JPH09260337A - 薄膜構造体の製造装置 - Google Patents
薄膜構造体の製造装置Info
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- JPH09260337A JPH09260337A JP8069947A JP6994796A JPH09260337A JP H09260337 A JPH09260337 A JP H09260337A JP 8069947 A JP8069947 A JP 8069947A JP 6994796 A JP6994796 A JP 6994796A JP H09260337 A JPH09260337 A JP H09260337A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、基板に薄膜を形成してなる薄膜構
造体の製造装置に関し、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜
とが密着しないように、簡易な構造で多数枚の基板を同
時に処理することを目的とする。 【解決手段】 昇華性物質が溶融状態で収容され薄膜構
造体が浸漬可能な昇華性物質槽と、前記昇華性物質槽内
の昇華性物質を融点以上の温度に加熱する昇華性物質加
熱手段とを有して構成する。また、前記昇華性物質槽お
よび前記昇華性物質加熱手段を、雰囲気容器内に収容し
て構成する。さらに、前記雰囲気容器内に、前記薄膜構
造体への前記昇華性物質の付着を促進する前処理液が収
容され前記薄膜構造体が浸漬可能な前処理槽を収容して
構成する。
造体の製造装置に関し、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜
とが密着しないように、簡易な構造で多数枚の基板を同
時に処理することを目的とする。 【解決手段】 昇華性物質が溶融状態で収容され薄膜構
造体が浸漬可能な昇華性物質槽と、前記昇華性物質槽内
の昇華性物質を融点以上の温度に加熱する昇華性物質加
熱手段とを有して構成する。また、前記昇華性物質槽お
よび前記昇華性物質加熱手段を、雰囲気容器内に収容し
て構成する。さらに、前記雰囲気容器内に、前記薄膜構
造体への前記昇華性物質の付着を促進する前処理液が収
容され前記薄膜構造体が浸漬可能な前処理槽を収容して
構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に薄膜を形成
してなる薄膜構造体の製造装置に関する。
してなる薄膜構造体の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造技術の発展にともな
い、これ等の技術を用いてミクロンオーダーの微小構造
物あるいは微小機械要素が得られるようになっている。
これ等の要素において、例えば、自己支持型の薄膜構造
体、すなわち薄膜の一部が基板から浮いており、基板に
弾性的に支持される構造体は、アクチュエータ（駆動要
素），センサー，マイクログリッパー（例えば特開平５
−２５３８７０号に開示）等へ応用する構造体として極
めて有用である。
い、これ等の技術を用いてミクロンオーダーの微小構造
物あるいは微小機械要素が得られるようになっている。
これ等の要素において、例えば、自己支持型の薄膜構造
体、すなわち薄膜の一部が基板から浮いており、基板に
弾性的に支持される構造体は、アクチュエータ（駆動要
素），センサー，マイクログリッパー（例えば特開平５
−２５３８７０号に開示）等へ応用する構造体として極
めて有用である。
【０００３】従来、このような薄膜構造体を製造する場
合には、基板に薄膜の成膜と所望のパターニングを行っ
た後、基板自体あるいは基板と薄膜との間にある犠牲層
のみをエッチング溶液中で選択的にエッチングして取り
除く方法がとられている。このエッチングは、純水，イ
ソプロピルアルコール等の洗浄溶液に基板を浸し、エッ
チング溶液を充分に洗浄除去することにより終了され
る。
合には、基板に薄膜の成膜と所望のパターニングを行っ
た後、基板自体あるいは基板と薄膜との間にある犠牲層
のみをエッチング溶液中で選択的にエッチングして取り
除く方法がとられている。このエッチングは、純水，イ
ソプロピルアルコール等の洗浄溶液に基板を浸し、エッ
チング溶液を充分に洗浄除去することにより終了され
る。
【０００４】そして、基板を洗浄溶液から引き上げ乾燥
することにより目的の薄膜構造体が得られる。しかしな
がら、従来の薄膜構造体の製造方法では、エッチング溶
液中で薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜との間に微小間隙
を形成した後に、洗浄溶液によりエッチング溶液を除去
しているため、乾燥時に、薄膜と基板との間あるいは薄
膜と薄膜との間の微小間隙に存在する洗浄溶液の表面張
力により、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜とが密着して
しまうという問題があった。
することにより目的の薄膜構造体が得られる。しかしな
がら、従来の薄膜構造体の製造方法では、エッチング溶
液中で薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜との間に微小間隙
を形成した後に、洗浄溶液によりエッチング溶液を除去
しているため、乾燥時に、薄膜と基板との間あるいは薄
膜と薄膜との間の微小間隙に存在する洗浄溶液の表面張
力により、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜とが密着して
しまうという問題があった。
【０００５】従来、このような密着を防止するために、
エッチング溶液が洗浄除去された基板は、凍結真空乾燥
法を用いた乾燥装置により乾燥処理されている。すなわ
ち、先ず、洗浄溶液から引き上げられ、洗浄溶液に濡れ
た状態の基板が、熱電（ペルチェ）素子により冷却され
た冷却板に接触され、急速に洗浄溶液が凍結される。
エッチング溶液が洗浄除去された基板は、凍結真空乾燥
法を用いた乾燥装置により乾燥処理されている。すなわ
ち、先ず、洗浄溶液から引き上げられ、洗浄溶液に濡れ
た状態の基板が、熱電（ペルチェ）素子により冷却され
た冷却板に接触され、急速に洗浄溶液が凍結される。
【０００６】そして、次に、基板が冷却板とともに真空
チャンバー内に導入され、洗浄溶液を凍結した状態を保
ちながら真空ポンプにより真空チャンバー内が減圧さ
れ、これにより、基板に凍結付着している洗浄溶液が昇
華，乾燥される。
チャンバー内に導入され、洗浄溶液を凍結した状態を保
ちながら真空ポンプにより真空チャンバー内が減圧さ
れ、これにより、基板に凍結付着している洗浄溶液が昇
華，乾燥される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜構造体の製造装置では、洗浄溶液が基板から乾かな
いうちに洗浄溶液を急速に冷却するための冷却板、およ
び、洗浄溶液を凍結した状態で減圧可能な真空装置が必
要であり装置が大掛かりになるという問題があった。
薄膜構造体の製造装置では、洗浄溶液が基板から乾かな
いうちに洗浄溶液を急速に冷却するための冷却板、およ
び、洗浄溶液を凍結した状態で減圧可能な真空装置が必
要であり装置が大掛かりになるという問題があった。
【０００８】また、基板を急速に冷却した後に、さら
に、減圧を行うため、一度に乾燥処理できる基板の枚数
が少量に限られてしまい、多数枚の基板を一度にバッチ
処理することが困難であるという問題があった。本発明
は、かかる従来の問題を解決するためになされたもの
で、簡易な構造で多数枚の基板を同時に処理することが
できる薄膜構造体の製造装置を提供することを目的とす
る。
に、減圧を行うため、一度に乾燥処理できる基板の枚数
が少量に限られてしまい、多数枚の基板を一度にバッチ
処理することが困難であるという問題があった。本発明
は、かかる従来の問題を解決するためになされたもの
で、簡易な構造で多数枚の基板を同時に処理することが
できる薄膜構造体の製造装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の薄膜構造体の
製造装置は、昇華性物質が溶融状態で収容され薄膜構造
体が浸漬可能な昇華性物質槽と、前記昇華性物質槽内の
昇華性物質を融点以上の温度に加熱する昇華性物質加熱
手段とを有することを特徴とする。
製造装置は、昇華性物質が溶融状態で収容され薄膜構造
体が浸漬可能な昇華性物質槽と、前記昇華性物質槽内の
昇華性物質を融点以上の温度に加熱する昇華性物質加熱
手段とを有することを特徴とする。
【００１０】請求項２の薄膜構造体の製造装置は、請求
項１記載の薄膜構造体の製造装置において、前記昇華性
物質槽および前記昇華性物質加熱手段を、雰囲気容器内
に収容してなることを特徴とする。請求項３の薄膜構造
体の製造装置は、請求項２記載の薄膜構造体の製造装置
において、前記雰囲気容器内には、前記薄膜構造体への
前記昇華性物質の付着を促進する前処理液が収容され前
記薄膜構造体が浸漬可能な前処理槽が収容されているこ
とを特徴とする。
項１記載の薄膜構造体の製造装置において、前記昇華性
物質槽および前記昇華性物質加熱手段を、雰囲気容器内
に収容してなることを特徴とする。請求項３の薄膜構造
体の製造装置は、請求項２記載の薄膜構造体の製造装置
において、前記雰囲気容器内には、前記薄膜構造体への
前記昇華性物質の付着を促進する前処理液が収容され前
記薄膜構造体が浸漬可能な前処理槽が収容されているこ
とを特徴とする。
【００１１】請求項４の薄膜構造体の製造装置は、請求
項２または３記載の薄膜構造体の製造装置において、前
記雰囲気容器には、雰囲気容器内の気体を外部に排出す
る排気手段が配置されていることを特徴とする。請求項
５の薄膜構造体の製造装置は、請求項４記載の薄膜構造
体の製造装置において、前記排気手段は、前記雰囲気容
器内の気体を外部に排出する排気ダクトと、前記排気ダ
クトに配置され排気ダクト内の気体を冷却する冷却手段
と、前記冷却手段の近傍に配置され凝固した前記昇華性
物質を収容する収納容器とを有することを特徴とする。
項２または３記載の薄膜構造体の製造装置において、前
記雰囲気容器には、雰囲気容器内の気体を外部に排出す
る排気手段が配置されていることを特徴とする。請求項
５の薄膜構造体の製造装置は、請求項４記載の薄膜構造
体の製造装置において、前記排気手段は、前記雰囲気容
器内の気体を外部に排出する排気ダクトと、前記排気ダ
クトに配置され排気ダクト内の気体を冷却する冷却手段
と、前記冷却手段の近傍に配置され凝固した前記昇華性
物質を収容する収納容器とを有することを特徴とする。
【００１２】請求項６の薄膜構造体の製造装置は、請求
項２ないし５のいずれか１項記載の薄膜構造体の製造装
置において、前記雰囲気容器内には、前記薄膜構造体に
付着した前記昇華性物質を昇華除去する乾燥容器が収容
されていることを特徴とする。請求項７の薄膜構造体の
製造装置は、請求項６記載の薄膜構造体の製造装置にお
いて、前記乾燥容器には、乾燥容器内の雰囲気温度を上
昇する乾燥容器加熱手段が配置されていることを特徴と
する。
項２ないし５のいずれか１項記載の薄膜構造体の製造装
置において、前記雰囲気容器内には、前記薄膜構造体に
付着した前記昇華性物質を昇華除去する乾燥容器が収容
されていることを特徴とする。請求項７の薄膜構造体の
製造装置は、請求項６記載の薄膜構造体の製造装置にお
いて、前記乾燥容器には、乾燥容器内の雰囲気温度を上
昇する乾燥容器加熱手段が配置されていることを特徴と
する。
【００１３】請求項８の薄膜構造体の製造装置は、請求
項６または７記載の薄膜構造体の製造装置において、前
記乾燥容器には、乾燥容器内の雰囲気流体を撹拌する撹
拌手段が配置されていることを特徴とする。
項６または７記載の薄膜構造体の製造装置において、前
記乾燥容器には、乾燥容器内の雰囲気流体を撹拌する撹
拌手段が配置されていることを特徴とする。
【００１４】請求項９の薄膜構造体の製造装置は、請求
項６ないし８のいずれか１項記載の薄膜構造体の製造装
置において、前記乾燥容器には、乾燥容器内を減圧する
減圧手段が配置されていることを特徴とする。請求項１
０の薄膜構造体の製造装置は、請求項１ないし９のいず
れか１項記載の薄膜構造体の製造装置において、前記昇
華性物質加熱手段は、高周波誘電加熱装置からなること
を特徴とする。
項６ないし８のいずれか１項記載の薄膜構造体の製造装
置において、前記乾燥容器には、乾燥容器内を減圧する
減圧手段が配置されていることを特徴とする。請求項１
０の薄膜構造体の製造装置は、請求項１ないし９のいず
れか１項記載の薄膜構造体の製造装置において、前記昇
華性物質加熱手段は、高周波誘電加熱装置からなること
を特徴とする。
【００１５】請求項１１の薄膜構造体の製造装置は、請
求項１ないし１０のいずれか１項記載の薄膜構造体の製
造装置において、前記雰囲気容器内には、前記雰囲気容
器の外部からの前記薄膜構造体を前記昇華性物質槽に導
く搬入手段と、前記搬入手段からの前記薄膜構造体を前
記昇華性物質槽に浸漬する浸漬手段と、前記昇華性物質
槽に浸漬された薄膜構造体を前記雰囲気容器の外部に導
く搬出手段とが配置されていることを特徴とする。
求項１ないし１０のいずれか１項記載の薄膜構造体の製
造装置において、前記雰囲気容器内には、前記雰囲気容
器の外部からの前記薄膜構造体を前記昇華性物質槽に導
く搬入手段と、前記搬入手段からの前記薄膜構造体を前
記昇華性物質槽に浸漬する浸漬手段と、前記昇華性物質
槽に浸漬された薄膜構造体を前記雰囲気容器の外部に導
く搬出手段とが配置されていることを特徴とする。
【００１６】請求項１２の薄膜構造体の製造装置は、請
求項２ないし１０のいずれか１項記載の薄膜構造体の製
造装置において、前記雰囲気容器内には、前記雰囲気容
器の外部からの前記薄膜構造体を前記前処理槽に導く搬
入手段と、前記搬入手段からの前記薄膜構造体を前記前
処理槽に浸漬する前処理槽浸漬手段と、前記前処理槽に
浸漬された薄膜構造体を前記昇華性物質槽に導く搬送手
段と、前記搬送手段からの前記薄膜構造体を前記昇華性
物質槽に浸漬する昇華性物質槽浸漬手段と、前記昇華性
物質槽に浸漬された薄膜構造体を前記雰囲気容器の外部
に導く搬出手段とが配置されていることを特徴とする。
求項２ないし１０のいずれか１項記載の薄膜構造体の製
造装置において、前記雰囲気容器内には、前記雰囲気容
器の外部からの前記薄膜構造体を前記前処理槽に導く搬
入手段と、前記搬入手段からの前記薄膜構造体を前記前
処理槽に浸漬する前処理槽浸漬手段と、前記前処理槽に
浸漬された薄膜構造体を前記昇華性物質槽に導く搬送手
段と、前記搬送手段からの前記薄膜構造体を前記昇華性
物質槽に浸漬する昇華性物質槽浸漬手段と、前記昇華性
物質槽に浸漬された薄膜構造体を前記雰囲気容器の外部
に導く搬出手段とが配置されていることを特徴とする。
【００１７】請求項１３の薄膜構造体の製造装置は、請
求項１ないし１２のいずれか１項記載の薄膜構造体の製
造装置において、前記昇華性物質は、ナフタレンまたは
パラジクロロベンゼンからなることを特徴とする。請求
項１４の薄膜構造体の製造装置は、請求項１ないし１３
のいずれか１項記載の薄膜構造体の製造装置において、
前記前処理液は、アルコール，エーテルまたはアセトン
から選ばれた１の物質またはこれらの混合液からなるこ
とを特徴とする。
求項１ないし１２のいずれか１項記載の薄膜構造体の製
造装置において、前記昇華性物質は、ナフタレンまたは
パラジクロロベンゼンからなることを特徴とする。請求
項１４の薄膜構造体の製造装置は、請求項１ないし１３
のいずれか１項記載の薄膜構造体の製造装置において、
前記前処理液は、アルコール，エーテルまたはアセトン
から選ばれた１の物質またはこれらの混合液からなるこ
とを特徴とする。
【００１８】（作用）請求項１の薄膜構造体の製造装置
では、昇華性物質加熱手段により昇華性物質槽内の昇華
性物質が融点以上の温度に加熱され、昇華性物質槽内に
昇華性物質が溶融状態で収容される。そして、昇華性物
質槽内に薄膜構造体を浸漬すると、薄膜構造体の薄膜と
薄膜との間または薄膜と基板との間の微小間隙に溶融状
態の昇華性物質が付着される。
では、昇華性物質加熱手段により昇華性物質槽内の昇華
性物質が融点以上の温度に加熱され、昇華性物質槽内に
昇華性物質が溶融状態で収容される。そして、昇華性物
質槽内に薄膜構造体を浸漬すると、薄膜構造体の薄膜と
薄膜との間または薄膜と基板との間の微小間隙に溶融状
態の昇華性物質が付着される。
【００１９】この後、昇華性物質槽から薄膜構造体を引
き上げると、薄膜構造体の微小間隙に付着した昇華性物
質が凝固し、そのまま昇華され所定の薄膜構造体が得ら
れる。請求項２の薄膜構造体の製造装置では、昇華性物
質槽および昇華性物質加熱手段が雰囲気容器内に収容さ
れ、雰囲気容器内において薄膜構造体への昇華性物質の
付着が行われる。
き上げると、薄膜構造体の微小間隙に付着した昇華性物
質が凝固し、そのまま昇華され所定の薄膜構造体が得ら
れる。請求項２の薄膜構造体の製造装置では、昇華性物
質槽および昇華性物質加熱手段が雰囲気容器内に収容さ
れ、雰囲気容器内において薄膜構造体への昇華性物質の
付着が行われる。
【００２０】請求項３の薄膜構造体の製造装置では、雰
囲気容器内に収容される前処理槽の前処理液に、薄膜構
造体が浸漬され、薄膜構造体が前処理され、薄膜構造体
の微小間隙への昇華性物質の付着が促進される。請求項
４の薄膜構造体の製造装置では、雰囲気容器内の昇華性
物質蒸気が外部に排出される。
囲気容器内に収容される前処理槽の前処理液に、薄膜構
造体が浸漬され、薄膜構造体が前処理され、薄膜構造体
の微小間隙への昇華性物質の付着が促進される。請求項
４の薄膜構造体の製造装置では、雰囲気容器内の昇華性
物質蒸気が外部に排出される。
【００２１】請求項５の薄膜構造体の製造装置では、雰
囲気容器内の昇華性物質蒸気が排気ダクトにより導かれ
た後、冷却手段により冷却され凝固し、収納容器内に収
容される。請求項６の薄膜構造体の製造装置では、雰囲
気容器内の乾燥容器に、昇華性物質槽に浸漬された薄膜
構造体が収容され、薄膜構造体に付着した昇華性物質が
昇華除去される。
囲気容器内の昇華性物質蒸気が排気ダクトにより導かれ
た後、冷却手段により冷却され凝固し、収納容器内に収
容される。請求項６の薄膜構造体の製造装置では、雰囲
気容器内の乾燥容器に、昇華性物質槽に浸漬された薄膜
構造体が収容され、薄膜構造体に付着した昇華性物質が
昇華除去される。
【００２２】請求項７の薄膜構造体の製造装置では、乾
燥容器加熱手段により乾燥容器内の雰囲気温度が上昇さ
れ、薄膜構造体に付着した昇華性物質の昇華が促進され
る。請求項８の薄膜構造体の製造装置では、撹拌手段に
より乾燥容器内の雰囲気流体が撹拌され、薄膜構造体に
付着した昇華性物質の昇華が促進される。請求項９の薄
膜構造体の製造装置では、減圧手段により乾燥容器内を
減圧するようにしたので、薄膜構造体に付着した昇華性
物質の昇華が促進される。
燥容器加熱手段により乾燥容器内の雰囲気温度が上昇さ
れ、薄膜構造体に付着した昇華性物質の昇華が促進され
る。請求項８の薄膜構造体の製造装置では、撹拌手段に
より乾燥容器内の雰囲気流体が撹拌され、薄膜構造体に
付着した昇華性物質の昇華が促進される。請求項９の薄
膜構造体の製造装置では、減圧手段により乾燥容器内を
減圧するようにしたので、薄膜構造体に付着した昇華性
物質の昇華が促進される。
【００２３】請求項１０の薄膜構造体の製造装置では、
昇華性物質槽内の昇華性物質が、高周波誘電加熱装置に
より加熱される。請求項１１の薄膜構造体の製造装置で
は、搬入手段により薄膜構造体が昇華性物質槽に導びか
れ後、浸漬手段により昇華性物質槽に浸漬され、この
後、搬出手段により雰囲気容器の外部に導かれる。
昇華性物質槽内の昇華性物質が、高周波誘電加熱装置に
より加熱される。請求項１１の薄膜構造体の製造装置で
は、搬入手段により薄膜構造体が昇華性物質槽に導びか
れ後、浸漬手段により昇華性物質槽に浸漬され、この
後、搬出手段により雰囲気容器の外部に導かれる。
【００２４】請求項１２の薄膜構造体の製造装置では、
搬入手段により薄膜構造体が前処理槽に導びかれた後、
前処理槽浸漬手段により前処理槽に浸漬され、この後、
搬送手段により昇華性物質槽に導びかれ、昇華性物質浸
漬手段により昇華性物質槽に浸漬され、この後、搬出手
段により雰囲気容器の外部に導かれる。請求項１３の薄
膜構造体の製造装置では、昇華性物質に、比較的融点の
低いナフタレンまたはパラジクロロベンゼンが使用され
る。
搬入手段により薄膜構造体が前処理槽に導びかれた後、
前処理槽浸漬手段により前処理槽に浸漬され、この後、
搬送手段により昇華性物質槽に導びかれ、昇華性物質浸
漬手段により昇華性物質槽に浸漬され、この後、搬出手
段により雰囲気容器の外部に導かれる。請求項１３の薄
膜構造体の製造装置では、昇華性物質に、比較的融点の
低いナフタレンまたはパラジクロロベンゼンが使用され
る。
【００２５】請求項１４の薄膜構造体の製造装置では、
前処理液に、アルコール，エーテルまたはアセトンから
選ばれた１の物質、あるいは、これら２種以上の物質を
混合した混合液が使用される。
前処理液に、アルコール，エーテルまたはアセトンから
選ばれた１の物質、あるいは、これら２種以上の物質を
混合した混合液が使用される。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
【００２７】図１は、本発明の薄膜構造体の製造装置の
第１の実施形態を示しており、図２は、図１の装置を用
いて製造される薄膜構造体の一例であるフレキシブルマ
イクログリッパー（Jpn.J.Appl.Phys.vol.33 pp2107-21
12 1994 参照）を示している。図２のフレキシブルマ
イクログリッパーは、シリコン（Ｓｉ）からなる支持体
１１の両面から、窒化シリコン膜からなる一対のフィン
ガー部１３，１５を突出して形成されている。
第１の実施形態を示しており、図２は、図１の装置を用
いて製造される薄膜構造体の一例であるフレキシブルマ
イクログリッパー（Jpn.J.Appl.Phys.vol.33 pp2107-21
12 1994 参照）を示している。図２のフレキシブルマ
イクログリッパーは、シリコン（Ｓｉ）からなる支持体
１１の両面から、窒化シリコン膜からなる一対のフィン
ガー部１３，１５を突出して形成されている。
【００２８】そして、一対のフィンガー部１３，１５の
間に微小間隙１７が形成されている。フィンガー部１
３，１５には、金からなる薄膜コイル１９が形成されて
いる。薄膜コイル１９は、支持体１１の両面に形成され
る金からなる電極２１に接続されている。フィンガー部
１３，１５の先端には、保持突起２３が形成されてい
る。
間に微小間隙１７が形成されている。フィンガー部１
３，１５には、金からなる薄膜コイル１９が形成されて
いる。薄膜コイル１９は、支持体１１の両面に形成され
る金からなる電極２１に接続されている。フィンガー部
１３，１５の先端には、保持突起２３が形成されてい
る。
【００２９】上述したフレキシブルマイクログリッパー
は、例えば、以下述べるように製造される。先ず、図３
の（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン基板２５の両
面の全体に、ＬＰＣＶＤ法により厚さ０．７μｍの窒化
シリコン膜２７が成膜される。次ぎに、この窒化シリコ
ン膜２７が、フィンガー部１３および支持体１１の形状
が得られるようにパターニングされる。
は、例えば、以下述べるように製造される。先ず、図３
の（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン基板２５の両
面の全体に、ＬＰＣＶＤ法により厚さ０．７μｍの窒化
シリコン膜２７が成膜される。次ぎに、この窒化シリコ
ン膜２７が、フィンガー部１３および支持体１１の形状
が得られるようにパターニングされる。
【００３０】この後、金からなる薄膜コイル１９および
電極２１がリフトオフ法により形成される。次に、試料
が水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液に浸漬され、シリコ
ン基板２５の不要なシリコン部がエッチングにより除去
され、（ｃ）に示すような試料が得られる。
電極２１がリフトオフ法により形成される。次に、試料
が水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液に浸漬され、シリコ
ン基板２５の不要なシリコン部がエッチングにより除去
され、（ｃ）に示すような試料が得られる。
【００３１】この後、試料が純水により洗浄され、水酸
化カリウム水溶液が除去されエッチングが停止される。
次に、試料がイソプロピルアルコールに浸漬される。こ
の後、イソプロピルアルコールから試料が引き上げら
れ、乾燥する前に、溶融状態のナフタレン溶液に浸漬さ
れる。
化カリウム水溶液が除去されエッチングが停止される。
次に、試料がイソプロピルアルコールに浸漬される。こ
の後、イソプロピルアルコールから試料が引き上げら
れ、乾燥する前に、溶融状態のナフタレン溶液に浸漬さ
れる。
【００３２】なお、ナフタレン溶液は融点である８０℃
より若干高い温度まで加熱され溶融状態とされている。
次に、試料の細部までナフタレン溶液が付着したところ
で、試料が常温かつ大気圧の空気中に引き上げられナフ
タレンが迅速に凝固される。なお、ここで常温とは、例
えば１０℃以上で４０℃以下の通常室内雰囲気温度であ
り、大気圧とは約１気圧の圧力をいう。
より若干高い温度まで加熱され溶融状態とされている。
次に、試料の細部までナフタレン溶液が付着したところ
で、試料が常温かつ大気圧の空気中に引き上げられナフ
タレンが迅速に凝固される。なお、ここで常温とは、例
えば１０℃以上で４０℃以下の通常室内雰囲気温度であ
り、大気圧とは約１気圧の圧力をいう。
【００３３】この後、試料に付着しているナフタレンが
常温かつ大気圧の空気中で昇華除去され、図２に示した
ようなフレキシブルマイクログリッパーが製造される。
上述した薄膜構造体の製造方法では、一対のフィンガー
部１３，１５の間の微小間隙１７に存在するイソプロピ
ルアルコールが乾燥する前に、一対のフィンガー部１
３，１５の間に溶融状態のナフタレンを付着し、付着し
たナフタレンをそのまま凝固，昇華するようにしたの
で、一対のフィンガー部１３，１５が密着することを容
易，確実に防止することができる。
常温かつ大気圧の空気中で昇華除去され、図２に示した
ようなフレキシブルマイクログリッパーが製造される。
上述した薄膜構造体の製造方法では、一対のフィンガー
部１３，１５の間の微小間隙１７に存在するイソプロピ
ルアルコールが乾燥する前に、一対のフィンガー部１
３，１５の間に溶融状態のナフタレンを付着し、付着し
たナフタレンをそのまま凝固，昇華するようにしたの
で、一対のフィンガー部１３，１５が密着することを容
易，確実に防止することができる。
【００３４】すなわち、従来のようにエッチング溶液中
で一対のフィンガー部１３，１５を形成した後に、洗浄
溶液によりエッチング溶液を除去し、このまま洗浄溶液
を乾燥すると、一対のフィンガー部１３，１５の間の微
小間隙１７に存在する洗浄溶液の表面張力により、乾燥
時に一対のフィンガー部１３，１５が密着するという問
題が発生するが、上述した製造方法では、一対のフィン
ガー部１３，１５の間に溶融状態のナフタレンを付着し
て洗浄溶液を除去し、付着したナフタレンをそのまま凝
固，昇華するようにしたので、一対のフィンガー部１
３，１５が密着することを容易，確実に防止することが
できる。
で一対のフィンガー部１３，１５を形成した後に、洗浄
溶液によりエッチング溶液を除去し、このまま洗浄溶液
を乾燥すると、一対のフィンガー部１３，１５の間の微
小間隙１７に存在する洗浄溶液の表面張力により、乾燥
時に一対のフィンガー部１３，１５が密着するという問
題が発生するが、上述した製造方法では、一対のフィン
ガー部１３，１５の間に溶融状態のナフタレンを付着し
て洗浄溶液を除去し、付着したナフタレンをそのまま凝
固，昇華するようにしたので、一対のフィンガー部１
３，１５が密着することを容易，確実に防止することが
できる。
【００３５】図１は、このような薄膜構造体の製造方法
に使用される本発明の薄膜構造体の製造装置の第１の実
施形態を示すもので、この薄膜構造体の製造装置は、上
述したフレキシブルマイクログリッパー等の薄膜構造体
の微小間隙に、ナフタレン等の昇華性物質を付着するた
めに使用される。
に使用される本発明の薄膜構造体の製造装置の第１の実
施形態を示すもので、この薄膜構造体の製造装置は、上
述したフレキシブルマイクログリッパー等の薄膜構造体
の微小間隙に、ナフタレン等の昇華性物質を付着するた
めに使用される。
【００３６】図１において、符号３１は、昇華性物質槽
を示している。この昇華性物質槽３１には、ナフタレ
ン，パラジクロロベンゼン等の昇華性物質が溶融状態で
収容される。この昇華性物質槽３１は、矩形状をしてお
り、多数枚の薄膜構造体３３が収容されるウェーハキャ
リアー３５が容易に浸漬可能な大きさを有している。
を示している。この昇華性物質槽３１には、ナフタレ
ン，パラジクロロベンゼン等の昇華性物質が溶融状態で
収容される。この昇華性物質槽３１は、矩形状をしてお
り、多数枚の薄膜構造体３３が収容されるウェーハキャ
リアー３５が容易に浸漬可能な大きさを有している。
【００３７】昇華性物質槽３１には、昇華性物質槽３１
内の昇華性物質を融点以上の温度に加熱する昇華性物質
加熱手段であるヒータ３７が埋設されている。昇華性物
質槽３１に隣接して、前処理槽３９が配置されている。
この前処理槽３９には、薄膜構造体３３への昇華性物質
の付着を促進する前処理液が収容されている。
内の昇華性物質を融点以上の温度に加熱する昇華性物質
加熱手段であるヒータ３７が埋設されている。昇華性物
質槽３１に隣接して、前処理槽３９が配置されている。
この前処理槽３９には、薄膜構造体３３への昇華性物質
の付着を促進する前処理液が収容されている。
【００３８】この前処理液には、アルコール，エーテ
ル，アセトン等が使用される。ここで、アルコールに
は、メチルアルコール，エチルアルコール，プロピルア
ルコール，イソプロピルアルコール，ブチルアルコー
ル，シクロヘキサノール等を使用するのが望ましい。ま
た、エーテルには、ジメチルエーテル，ジエチルエーテ
ル，メチルエチルエーテル等を使用するのが望ましい。
ル，アセトン等が使用される。ここで、アルコールに
は、メチルアルコール，エチルアルコール，プロピルア
ルコール，イソプロピルアルコール，ブチルアルコー
ル，シクロヘキサノール等を使用するのが望ましい。ま
た、エーテルには、ジメチルエーテル，ジエチルエーテ
ル，メチルエチルエーテル等を使用するのが望ましい。
【００３９】前処理槽３９は、矩形状をしており、多数
枚の薄膜構造体３３が収容されるウェーハキャリアー３
５が容易に浸漬可能な大きさを有している。この前処理
槽３９と昇華性物質槽３１との間には、断熱材４１が配
置されている。そして、昇華性物質槽３１および前処理
槽３９が、雰囲気容器４３内に収容されている。
枚の薄膜構造体３３が収容されるウェーハキャリアー３
５が容易に浸漬可能な大きさを有している。この前処理
槽３９と昇華性物質槽３１との間には、断熱材４１が配
置されている。そして、昇華性物質槽３１および前処理
槽３９が、雰囲気容器４３内に収容されている。
【００４０】雰囲気容器４３は、直方体形状をしてお
り、前方に開閉可能な蓋部材４５を有している。上述し
た薄膜構造体の製造装置では、先ず、雰囲気容器４３内
に収容される前処理槽３９の前処理液に、薄膜構造体３
３が収容されるウェーハキャリアーが浸漬され、薄膜構
造体３３が前処理される。
り、前方に開閉可能な蓋部材４５を有している。上述し
た薄膜構造体の製造装置では、先ず、雰囲気容器４３内
に収容される前処理槽３９の前処理液に、薄膜構造体３
３が収容されるウェーハキャリアーが浸漬され、薄膜構
造体３３が前処理される。
【００４１】この前処理は、エッチング溶液を洗浄溶液
により除去された薄膜構造体３３の微小間隙への後述す
る昇華性物質の付着を促進するために行われる。次に、
前処理液が乾燥する前に、昇華性物質槽３１内にウェー
ハキャリアー３５が浸漬され、薄膜構造体３３の薄膜と
薄膜との間または薄膜と基板との間の微小間隙に溶融状
態の昇華性物質が付着される。
により除去された薄膜構造体３３の微小間隙への後述す
る昇華性物質の付着を促進するために行われる。次に、
前処理液が乾燥する前に、昇華性物質槽３１内にウェー
ハキャリアー３５が浸漬され、薄膜構造体３３の薄膜と
薄膜との間または薄膜と基板との間の微小間隙に溶融状
態の昇華性物質が付着される。
【００４２】そして、この後、昇華性物質槽３１からウ
ェーハキャリアー３５を引き上げ、外部に放置すると、
薄膜構造体３３の微小間隙に付着した昇華性物質が凝固
し、そのまま昇華され所定の薄膜構造体３３が得られ
る。以上のように構成された薄膜構造体の製造装置で
は、薄膜構造体３３の微小間隙に溶融状態の昇華性物質
を付着し、付着した昇華性物質をそのまま凝固，昇華す
るようにしたので、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜とが
密着することを容易，確実に防止することができる。
ェーハキャリアー３５を引き上げ、外部に放置すると、
薄膜構造体３３の微小間隙に付着した昇華性物質が凝固
し、そのまま昇華され所定の薄膜構造体３３が得られ
る。以上のように構成された薄膜構造体の製造装置で
は、薄膜構造体３３の微小間隙に溶融状態の昇華性物質
を付着し、付着した昇華性物質をそのまま凝固，昇華す
るようにしたので、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜とが
密着することを容易，確実に防止することができる。
【００４３】そして、昇華性物質を収容する昇華性物質
槽３１と、昇華性物質槽３１内の昇華性物質を融点以上
の温度に加熱するヒータ３７と、前処理液が収容される
前処理槽３９とから装置が構成されるため、装置を非常
に簡易に構成することができる。また、昇華性物質槽３
１および前処理槽３９を大きくすることにより、多数枚
の基板をウェーハキャリアー３５により昇華性物質槽３
１および前処理槽３９内に同時に浸漬することが可能に
なり、多数枚の基板を同時に処理することが容易に可能
になる。
槽３１と、昇華性物質槽３１内の昇華性物質を融点以上
の温度に加熱するヒータ３７と、前処理液が収容される
前処理槽３９とから装置が構成されるため、装置を非常
に簡易に構成することができる。また、昇華性物質槽３
１および前処理槽３９を大きくすることにより、多数枚
の基板をウェーハキャリアー３５により昇華性物質槽３
１および前処理槽３９内に同時に浸漬することが可能に
なり、多数枚の基板を同時に処理することが容易に可能
になる。
【００４４】さらに、上述した薄膜構造体の製造装置で
は、雰囲気容器４３内に、昇華性物質槽３１を収容した
ので、昇華性物質の外部への飛散を有効に防止すること
ができる。また、上述した薄膜構造体の製造装置では、
雰囲気容器４３内に、薄膜構造体３３への昇華性物質の
付着を促進する前処理液が収容される前処理槽３９を配
置したので、薄膜構造体３３の前処理を容易に行うこと
ができる。
は、雰囲気容器４３内に、昇華性物質槽３１を収容した
ので、昇華性物質の外部への飛散を有効に防止すること
ができる。また、上述した薄膜構造体の製造装置では、
雰囲気容器４３内に、薄膜構造体３３への昇華性物質の
付着を促進する前処理液が収容される前処理槽３９を配
置したので、薄膜構造体３３の前処理を容易に行うこと
ができる。
【００４５】さらに、昇華性物質に、比較的融点の低い
ナフタレンまたはパラジクロロベンゼンを使用したの
で、ヒータ３７による加熱が容易になる。また、前処理
液に、アルコール，エーテルまたはアセトンを使用した
ので、前処理を容易，確実に行うことができる。図４
は、本発明の薄膜構造体の製造装置の第２の実施形態を
示すもので、この第２の実施形態では、雰囲気容器４３
の両側の上部には、雰囲気容器４３内の気体を外部に排
出する排気装置４７が配置されている。
ナフタレンまたはパラジクロロベンゼンを使用したの
で、ヒータ３７による加熱が容易になる。また、前処理
液に、アルコール，エーテルまたはアセトンを使用した
ので、前処理を容易，確実に行うことができる。図４
は、本発明の薄膜構造体の製造装置の第２の実施形態を
示すもので、この第２の実施形態では、雰囲気容器４３
の両側の上部には、雰囲気容器４３内の気体を外部に排
出する排気装置４７が配置されている。
【００４６】この排気装置４７は、雰囲気容器４３の両
側の上部に開口する短尺のダクト部４９にファン５１を
配置して構成されている。また、雰囲気容器４３内に
は、薄膜構造体３３に付着した昇華性物質を昇華除去す
る乾燥容器５３が収容されている。そして、乾燥容器５
３には、乾燥容器５３内の雰囲気温度を上昇するための
ヒータ５５が配置されている。
側の上部に開口する短尺のダクト部４９にファン５１を
配置して構成されている。また、雰囲気容器４３内に
は、薄膜構造体３３に付着した昇華性物質を昇華除去す
る乾燥容器５３が収容されている。そして、乾燥容器５
３には、乾燥容器５３内の雰囲気温度を上昇するための
ヒータ５５が配置されている。
【００４７】この薄膜構造体の製造装置では、雰囲気容
器４３内の昇華性物質蒸気が、排気装置４７により外部
に排出されるため、凝縮した昇華性物質が薄膜構造体３
３に再付着することを有効に防止することができる。ま
た、雰囲気容器４３内の乾燥容器５３内において薄膜構
造体３３に付着した昇華性物質を昇華除去するようにし
たので、昇華性物質が飛散することを有効に防止するこ
とができる。
器４３内の昇華性物質蒸気が、排気装置４７により外部
に排出されるため、凝縮した昇華性物質が薄膜構造体３
３に再付着することを有効に防止することができる。ま
た、雰囲気容器４３内の乾燥容器５３内において薄膜構
造体３３に付着した昇華性物質を昇華除去するようにし
たので、昇華性物質が飛散することを有効に防止するこ
とができる。
【００４８】さらに、乾燥容器５３に乾燥容器５３内の
雰囲気温度を上昇するヒータ５５を配置したので、薄膜
構造体３３に付着した昇華性物質の昇華を促進すること
ができる。図５は、本発明の薄膜構造体の製造装置の第
３の実施形態を示すもので、この第３の実施形態では、
雰囲気容器４３の両側の上部に開口する短尺のダクト部
４９に、排気ダクト５７が接続され、これ等の排気ダク
ト５７が、雰囲気容器４３の上部中央に配置される排気
口５９に開口されている。
雰囲気温度を上昇するヒータ５５を配置したので、薄膜
構造体３３に付着した昇華性物質の昇華を促進すること
ができる。図５は、本発明の薄膜構造体の製造装置の第
３の実施形態を示すもので、この第３の実施形態では、
雰囲気容器４３の両側の上部に開口する短尺のダクト部
４９に、排気ダクト５７が接続され、これ等の排気ダク
ト５７が、雰囲気容器４３の上部中央に配置される排気
口５９に開口されている。
【００４９】排気口５９には、ファン６１が配置されて
いる。そして、排気ダクト５７の排気口５９の近傍に
は、冷却水が循環される冷却パイプ６３が巻回され、こ
の下方に収納容器６５が配置されている。この薄膜構造
体の製造装置では、雰囲気容器４３内の昇華性物質蒸気
が排気ダクト５７により導かれた後、冷却パイプ６３に
より冷却され凝固し、収納容器６５内に収容されるた
め、昇華性物質の飛散を防止することができ、また、昇
華性物質を有効に再利用することができる。
いる。そして、排気ダクト５７の排気口５９の近傍に
は、冷却水が循環される冷却パイプ６３が巻回され、こ
の下方に収納容器６５が配置されている。この薄膜構造
体の製造装置では、雰囲気容器４３内の昇華性物質蒸気
が排気ダクト５７により導かれた後、冷却パイプ６３に
より冷却され凝固し、収納容器６５内に収容されるた
め、昇華性物質の飛散を防止することができ、また、昇
華性物質を有効に再利用することができる。
【００５０】図６は、本発明の薄膜構造体の製造装置の
第４の実施形態を示すもので、この第４の実施形態で
は、乾燥容器５３には、乾燥容器５３内の雰囲気流体を
撹拌するファン６７が配置されている。この薄膜構造体
３３の製造装置では、ファン６７により乾燥容器５３内
の雰囲気流体を撹拌するようにしたので、薄膜構造体３
３に付着した昇華性物質の昇華を促進することができ
る。
第４の実施形態を示すもので、この第４の実施形態で
は、乾燥容器５３には、乾燥容器５３内の雰囲気流体を
撹拌するファン６７が配置されている。この薄膜構造体
３３の製造装置では、ファン６７により乾燥容器５３内
の雰囲気流体を撹拌するようにしたので、薄膜構造体３
３に付着した昇華性物質の昇華を促進することができ
る。
【００５１】図７は、本発明の薄膜構造体の製造装置の
第５の実施形態を示すもので、この第５の実施形態で
は、乾燥容器５３には、パイプ６９の一端が開口され、
パイプ６９の他端が真空ポンプ７１に接続されている。
この薄膜構造体の製造装置では、真空ポンプ７１により
乾燥容器５３内を減圧するようにしたので、薄膜構造体
３３に付着した昇華性物質の昇華を促進することができ
る。
第５の実施形態を示すもので、この第５の実施形態で
は、乾燥容器５３には、パイプ６９の一端が開口され、
パイプ６９の他端が真空ポンプ７１に接続されている。
この薄膜構造体の製造装置では、真空ポンプ７１により
乾燥容器５３内を減圧するようにしたので、薄膜構造体
３３に付着した昇華性物質の昇華を促進することができ
る。
【００５２】図８は、本発明の薄膜構造体の製造装置の
第６の実施形態を示すもので、この第６の実施形態で
は、昇華性物質槽３１の昇華性物質の加熱が、高周波誘
電加熱装置７３を用いて行われる。すなわち、昇華性物
質槽３１の内側には、高周波用電極７５が配置され、こ
の高周波用電極７５に、高周波電源７７が接続されてい
る。
第６の実施形態を示すもので、この第６の実施形態で
は、昇華性物質槽３１の昇華性物質の加熱が、高周波誘
電加熱装置７３を用いて行われる。すなわち、昇華性物
質槽３１の内側には、高周波用電極７５が配置され、こ
の高周波用電極７５に、高周波電源７７が接続されてい
る。
【００５３】この薄膜構造体の製造装置では、昇華性物
質槽３１内の昇華性物質を、高周波誘電加熱装置７３に
より加熱するようにしたので、昇華性物質を極めて短時
間に均一性良く加熱することができる。図９は、本発明
の薄膜構造体の製造装置の第７の実施形態を示すもの
で、この第７の実施形態では、雰囲気容器４３には、ウ
ェーハコンベア７９，８０，８１およびウェーハエレベ
ータ８３，８５が配置され、薄膜構造体３３の自動搬送
が行われる。
質槽３１内の昇華性物質を、高周波誘電加熱装置７３に
より加熱するようにしたので、昇華性物質を極めて短時
間に均一性良く加熱することができる。図９は、本発明
の薄膜構造体の製造装置の第７の実施形態を示すもの
で、この第７の実施形態では、雰囲気容器４３には、ウ
ェーハコンベア７９，８０，８１およびウェーハエレベ
ータ８３，８５が配置され、薄膜構造体３３の自動搬送
が行われる。
【００５４】すなわち、ウェーハキャリアー８７からの
薄膜構造体３３は、ウェーハコンベア７９により前処理
槽３９に導びかれた後、ウェーハエレベータ８３により
前処理槽３９に浸漬され、この後、ウェーハコンベア８
０により昇華性物質槽３１に導びかれ、ウェーハエレベ
ータ３３により昇華性物質槽３１に浸漬され、この後、
ウェーハコンベア８１によりウェーハキャリアー８９に
導かれ、雰囲気容器４３の外部に導かれる。
薄膜構造体３３は、ウェーハコンベア７９により前処理
槽３９に導びかれた後、ウェーハエレベータ８３により
前処理槽３９に浸漬され、この後、ウェーハコンベア８
０により昇華性物質槽３１に導びかれ、ウェーハエレベ
ータ３３により昇華性物質槽３１に浸漬され、この後、
ウェーハコンベア８１によりウェーハキャリアー８９に
導かれ、雰囲気容器４３の外部に導かれる。
【００５５】上述した薄膜構造体の製造装置では、雰囲
気容器４３内に、ウェーハキャリアー８７からの薄膜構
造体３３を前処理槽３９に導くウェーハコンベア７９
と、ウェーハコンベア７９からの薄膜構造体３３を前処
理槽３９に浸漬するウェーハエレベータ８３と、前処理
槽３９に浸漬された薄膜構造体３３を昇華性物質槽３１
に導くウェーハコンベア８０と、ウェーハコンベア８０
からの薄膜構造体３３を昇華性物質槽３１に浸漬するウ
ェーハエレベータ８５と、昇華性物質槽３１に浸漬され
た薄膜構造体３３をウェーハキャリアー８９に導くウェ
ーハコンベア８１とを配置したので、薄膜構造体３３へ
の前処理液の付着および昇華性物質の付着を自動的に行
うことができる。
気容器４３内に、ウェーハキャリアー８７からの薄膜構
造体３３を前処理槽３９に導くウェーハコンベア７９
と、ウェーハコンベア７９からの薄膜構造体３３を前処
理槽３９に浸漬するウェーハエレベータ８３と、前処理
槽３９に浸漬された薄膜構造体３３を昇華性物質槽３１
に導くウェーハコンベア８０と、ウェーハコンベア８０
からの薄膜構造体３３を昇華性物質槽３１に浸漬するウ
ェーハエレベータ８５と、昇華性物質槽３１に浸漬され
た薄膜構造体３３をウェーハキャリアー８９に導くウェ
ーハコンベア８１とを配置したので、薄膜構造体３３へ
の前処理液の付着および昇華性物質の付着を自動的に行
うことができる。
【００５６】なお、以上述べた第１から第７の実施形態
において、図の同一部分には同一符号を付して詳細な説
明を省略する。
において、図の同一部分には同一符号を付して詳細な説
明を省略する。
【００５７】
【発明の効果】以上述べたように、請求項１の薄膜構造
体の製造装置では、薄膜構造体の微小間隙に溶融状態の
昇華性物質を付着し、付着した昇華性物質をそのまま凝
固，昇華するようにしたので、薄膜と基板あるいは薄膜
と薄膜とが密着することを容易，確実に防止することが
できる。
体の製造装置では、薄膜構造体の微小間隙に溶融状態の
昇華性物質を付着し、付着した昇華性物質をそのまま凝
固，昇華するようにしたので、薄膜と基板あるいは薄膜
と薄膜とが密着することを容易，確実に防止することが
できる。
【００５８】そして、昇華性物質を収容する昇華性物質
槽と、昇華性物質槽内の昇華性物質を融点以上の温度に
加熱する昇華性物質加熱手段とから装置が構成されるた
め、装置を非常に簡易に構成することができる。また、
昇華性物質槽を大きくすることにより、多数枚の基板を
昇華性物質槽内に同時に浸漬することが可能になり、多
数枚の基板を同時に処理することが容易に可能になる。
槽と、昇華性物質槽内の昇華性物質を融点以上の温度に
加熱する昇華性物質加熱手段とから装置が構成されるた
め、装置を非常に簡易に構成することができる。また、
昇華性物質槽を大きくすることにより、多数枚の基板を
昇華性物質槽内に同時に浸漬することが可能になり、多
数枚の基板を同時に処理することが容易に可能になる。
【００５９】請求項２の薄膜構造体の製造装置では、雰
囲気容器内に、昇華性物質槽および昇華性物質加熱手段
を収容したので、昇華性物質の外部への飛散を有効に防
止することができる。請求項３の薄膜構造体の製造装置
では、雰囲気容器内に、薄膜構造体への昇華性物質の付
着を促進する前処理液が収容される前処理槽を配置した
ので、薄膜構造体の前処理を容易に行うことができる。
囲気容器内に、昇華性物質槽および昇華性物質加熱手段
を収容したので、昇華性物質の外部への飛散を有効に防
止することができる。請求項３の薄膜構造体の製造装置
では、雰囲気容器内に、薄膜構造体への昇華性物質の付
着を促進する前処理液が収容される前処理槽を配置した
ので、薄膜構造体の前処理を容易に行うことができる。
【００６０】請求項４の薄膜構造体の製造装置では、雰
囲気容器内の昇華性物質蒸気が、排気手段により外部に
排出されるため、凝縮した昇華性物質が薄膜構造体に再
付着することを有効に防止することができる。請求項５
の薄膜構造体の製造装置では、雰囲気容器内の昇華性物
質蒸気が排気ダクトにより導かれた後、冷却手段により
冷却され凝固し、収納容器内に収容されるため、昇華性
物質の飛散を防止することができ、また、昇華性物質を
有効に再利用することができる。
囲気容器内の昇華性物質蒸気が、排気手段により外部に
排出されるため、凝縮した昇華性物質が薄膜構造体に再
付着することを有効に防止することができる。請求項５
の薄膜構造体の製造装置では、雰囲気容器内の昇華性物
質蒸気が排気ダクトにより導かれた後、冷却手段により
冷却され凝固し、収納容器内に収容されるため、昇華性
物質の飛散を防止することができ、また、昇華性物質を
有効に再利用することができる。
【００６１】請求項６の薄膜構造体の製造装置では、雰
囲気容器内の乾燥容器内において薄膜構造体に付着した
昇華性物質を昇華除去するようにしたので、昇華性物質
が飛散することを防止することができる。請求項７の薄
膜構造体の製造装置では、乾燥容器に乾燥容器内の雰囲
気温度を上昇する乾燥容器加熱手段を配置したので、薄
膜構造体に付着した昇華性物質の昇華を促進することが
できる。
囲気容器内の乾燥容器内において薄膜構造体に付着した
昇華性物質を昇華除去するようにしたので、昇華性物質
が飛散することを防止することができる。請求項７の薄
膜構造体の製造装置では、乾燥容器に乾燥容器内の雰囲
気温度を上昇する乾燥容器加熱手段を配置したので、薄
膜構造体に付着した昇華性物質の昇華を促進することが
できる。
【００６２】請求項８の薄膜構造体の製造装置では、撹
拌手段により乾燥容器内の雰囲気流体を撹拌するように
したので、薄膜構造体に付着した昇華性物質の昇華を促
進することができる。請求項９の薄膜構造体の製造装置
では、減圧手段により乾燥容器内を減圧するようにした
ので、薄膜構造体に付着した昇華性物質の昇華を促進す
ることができる。
拌手段により乾燥容器内の雰囲気流体を撹拌するように
したので、薄膜構造体に付着した昇華性物質の昇華を促
進することができる。請求項９の薄膜構造体の製造装置
では、減圧手段により乾燥容器内を減圧するようにした
ので、薄膜構造体に付着した昇華性物質の昇華を促進す
ることができる。
【００６３】請求項１０の薄膜構造体の製造装置では、
昇華性物質槽内の昇華性物質を、高周波誘電加熱装置に
より加熱するようにしたので、昇華性物質を極めて短時
間に均一性良く加熱することができる。請求項１１の薄
膜構造体の製造装置では、雰囲気容器に、雰囲気容器の
外部からの薄膜構造体を昇華性物質槽に導く搬入手段
と、搬入手段からの薄膜構造体を昇華性物質槽に浸漬す
る浸漬手段と、昇華性物質槽に浸漬された薄膜構造体を
雰囲気容器の外部に導く搬出手段とを配置したので、薄
膜構造体への昇華性物質の付着を自動的に行うことがで
きる。
昇華性物質槽内の昇華性物質を、高周波誘電加熱装置に
より加熱するようにしたので、昇華性物質を極めて短時
間に均一性良く加熱することができる。請求項１１の薄
膜構造体の製造装置では、雰囲気容器に、雰囲気容器の
外部からの薄膜構造体を昇華性物質槽に導く搬入手段
と、搬入手段からの薄膜構造体を昇華性物質槽に浸漬す
る浸漬手段と、昇華性物質槽に浸漬された薄膜構造体を
雰囲気容器の外部に導く搬出手段とを配置したので、薄
膜構造体への昇華性物質の付着を自動的に行うことがで
きる。
【００６４】請求項１２の薄膜構造体の製造装置では、
雰囲気容器内に、雰囲気容器の外部からの薄膜構造体を
前処理槽に導く搬入手段と、搬入手段からの薄膜構造体
を前処理槽に浸漬する前処理槽浸漬手段と、前処理槽に
浸漬された薄膜構造体を昇華性物質槽に導く搬送手段
と、搬送手段からの薄膜構造体を昇華性物質槽に浸漬す
る昇華性物質槽浸漬手段と、昇華性物質槽に浸漬された
薄膜構造体を雰囲気容器の外部に導く搬出手段とを配置
したので、薄膜構造体への前処理液の付着および昇華性
物質の付着を自動的に行うことができる。
雰囲気容器内に、雰囲気容器の外部からの薄膜構造体を
前処理槽に導く搬入手段と、搬入手段からの薄膜構造体
を前処理槽に浸漬する前処理槽浸漬手段と、前処理槽に
浸漬された薄膜構造体を昇華性物質槽に導く搬送手段
と、搬送手段からの薄膜構造体を昇華性物質槽に浸漬す
る昇華性物質槽浸漬手段と、昇華性物質槽に浸漬された
薄膜構造体を雰囲気容器の外部に導く搬出手段とを配置
したので、薄膜構造体への前処理液の付着および昇華性
物質の付着を自動的に行うことができる。
【００６５】請求項１３の薄膜構造体の製造装置では、
昇華性物質に、比較的融点の低いナフタレンまたはパラ
ジクロロベンゼンを使用したので、加熱手段による加熱
が容易になる。請求項１４の薄膜構造体の製造装置で
は、前処理液に、アルコール，エーテルまたはアセトン
から選ばれた１の物質またはこれらの混合液を使用した
ので、前処理を容易，確実に行うことができる。
昇華性物質に、比較的融点の低いナフタレンまたはパラ
ジクロロベンゼンを使用したので、加熱手段による加熱
が容易になる。請求項１４の薄膜構造体の製造装置で
は、前処理液に、アルコール，エーテルまたはアセトン
から選ばれた１の物質またはこれらの混合液を使用した
ので、前処理を容易，確実に行うことができる。
【図１】本発明の薄膜構造体の製造装置の第１の実施形
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図２】本発明の薄膜構造体の製造装置の製造対象の１
例となるフレキシブルマイクログリッパーを示す斜視図
である。
例となるフレキシブルマイクログリッパーを示す斜視図
である。
【図３】図２のフレキシブルマイクログリッパーの製造
方法を示す説明図である。
方法を示す説明図である。
【図４】本発明の薄膜構造体の製造装置の第２の実施形
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図５】本発明の薄膜構造体の製造装置の第３の実施形
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図６】本発明の薄膜構造体の製造装置の第４の実施形
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図７】本発明の薄膜構造体の製造装置の第５の実施形
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図８】本発明の薄膜構造体の製造装置の第６の実施形
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図９】本発明の薄膜構造体の製造装置の第７の実施形
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
３１ 昇華性物質槽 ３３ 薄膜構造体 ３７ ヒータ ３９ 前処理槽 ４３ 雰囲気容器 ４７ 排気装置 ５３ 乾燥容器 ５５ ヒータ ５７ 排気ダクト ６３ 冷却パイプ ６５ 収納容器 ６７ ファン ７１ 真空ポンプ ７３ 高周波誘電加熱装置
Claims (14)
- 【請求項１】 昇華性物質が溶融状態で収容され薄膜構
造体が浸漬可能な昇華性物質槽と、 前記昇華性物質槽内の昇華性物質を融点以上の温度に加
熱する昇華性物質加熱手段と、を有することを特徴とす
る薄膜構造体の製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜構造体の製造装置に
おいて、 前記昇華性物質槽および前記昇華性物質加熱手段を、雰
囲気容器内に収容してなることを特徴とする薄膜構造体
の製造装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の薄膜構造体の製造装置に
おいて、 前記雰囲気容器内には、前記薄膜構造体への前記昇華性
物質の付着を促進する前処理液が収容され前記薄膜構造
体が浸漬可能な前処理槽が収容されていることを特徴と
する薄膜構造体の製造装置。 - 【請求項４】 請求項２または３記載の薄膜構造体の製
造装置において、 前記雰囲気容器には、雰囲気容器内の気体を外部に排出
する排気手段が配置されていることを特徴とする薄膜構
造体の製造装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の薄膜構造体の製造装置に
おいて、 前記排気手段は、前記雰囲気容器内の気体を外部に排出
する排気ダクトと、前記排気ダクトに配置され排気ダク
ト内の気体を冷却する冷却手段と、前記冷却手段の近傍
に配置され凝固した前記昇華性物質を収容する収納容器
とを有することを特徴とする薄膜構造体の製造装置。 - 【請求項６】 請求項２ないし５のいずれか１項記載の
薄膜構造体の製造装置において、 前記雰囲気容器内には、前記薄膜構造体に付着した前記
昇華性物質を昇華除去する乾燥容器が収容されているこ
とを特徴とする薄膜構造体の製造装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の薄膜構造体の製造装置に
おいて、 前記乾燥容器には、乾燥容器内の雰囲気温度を上昇する
乾燥容器加熱手段が配置されていることを特徴とする薄
膜構造体の製造装置。 - 【請求項８】 請求項６または７記載の薄膜構造体の製
造装置において、 前記乾燥容器には、乾燥容器内の雰囲気流体を撹拌する
撹拌手段が配置されていることを特徴とする薄膜構造体
の製造装置。 - 【請求項９】 請求項６ないし８のいずれか１項記載の
薄膜構造体の製造装置において、 前記乾燥容器には、乾燥容器内を減圧する減圧手段が配
置されていることを特徴とする薄膜構造体の製造装置。 - 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれか１項記載
の薄膜構造体の製造装置において、 前記昇華性物質加熱手段は、高周波誘電加熱装置からな
ることを特徴とする薄膜構造体の製造装置。 - 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれか１項記
載の薄膜構造体の製造装置において、 前記雰囲気容器内には、前記雰囲気容器の外部からの前
記薄膜構造体を前記昇華性物質槽に導く搬入手段と、前
記搬入手段からの前記薄膜構造体を前記昇華性物質槽に
浸漬する浸漬手段と、前記昇華性物質槽に浸漬された薄
膜構造体を前記雰囲気容器の外部に導く搬出手段とが配
置されていることを特徴とする薄膜構造体の製造装置。 - 【請求項１２】 請求項２ないし１０のいずれか１項記
載の薄膜構造体の製造装置において、 前記雰囲気容器内には、前記雰囲気容器の外部からの前
記薄膜構造体を前記前処理槽に導く搬入手段と、前記搬
入手段からの前記薄膜構造体を前記前処理槽に浸漬する
前処理槽浸漬手段と、前記前処理槽に浸漬された薄膜構
造体を前記昇華性物質槽に導く搬送手段と、前記搬送手
段からの前記薄膜構造体を前記昇華性物質槽に浸漬する
昇華性物質槽浸漬手段と、前記昇華性物質槽に浸漬され
た薄膜構造体を前記雰囲気容器の外部に導く搬出手段と
が配置されていることを特徴とする薄膜構造体の製造装
置。 - 【請求項１３】 請求項１ないし１２のいずれか１項記
載の薄膜構造体の製造装置において、 前記昇華性物質は、ナフタレンまたはパラジクロロベン
ゼンからなることを特徴とする薄膜構造体の製造装置。 - 【請求項１４】 請求項１ないし１３のいずれか１項記
載の薄膜構造体の製造装置において、 前記前処理液は、アルコール，エーテルまたはアセトン
から選ばれた１の物質またはこれらの混合液からなるこ
とを特徴とする薄膜構造体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8069947A JPH09260337A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 薄膜構造体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8069947A JPH09260337A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 薄膜構造体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260337A true JPH09260337A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13417368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8069947A Pending JPH09260337A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 薄膜構造体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260337A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199261A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
| JP2012243869A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
| JP2013016699A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2015092619A (ja) * | 2015-01-08 | 2015-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
| JP2017050576A (ja) * | 2016-12-15 | 2017-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
| JP2017050575A (ja) * | 2016-12-15 | 2017-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP8069947A patent/JPH09260337A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199261A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
| JP2012243869A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
| JP2013016699A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2015092619A (ja) * | 2015-01-08 | 2015-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
| JP2017050576A (ja) * | 2016-12-15 | 2017-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
| JP2017050575A (ja) * | 2016-12-15 | 2017-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
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