CN110076119A - 基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基板处理方法，能够降低基板污染的风险并在进行基板处理的过程中清洗相向部。该方法包括：基板液处理工序，在使相向部的下表面与基板的上表面相向且使它们以水平姿势旋转的状态下，对基板的上表面进行液处理；相向部清洗工序，在基板液处理工序的过程中执行该相向部清洗工序，清洗相向部。相向部清洗工序包括：冲洗液供给工序，向基板的上表面供给冲洗液；液膜形成工序，使基板以水平姿势旋转，来在基板的上表面形成在冲洗液供给工序中供给的冲洗液的液膜；清洗液供给工序，在通过液膜形成工序在基板的上表面形成有液膜的状态下，向相向部的下表面供给清洗液。液膜形成工序中的基板的转速小于基板液处理工序中的基板的转速。

Description

基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种处理基板的基板处理方法。作为处理对象的基板，例如包括半导体基板、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板。
背景技术
以往已知如下技术，即，在使相向部的下表面与基板的上表面相向、且使相向部与基板以水平姿势旋转的状态下，对基板的上表面进行液处理。在该技术中，有时在进行液处理时供给至基板的上表面的处理液的一部分飞散，来附着于相向部的下表面。若对附着于相向部的下表面的处理液置之不理，则存在该处理液成为颗粒等异物来污染基板的担忧。因此，在恰当的时刻向相向部的下表面供给清洗液，来执行用于清洗该下表面的清洗处理。
例如，在专利文献1中公开了如下装置，即，在不进行基板处理的期间(即，装置的基板保持部未保持基板的期间)，从设置于相向部的侧方的清洗喷嘴向相向部的下表面供给清洗液，来清洗该下表面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003－45838号公报
另一方面，也能在进行基板处理的过程(即，基板保持部保持基板的期间)中清洗相向部的下表面。但是，此时，在进行清洗时，从相向部的下表面落下清洗液、异物，从而存在落下的清洗液、异物附着于基板的上表面来使该基板污染的担忧。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种技术，能够一边降低基板污染的风险，一边在进行基板处理的过程中清洗相向部。
为了解决上述问题，第一方式为一种基板处理方法，包括利用相向部处理基板的处理工序，所述相向部具有与所述基板的上表面相向的下表面，其中，所述基板处理方法包括：基板液处理工序，对所述基板的所述上表面进行液处理，以及，相向部清洗工序，清洗所述相向部；所述相向部清洗工序包括：冲洗液供给工序，向所述基板的所述上表面供给冲洗液，液膜形成工序，在所述基板的所述上表面形成在所述冲洗液供给工序中供给的所述冲洗液的液膜，以及，清洗液供给工序，在通过所述液膜形成工序在所述基板的所述上表面形成有所述液膜的状态下，向所述相向部的所述下表面供给清洗液。
另外，第二方式在第一方式的基板处理方法的基础上，所述基板液处理工序包括：在使所述相向部的所述下表面与所述基板的所述上表面相向、且使所述相向部与所述基板以水平姿势旋转的状态下，进行液处理的工序。
另外，第三方式在第一方式或第二方式的基板处理方法的基础上，所述液膜形成工序包括使所述基板以水平姿势旋转的工序；所述液膜形成工序中的所述基板的转速小于所述基板液处理工序中的所述基板的转速。
另外，第四方式在第一方式至第三方式中任一的基板处理方法的基础上，所述液膜形成工序包括：增加向所述基板的所述上表面供给的所述冲洗液的供给量的工序。
另外，第五方式在第一方式至第四方式中任一的基板处理方法的基础上，所述基板液处理工序包括第一基板液处理工序，在所述第一基板液处理工序中，将所述相向部配置于与所述基板相向的相向位置；所述相向部清洗工序包括：在进行所述清洗液供给工序之前，将所述相向部配置于比所述相向位置更靠上方的位置的工序。
另外，第六方式在第五方式的基板处理方法的基础上，所述基板液处理工序包括第二基板液处理工序，在所述第二基板液处理工序中，将所述相向部配置于比所述相向位置更靠上方的退避位置；所述相向部清洗工序包括：在进行所述清洗液供给工序之前，使所述相向部配置于比所述退避位置更接近所述基板的清洗位置的工序。
另外，第七方式在第一方式至第六方式中任一的基板处理方法的基础上，所述冲洗液供给工序与所述清洗液供给工序并行进行。
另外，第八方式在第一方式至第六方式中任一的基板处理方法的基础上，在进行所述清洗液供给工序之前，进行所述冲洗液供给工序。
另外，第九方式在第三方式的基板处理方法的基础上，还包括第一相向部旋转工序，所述第一相向部旋转工序与所述清洗液供给工序并行进行，在所述第一相向部旋转工序中，使所述相向部以与所述液膜形成工序中的所述基板的所述转速相同的转速以水平姿势旋转。
另外，第十方式在第九方式的基板处理方法的基础上，还包括第二相向部旋转工序，在进行所述清洗液供给工序以及所述第一相向部旋转工序之后，进行所述第二相向部旋转工序，在所述第二相向部旋转工序中，使所述相向部以比所述液膜形成工序中的所述基板的所述转速更大的速度旋转。
另外，第十一方式在第十方式的基板处理方法的基础上，还包括相向部升降工序，在所述相向部升降工序中，以使所述相向部的所述下表面的高度高于用于包围所述基板的周围的杯体的上端、且低于在所述基板液处理工序中向所述基板的所述上表面供给各种液体的各喷嘴的各开口的方式，对所述相向部进行升降；在通过所述相向部升降工序调整了所述相向部的所述下表面的高度的状态下，进行所述第二相向部旋转工序。
另外，第十二方式在第一方式至第十一方式中任一的基板处理方法的基础上，在进行所述液处理中的疏水化处理之前，进行所述相向部清洗工序，所述疏水化处理为对所述基板的所述上表面进行疏水化的处理。
另外，第十三方式在第一方式至第十二方式中任一的基板处理方法的基础上，所述液处理包括利用有机溶剂的处理，所述相向部为具有耐有机溶剂性能的材质。
另外，第十四方式在第一方式至第十三方式中任一的基板处理方法的基础上，所述相向部的所述下表面比所述基板的上表面更大地扩展。
在第一方式至第十四方式的基板处理方法中，进行液膜形成工序时的基板的转速小于进行基板液处理时的基板的转速，因此能够在基板的上表面形成厚的液膜。在清洗液供给工序中，在形成该液膜的状态下向相向部的下表面供给清洗液，因此即使从相向部的下表面落下清洗液、异物，这些也不会附着于基板的上表面，而因液膜而容易向基板的外侧冲走。因此，能够一边降低基板污染的风险，一边在进行基板处理的过程中清洗相向部。
附图说明
图1是示出第一实施方式的基板处理装置1的概略侧视图。
图2是示出第一实施方式的基板处理装置1的概略侧视图。
图3是示出第一实施方式的基板处理装置1的概略侧视图。
图4是从下方观察第一实施方式的喷嘴71的仰视图。
图5是从下方观察第一实施方式的喷嘴73的仰视图。
图6是示出第一实施方式的基板处理装置1中的基板9的处理流程的一例的图。
图7是相向部清洗工序中的各处理的时序图。
图8是示出比较例的进行相向部清洗工序之后的基板9的上表面的污染情况的俯视图。
图9是示出第一实施方式的进行相向部清洗工序之后的基板9的上表面的污染情况的俯视图。
图10是示出第二实施方式的基板处理装置1a的概略侧视图。
图11是示出第二实施方式的基板处理装置1a的概略侧视图。
图12是从下方观察第二实施方式的喷嘴71的仰视图。
图13是示出第二实施方式的喷嘴71的附近的概略剖视图。
图14是第二实施方式的相向部清洗工序中的各处理的时序图。
图15是示出第三实施方式的基板处理装置1b的概略侧视图。
图16是示出第三实施方式的基板处理装置1b的概略侧视图。
图17是基板处理装置1、1b的变形例的相向部清洗工序(步骤ST6a)中的各处理的时序图。
其中，附图标记说明如下：
1、1a、1b：基板处理装置
31：旋转夹具
33：旋转马达
5、5a：相向部
513：下表面
6：相向部移动机构
62：升降机构
71、71a、71b、73、74：喷嘴
9：基板
101、101a：冲洗液供给工序
102：液膜形成工序
103：清洗液供给工序
104：第一相向部旋转工序
105：相向部升降工序
106：第二相向部旋转工序
L1、L1a：退避位置
L2、L2a：相向位置
L3：清洗位置
W：基板
具体实施方式
下面，参照附图，对实施方式进行说明。在附图中，对于具有相同的结构以及功能的部分标注相同的附图标记，省略重复说明。
＜1实施方式＞
＜1.1基板处理装置1的结构＞
图1、图2以及图3是示出第一实施方式的基板处理装置1的概略侧视图。此外，图1示出相向部5处于退避位置L1的状态，图2示出相向部5处于相向位置L2的状态，图3示出相向部5处于清洗位置L3的状态。换言之，图1示出了利用相向部移动机构6使相向部5移动到上方的状态的基板处理装置1。图2示出了利用相向部移动机构6使相向部5移动到下方的状态的基板处理装置1。基板处理装置1是逐张地处理基板9(例如，半导体基板)的单张式的装置。
作为基板处理装置1的主要构件，在腔室11内具有：旋转夹具31，将基板9保持为水平姿势(法线沿着铅垂方向的姿势)；喷嘴71、73，用于向保持于旋转夹具31的基板9的上表面供给处理液；杯体4，包围旋转夹具31的周围；相向部5，具有与保持于旋转夹具31的基板9的上表面91的相向的下表面513；以及，相向部移动机构6，使相向部5沿水平方向以及铅垂方向移动。
在腔室11的侧壁的一部分设置有：搬入搬出口，用于使搬运机械手相对于腔室11搬入搬出基板9；以及，闸门(shutter)，对所述搬入搬出口进行开闭(均省略图示)。另外，在腔室11的顶壁安装有风机过滤单元(FFU)，所述风机过滤单元在对设置有基板处理装置1的无尘室内的空气进一步进行洁净化之后，供给至腔室11内的处理空间。风机过滤单元具有用于取入无尘室内的空气来向腔室11内送出的风机以及过滤器(例如HEPA过滤器)，在腔室11内的处理空间形成洁净空气的下降流。
旋转夹具31具有圆板形状的旋转基座32，所述旋转基座32以水平姿势固定于沿着铅垂方向延伸的旋转轴37的上端。在旋转基座32的下方，设置有用于使旋转轴37旋转的旋转马达33。旋转马达33通过旋转轴37使旋转基座32在水平面内旋转。另外，以包围旋转马达33以及旋转轴37的周围的方式，设置有筒状的覆盖构件34。
圆板形状的旋转基座32的外径稍大于保持于旋转夹具31的圆形的基板9的直径。因此，旋转基座32具有与应该保持的基板9的下表面92的整个面相向的保持面32a。
在旋转基座32的保持面32a的周缘部立设有多个夹具销35。在与圆形的基板9的外周圆对应的圆周上，多个夹具销35隔开相等间隔(例如，在4个夹具销35的情况下为90°间隔)配置。利用容纳于旋转基座32内的省略图示的连杆机构，对多个夹具销35进行连动驱动。旋转夹具31能够使多个夹具销35分别与基板9的外周端抵接来把持基板9，从而将该基板9保持为在旋转基座32的上方与保持面32a接近的水平姿势，并且能够使多个夹具销35分别与基板9的外周端分离来解除上述把持。
就用于覆盖旋转马达33的覆盖构件34而言，该覆盖构件34的下端固定于腔室11的底壁，而该覆盖构件34的上端到达旋转基座32的正下方。在利用多个夹具销35的把持使旋转夹具31保持基板9的状态下，旋转马达33使旋转轴37旋转，从而能够使基板9围绕沿着穿过基板9的中心的铅垂方向的中心轴J1旋转。这样，旋转夹具31、旋转马达33以及旋转轴37发挥用于使基板9保持为水平并旋转的基板旋转部的功能。
下面，将与中心轴J1垂直的方向称为“径向”。另外，将径向中的朝向中心轴J1的方向称为“径向内侧”，将径向中的朝向与中心轴J1一侧相反的一侧的方向称为“径向外侧”。
杯体4为以中心轴J1为中心的环状的构件，配置于基板9以及旋转夹具31的径向外侧。杯体4配置于基板9以及旋转夹具31的周围的整周上，能够接收从基板9朝向周围飞散的处理液等。杯体4具有第一挡板41、第二挡板42、挡板移动机构43以及排出口44。
第一挡板41具有第一挡板侧壁部411与第一挡板上盖部412。第一挡板侧壁部411形成为以中心轴J1为中心的大致圆筒状。第一挡板上盖部412形成为以中心轴J1为中心的大致圆环板状，而且从第一挡板侧壁部411的上端部向径向内侧扩展。第二挡板42具有第二挡板侧壁部421与第二挡板上盖部422。第二挡板侧壁部421形成为以中心轴J1为中心的大致圆筒状，位于比第一挡板侧壁部411更靠径向外侧的位置。第二挡板上盖部422形成为以中心轴J1为中心的大致圆环板状，而且在比第一挡板上盖部412更靠上方的位置，从第二挡板侧壁部421的上端部向径向内侧扩展。
第一挡板上盖部412的内径以及第二挡板上盖部422的内径稍大于旋转夹具31的旋转基座32的外径以及相向部5的外径。第一挡板上盖部412的上表面以及下表面分别为随着朝向径向外侧而朝向下方的倾斜面。第二挡板上盖部422的上表面以及下表面也分别为随着朝向径向外侧而朝向下方的倾斜面。
挡板移动机构43通过使第一挡板41以及第二挡板42在上下方向上移动，来将用于接收来自基板9的处理液等的挡板在第一挡板41与第二挡板42之间切换。杯体4的第一挡板41以及第二挡板42所接收的处理液等经由排出口44向腔室11的外部排出。另外，第一挡板41内以及第二挡板42内的气体也经由排出口44向腔室11的外部排出。
相向部5为具有耐有机溶剂性能的材质(例如，PCTFE(聚氯三氟乙烯，Poly ChloroTri Fluoro Ethylene)等氟类树脂或峰聚氯三氟乙烯(peak PCTFE)等)，该相向部5为在俯视时为大致圆形的构件。相向部5为具有与基板9的上表面91相向的下表面513的构件。相向部5的外径大于基板9的外径以及旋转基座32的外径。
优选相向部5的下表面513为亲水面。对于将下表面513作为亲水面的方法并不进行特别的限定。作为一例，可以举出利用涂敷加工在下表面513形成亲水性的膜的方法，或者利用喷沙加工在下表面513形成微细凹凸的方法。
相向部5具有本体部51。本体部51具有上盖部511与侧壁部512。在上盖部511的中央部设置有开口54。例如，在俯视时，开口54呈大致圆形。开口54的直径小于基板9的直径。上盖部511为以中心轴J1为中心的大致圆环板状的构件，上盖部511的下表面513与基板9的上表面91相向。侧壁部512为以中心轴J1为中心的大致圆筒状的构件，从上盖部511的外周部向下方扩展。在图2所示的状态下，相向部5与基板9一体地围绕中心轴J1旋转，由此相向部5的下表面513与基板9的上表面91之间的环境气体会与腔室11内的其他空间的环境气体隔开。
相向部移动机构6具有保持旋转机构61与升降机构62。保持旋转机构61保持相向部5的本体部51。保持旋转机构61具有保持部本体611、臂部612以及本体旋转部615。本体旋转部615为能够使保持部本体611以及本体部51围绕中心轴J1旋转的机构。
保持部本体611例如形成为以中心轴J1为中心的圆筒状，而且与相向部5的本体部51连接。臂部612为大致水平延伸的棒状的臂部。臂部612的一侧端部与本体旋转部615连接，另一侧端部与升降机构62连接。
喷嘴71从保持部本体611的中央部向下方突出。喷嘴71以不与保持部本体611的侧部接触的方式，插入保持部本体611。
在图1所示的状态下，在基板9以及旋转夹具31的上方，利用保持旋转机构61悬挂相向部5。在下面的说明中，将图1所示的相向部5的上下方向的位置称为“退避位置L1”。退避位置L1为，相向部5被相向部移动机构6保持来从旋转夹具31向上方分离的位置。
升降机构62使相向部5与保持旋转机构61一同在上下方向上移动。图2是示出相向部5从图1所示的退避位置L1下降的状态的剖视图。在下面的说明中，将图2所示的相向部5的上下方向的位置称为“相向位置L2”。即，升降机构62使相向部5在退避位置L1与相向位置L2之间相对于旋转夹具31在上下方向上移动。相向位置L2为，比退避位置L1更靠下方的位置。换言之，相向位置L2为，与退避位置L1相比，相向部5在上下方向上更接近旋转夹具31的位置。
图3是示出相向部5从图1所示的退避位置L1下降的状态的剖视图。在下面的说明中，将图3所示的相向部5的上下方向的位置称为“清洗位置L3”。清洗位置L3为，比退避位置L1更靠下方、且比相向位置L2更靠上方的中间的位置。如后述那样，在相向部5配置于清洗位置L3的状态下，从喷嘴74朝向相向部5的下表面513喷出清洗液，从而对下表面513进行清洗。
相向部5能够借助本体旋转部615的旋转驱动力围绕中心轴J1旋转。
基板处理装置1具有用于向基板9的下表面92供给处理液的喷嘴72。喷嘴72为大致圆筒状的喷嘴，安装于在旋转基座32的中央部形成的大致圆柱状的贯通孔。喷嘴72的上端朝向保持于旋转夹具31的基板9的下表面92的中央部开口，从喷嘴72喷出的处理液或者气体供给至基板9的下表面92的中央部。
基板处理装置1具有喷嘴73，所述喷嘴73将从省略图示的供给源供给的处理液向基板9的上表面91喷出。喷嘴73是朝下开口的喷嘴，例如，在省略图示的喷嘴臂的前端安装喷头而成。利用省略图示的马达使喷嘴臂的基端部围绕沿着铅垂方向的轴转动，从而使喷嘴73在保持于旋转夹具31的基板9的上方以圆弧状移动。因此，喷嘴73能够在处理位置(图1中双点划线所示的位置)与待机位置之间(图1中实线所示的位置)移动，其中，所述处理位置指，喷嘴73位于基板9的上方的位置，所述待机位置指，喷嘴73位于基板9的侧方的位置。此外，能够使喷嘴73向处理位置移动的时机为，如图1所示那样，相向部5处于退避位置L1的时机(参照图1)。
图4是从下方观察第一实施方式的喷嘴71的仰视图。图5是从下方观察第一实施方式的喷嘴73的仰视图。喷嘴71、73能够将从省略图示的多个处理液供给源供给的处理液分别喷出。详细而言，在喷嘴71的下表面设置有3个开口712、714、715，在喷嘴73的下表面设置有3个开口731、732、733。
在此，对可从开口712喷出纯水、可从开口714喷出IPA(isopropyl alcohol：异丙醇)、可从开口715喷出疏水化剂(例如，甲硅烷基化剂)的情况进行说明。另外，对可从开口731喷出氢氟酸、可从开口732喷出纯水、可从开口733喷出SC1(将过氧化氢溶液以及氨混合而成的处理液)的情况进行说明。此外，这些仅仅是一例，也可以向基板9的上表面91喷出其他处理液。另外，也可以设置能够喷出从省略图示的气体供给源供给的气体(例如氮气)的开口。另外，在附图中示出了一个喷嘴71与一个喷嘴73，但是也可以根据处理液的种类来设置多个喷嘴。
另外，基板处理装置1具有喷嘴74，所述喷嘴74将从省略图示的供给源供给的清洗液供给至相向部5的下表面513。喷嘴74为向斜上方开口的喷嘴，例如，在省略图示的喷嘴臂的前端安装喷头而成。利用省略图示的马达使喷嘴臂的基端部围绕沿着铅垂方向的轴转动，从而能够使喷嘴74在处理位置(图1中双点划线所示的位置)与待机位置(图1中实线所示的位置)之间移动，其中，所述处理位置指，喷嘴74接近相向部5并朝向相向部5的下表面513开口的位置，所述待机位置指，喷嘴74与相向部5分离的位置。此外，能够使喷嘴74向处理位置移动的时机为，如图1或图3所示那样、相向部5处于退避位置L1或者清洗位置L3的时机。
此外，在本说明书中，有时将药液、纯水以及IPA统称为处理液。另外，有时将以冲洗基板9的颗粒及处理液为目的而使用的液体(典型的是，纯水)称为冲洗液。有时将以冲洗相向部5的下表面513的颗粒及处理液为目的而使用的液体(典型的是，纯水)称为清洗液。
另外，基板处理装置1具有用于控制装置各部的动作的控制部10。控制部10的硬件结构与一般的计算机相同。即，控制部10具有用于进行各种运算处理的CPU、作为用于存储基本程序的读取专用的存储器的ROM、作为用于存储各种信息的自由读写的存储器的RAM以及用于存储控制用软件、数据等的磁盘等。控制部10的CPU执行规定的处理程序，来利用控制部10控制基板处理装置1的各动作机构，从而进行基板处理装置1的处理。
＜1.2基板处理装置1的动作例＞
图6是示出第一实施方式的基板处理装置1中的基板9的处理流程的一例的图。下面，对于基板处理装置1中的处理例进行说明。此外，图6示出了各工序中相向部5所配置的高度位置。
首先，在相向部5处于退避位置L1的状态下，利用外部的搬运机械手将基板9搬入腔室11内，并载置在旋转基座32的夹具销35上。结果，利用夹具销35从下侧支撑该基板9(步骤ST1)。
当搬入基板9时，升降机构62保持使相向部5配置于退避位置L1的状态，利用旋转马达33开始使基板9旋转。
在该状态下，对基板9的上表面91执行利用各种处理液的液处理。首先，执行从喷嘴73的开口731向基板9的上表面91供给氢氟酸的氢氟酸处理(步骤ST2)。在进行氢氟酸处理时，第一挡板41位于能够接住从基板9飞散的处理液的高度。在氢氟酸处理中，从设置于喷嘴73的下表面的开口731向旋转的基板9的上表面91持续地供给氢氟酸。就着落至上表面91的氢氟酸而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行氢氟酸处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为800rpm～1000rpm(revolution per minute：旋转数/分)。
在停止从开口731喷出氢氟酸之后，开始从开口732喷出冲洗液(步骤ST3)。在进行冲洗处理时，从设置于喷嘴73的下表面的开口732向旋转的基板9的上表面91持续地供给冲洗液。就着落至上表面91的冲洗液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，并与残留在上表面91上的氢氟酸一起从基板9的外周缘向径向外侧飞散。从基板9飞散的氢氟酸以及冲洗液由第一挡板41的内壁接收，经由排出口44废弃。由此，在对基板9的上表面91进行冲洗处理的同时，实质上还进行第一挡板41的清洗。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为1200rpm。
在停止从开口732喷出冲洗液之后，开始从开口733喷出SC1液(步骤ST4)。在进行SC1处理时，从设置于喷嘴73的下表面的开口733向旋转的基板9的上表面91持续地供给SC1液。就着落至上表面91的SC1液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行SC1处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为800rpm。从基板9飞散的SC1液由第二挡板42的内壁接收，从排出口44废弃。
在停止从开口733喷出SC1液之后，开始从开口732喷出冲洗液(步骤ST5)。在进行冲洗处理时，从设置于喷嘴73的下表面的开口732向旋转的基板9的上表面91持续地供给冲洗液。就着落至上表面91的冲洗液而言，因基板9旋转而向基板9的外周部扩散，并与残留在上表面91上的SC1液一起从基板9的外周缘向径向外侧飞散。从基板9飞散的SC1液以及冲洗液由第一挡板41的内壁接收，经由排出口44废弃。由此，在对基板9的上表面91进行冲洗处理的同时，实质上还进行第一挡板41的清洗。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为1200rpm。
此外，在步骤ST3或者步骤ST5的冲洗处理中，也可以从喷嘴71的开口712喷出冲洗液，而不是从喷嘴73的开口732喷出冲洗液。另外，在步骤ST3或者步骤ST5的冲洗处理中，也可以从开口712、732这两者供给冲洗液。
然后，升降机构62使相向部5从退避位置L1(参照图1)下降至清洗位置L3(参照图3)。另外，利用未图示的驱动机构，使喷嘴74移动至处理位置(图3所示的位置)。并且，从喷嘴74向相向部5的下表面513供给清洗液，来进行用于清洗下表面513的相向部清洗处理(步骤ST6)。此外，对于相向部清洗处理，在后述的＜1.3相向部清洗工序的处理例＞中进行详细说明。
当相向部清洗处理结束时，利用未图示的驱动机构使喷嘴74移动至待机位置(图1中实线所示的位置)。另外，升降机构62使相向部5从清洗位置L3(参照图3)下降至相向位置L2(参照图2)。由此，形成由旋转基座32的保持面32a、上盖部511的下表面513以及侧壁部512的内周面包围的空间。在该状态下，执行从喷嘴71的开口714向基板9的上表面91供给IPA的IPA处理(步骤ST7)。在进行IPA处理时，第二挡板42位于能够接住从基板9飞散的IPA的高度。在IPA处理中，从设置于喷嘴71的下表面的开口714向旋转的基板9的上表面91持续地供给IPA。就着落至上表面91的IPA而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行将纯水置换为IPA的IPA处理。另外，为了促进IPA置换，也可以利用省略图示的加热机构对基板9进行加热处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为300rpm。另外，IPA的喷出流量例如为300ml/m(毫升/分)。
在停止从开口714喷出IPA之后，开始从开口715喷出疏水化剂(步骤ST8)。在进行疏水化处理时，从设置于喷嘴73的下表面的开口715向旋转的基板9的上表面91持续地供给疏水化剂。就着落至上表面91的疏水化液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，对整个上表面91进行将表面改为疏水性的疏水化处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为500rpm。从基板9飞散的疏水化剂由第二挡板42的内壁接收，从排出口44废弃。另外，疏水化剂的喷出流量例如为300ml/m。
在停止从开口715喷出疏水化剂之后，以与上面同样的处理条件进行IPA处理(步骤ST9)。在各种液处理结束时，接着执行旋转干燥处理(步骤ST10)。在旋转干燥处理中，使基板9以及相向部5以与进行各种液处理时相比更快的速度旋转。该期间的基板9以及相向部5的转速例如为1500rpm。由此，附着于基板9以及相向部5的各种液体从外周缘向径向外侧飞散，由第二挡板42的内壁接收，经由排出口44废弃。
当旋转干燥处理结束时，利用升降机构62使相向部5上升来处于图1所示的状态，利用外部的搬运机械手从旋转夹具31搬出基板9(步骤ST11)。
由此，基板处理装置1进行的各处理结束。在此，在基板处理装置1进行的处理，包括：基板液处理工序，包括对基板9进行的液处理(在上述例中，步骤ST2～ST5、ST7～ST9)与对基板9进行干燥的干燥处理(在上述例中，步骤ST10)；以及，相向部清洗工序(在上述例中，步骤ST6)，在进行基板液处理工序的过程中执行该相向部清洗工序，用于清洗相向部5。下面，对于相向部清洗工序进行详细说明。
＜1.3相向部清洗工序的处理例＞
图7是第一实施方式的相向部清洗工序(步骤ST6)中的各处理的时序图。下面，对于用于清洗相向部5的相向部清洗工序进行详细说明。此外，在相向部5处于图3所示的清洗位置L3、且喷嘴74处于图1中双点划线所示的处理位置的状态下，执行相向部清洗工序。
首先，从时刻t1起，开始进行冲洗液供给工序101以及液膜形成工序102。冲洗液供给工序101为，向基板9的上表面91供给冲洗液的工序。在冲洗液供给工序101中，从开口712向基板9的上表面91供给冲洗液。另外，液膜形成工序102为，利用旋转马达33使旋转夹具31所保持的基板9以水平姿势旋转，来在基板9的上表面91形成在冲洗液供给工序101中供给的冲洗液的液膜的工序。
此外，就冲洗液供给工序101中的冲洗液的供给而言，也可以与冲洗处理(步骤ST5)同样地，从喷嘴73的开口732供给冲洗液。此时，可以在开始进行相向部清洗工序(步骤ST6)的冲洗液供给工序的时刻t1之后，还持续进行在冲洗处理(步骤ST5)开始的、从开口732喷出冲洗液的动作。当然，也可以在冲洗处理(步骤ST5)停止从开口732喷出冲洗液，然后，在相向部清洗工序(步骤ST6)的冲洗液供给工序101再次从开口732喷出冲洗液。
液膜形成工序102中的基板9的转速例如为10rpm，比基板液处理工序(步骤ST2～ST5、ST7～ST10)中的基板的转速(在上述的例中，300rpm～1500rpm)小。这样，在液膜形成工序102中，使基板9以与基板液处理工序相比更小的速度旋转，从而能够在基板9的上表面91形成较厚的冲洗液的液膜。另外，这时形成的冲洗液的液膜的平均膜厚例如为1mm～2mm。
然后，从时刻t2起，开始进行清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104。清洗液供给工序103为，在基板9的上表面91形成冲洗液的液膜的状态下，向相向部5的下表面513供给清洗液(例如，与冲洗液相同的纯水)的工序。
这样，在清洗液供给工序103中，在形成有冲洗液的液膜的状态下向相向部5的下表面513供给清洗液，因此即使从相向部5的下表面513落下清洗液、颗粒等异物，这些也不会附着于基板9的上表面91，而借助液膜被向基板9的外侧冲走。因此，能够一边降低基板9污染的风险，一边在进行基板处理的过程中清洗相向部5。
另外，在使下表面513为亲水面的情况下，能够降低在清洗液供给工序103中从相向部5的下表面513落下清洗液的情况。另外，通过降低落下清洗液的情况，能够降低形成在基板9上的液膜破坏。通过这样的作用，能够降低基板9污染的风险。
此外，在液膜形成工序102中，为了形成比较厚的冲洗液的液膜，可以增加冲洗液的流量。例如，可以使液膜形成工序102中供给至基板9的冲洗液的供给量大于，步骤ST3中的冲洗液的供给量。另外，在液膜形成工序102中，可以使在进行清洗液供给工序103的过程中向基板9供给冲洗液的供给量大于，在进行该清洗液供给工序103之前或之后供给冲洗液的供给量。此时，在清洗液供给工序103中，能够形成厚的液膜，因此能够有效地抑制从相向部5的下表面513落下的清洗液中的颗粒附着于基板9的情况。
另外，第一相向部旋转工序104为，利用本体旋转部615使保持旋转机构61所保持的相向部5以水平姿势旋转的工序。第一相向部旋转工序104与清洗液供给工序103并行进行，在第一相向部旋转工序104中，使相向部5以与液膜形成工序102中的基板9的转速相同的转速(例如，10rpm)旋转。此外，在本例中，在第一相向部旋转工序104中，使相向部5的转速与基板9的转速相同，但是也可以不同。例如，相向部5的转速也可以是比基板9的转速更大的转速(例如，100rpm)或者更小的转速。
这样使作为清洗对象的相向部5旋转，从而能够在清洗液供给工序103中容易地清洗相向部5的整个下表面513。另外，相向部5的转速为与基板9的转速相同的低速，因此供给至相向部5的下表面513的清洗液难以向下方溅落。由此，能够降低位于相向部5的下方的基板9污染的风险。
另外，相向部5的下表面513比保持于旋转夹具31的基板9更大地扩展。即，下表面513的直径大于基板9的直径。这样，通过使相向部5的下表面513比基板9更宽，能够使从相向部5向基板9落下的清洗液的单位面积内的落下量变小。即，能够使从下表面513朝向基板9落下的液滴的大小变小。由此，能够降低因来自下表面513的清洗液落下而破坏冲洗液的液膜的情况。因此，能够有效地降低因落下的清洗液而使基板污染的情况。
另外，相向部5的下表面513比基板9宽，因此在清洗液供给工序103中，能够使处理液从旋转的相向部5中的、比基板9更靠外侧的部分落下。由此，能够降低向基板9落下的清洗液的量。因此，能够有效地降低因落下的清洗液而使基板污染的情况。
相向部5a的下表面513比基板9宽。因此，能够在统一覆盖基板9的前表面的状态下，对基板9进行干燥处理。因此，能够均匀地处理基板。
然后，当到达时刻t3时，清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104结束。在本实施方式中，在时刻t2～t3的期间，并行地进行冲洗液供给工序101与清洗液供给工序103。因此，即使在清洗液供给工序103中从相向部5的下表面513落下清洗液、异物，这些也会因新供给至基板9的上表面91的冲洗液而容易向基板9的外侧冲走。因此，能够进一步降低基板9污染的风险。
另外，在本实施方式中，在相向部5配置于比退避位置L1低、且比相向位置L2高的清洗位置L3的状态下，清洗相向部5的下表面513。此时，能够使下表面513接近基板9，能够降低因从下表面513落下清洗液而使基板9上的冲洗液的液膜破坏的情况。因此，能够有效地降低因落下的清洗液而使基板污染的情况。此外，并不一定使相向部5配置于清洗位置L3来清洗下表面513。例如，也可以在使相向部5配置于退避位置L1的状态下，从喷嘴74向下表面513供给清洗液，来清洗下表面513。此时，退避位置L1成为清洗位置。
在使相向部5配置于相向位置L2的状态下执行的IPA处理(步骤ST7)、疏水化处理(步骤ST8)或者IPA处理(步骤ST9)为第一基板液处理工序的例。另外，在使相向部5配置于退避位置L1的状态下执行的氢氟酸处理(步骤ST2)、冲洗处理(步骤ST3)、SC1处理(步骤ST4)或者冲洗处理(步骤ST5)为第二基板液处理工序的例。
从时刻t3到时刻t4的期间，进行相向部升降工序105。在相向部升降工序105中，以使相向部5的下表面513的高度高于用于包围基板9的周围的杯体4的上端、且低于基板液处理工序中向基板9的上表面91供给各种液体的各喷嘴73的各开口的方式，升降机构62对相向部5进行升降。
在调整相向部5的高度之后，从时刻t4到时刻t5的期间，进行第二相向部旋转工序106。在进行清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104之后进行第二相向部旋转工序106，第二相向部旋转工序106为，使相向部5以比液膜形成工序102中的基板9的转速更大的速度(例如，1500rpm)旋转的工序。这样通过使相向部5以高速旋转，能够借助离心力使附着于相向部5的下表面513的清洗液、可能残留于相向部5的下表面513的异物向周围飞散，从而能够对相向部5进行干燥。
另外，在本实施方式中，在相向部升降工序105中调整了相向部5的下表面513的高度的状态下，进行第二相向部旋转工序106。在第二相向部旋转工序106中，相向部5的下表面513的高度处于比杯体4的上端更高的位置，因此能够抑制：从相向部5的下表面513借助离心力向侧方飞散的清洗液、异物与杯体4的内壁碰撞，而向基板9的上表面91弹回的情况。另外，在第二相向部旋转工序106中，相向部5的下表面513的高度处于比喷嘴73的各开口更低的位置，因此能够抑制：从相向部5的下表面513借助离心力向侧方飞散的清洗液、异物附着于各喷嘴73的各开口附近的情况(进而，在使用各喷嘴73时附着物向基板9落下的情况)。
并且，在第二相向部旋转工序106结束的时刻t5，使冲洗液供给工序101以及液膜形成工序102也结束，使用于清洗相向部5的相向部清洗工序(步骤ST6)也结束。
另外，在本实施方式中，在进行液处理中的用于对基板9的上表面91进行疏水化的疏水化处理(步骤ST8)之前，进行相向部清洗工序(步骤ST6)。因此，能够防止：在进行疏水化处理之后残留于基板9的上表面91的疏水化剂与从相向部5的下表面513落下的清洗液发生反应(例如，残留于基板9的上表面91的疏水化剂与从相向部5的下表面513落下的纯水发生聚合反应，来使疏水剂进行高分子化)的情况，能够降低在基板9的上表面91产生异物的风险。
另外，在本实施方式中，液处理包括利用有机溶剂的处理(步骤ST7，ST9)，相向部5为具有耐有机溶剂性能的材质。相向部5为具有耐有机溶剂性能的材质，因此即使对基板9进行利用有机溶剂的液处理，相向部5也难以消耗。若采用这样的材质，则相向部5的表面变成疏水性，供给至相向部5的下表面513的清洗液容易向下方溅落，但是在冲洗液供给工序101中在基板9的上表面91形成液膜，因此能够降低基板9污染的风险。
图8是示出比较例的进行相向部清洗工序(步骤ST6)之后的基板9的上表面91的污染情况的俯视图。图9是示出第一实施方式的进行相向部清洗工序(步骤ST6)之后的基板9的上表面91的污染情况的俯视图。此外，在图8以及图9中，利用多个黑圆形记号表示附着于上表面91的颗粒等异物。
就该比较例而言，除了液膜形成工序102中的基板9的转速与基板液处理工序中的基板9的转速相同(例如，1000rpm)之外，与本实施方式相同。比较图8以及图9可知，在比较例中，在基板9的上表面91残留了较多的异物，且这些异物集中于基板9的外周侧。相对于此，在本实施方式中，在基板9的上表面91不怎么残留有异物，且这些异物向基板9的上表面91的整个面分散。因此，与比较例相比，在本实施方式中能够期待提高成品率。之所以产生这样的异物附着状态的差异，是因为本实施方式的液膜形成工序102中的基板9的转速为低速，旋转的离心力小，从而在基板9的上表面91形成了相对厚的液膜。
＜2第二实施方式＞
对于第二实施方式进行说明。此外，在下面的说明中，对于具有与已说明的构件同样的功能的构件，标注相同的附图标记或者追加了拉丁字母的附图标记，省略详细说明。
在第一实施方式的基板处理装置1中，利用本体旋转部615使相向部5主动地旋转。相对于此，在第二实施方式的基板处理装置1a中，相向部5a被动地旋转。下面，对于基板处理装置1a进行说明。
图10以及图11是示出第二实施方式的基板处理装置1a的概略侧视图。此外，图10示出相向部5a处于退避位置L1的状态，图11示出相向部5a处于相向位置L2的状态。
基板处理装置1a具有用于向保持于旋转夹具31的基板9的上表面供给处理液的喷嘴71。对于喷嘴71的结构，后面进行说明。
在旋转基座32的保持面32a的周缘部立设有多个卡合部36。多个卡合部36与多个夹具销35同样地，在与圆形的基板9的外周圆对应的圆周上隔开相等间隔(例如，若为4个卡合部36，则为90°间隔)配置。另外，多个卡合部36配置于比多个夹具销35更靠径向外侧的位置。对于多个卡合部36的功能，后面进行说明。
相向部5a具有本体部51a、被保持部52以及卡合部53。本体部51a具有上盖部511a以及侧壁部512。在上盖部511a的中央部设置有开口54。侧壁部512为以中心轴J1为中心的大致圆筒状的构件，该侧壁部512从上盖部511a的外周部向下方扩展。
多个卡合部53在上盖部511的下表面513的外周部沿着周向配置，而其以中心轴J1为中心大致隔开相等角度间隔配置。多个卡合部53配置于侧壁部512的径向内侧。
被保持部52与本体部51的上表面连接。被保持部52具有筒状部521与凸缘部522。筒状部521为从本体部51的开口54的周围向上方突出的大致筒状的部位。筒状部521例如形成为以中心轴J1为中心的大致圆筒状。凸缘部522从筒状部521的上端部向径向外侧呈环状扩展。凸缘部522例如形成为以中心轴J1为中心的大致圆环板状。
相向部移动机构6的保持旋转机构61a保持被保持部52。保持旋转机构61a具有保持部本体611a、臂部612、凸缘支撑部613以及支撑部连接部614。
保持部本体611a例如形成为以中心轴J1为中心的大致圆板状。保持部本体611覆盖相向部5的凸缘部522的上方。臂部612的一侧端部与保持部本体611a连接，另一侧端部与升降机构62连接。
喷嘴71从保持部本体611a的中央部向下方突出。喷嘴71以不与筒状部521接触的状态，插入筒状部521。
凸缘支撑部613例如形成为以中心轴J1为中心的大致圆环板状。凸缘支撑部613位于凸缘部522的下方。凸缘支撑部613的内径小于相向部5的凸缘部522的外径。凸缘支撑部613的外径大于相向部5的凸缘部522的外径。支撑部连接部614例如形成为以中心轴J1为中心的大致圆筒状。支撑部连接部614使凸缘支撑部613与保持部本体611a在凸缘部522的周围连接。在保持旋转机构61a中，保持部本体611a为在上下方向上与凸缘部522的上表面相向的保持部上部，凸缘支撑部613为在上下方向上与凸缘部522的下表面相向的保持部下部。
在相向部5a位于图10所示的位置的状态下，凸缘支撑部613从下侧与相向部5a的凸缘部522的外周部相接，来支撑凸缘部522。换言之，相向部5a的凸缘部522被相向部移动机构6的保持旋转机构61a保持。在图10所示的状态下，由此，在基板9以及旋转夹具31的上方，利用保持旋转机构61a悬挂相向部5a。在下面的说明中，将图10所示的相向部5a的上下方向的位置称为“退避位置L1a”。退避位置L1a指，相向部5a由相向部移动机构6保持、且从旋转夹具31向上方分离的位置。
在凸缘支撑部613设置有用于限制相向部5a的位置偏移(即，相向部5a的移动以及旋转)的移动限制部616。在图10所示的例中，移动限制部616为从凸缘支撑部613的上表面向上方突出的突起部。通过使移动限制部616插入在凸缘部522设置的孔部，抑制相向部5a的位置偏移。
升降机构62使相向部5a与保持旋转机构61a一同在上下方向上移动。图11是示出相向部5a从图10所示的退避位置L1a下降的状态的剖视图。在下面的说明中，将图11所示的相向部5a的上下方向的位置称为“相向位置L2a”。即，升降机构62使相向部5a在退避位置L1a与相向位置L2a之间相对于旋转夹具31在上下方向上移动。相向位置L2a为比退避位置L1a更靠下方的位置。换言之，相向位置L2a指，与退避位置L1a相比，相向部5a在上下方向上更接近旋转夹具31的位置。
在相向部5a位于相向位置L2a的状态下，相向部5a的多个卡合部53分别与旋转夹具31的多个卡合部36卡合。利用多个卡合部36从下方支撑多个卡合部53。换言之，多个卡合部36为用于支撑相向部5a的相向构件支撑部。例如，卡合部36为与上下方向大致平行的销，卡合部36的上端部与在卡合部53的下端部朝上形成的凹部嵌合。另外，相向部5a的凸缘部522从保持旋转机构61的凸缘支撑部613向上方分离。由此，在相向位置L2a，相向部5a由旋转夹具31保持、并与相向部移动机构6分离。
在由旋转夹具31保持相向部5a的状态下，相向部5a的侧壁部512的下端位于比旋转夹具31的旋转基座32的上表面更靠下方的位置，或者，位于在上下方向上与旋转基座32的上表面相同的位置。若在相向部5a位于相向位置L2a状态下驱动旋转马达33，则相向部5a与基板9以及旋转夹具31一同旋转。这样，在相向部5a位于相向位置L2a的状态下，利用旋转马达33的旋转驱动力，使基板9以及相向部5a一体地围绕中心轴J1旋转。另一方面，在相向部5a位于退避位置L1a的状态下，能够利用旋转马达33的旋转驱动力使基板9围绕中心轴J1旋转，而相向部5a不能旋转。
图12是从下方观察第二实施方式的喷嘴71a的仰视图。作为能够喷出从省略图示的多个处理液供给源供给的各处理液的结构，在喷嘴71a的下表面设置有多个开口711～715。在此，对可从开口711喷出氢氟酸、可从开口712喷出纯水、可从开口713喷出SC1(将过氧化氢溶液以及氨混合而成的处理液)、可从开口714喷出IPA(isopropyl alcohol：异丙醇)、可从开口715喷出疏水化剂(例如，甲硅烷基化剂)的情况进行说明。此外，这些仅仅为一例，也能够向基板9的上表面91喷出其他处理液。另外，也可以设置能够喷出从省略图示的气体供给源供给的气体(例如氮气)的开口。
图13是示出第二实施方式的喷嘴71a的附近的概略剖视图。如图13所示，喷嘴71a将从省略图示的供给源供给的清洗液供给至相向部5a的下表面513。详细而言，喷嘴71a具有朝向斜上方开放的开口716。在如图11所示那样、相向部5a处于相向位置L2a的状态下，如图13所示，喷嘴71a的开口716朝向本体部51中的上盖部511a的下表面513。
＜基板处理装置1a的动作例＞
下面，一边参照图6，一边对于基板处理装置1a的处理例进行说明。在下面的处理例中，对于从喷嘴71a供给用于基板9的液处理的各处理液的情况进行说明，但是也可以采用从喷嘴73供给各处理液的方式。
首先，在相向部5a处于退避位置L1a的状态下，利用外部的搬运机械手向腔室11内搬入基板9，并载置在旋转基座32的夹具销35上。结果，利用夹具销35从下侧支撑该基板9(步骤ST1)。
当搬入基板9时，升降机构62使相向部5a从退避位置L1a下降至相向位置L2a。由此，形成由旋转基座32的保持面32a、上盖部511a的下表面513以及侧壁部512的内周面包围的空间。接着，利用旋转马达33使基板9开始旋转。
在该状态下，对于基板9的上表面91进行利用各种处理液的液处理。首先，执行从喷嘴71a的开口711向基板9的上表面91供给氢氟酸的氢氟酸处理(步骤ST2)。在氢氟酸处理中，从设置于喷嘴71a的下表面的开口711向旋转的基板9的上表面91持续地供给氢氟酸。就着落至上表面91的氢氟酸而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行氢氟酸处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为800rpm～1000rpm。
在停止从开口711喷出氢氟酸之后，开始从开口712喷出冲洗液(步骤ST3)。在进行冲洗处理时，从设置于喷嘴71a的下表面的开口712向旋转的基板9的上表面91持续地供给冲洗液。就着落至上表面91的冲洗液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，且与残留在上表面91上的氢氟酸一起从基板9的外周缘向径向外侧飞散。从基板9飞散的氢氟酸以及冲洗液由第一挡板41的内壁接收，经由排出口44废弃。由此，在对基板9的上表面91进行冲洗处理的同时，实质上还进行第一挡板41的清洗。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为1200rpm。
在停止从开口712喷出冲洗液之后，开始从开口713喷出SC1液(步骤ST4)。在进行SC1处理时，从设置于喷嘴71a的下表面的开口713向旋转的基板9的上表面91持续地供给SC1液。就着落至上表面91的SC1液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行SC1处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为800rpm。从基板9飞散的SC1液由第二挡板42的内壁接收，从排出口44废弃。
在停止从开口713喷出SC1液之后，开始从开口712喷出冲洗液(步骤ST5)。在进行冲洗处理时，从设置于喷嘴71a的下表面的开口712向旋转的基板9的上表面91持续地供给冲洗液。就着落至上表面91的冲洗液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，并与残留在上表面91上的SC1液一起从基板9的外周缘向径向外侧飞散。从基板9飞散的SC1液以及冲洗液由第一挡板41的内壁接收，经由排出口44废弃。由此，在对基板9的上表面91进行冲洗处理的同时，实质上还进行第一挡板41的清洗。该期间例如为30秒。另外，该期间中的基板9以及相向部5的转速例如为1200rpm。
相向部5a的下表面513比基板9更大地扩展。因此，能够在利用下表面513统一覆盖基板9的整个面的状态下，对基板9进行液处理或者干燥处理。由此，能够对基板9的整个面均匀地进行处理。
然后，通过从喷嘴71a的开口716向相向部5a的下表面513供给清洗液，进行用于清洗该下表面513的相向部清洗处理(步骤ST6)。此外，对于相向部清洗处理，在后面说明的＜相向部清洗工序的处理例＞中进行详细说明。
当相向部清洗处理结束时，进行用于从喷嘴71a的开口714向基板9的上表面91供给IPA的IPA处理(步骤ST7)。在进行IPA处理时，第二挡板42位于能够接住从基板9飞散的IPA的高度。在IPA处理中，从设置于喷嘴71a的下表面的开口714向旋转的基板9的上表面91持续地供给IPA。就着落至上表面91的IPA而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行将纯水置换为IPA的IPA处理。另外，为了促进IPA置换，也可以利用省略图示的加热机构对基板9进行加热处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为300rpm。另外，IPA的喷出流量例如为300ml/m。
在停止从开口714喷出IPA之后，开始从开口715喷出疏水化剂(步骤ST8)。在进行疏水化处理时，从设置于喷嘴71a的下表面的开口715向旋转的基板9的上表面91持续地供给疏水化剂。就着落至上表面91的疏水化液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行将表面改为疏水性的疏水化处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5a的转速例如为500rpm。从基板9飞散的疏水化剂由第二挡板42的内壁接收，从排出口44废弃。另外，疏水化剂的喷出流量例如为300ml/m。
在停止从开口715喷出疏水化剂之后，在与上面同样的处理条件下进行IPA处理(步骤ST9)。当各种液处理结束时，接着执行旋转干燥处理(步骤ST10)。在进行旋转干燥处理时，使基板9以及相向部5a以与进行各种液处理时相比更快的速度旋转。该期间的基板9以及相向部5a的转速例如为1500rpm。由此，附着于基板9以及相向部5的各种液体从外周缘向径向外侧飞散，由第二挡板42的内壁接收，经由排出口44废弃。
当旋转干燥处理结束时，利用升降机构62使相向部5a上升来成为图10所示的状态，利用外部的搬运机械手从旋转夹具31搬出基板9(步骤ST11)。
由此，基板处理装置1a进行的各处理结束。在此，对于第二实施方式的相向部清洗工序(在此，步骤ST6)进行详细说明。
＜相向部清洗工序的处理例＞
图14是第二实施方式的相向部清洗工序(步骤ST6)中的各处理的时序图。在相向部5a处于图11所示的相向位置L2a、且喷嘴71a的开口716朝向下表面513的状态下，执行相向部清洗工序。即，在本实施方式中，相向位置L2a成为清洗相向部5a时的清洗位置。
首先，从时刻t1起，开始进行冲洗液供给工序101以及液膜形成工序102。如上所述，冲洗液供给工序101为向基板9的上表面91供给冲洗液的工序。在冲洗液供给工序101中，与上述的步骤ST5同样地，从开口712向基板9的上表面91供给冲洗液。另外，如上所述，液膜形成工序102为，利用旋转马达33使基板9以水平姿势旋转，来在基板9的上表面91形成在冲洗液供给工序101中供给的冲洗液的液膜的工序。
在液膜形成工序102中，进行第二相向部旋转工序106之前的期间(时刻t1～t3)的基板9的转速例如为10rpm。该期间的转速比基板液处理工序(步骤ST2～ST5、ST7～ST10)中的基板的转速(在上述的例中，300rpm～1500rpm)更小。这样，在液膜形成工序102中，使基板9以与基板液处理工序相比更小的速度旋转，从而能够在基板9的上表面91形成较厚的冲洗液的液膜。另外，这时形成的冲洗液的液膜的平均膜厚例如为1mm～2mm。
然后，从时刻t2起，开始进行清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104。在本实施方式中，清洗液供给工序103为，在基板9的上表面91形成冲洗液的液膜的状态下，从喷嘴71a的开口716向相向部5a的下表面513供给清洗液(例如，与冲洗液相同的纯水)的工序。
这样，在清洗液供给工序103中，在形成冲洗液的液膜的状态下，向相向部5a的下表面513供给清洗液，因此即使从下表面513落下清洗液、颗粒等异物，这些也不会附着于基板9的上表面91，而因液膜而容易向基板9的外侧冲走。因此，能够一边降低基板9污染的风险，一边在进行基板处理的过程中清洗相向部5a。
另外，在本实施方式中，第一相向部旋转工序104为，利用旋转马达33使与卡合部36卡合的相向部5a以水平姿势旋转的工序。第一相向部旋转工序104与清洗液供给工序103并行进行。在第一相向部旋转工序104中，使相向部5a以与液膜形成工序102中的基板9的转速相同的转速(例如，10rpm)旋转。
这样使作为清洗对象的相向部5a旋转，从而能够在清洗液供给工序103容易地清洗相向部5a的整个下表面513。另外，相向部5a的转速为与基板9的转速相同的低速，因此供给至下表面513的清洗液难以向下方溅落。由此，能够降低位于相向部5a的下方的基板9污染的风险。
然后，当到达时刻t3时，清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104结束。在本实施方式中，在时刻t2～t3的期间，冲洗液供给工序101与清洗液供给工序103并行进行。因此，即使在清洗液供给工序103从相向部5的下表面513落下清洗液、异物，这些也因新供给至基板9的上表面91的冲洗液而容易向基板9的外侧冲走。因此，能够进一步降低基板9污染的风险。
从时刻t3到时刻t5的期间，进行第二相向部旋转工序106。在进行清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104之后，进行第二相向部旋转工序106。另外，在液膜形成工序102中的进行第二相向部旋转工序106的期间为，使相向部5a以比之前的期间(时刻t1～t3)的基板9的转速(例如，10rpm)更大的速度(例如，1500rpm)旋转的期间。这样通过使相向部5a以高速旋转，能够借助离心力使附着于相向部5a的下表面513的清洗液、可能残留于相向部5a的下表面513的异物向周围飞散，从而能够对相向部5a进行干燥。
此外，在液膜形成工序102中的进行第二相向部旋转工序106的期间(时刻t3～t5)，基板9也以与相向部5a相同的转速高速旋转。因此，在该期间，基板9上的液膜的厚度与进行清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104的期间相比更薄。但是，即使在执行第二相向部旋转工序106时，也在基板9上形成该薄的液膜，从而能够降低因清洗液落下而使基板9污染的风险。
并且，在第二相向部旋转工序106结束的时刻t5，冲洗液供给工序101以及液膜形成工序102也结束，用于清洗相向部5a的相向部清洗工序(步骤ST6)也结束。
＜3第三实施方式＞
接着，对于第三实施方式的基板处理装置1b进行说明。图15以及图16是示出第三实施方式的基板处理装置1b的概略侧视图。此外，图15示出相向部5a处于退避位置L1a的状态，图16示出相向部5a处于相向位置L2a的状态。
本实施方式的基板处理装置1b具有与第二实施方式的基板处理装置1a大致相同的结构。其中，在基板处理装置1b中，相向部移动机构6的保持旋转机构61a具有本体旋转部615。因此，在基板处理装置1b中，相向部5a能够主动地旋转。
喷嘴71b从保持部本体611a的中央部向下方突出。喷嘴71b以不与筒状部521接触的状态，插入筒状部521。与第二实施方式的喷嘴71a同样地，在喷嘴71b的下表面形成有开口711～715(参照图12)。其中，不在喷嘴71b设置开口716。
在利用旋转夹具31保持相向部5a的状态下，相向部5a的侧壁部512的下端位于比旋转夹具31的旋转基座32的上表面更靠下方的位置，或者位于在上下方向上与旋转基座32的上表面相同的位置。在相向部5a位于相向位置L2a的状态下驱动旋转马达33时，相向部5与基板9以及旋转夹具31一同旋转。这样，在相向部5a位于相向位置L2a的状态下，利用旋转马达33的旋转驱动力，使基板9以及相向部5一体地围绕中心轴J1旋转。另一方面，在相向部5a处于退避位置L1a的状态下，能够利用旋转马达33的旋转驱动力，使基板9围绕中心轴J1旋转，能够利用本体旋转部615的旋转驱动力，使相向部5a围绕中心轴J1旋转。
另外，基板处理装置1b具有喷嘴74。如在第一实施方式中说明那样，喷嘴74将从省略图示的供给源供给的清洗液供给至相向部5a的下表面513。利用省略图示的马达使喷嘴臂的基端部围绕沿着铅垂方向的轴转动，从而能够使喷嘴74在处理位置(图15中双点划线所示的位置)与待机位置(图15中实线所示的位置)之间移动，其中，所述处理位置指，喷嘴74接近相向部5a并朝向相向部5a的下表面513开口的位置，所述待机位置指，喷嘴74与相向部5a分离的位置(图15中实线所示的位置)。此外，在如图15所示那样、相向部5a处于退避位置L1a的时机，能够使喷嘴74向处理位置移动。
＜基板处理装置1b的动作例＞
下面，一边参照图6，一边对于基板处理装置1b中的处理例进行说明。在下面的处理例中，对于将用于基板9的液处理的各处理液从喷嘴71b供给的情况进行说明，但是也可以从喷嘴73供给各处理液的一部分。
首先，在相向部5a位于退避位置L1a的状态(参照图15)下，利用外部的搬运机械手向腔室11内搬入基板9，并载置在旋转基座32的夹具销35上。结果，利用夹具销35从下侧支撑该基板9(步骤ST1)。
当搬入基板9时，升降机构62使相向部5a从退避位置L1a下降至相向位置L2a。由此，形成由旋转基座32的保持面32a、上盖部511a的下表面513以及侧壁部512的内周面包围的空间。接着，利用旋转马达33使基板9开始旋转。
在该状态下，对基板9的上表面91执行利用各种处理液的液处理。首先，执行从喷嘴71b的开口711向基板9的上表面91供给氢氟酸的氢氟酸处理(步骤ST2)。在进行氢氟酸处理时，第一挡板41位于能够接住从基板9飞散的处理液的高度。在氢氟酸处理中，从设置于喷嘴71b的下表面的开口711向旋转的基板9的上表面91持续地供给氢氟酸。就着落至上表面91的氢氟酸而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行氢氟酸处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5a的转速例如为800rpm～1000rpm。
在停止从开口711喷出氢氟酸之后，开始从开口712喷出冲洗液(步骤ST3)。在进行冲洗处理时，从设置于喷嘴71b的下表面的开口712向旋转的基板9的上表面91持续地供给冲洗液。就着落至上表面91的冲洗液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，并与残留在上表面91上的氢氟酸一起从基板9的外周缘向径向外侧飞散。从基板9飞散的氢氟酸以及冲洗液由第一挡板41的内壁接收，经由排出口44废弃。由此，在对基板9的上表面91进行冲洗处理的同时，实质上还进行第一挡板41的清洗。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5a的转速例如为1200rpm。
在停止从开口712喷出冲洗液之后，开始从开口713喷出SC1液(步骤ST4)。在进行SC1处理时，从设置于喷嘴71b的下表面的开口713向旋转的基板9的上表面91持续地供给SC1液。就着落至上表面91的SC1液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行SC1处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5a的转速例如为800rpm。从基板9飞散的SC1液由第二挡板42的内壁接收，从排出口44废弃。
在停止从开口713喷出SC1液之后，开始从开口712喷出冲洗液(步骤ST5)。在进行冲洗处理时，从设置于喷嘴71b的下表面的开口712向旋转的基板9的上表面91持续地供给冲洗液。就着落至上表面91的冲洗液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，与残留在上表面91上的SC1液一起从基板9的外周缘向径向外侧飞散。从基板9飞散的SC1液以及冲洗液由第一挡板41的内壁接收，经由排出口44废弃。由此，在对基板9的上表面91进行冲洗处理的同时，实质上还进行第一挡板41的清洗。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5a的转速例如为1200rpm。
然后，升降机构62使相向部5a从相向位置L2a上升至退避位置L1a。另外，利用未图示的驱动机构，使喷嘴74移动至处理位置(图15中双点划线所述的位置)。并且，从喷嘴74向相向部5a的下表面513供给清洗液，来进行用于清洗该下表面513的相向部清洗处理(步骤ST6)。此外，对于相向部清洗处理，在后述的＜相向部清洗工序的处理例＞中进行详细说明。
当相向部清洗处理结束时，利用未图示的驱动机构，使喷嘴74移动至待机位置(图15中实线所示的位置)。另外，升降机构62使相向部5a从退避位置L1a下降至相向位置L2a。在该状态下，执行从喷嘴71b的开口714向基板9的上表面91供给IPA的IPA处理(步骤ST7)。在进行IPA处理时，第二挡板42位于能够接住从基板9飞散的IPA的高度。在IPA处理中，从设置于喷嘴71b的下表面的开口714向旋转的基板9的上表面91持续地供给IPA。就着落至上表面91的IPA而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行将纯水置换为IPA的IPA处理。另外，为了促进IPA置换，也可以利用省略图示的加热机构对基板9进行加热处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为300rpm。另外，IPA的喷出流量例如为300ml/m。
在停止从开口714喷出IPA之后，开始从开口715喷出疏水化剂(步骤ST8)。在进行疏水化处理时，从设置于喷嘴71b的下表面的开口715向旋转的基板9的上表面91持续地供给疏水化剂。就着落至上表面91的疏水化液而言，因该基板9旋转而向基板9的外周部扩散，从而对整个上表面91进行将表面改为疏水性的疏水化处理。该期间例如为30秒。另外，该期间的基板9以及相向部5的转速例如为500rpm。从基板9飞散的疏水化剂由第二挡板42的内壁接收，从排出口44废弃。另外，疏水化剂的喷出流量例如为300ml/m。
在停止从开口715喷出疏水化剂之后，在与上面同样的处理条件下进行IPA处理(步骤ST9)。当各种液处理结束时，接着，执行旋转干燥处理(步骤ST10)。在进行旋转干燥处理时，使基板9以及相向部5a以与进行各种液处理时相比更快的速度旋转。该期间的基板9以及相向部5a的转速例如为1500rpm。由此，附着于基板9以及相向部5a的各种液体从外周缘向径向外侧飞散，由第二挡板42的内壁接收，经由排出口44废弃。
当旋转干燥处理结束时，利用升降机构62使相向部5a上升来成为图15所示的状态，利用外部的搬运机械手从旋转夹具31搬出基板9(步骤ST11)。
由此，基板处理装置1b进行的各处理结束。在此，一边参照图6，一边对于第二实施方式的相向部清洗工序(在此，步骤ST6)进行详细说明。
＜相向部清洗工序的处理例＞
在如图15所示那样相向部5a处于退避位置L1a、且喷嘴74处于双点划线所示的处理位置的状态下，执行相向部清洗工序。即，在本实施方式中，退避位置L1a相当于清洗相向部5a时的清洗位置。
首先，从时刻t1起，开始进行冲洗液供给工序101以及液膜形成工序102。如上所述，冲洗液供给工序101为，向基板9的上表面91供给冲洗液的工序。在冲洗液供给工序101中，与上述的步骤ST5同样地，从开口712向基板9的上表面91供给冲洗液。另外，如上所述，液膜形成工序102为，利用旋转马达33使旋转夹具31所保持的使基板9以水平姿势旋转，来在基板9的上表面91形成在冲洗液供给工序101中供给的冲洗液的液膜的工序。
液膜形成工序102中基板9的转速例如为10rpm，比基板液处理工序(步骤ST2～ST5、ST7～ST10)中的基板的转速(在上述的例中，300rpm～1500rpm)更小。这样，在液膜形成工序102中，使基板9以与基板液处理工序相比更小的速度旋转，从而能够在基板9的上表面91形成较厚的冲洗液的液膜。此时形成的冲洗液的液膜的平均膜厚例如为1mm～2mm。
然后，从时刻t2起，开始进行清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104。在本实施方式中，清洗液供给工序103为，在基板9的上表面9形成冲洗液的液膜的状态下，从喷嘴74向相向部5a的下表面513供给清洗液(例如，与冲洗液相同的纯水)的工序。
这样，在清洗液供给工序103中，在形成冲洗液的液膜的状态下向相向部5a的下表面513供给清洗液，因此即使从下表面513落下清洗液、颗粒等异物，这些也不会附着于基板9的上表面91，而因液膜而向基板9的外侧冲走。因此，能够一边降低基板9污染的风险，一边在进行基板处理的过程中清洗相向部5a。
另外，第一相向部旋转工序104为，利用本体旋转部615使保持旋转机构61所保持的相向部5以水平姿势旋转的工序。第一相向部旋转工序104与清洗液供给工序103并行进行，在第一相向部旋转工序104中，使相向部5以与液膜形成工序102中的基板9的转速相同的转速(例如，10rpm)旋转。
这样使作为清洗对象的相向部5a旋转，从而能够在清洗液供给工序103中容易地清洗相向部5a的整个下表面513。另外，相向部5a的转速为与基板9的转速相同的低速，因此供给至下表面513的清洗液难以向下方溅落。由此，能够降低位于相向部5a的下方的基板9污染的风险。
然后，当到达时刻t3时，清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104结束。在本实施方式中，在时刻t2～t3的期间，冲洗液供给工序101与清洗液供给工序103并行进行。因此，即使在清洗液供给工序103从相向部5a的下表面513落下清洗液、异物，这些也因新供给至基板9的上表面91的冲洗液而容易向基板9的外侧冲走。因此，能够进一步降低基板9污染的风险。
从时刻t3到时刻t4的期间，进行相向部升降工序105。在相向部升降工序105中，以使相向部5a的下表面513的高度高于用于包围基板9的周围的杯体4的上端、且低于基板液处理工序中向基板9的上表面91供给各种液体的各喷嘴71b、73的各开口的方式，升降机构62对相向部5a进行升降。
在调整相向部5a的高度之后，从时刻t4到时刻t5的期间，进行第二相向部旋转工序106。在进行清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104之后进行第二相向部旋转工序106，第二相向部旋转工序106为，使相向部5a以比液膜形成工序102中的基板9的转速更大的速度(例如，1500rpm)旋转的工序。这样通过使相向部5a以高速旋转，能够借助离心力使附着于相向部5a的下表面513的清洗液、可能残留于相向部5a的下表面513的异物向周围飞散，从而能够对相向部5a进行干燥。
另外，在本实施方式中，在相向部升降工序105中调整了相向部5a的下表面513的高度的状态下，进行第二相向部旋转工序106。在第二相向部旋转工序106中，下表面513的高度处于比杯体4的上端更高的位置，因此能够抑制：从下表面513借助离心力向侧方飞散的清洗液、异物与杯体4的内壁碰撞，而向基板9的上表面91弹回的情况。另外，在第二相向部旋转工序106中，下表面513的高度处于比喷嘴71b、73的各开口更低的位置，因此能够抑制：从下表面513借助离心力向侧方飞散的清洗液、异物附着于各喷嘴71b、73的各开口附近的情况(进而，在使用各喷嘴71b、73时该附着物向基板9落下的情况)。
并且，在第二相向部旋转工序106结束的时刻t5，使冲洗液供给工序101以及液膜形成工序102也结束，使用于清洗相向部5a的相向部清洗工序(步骤ST6)也结束。
此外，在本实施方式中，在相向部5a处于退避位置L1a的状态下，进行相向部5a的清洗。该退避位置L1a为，搬入搬出基板9时(步骤ST1、ST11)的位置。但是，也可以使相向部5a配置于比退避位置L1a更靠下方、且比相向位置L2a更靠上方的位置，来清洗下表面513。此时，下表面513接近基板9，因此能够降低：因从下表面513落下清洗液而使基板9上的冲洗液的液膜破坏的情况。因此，能够有效地降低因落下的清洗液而使基板污染的情况。
在本实施方式的说明中，在相向部清洗工序(步骤ST6)中，在使相向部5配置于相向位置L2a的状态下，进行相向部5的下表面513的清洗。但是，也可以如第一实施方式中说明那样，在相向部清洗工序中，在使相向部5配置于退避位置L1a与相向位置L2a之间的高度位置、即清洗位置的状态下，进行下表面513的清洗。
＜4变形例＞
以上，对于本发明的实施方式进行了说明，但是本发明在不脱离其宗旨的情况下，能够进行各种变更。
图17是基板处理装置1、1b的变形例的相向部清洗工序(步骤ST6a)中的各处理的时序图。与上述第一实施方式以及第三实施方式的相向部清洗工序(步骤ST6)中的冲洗液供给工序101相比，该变形例的相向部清洗工序(步骤ST6a)具有短时间的冲洗液供给工序101a。更具体地说，在开始进行液膜形成工序102时刻t1，开始进行冲洗液供给工序101a，在开始进行清洗液供给工序103以及第一相向部旋转工序104的时刻t2，结束冲洗液供给工序101a。即使这样在进行清洗液供给工序103之前进行冲洗液供给工序101a，只要使液膜形成工序102以充分小的速度进行，由此借助冲洗液的表面张力使冲洗液滞留于基板W的上表面91来保持浸液状的液膜，就能够利用该液膜与上述实施方式同样地，降低基板9的上表面91污染的风险。
另外，在上述实施方式中，对于在进行基板处理装置1进行的液处理(步骤ST2～ST5、ST7～ST9)的过程中执行相向部清洗工序(步骤ST6)的情况进行了说明，但是本发明的适用情况并不限定于此。例如，也可以通过省略上述实施方式中的步骤ST7～ST9，在进行基板处理装置1进行的液处理(步骤ST2～ST5)之后、且进行干燥处理(步骤ST10)之前，执行相向部清洗工序(步骤ST6)。这样，能够在进行基板液处理工序的过程的恰当的时机执行相向部清洗工序。
另外，在第二实施方式以及第三实施方式中，对于利用喷嘴71a、71b向基板9的上表面91供给处理液的情况进行了说明，但是也可以利用喷嘴73供给处理液，来代替利用喷嘴71a、71b的供给处理液的方式。例如，在进行步骤ST9中的IPA处理时，也可以使相向部5向退避位置L1a升降，使喷嘴73向处理位置移动，从该喷嘴73朝向基板9的上表面91供给IPA。在这样利用喷嘴73供给处理液的情况下，也可以通过使未图示的喷嘴臂转动，来使喷嘴73一边在基板9的中央侧的上方位置与基板9的外周侧的上方位置之间摆动，一边供给处理液。
在上述实施方式中，对于利用纯水作为冲洗液的情况进行了说明，但是也可以利用除了纯水之外的液体(例如，碳酸水)来作为冲洗液。另外，对于清洗液，也可以利用处了纯水之外的液体(例如，IPA)。
以上，对于实施方式以及其变形例的基板处理方法进行了说明，但是这些仅仅是本发明的优选的实施方式的例，并不限定本发明的实施范围。本发明能够在本发明的范围内自由组合各实施方式，或者变更各实施方式的任意的结构构件，或者省略各实施方式的任意的结构构件。

Claims (14)

1.一种基板处理方法，包括利用相向部处理基板的处理工序，所述相向部具有与所述基板的上表面相向的下表面，其中，
所述基板处理方法包括：
基板液处理工序，对所述基板的所述上表面进行液处理，以及，
相向部清洗工序，清洗所述相向部；
所述相向部清洗工序包括：
冲洗液供给工序，向所述基板的所述上表面供给冲洗液，
液膜形成工序，在所述基板的所述上表面形成在所述冲洗液供给工序中供给的所述冲洗液的液膜，以及，
清洗液供给工序，在通过所述液膜形成工序在所述基板的所述上表面形成有所述液膜的状态下，向所述相向部的所述下表面供给清洗液。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述基板液处理工序包括：在使所述相向部的所述下表面与所述基板的所述上表面相向、且使所述相向部与所述基板以水平姿势旋转的状态下，进行液处理的工序。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述液膜形成工序包括使所述基板以水平姿势旋转的工序，
所述液膜形成工序中的所述基板的转速小于所述基板液处理工序中的所述基板的转速。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述液膜形成工序包括：增加向所述基板的所述上表面供给的所述冲洗液的供给量的工序。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板液处理工序包括第一基板液处理工序，在所述第一基板液处理工序中，将所述相向部配置于与所述基板相向的相向位置，
所述相向部清洗工序包括：在进行所述清洗液供给工序之前，将所述相向部配置于比所述相向位置更靠上方的位置的工序。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，
所述基板液处理工序包括第二基板液处理工序，在所述第二基板液处理工序中，将所述相向部配置于比所述相向位置更靠上方的退避位置，
所述相向部清洗工序包括：在进行所述清洗液供给工序之前，将所述相向部配置于比所述退避位置更接近所述基板的清洗位置的工序。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述冲洗液供给工序与所述清洗液供给工序并行进行。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，
在进行所述清洗液供给工序之前，进行所述冲洗液供给工序。
9.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
还包括第一相向部旋转工序，所述第一相向部旋转工序与所述清洗液供给工序并行进行，在所述第一相向部旋转工序中，使所述相向部以与所述液膜形成工序中的所述基板的所述转速相同的转速以水平姿势旋转。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
还包括第二相向部旋转工序，在进行所述清洗液供给工序以及所述第一相向部旋转工序之后，进行所述第二相向部旋转工序，在所述第二相向部旋转工序中，使所述相向部以比所述液膜形成工序中的所述基板的所述转速更大的速度旋转。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，
还包括相向部升降工序，在所述相向部升降工序中，以使所述相向部的所述下表面的高度高于用于包围所述基板的周围的杯体的上端、且低于在所述基板液处理工序中向所述基板的所述上表面供给各种液体的各喷嘴的各开口的方式，对所述相向部进行升降，
在通过所述相向部升降工序调整了所述相向部的所述下表面的高度的状态下，进行所述第二相向部旋转工序。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理方法，其中，
在进行所述液处理中的疏水化处理之前，进行所述相向部清洗工序，所述疏水化处理为对所述基板的所述上表面进行疏水化的处理。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述液处理包括利用有机溶剂的处理，
所述相向部为具有耐有机溶剂性能的材质。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述相向部的所述下表面比所述基板的上表面更大地扩展。
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