JP2017076817A - 半導体装置の製造方法及び薬液 - Google Patents
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Abstract
Description
式A1、A4、B1、B3、及びB5で示される物質において、隣接する位置に結合した基の一方はカルボキシル基であり、他方はカルボキシル基、ヒドロキシ基、又はアミノ基のいずれかを含む。
以下に、図1〜図4を参照して、実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。図2(a)〜図2(c)は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するための図であり、半導体装置の製造方法における各途中工程の構造を模式的に示した縦断面図である。図3は、本実施形態における半導体装置の製造方法において、特に乾燥工程の内容を詳細に例示するフローチャート図である。図4(a)〜図4(d)は本実施形態に係る半導体装置の製造方法における乾燥工程を詳細に示すための図であり、乾燥工程内の各途中状態の構造を模式的に示した縦断面図である。
なお、置換液70を供給する工程(S21)は省略することができる。この場合は、リンス液62が後述する溶液72に置換されることになる。リンス液62と、溶液72に使用される溶媒とは親和性を有することが望ましい。リンス液62と、溶液72に使用される溶媒とは、同じ液体を用いてもよく、異なる液体を用いても良い。
昇華性物質74は、また、下記表1、表2、表3、表4、表5、表6及び表7に示す物質を含むことができる。
(昇華性物質の選定)
発明者らは、昇華性物質74の選定において、以下の検討及び実験を行った。
すなわち、表1に記載したシクロヘキサン環基本骨格の場合、1,2位置、1,3位置、又は1,4位置にカルボキシル基(−COOH)が結合した物質(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸、シクロヘキサン−1,3−ジカルボン酸、シクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸)において、良好な成膜性、パターン倒壊性の改善が認められた。すなわち、シクロヘキサン環にカルボキシル基が二つ結合した物質において、良好な成膜性、パターン倒壊性の改善が認められた。また、表1に記載したシクロヘキサン環の1,2,4位置にカルボキシル基が結合した物質(シクロヘキサン−1,2,4−トリカルボン酸)において、良好な成膜性、パターン倒壊性の改善が認められた。すなわち、シクロヘキサン環を基本骨格とする物質の場合、カルボキシル基を1,2位置、1,3位置、1,4位置、又は1,2,4位置に有する物質において、良好な成膜性、パターン倒壊性の改善が認められた。
(他の実施形態)
上記に説明した実施形態は、NAND型又はNOR型のフラッシュメモリ、EPROM、あるいはDRAM、SRAM、その他の半導体記憶装置、あるいは種々のロジックデバイス、その他の半導体装置の製造方法に適用しても良い。
Claims (6)
- 微細なパターンが形成された半導体基板の表面に液体処理を施し、前記半導体基板の表面に第1の液体を付着させる工程と、
前記半導体基板の表面に付着した第1の液体を、第2の液体に析出物質を溶解した溶液に置換する工程と、
前記第2の液体を蒸発させて前記析出物質を前記半導体基板の表面に析出させる工程と、
前記析出物質を減圧及び/または加熱することにより固体から気体に変化させ除去する工程と、を備え、
前記析出物質は、
で示される物質から選択された少なくとも一つの物質を含み、
式A1、A4、B1、B3、及びB5で示される物質において、隣接する位置に結合した基の一方はカルボキシル基であり、他方はカルボキシル基、ヒドロキシ基、又はアミノ基のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 微細なパターンが形成された半導体基板の表面に液体処理を施し、前記半導体基板の表面に第1の液体を付着させる工程と、
前記半導体基板の表面に付着した第1の液体を、第3の液体に置換する工程と、
前記第3の液体を、第2の液体に析出物質を溶解した溶液に置換する工程と、
前記第2の液体を蒸発させて前記析出物質を前記半導体基板の表面に析出させる工程と、
前記析出物質を減圧及び/または加熱することにより固体から気体に変化させ除去する工程と、を備え、
前記第1の液体と前記第3の液体は親和性を有し、
前記第2の液体と前記第3の液体は親和性を有し、
前記析出物質は、
で示される物質から選択された少なくとも一つの物質を含み、
式A1、A4、B1、B3、及びB5で示される物質において、隣接する位置に結合した基の一方はカルボキシル基であり、他方はカルボキシル基、ヒドロキシ基、又はアミノ基のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記析出物質は、シクロヘキサンに少なくとも2つ以上のカルボキシル基が結合した物質であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記析出物質は、ベンゼンに2つのカルボキシル基が隣接して結合した構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の液体は、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル類、ケトン類、アルコール類及びエーテル類、多価アルコール類、ピロリドン系溶剤から選択された少なくとも1つの物質を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体装置の製造工程中の乾燥工程に用いられる薬液であって、
脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル類、ケトン類、アルコール類及びエーテル類、多価アルコール類、ピロリドン系溶剤から選択された少なくとも1つの物質を含む液体に析出物質を溶解したものであり、前記析出物質は、
で示される物質から選択された少なくとも一つの物質を含み、
式A1、A4、B1、B3、及びB5で示される物質において、隣接する位置に結合した基の一方はカルボキシル基であり、他方はカルボキシル基、ヒドロキシ基、又はアミノ基のいずれかを含む薬液。
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