓに近接する傾斜面となっている。このため、基板Ｓと雰囲気遮断部材２とで挟まれた微小空間ＳＰは中央部で比較的広がっているものの、基板Ｓの周縁に向かう方向Ｒにしたがって徐々に狭まっており、雰囲気遮断部材２の周縁では基板Ｓと雰囲気遮断部材２との微小隙間ＣＬは微小間隔Ｄh、例えば０．３ｍｍ〜１ｍｍ、好ましくは０．３ｍｍ〜０．８ｍｍとなっている。
【００３４】
以上のように、この実施形態では、雰囲気遮断部材２により基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ2を基板Ｓの周囲、つまりミスト飛散雰囲気から遮断しており、リンス処理中に発生したミストが基板Ｓの他方主面Ｓ2側に侵入するのを防止することができる。
【００３５】
また、次に説明するように微小空間ＳＰをミスト飛散雰囲気（基板Ｓの周囲）よりも陽圧にすることでミスト侵入をさらに効果的に防止している。すなわち、この雰囲気遮断部材２の略中央部には、図１および図２に示すように、貫通孔２５が設けられている。この貫通孔２５は出力回転軸５２の中空部に配置された配管５３と接続されており、ガス供給ユニット１０から圧送されてくる窒素ガスや不活性ガスなどの雰囲気ガスが配管５３および貫通孔２５を介して微小空間ＳＰに送られる。しかも、基板対向面２４はその周縁に向かう方向Ｒに進むにしたがって基板Ｓに近接しているため、貫通孔２５を介して圧送されてきた雰囲気ガスは微小空間ＳＰの周縁付近で圧縮されて圧力が上昇する。その結果、微小空間ＳＰはミスト飛散雰囲気よりも陽圧となり、基板Ｓの他方主面Ｓ2側へのミスト侵入が効果的に防止される。
【００３６】
ここで、微小隙間ＣＬを例えば０．３ｍｍ〜０．５ｍｍに設定した場合、種々の実験やコンピュータ・シミュレーションなどによりミスト侵入を防止するために必要な雰囲気ガスの流量を求めたところ、その必要流量は２０（リットル／ｍｉｎ）以上であった。また、微小隙間ＣＬを例えば０．５ｍｍ〜１ｍｍに設定した場合、同流量は１００（リットル／ｍｉｎ）以上であった。このように、微小隙間ＣＬが広がるのにつれて、雰囲気ガスの流量を高めればよいのであるが、２００（リットル／ｍｉｎ）以上の雰囲気ガスを供給した場合、基板Ｓが支持ピン３から浮き上がり、基板姿勢が不安定となってしまう。したがって、最大流量としては２００（リットル／ｍｉｎ）程度に止める必要があり、それに対応して微小隙間ＣＬを１ｍｍ以下に設定する必要がある。
【００３７】
一方、微小隙間ＣＬが狭くなると、雰囲気ガスの必要流量は少なくなるのであるが、０．３ｍｍ未満に設定すると、毛細管現象によりリンス液が空間ＳＰ内に侵入してしまう。したがって、微小隙間ＣＬを０．３ｍｍ以上に設定する必要がある。
【００３８】
さらに、基板対向面２４を上記のように形成したことで微小隙間ＣＬから噴出する雰囲気ガスの流速は高まり、ミストの飛散速度より速くなる。このことはミスト侵入の防止に有利に作用することとなり、基板Ｓの他方主面Ｓ2へのミスト付着の防止をより確実なものとすることができる。
【００３９】
ここで、雰囲気遮断部材２の平面サイズを基板Ｓよりも若干小さく設定している理由について図６を参照しつつ説明する。まず第１には、雰囲気遮断部材２が基板Ｓよりも大きな平面サイズを有している場合には、水平方向において雰囲気遮断部材２の周縁部が基板Ｓよりもはみ出してしまい、雰囲気遮断部材２の基板対向面２４の一部（傾斜面である周縁領域２４２）がミスト飛散雰囲気（基板の周囲）に露出することとなる。そのため、リンス処理中に発生するミストが周縁領域２４２で跳ね返り、基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ2側に飛散してしまう。これに対し、雰囲気遮断部材２の平面サイズを基板Ｓと同一またはそれよりも小さく設定することでミスト飛散雰囲気への基板対向面２４の露出がなくなり、上記問題を解消することができる。この観点のみからいえば、雰囲気遮断部材２を基板Ｓと同一サイズに設定してもよい。
【００４０】
しかしながら、基板Ｓには特殊形状が施されている場合が多く、これを考慮して雰囲気遮断部材２の平面サイズを設定するのが望ましい。例えば基板Ｓとしての半導体ウエハには、図６に示すように、ウエハ面内の結晶学的基準方位を示すためのノッチＮＴが形成されている。したがって、雰囲気遮断部材２を基板Ｓと同一サイズに設定した場合、同図（ａ）に示すように、ノッチＮＴを介して雰囲気遮断部材２の基板対向面２４の一部（周縁領域２４２）がミスト飛散雰囲気（基板の周囲）に露出することとなる。そのため、リンス処理中に発生するミストが周縁領域２４２で跳ね返り、基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ2側に飛散してしまう。これに対し、同図（ｂ）に示すように径方向ＲにおけるノッチＮＴの幅Ｗntだけ雰囲気遮断部材２の平面サイズを小さくすると、ミスト飛散雰囲気への基板対向面２４の露出がなくなり、上記問題を解消することができる。したがって、この点を考慮すると、雰囲気遮断部材２の平面サイズをノッチＮＴの幅Ｗnt以上分だけ基板Ｓよりも小さく設定するのが好ましい。
【００４１】
なお、雰囲気遮断部材２の平面サイズの下限値については、基板Ｓの他方主面Ｓ2の表面状態に応じて設定すればよい。すなわち、他方主面Ｓ2のうちミスト付着を確実に防止しなければならない被保護領域は基板中央部分であるため、雰囲気遮断部材２の周縁が被保護領域の外側に位置するという条件を満足する範囲内で平面サイズの下限値を設定することができる。
【００４２】
また、基板ＳのノッチＮＴの影響を防止するためには、同図（ｃ）に示すように、基板ＳのノッチＮＴに対応して雰囲気遮断部材２の周縁にノッチ２６を形成するとともに、基板ＳのノッチＮＴと雰囲気遮断部材２のノッチ２６とが対向するように配置した状態のままリンス処理を実行するように構成してもよい。こうすることで、同図（ｂ）の場合と同様に、ミスト飛散雰囲気への基板対向面２４の露出がなくなり、上記問題を解消することができる。
【００４３】
さらに、上記したようにリフト機構８のリフタピンスタンド８１および支持部８２が雰囲気遮断部材２を通過して上昇するため、これを考慮して雰囲気遮断部材２の平面サイズを設定するのが望ましい。例えば雰囲気遮断部材２がリフタピンスタンド８１および支持部８２の移動経路と干渉しないように、雰囲気遮断部材２の平面サイズを小さく設定することができる。また、一部を切り欠くように形成することができる。
【００４４】
次に、支持ピンの構成について図５（ａ）、図７および図８を参照しつつ説明する。支持ピン３は、図５（ａ）に示すように、雰囲気遮断部材２の周縁から径方向Ｒに距離Ｄr、例えば０ｍｍ〜１ｍｍだけ突出して設けられている。そして、基板Ｓ側を向いた傾斜支持面３１が基板Ｓの端面と当接することで基板Ｓを支持している。このように、この実施形態では支持ピン３が本発明の「支持部材」に相当しており、本発明の「接触面」である傾斜支持面３１上で基板Ｓの端面と線接触して微小隙間ＣＬが所定の間隔Ｄhとなるように基板Ｓを支持している。
【００４５】
また、傾斜支持面３１の幅Ｗ31は基板Ｓの端面と接触する線接触部分３２の幅Ｗ32とほぼ同一となっている。このため、次のような作用効果が得られる。すなわち、図５（ａ）や図７に示すように支持ピン３の一部が雰囲気遮断部材２の周縁から径方向Ｒに突出している場合、その傾斜支持面３１の一部がミスト飛散雰囲気に露出し、ミストがその露出領域で跳ね返る。ここで、この種の技術分野では、従来、点接触での基板支持が多用されており、例えば図８（ａ）に示すように点接触で基板Ｓを支持することも考えられる。しかしながら、この基板支持では、基板Ｓと支持ピン３との間に隙間が形成されてしまい、傾斜支持面３１の露出領域で跳ね返ったミストが隙間を介して基板Ｓの他方主面（下面）側に侵入してしまうことがある。これに対し、本実施形態では傾斜支持面３１の幅Ｗ31が線接触部分３２の幅Ｗ32とほぼ同一となっているため、上記隙間は発生しない。したがって、傾斜支持面３１の露出領域で跳ね返ったミストが基板Ｓの他方主面（下面）側に侵入するのを確実に防止することができる。
【００４６】
なお、ここでは基板Ｓの端面と線接触する方向Ｑにおける傾斜支持面３１の幅Ｗqが一定値Ｗ31（＝Ｗ32）となるように支持ピン３を構成しているが、支持ピン３の形状についてはこれに限定されるものではなく、幅Ｗqが基板Ｓから離れる、つまり径方向Ｒに進むしたがって減少するように構成してもよく、これによって上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４７】
また、上記においては、基板Ｓとの間で隙間を発生させないための支持ピン３の構成について説明したが、保持ピン４１Ａ、４１Ｂについても全く同様のことがいえる。すなわち、上記実施形態では図３に示すように円柱状の保持ピン４１Ａ、４１Ｂを用いているが、基板Ｓとの間で隙間を発生させないためには、例えば図９に示すような形状の保持ピンを用いるのが望ましい。すなわち、基板Ｓの端面と線接触する方向Ｑにおける保持ピン４１の幅Ｗqが線接触部位４９の幅Ｗ49と同じ（同図（ａ））、または基板Ｓから離れる、つまり径方向Ｒに進むしたがって減少する（同図（ｂ）〜（ｄ））ように、保持ピン４１を構成することができる。なお、本願発明者が種々の実験やコンピュータ・シミュレーションなどを行ったところ、以下の形状・寸法の保持ピンを用いるのが好ましいことがわかった。
【００４８】
(1)保持ピン４１Ａ、４１Ｂとしてはφ１〜３ｍｍの円柱体を用いるのが好ましい。というのも、直径が３ｍｍを超えると、保持ピン４１Ａ、４１Ｂへのリンス液の衝突量が増大してミスト飛散量が多くなる。また。保持ピン４１Ａ、４１Ｂと基板Ｓとの隙間が大きくなり、基板Ｓの他方主面（下面）側にミストが侵入するからである。一方、直径が１ｍｍ未満となると、物理的な強度が不足して基板Ｓの保持が不安定となるからである。
【００４９】
(2)同図（ａ）の保持ピン４１としては基板Ｓとの線接触部分４９の幅Ｗ49が１ｍｍ〜４ｍｍで、方向Ｒの長さＬ41が１ｍｍ〜５ｍｍの直方体が好ましい。というのも、幅Ｗ49が４ｍｍを超えると、保持ピン４１へのリンス液の衝突量が増大してミスト飛散量が多くなるからである。一方、直径が１ｍｍ未満となると、物理的な強度が不足して基板Ｓの保持が不安定となるからである。
【００５０】
(3)同図（ｂ）の保持ピン４１としては基板Ｓとの線接触部分４９の幅Ｗ49が１ｍｍ〜４ｍｍで、方向Ｒの長さＬ41が１ｍｍ〜５ｍｍの半円または半楕円柱体が好ましい。これは上記(2)と同様の理由からである。
【００５１】
(4)同図（ｃ）の保持ピン４１としては基板Ｓとの線接触部分４９の幅Ｗ49が１ｍｍ〜４ｍｍで、方向Ｒの長さＬ41が１ｍｍ〜５ｍｍの三角柱体が好ましい。これは上記(2)と同様の理由からである。
【００５２】
(5)同図（ｄ）の保持ピン４１としては基板Ｓとの線接触部分４９の幅Ｗ49が１ｍｍ〜４ｍｍで、方向Ｒの長さＬ41が１ｍｍ〜５ｍｍの四角柱体が好ましい。これは上記(2)と同様の理由からである。
【００５３】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、リフト機構８から支持ピン３に基板Ｓを移載して支持ピン３により基板Ｓを基板処理位置Ｐ83で支持しているが、支持ピンを設けることなく、リフタピンスタンド８１の支持部８２により基板Ｓを支持しながら基板処理位置Ｐ83に位置決めするとともに、該基板Ｓに対してリンス処理を実行するように構成してもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、６本のリフタピンスタンド８１を設けているが、リフタピンスタンド８１の本数や形状などについては、これに限定されるものではなく、その先端部が基板の周縁部と係合可能に仕上げられるとともに、前記基板処理位置での基板の周縁部に対応して上下方向に昇降自在に設けられている限り、任意である。
【００５５】
また、上記実施形態では、基板にリンス液を供給してリンス処理する基板処理装置に対して本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、所定の基板処理位置に略水平状態で位置決め支持された基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置全般に適用することができる。
【００５６】
また、この発明にかかる基板処理装置を単体で使用してもよいが、他の基板処理を実行する基板処理装置、基板を搬送する搬送ユニットやインデクサ部などと組み合わせて基板処理システムを構築してもよい。その一例として、例えば図１１に示す基板処理システムがある。以下、図１１および図１２を参照しつつ、この発明にかかる基板処理システムの一実施形態について説明する。
【００５７】
図１１はこの発明にかかる基板処理システムの一実施形態を示す図である。この基板処理システムは、収容容器１１０に収容されている基板Ｓを取出し、その基板の裏面（回路が形成されていない面）に対してリンス処理を施した後、再び収容容器１１０に戻すシステムである。
【００５８】
この基板処理システムでは、図１１に示すように上手側(図１１の左側)にインデクサ部ＩＤが設けられる一方、インデクサ部ＩＤの下手側（図１１の右手側）に基板Ｓの裏面（本発明の「一方主面」に相当）に対してリンス処理を施すプロセス部ＰＰが設けられている。
【００５９】
このインデクサ部ＩＤでは、基板Ｓを収容するための収容容器１１０が４個Ｘ方向に一列で配置されるとともに、その配列方向Ｘに沿って従来より多用されている基板搬送ロボット１２０が移動し、一の収容容器１１０に収容されているリンス処理前の基板Ｓを取り出してプロセス部ＰＰに搬送したり、プロセス部ＰＰからリンス処理済の基板Ｓを受け取って収容容器１１０に収容する。なお以下の説明便宜のために、各図には、上下方向Ｚと、収容容器１１０の配列方向Ｘとに直交する方向を「Ｙ方向」とするＸＹＺ直角座標軸が示されている。
【００６０】
インデクサ部ＩＤの（＋Ｙ）側に配置されたプロセス部ＰＰでは、その略中央部にセンターロボット２００が配置されている。このセンターロボット２００については従来より多用されている基板搬送ロボットと同一構成を有するものを用いることができ、本発明の「搬送ユニット」として機能する。また、このセンターロボット２００の周囲に、上記実施形態にかかる基板処理装置と同一構成を有する裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄおよび反転ユニット４００が配設されている。なお、ここでは、本発明の「処理ユニット」に相当する裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄについての説明は省略する。
【００６１】
図１２は、図１１の基板処理システムに設けられた反転ユニットの構成を示す図であり、同図（ａ）は反転ユニットを上方より見た平面図であり、同図（ｂ)は同図（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。この反転ユニット４００はセンターロボット２００との間で基板Ｓを受渡すための一対の基板チャック４０１、４０１を有している。この基板チャック対４０１、４０１は互いに対向して離間配置されている。また、各基板チャック４０１はロータリーシリンダ４０２のロッド４０３の先端部に取付けられており、ロッド４０３のＸ方向移動に伴いＸ方向に移動し、またロッド４０３の回転動作に伴いロッド４０３回りに１８０゜回転する。
【００６２】
このため、相互に離間している基板チャック対４０１、４０１の間に未処理の基板Ｓがインデクサ部ＩＤの基板搬送ロボット１２０とセンターロボット２００によって搬送されてくると、両ロッド４０３が伸長して同図に示すように基板チャック対４０１、４０１が基板Ｓを挟持した後、センターロボット２００が退避する。そして、両ロッド４０３が１８０゜回転する。これによって、収容容器１１０からそのままローディングされた状態、つまり回路などが形成された表面（本発明の「他方主面」に相当）Ｓ2を上方に向けた状態で搬送されてきた基板Ｓは反転されてフェースダウン状態となり、基板Ｓの裏面Ｓ1が上方を向いた状態となる。そして、このフェースダウン状態のまま反転ユニット４００は基板Ｓをセンターロボット２００に受け渡す。
【００６３】
一方、裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄからフェースダウン状態のままセンターロボット２００により、リンス処理済の基板Ｓが反転ユニット４００に搬送されてくると、未処理基板Ｓに対する反転動作と同様にして、リンス処理済基板Ｓを反転させる。これによって、基板Ｓはフェースアップ状態、つまり回路などが形成された表面Ｓ2を上方に向けた状態に戻る。そして、反転ユニット４００はこの基板Ｓを基板搬送ロボット１２０に受け渡す。
【００６４】
このように構成された基板処理システムに対して、基板表面Ｓ2を上方に向けた状態で複数枚の基板Ｓを収容した収容容器１１０がＡＧＶ(automated guided vehicle)等の運搬装置によりインデクサ部ＩＤに搬送されてくると、以下のようにして各基板Ｓに対して裏面洗浄を行う。ここでは、１枚の基板Ｓに着目して該システムの動作について説明する。
【００６５】
まず、基板搬送ロボット１２０が収容容器１１０からフェースアップ状態のまま基板Ｓを取出し、センターロボット２００に受け渡した後、このセンターロボット２００が基板Ｓを反転ユニット４００に搬送する（ローディング）。そして、この基板Ｓを受けた反転ユニット４００は、基板Ｓを反転させた後、フェースダウン状態でセンターロボット２００に受け渡す。このセンターロボット２００は４つの裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄの一に搬入する。
【００６６】
この一の裏面洗浄ユニットでは、センターロボット２００から未処理基板Ｓを受け取るべく、予めリフタピンスタンド８１が上昇して支持部８２が基板受渡し位置Ｐ81に位置決めされる。そして、その基板受渡し位置Ｐ81でセンターロボット２００から未処理基板Ｓを受け取ると、裏面洗浄ユニットは、上記した実施形態にかかる基板処理装置と同一動作を実行して基板Ｓの裏面Ｓ1をリンス処理する（裏面洗浄）。このとき、上記基板処理装置と同様に、雰囲気遮断部材２により基板Ｓの表面（他方主面）Ｓ2をミスト飛散雰囲気から遮断するとともに、微小空間ＳＰをミスト飛散雰囲気（基板Ｓの周囲）よりも陽圧にし、しかも微小隙間ＣＬから噴出する雰囲気ガスの流速を高めているので、リンス処理中に発生したミストが基板Ｓの表面Ｓ2に付着するのを効果的に防止することができる。つまり、基板Ｓの表面Ｓ2へのミスト付着を確実に防止しながら、基板Ｓの裏面Ｓ1のみをリンス処理することができ、良好な裏面洗浄を行うことができる。
【００６７】
裏面洗浄が完了すると、リフタピンスタンド８１は下限位置（退避位置）Ｐ82から上昇して支持ピン３から処理済基板Ｓを受け取るとともに、基板受渡し位置Ｐ81に上昇して位置決めする。そして、この基板受渡し位置Ｐ81からセンターロボット２００が処理済の基板Ｓを受け取り、反転ユニット４００に搬送する。そして、この反転ユニット４００により基板Ｓをフェースアップ状態にした後、この基板Ｓをセンターロボット２００が受け取り、さらに基板搬送ロボット１２０に受け渡した後、この基板搬送ロボット１２０が収容容器１１０に戻す（アンローディング）。
【００６８】
なお、この実施形態にかかる基板処理システムでは、「処理ユニット」として４つの裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄを装備しているが、その個数や配置などについては任意である。また、基板処理システムとしては、上記実施形態にかかる基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、該処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットとを少なくとも設けているものであれば、上記作用効果が得られる。したがって、処理ユニットおよび搬送ユニット以外に、他のユニットを追加して基板処理システムを構築するようにしてもよい。
【００６９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、基板移動部材の先端部が基板の周縁部と係合可能に仕上げられており、昇降駆動機構により基板移動部材の先端部を基板処理位置の上方の基板受渡し位置に位置決めするとともに、その先端部で基板を受け取ると、基板移動部材の先端部を基板と係合させたまま基板処理位置に移動して位置決めさせて基板を基板支持手段に載置している。これによって、基板処理位置で基板を基板支持手段によりスピンベースから浮かした状態で略水平状態で支持させるように構成しているので、基板の他方主面と接触することなく、基板を基板処理位置に位置決めすることができ、基板の他方主面が汚染されるのを防止することができる。また、基板の受渡しを専用的に行う基板受渡し位置で基板を受け取った後で基板処理位置に位置決めするようにしているので、基板処理位置による制約を受けることなく、基板の他方主面側の空間が狭くなっていたとしても、基板の受渡しを実行することが可能となる。また、基板を基板支持手段に載置した後、基板移動部材の先端部を基板処理位置の下方の退避位置に移動させているので、基板移動部材が基板処理時に使用される処理液に触れるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置を上方から見た部分平面図である。
【図３】保持部材の構成を示す図である。
【図４】図１の基板処理装置のリンス動作を示す図である。
【図５】雰囲気遮断部材の周縁付近の構成を示す図である。
【図６】基板のノッチと雰囲気遮断部材との関係を示す図である。
【図７】支持ピンを示す図である。
【図８】支持ピンの傾斜支持面で跳ね返されるミストの飛散状況を示す模式図である。
【図９】保持ピンの変形態様を示す図である。
【図１０】雰囲気遮断部材の変形態様を示す図である。
【図１１】この発明にかかる基板処理システムの一実施形態を示す図である。
【図１２】図１１の基板処理システムに設けられた反転ユニットの構成を示す図である。
【符号の説明】
３…支持ピン（基板支持手段）
７…カップ部
８…リフト機構（基板移動部材＋昇降駆動機構）
７１…通過孔
８１…リフタピンスタンド（基板移動部材）
８２…支持部（基板移動部材）
８３…連結プレート（基板移動部材）
８４…アクチュエータ（昇降駆動機構）
８５…シャッター
２００…センターロボット（搬送ユニット）
３００Ａ〜３００Ｄ…裏面洗浄ユニット（処理ユニット）
４００…反転ユニット
ＭＲ…機構空間
ＴＲ…処理空間
Ｓ1…（基板の）一方主面
Ｓ2…（基板の）他方主面
Ｓ…基板

Claims

所定の基板処理位置に略水平状態で位置決め支持された基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置において、
その先端部が基板の周縁部と係合可能に仕上げられるとともに、前記基板処理位置での基板の周縁部に対応して上下方向に昇降自在に設けられた基板移動部材と、
前記基板移動部材を上下方向に昇降駆動することで前記基板移動部材の先端部を前記基板処理位置の上方に設けられた基板受渡し位置と、前記基板処理位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動機構と、
スピンベースと、
前記基板処理位置で前記基板を前記スピンベースから浮かした状態で略水平状態で支持する基板支持手段と
を備え、
前記昇降駆動機構は、前記基板受渡し位置に位置決めされた前記基板移動部材の先端部で前記基板を受け取ると、前記基板移動部材の先端部を前記基板と係合させたまま前記基板処理位置に移動して位置決めさせることで前記基板支持手段に前記基板を載置した後、前記基板移動部材の先端部を前記基板処理位置の下方の退避位置に移動させることを特徴とする基板処理装置。
前記スピンベースの上面に前記基板移動部材の移動経路と干渉しないように設けられ、前記基板支持手段に支持された前記基板の他方主面に対向させながら前記基板から離間配置された雰囲気遮断部材をさらに備える請求項１記載の基板処理装置。
前記基板支持手段により支持された前記基板の一方主面に処理液を供給して前記基板処理を施す処理空間と、前記退避位置に移動した前記基板移動部材と前記昇降駆動機構とが配置されている機構空間とを分離する分離手段をさらに備え、
前記基板移動部材の先端部が前記退避位置に位置決めされた状態で前記基板処理を実行する請求項１または２記載の基板処理装置。
前記分離手段は、前記基板処理位置に位置決めされた前記基板を取り囲むように配置されるとともに、その一部に前記基板移動部材の昇降移動のための通過孔が設けられたカップ部と、前記通過孔を開閉するシャッターとを備えており、
前記基板移動部材の先端部が前記通過孔を前記退避位置側に通過した後に前記シャッターを閉じて前記処理空間と前記機構空間とを分離する請求項３記載の基板処理装置。
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、
前記処理ユニットに対して基板を搬送する搬送ユニットと
を備えることを特徴とする基板処理システム。
基板を反転させる反転ユニットをさらに備える請求項５記載の基板処理システム。