KR20210001994A - 기판 처리액 - Google Patents

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KR20210001994A
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Abstract

본 발명에 관련된 기판 처리액은, 패턴 형성면을 갖는 반도체 기판 등의 기판 상의 액체의 제거에 이용하는 것이 가능하고, 승화성 물질로서의 시클로헥사논옥심과, 알코올류, 케톤류, 에테르류, 시클로알칸류 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.

Description

기판 처리액{SUBSTRATE TREATING LIQUID}
본 발명은, 예를 들면, 반도체 기판, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시용 유리 기판, 플라스마 표시용 유리 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 등의 각종 기판에 부착된 액체의 제거에 이용되는 기판 처리액에 관한 것이다.
근래, 반도체 기판 등의 기판에 형성되는 패턴의 미세화에 수반하여, 요철을 갖는 패턴의 볼록부에 있어서의 애스펙트비(패턴 볼록부에 있어서의 높이와 폭의 비)가 커져 오고 있다. 이 때문에, 건조 처리 시, 패턴의 오목부에 들어간 세정액이나 린스액 등의 액체와, 액체에 접하는 기체의 경계면에 작용하는 표면장력이, 패턴 중의 인접하는 볼록부끼리를 끌어당겨 도괴시키는, 이른바 패턴 도괴의 문제가 있다.
이와 같은 패턴의 도괴의 방지를 목적으로 한 건조 기술로서, 예를 들면, 일본국 특허공개 2012-243869호 공보에는, 표면에 요철의 패턴이 형성된 기판 상의 액체를 제거하여, 기판을 건조시키는 기판 건조 방법이 개시되어 있다. 이 기판 건조 방법에 의하면, 기판에 승화성 물질의 용액을 공급하고, 패턴의 오목부 내에 상기 용액을 충전하여, 상기 용액 중의 용매를 건조시키고, 상기 패턴의 오목부 내를 고체 상태의 상기 승화성 물질로 채워, 기판을 승화성 물질의 승화 온도보다 높은 온도로 가열하여, 승화성 물질을 기판으로부터 제거하는 것이 행해진다. 이것에 의해, 일본국 특허공개 2012-243869호 공보에서는, 기판 상의 액체의 표면장력에 기인하여 발생할 수 있는 패턴의 볼록형부를 도괴시키려 하는 응력이, 패턴의 볼록형부에 작용하는 것을 억제하여, 패턴 도괴를 방지할 수 있다고 되어 있다.
또한, 일본국 특허공개 2017-76817호 공보에는, 미세한 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면의 승화 건조를 행함에 있어서, 시클로헥산-1,2-디카복실산 등의 석출 물질을 지방족 탄화수소 등의 용매에 용해시킨 용액을 이용하는 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 이 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 액체 처리 후의 반도체 기판의 건조 시에, 패턴 도괴를 억제하는 것이 가능하게 되어 있다.
이들 특허 문헌에 개시된 승화 건조 방법이면, 예를 들면, 기판을 고속 회전시킴으로써, 기판 표면에 부착된 액체를 제거하는 스핀 드라이에 의한 방법이나, 당해 기판 표면에 부착된 액체를 IPA(이소프로필알코올)로 치환하여, 당해 IPA를 승화 건조시켜 제거하는 건조 방법과 비교하여, 패턴의 도괴율을 저감시킬 수 있다. 그러나, 패턴의 기계적 강도가 극히 낮은 경우에는, 종래의 승화 건조 방법이어도, 패턴이 도괴하는 영역이 국소적으로 발생한다는 문제가 있다.
발명의 간략한 요약
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 기판의 표면에 형성된 패턴의 부분적 또는 국소적인 도괴를 방지하면서, 기판의 표면에 부착된 액체를 제거하는 것이 가능한 기판 처리액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리액은, 상기의 과제를 해결하기 위해, 패턴 형성면을 갖는 기판 상의 액체의 제거에 이용하는 기판 처리액으로서, 승화성 물질로서의 시클로헥사논옥심과, 알코올류, 케톤류, 에테르류, 시클로알칸류 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용매를 포함한다.
상기 구성의 기판 처리액은, 예를 들면, 기판의 패턴 형성면 상에 액체가 존재하는 경우에, 승화 건조(또는 동결 건조)의 원리에 의해, 패턴의 도괴를 방지하면서 당해 액체의 제거를 가능하게 한다. 특히, 상기 구성의 기판 처리액은, 승화성 물질로서의 시클로헥사논옥심과, 알코올류 등의 용매를 포함함으로써, 종래의 승화성 물질을 이용한 기판 처리액과 비교하여, 기판의 패턴 형성면의 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴를 양호하게 억제할 수 있다. 또한, 상기 구성의 기판 처리액은, 표면 특성이 소수성의 패턴 형성면을 구비한 기판뿐만 아니라, 친수성의 경우이어도, 종래의 기판 처리액과 비교하여, 부분적 또는 국소적인 영역에서의 패턴의 도괴를 억제할 수 있다. 또한, 미세하면서 애스펙트비가 큰 패턴을 구비한 기판에 대해서도, 종래의 기판 처리액과 비교하여, 부분적 또는 국소적인 영역에서의 패턴의 도괴를 억제할 수 있다.
상기 구성에 있어서는, 상기 시클로헥사논옥심의 함유량이, 기판 처리액의 전체 체적에 대해 0.1vol% 이상 10vol% 이하의 범위인 것이 바람직하다. 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 0.1vol% 이상으로 함으로써, 기판의 패턴 형성면의 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴를 양호하게 억제할 수 있다. 한편, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol% 이하로 함으로써, 상온에서의 용매에 대한 시클로헥사논옥심의 용해성을 양호하게 하여, 균일하게 용해시킬 수 있다.
상기 구성에 있어서는, 상기 용매가, 메틸알코올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, n-부틸알코올, tert-부틸알코올, 시클로헥산올, 아세톤, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥산 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 처리액은, 종래의 승화성 물질을 함유한 기판 처리액과 비교하여, 기판의 패턴 형성면에 있어서의 패턴의 도괴를 억제할 수 있으며, 특히 패턴 형성면의 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴를 양호하게 억제할 수 있다. 또한, 표면 특성이 친수성의 패턴 형성면을 구비한 기판이나, 미세하면서 애스펙트비가 큰 패턴을 구비한 기판에 대해서도, 종래의 기판 처리액과 비교하여, 부분적 또는 국소적인 영역에서의 패턴의 도괴를 양호하게 억제할 수 있다.
(기판 처리액)
본 발명의 실시의 형태에 따른 기판 처리액에 대해, 이하에 설명한다.
먼저, 본 명세서에 있어서 「기판」이란, 반도체 기판, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시용 유리 기판, 플라스마 표시용 유리 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 등의 각종 기판을 말한다. 또한, 본 명세서에 있어서 「패턴 형성면」이란, 평면형, 곡면형 또는 요철형 중 어느 하나인가를 불문하고, 기판에 있어서, 임의의 영역에 요철 패턴이 형성되어 있는 면을 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서 「승화성」이란, 단체, 화합물 혹은 혼합물이 액체를 거치지 않고 고체에서 기체, 또는 기체에서 고체로 상전이(相轉移)하는 특성을 갖는 것을 의미하고, 「승화성 물질」이란 그러한 승화성을 갖는 물질을 의미한다.
본 실시의 형태의 기판 처리액은, 시클로헥사논옥심과 용매를 적어도 포함한다. 본 실시의 형태의 기판 처리액은, 기판의 패턴 형성면에 존재하는 액체를 제거하기 위한 건조 처리에 있어서, 당해 건조 처리를 보조하는 기능을 완수한다.
시클로헥사논옥심은 이하의 화학식 (1)로 표시되고, 본 실시의 형태의 기판 처리액에서는 승화성 물질로서 기능할 수 있다.
Figure pat00001
또한, 시클로헥사논옥심은, 응고점이 90.5℃, 비점이 210℃, 증기압이 0.00717Torr~251.458Torr(0.96Pa~33.52kPa), 융해 엔트로피ΔS가 30.0J/mol·K, n-옥탄올/물 분배계수가 ＋1.2의 물성치를 갖는다. 시클로헥사논옥심이 갖는 응고점이면, 패턴 형성면에 있어서의 협소(狹所)에서의 응고점 강하에 의한 응고(동결) 불량을 방지할 수 있다. 또한, 응고시킬 때의 냉매를 불필요하게 할 수 있다.
시클로헥사논옥심은, 기판 처리액 중에 있어서, 용매에 용해한 상태로 존재하는 것이 바람직하다.
시클로헥사논옥심의 함유량은, 예를 들면, 기판 처리액을 기판의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 공급 조건 등에 따라 적절히 설정될 수 있는 것인데, 기판 처리액의 전체 체적에 대해 0.1vol% 이상 10vol% 이하인 것이 바람직하고, 1.25vol% 이상 5vol% 이하인 것이 보다 바람직하며, 2vol% 이상 4vol% 이하인 것이 특히 바람직하다. 시클로헥사논옥심의 함유량을 0.1vol% 이상으로 함으로써, 미세하면서 애스펙트비가 큰 패턴을 구비한 기판에 대해서도, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴를 한층 양호하게 억제할 수 있다. 한편, 시클로헥사논옥심의 함유량을 10vol% 이하로 함으로써, 상온에서의 용매에 대한 시클로헥사논옥심의 용해성을 양호하게 하여, 균일하게 용해시키는 것이 가능하게 된다. 여기서, 본 명세서에 있어서 「상온」이란 5℃~35℃의 온도 범위에 있는 것을 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서 「용해성」이란, 시클로헥사논옥심이, 예를 들면, 23℃의 용매 100g에 대해, 10g 이상 용해하는 것을 의미한다.
상기 용매는, 시클로헥사논옥심을 용해시키는 용매로서 기능할 수 있다. 상기 용매는, 구체적으로는, 알코올류, 케톤류, 에테르류, 시클로알칸류 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
상기 알코올류로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 메틸알코올(융점：-98℃, n-옥탄올/물 분배계수：-0.82~-0.66), 에틸알코올(융점：-117℃, n-옥탄올/물 분배계수：-0.32), 이소프로필알코올(융점：-90℃, n-옥탄올/물 분배계수：＋0.05), n-부틸알코올(융점：-90℃, n-옥탄올/물 분배계수：＋0.88), tert-부틸알코올(융점：25℃, n-옥탄올/물 분배계수：＋0.3), 시클로헥산올(융점：23℃~25℃, n-옥탄올/물 분배계수：＋1.2) 등을 들 수 있다.
상기 케톤류로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 아세톤(융점：-95℃, n-옥탄올/물 분배계수：-0.24) 등을 들 수 있다.
상기 에테르류로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노에틸에테르(융점：-100℃, n-옥탄올/물 분배계수：＋0.3), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(융점：-87℃, n-옥탄올/물 분배계수：＋0.43) 등을 들 수 있다.
상기 시클로알칸류로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 시클로헥산(융점：7℃, n-옥탄올/물 분배계수：＋3.4) 등을 들 수 있다.
상기 물로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 순수 등을 들 수 있다.
예시한 용매는 모두, 각각 단독으로 시클로헥사논옥심과 조합하여 이용하는 것이 가능하다. 또한, 예시한 용매의 2종 이상과, 시클로헥사논옥심을 조합하여 이용하는 것도 가능하다.
또한 상기 용매는, 시클로헥사논옥심이 양호한 용해성을 나타내는 것인 것이 바람직하다.
또한, 예시한 용매 중, 부분적 또는 국소적인 영역에서의 패턴 도괴를 양호하게 억제할 수 있다는 관점에서는, 이소프로필알코올 등을 들 수 있다.
상기 용매의 n-옥탄올/물 분배계수는, -0.85~＋3.4의 범위가 바람직하고, -0.82~＋2.2의 범위가 보다 바람직하며, -0.82~＋1.2의 범위가 더욱 바람직하고, 0~＋1.2의 범위가 특히 바람직하다.
상기 용매의 증기압은, 상온에 있어서 500Pa 이상인 것이 바람직하고, 1000Pa 이상인 것이 보다 바람직하며, 5000Pa 이상인 것이 특히 바람직하다. 전술의 시클로헥사논옥심의 증기압과의 차가 클수록, 시클로헥사논옥심이 저농도의 경우에서도 고화막(固化膜)의 성막을 가능하게 한다. 그 결과, 처리 비용의 삭감 및 잔사의 저감을 도모할 수 있다. 또한, 증기압에 의한 배관 등으로의 부하 경감의 관점에서는, 용매의 증기압은 10kPa 이하로 설정하는 것이 바람직하다.
(기판 처리액의 제조 방법 및 보관 방법)
본 실시의 형태에 따른 기판 처리액의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 상온·대기압 하에 있어서, 일정한 함유량이 되도록 시클로헥사논옥심의 결정물을 용매에 첨가하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 「대기압 하」란 표준 대기압(1기압, 1013hPa)을 중심으로, 0.7기압 이상 1.3기압 이하의 환경을 의미한다.
기판 처리액의 제조 방법에 있어서는, 용매에 시클로헥사논옥심의 결정물을 첨가한 후에, 여과를 행해도 된다. 이것에 의해, 기판 처리액을 기판의 패턴 형성면 상에 공급하여, 액체의 제거에 이용했을 때에, 당해 패턴 형성면 상에 기판 처리액 유래의 잔사가 발생하는 것을 저감 또는 방지할 수 있다. 여과 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 필터 여과 등을 채용할 수 있다.
본 실시의 형태의 기판 처리액은 상온에서의 보관이 가능하다. 단, 용매의 증발에 기인하여 시클로헥사논옥심의 농도가 변화하는 것을 억제한다는 관점에서는, 저온(예를 들면, 5℃ 정도)에서 보관해 두는 것이 바람직하다. 저온에서 보관되어 있는 기판 처리액을 사용할 때에는, 결로에 의한 수분의 혼입을 방지한다는 관점에서, 기판 처리액의 액체 온도를 사용 온도 또는 실온 등으로 한 후에 사용하는 것이 바람직하다.
(기판 처리액의 사용 방법)
본 실시의 형태의 기판 처리액은, 예를 들면, 패턴 형성면을 갖는 기판 상의 액체 제거를 위해 이용할 수 있다.
제거 대상으로 하는 상기 액체로서는, 예를 들면, 기판의 패턴 형성면을 세정하기 위한 세정액 제거를 위해, 당해 세정액으로부터 치환된 IPA(이소프로필알코올) 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 먼저, IPA가 부착되는 기판의 패턴 형성면 상에, 본 실시의 형태의 기판 처리액을 공급하여, 당해 기판 처리액의 액막을 형성한다. 기판 처리액의 공급 시에는, 기판을, 당해 기판의 중심에 있어서의 연직 방향을 회전축으로 하여 회전시키면서 행하는 것이 바람직하다. 이 경우, 기판 처리액의 공급은, 기판의 중심의 상방으로부터 행할 수 있다. 이것에 의해, 기판의 표면에 공급된 기판 처리액은, 기판이 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해, 기판의 표면 중앙 부근으로부터 기판의 주연부를 향하여 유동하여, 기판의 표면의 전체 면에 확산시킬 수 있다. 기판의 회전 속도는, 기판 처리액의 공급량이나 시클로헥사논옥심의 기판 처리액 중에 있어서의 함유량, 기판 처리액의 액막의 막두께 등에 따라 변경할 수 있다. 기판의 회전 속도는, 통상은, 100rpm~3000rpm의 범위에서 적절히 선택된다.
이어서, 기판 처리액의 액막을 고화하여, 당해 기판 처리액(보다 구체적으로는, 시클로헥사논옥심)의 고화막을 형성한다. 고화 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 기판의 회전을 계속시킴으로써 기판 처리액 중의 용매를 증발시켜 시클로헥사논옥심을 석출시키는 방법을 들 수 있다. 이 방법의 경우, 기판의 회전 속도는, 통상은, 100rpm~3000rpm의 범위에서 적절히 선택된다.
또한, 다른 고화 방법으로서는, 예를 들면, 질소 가스를 기판 처리액의 상방으로부터 분사하여, 기판 상방에 기체로서 존재하는 용매를 배기로 안내함으로써, 기판 처리액 중의 용매를 증발(휘발)시키는 방법도 들 수 있다. 이 경우, 질소 가스의 온도는, 예를 들면, 0℃~80℃의 범위 내에서 설정할 수 있다. 질소 가스의 공급 시에는, 기판 처리액의 공급의 경우와 마찬가지로, 기판을 회전시키면서 행하는 것이 바람직하다. 기판의 회전 속도는, 질소 가스의 공급량 등에 따라 변경할 수 있다. 기판의 회전 속도는, 통상은, 100rpm~3000rpm의 범위에서 적절히 선택된다. 또한, 기판 처리액의 액막에 질소 가스를 직접 접촉시켜 냉각하고 응고시켜도 된다.
기판 처리액의 액막의 고화 방법으로서는, 상기의 질소 가스를 이용한 용매 증발 방법 외에, 기판의 이면측에 냉수를 접촉시켜 기판 처리액의 액막을 냉각하는 방법이나, 기판의 이면측에 온수를 접촉시켜 기판 처리액 중의 용매를 증발시켜 시클로헥사논옥심을 석출시키는 방법 등도 채용 가능하다. 냉수를 이용한 냉각 방법의 경우, 냉수의 온도는, 예를 들면, 0℃~20℃의 범위 내에서 설정할 수 있다. 또한, 온수를 이용한 시클로헥사논옥심의 석출 방법의 경우, 온수의 온도는, 예를 들면, 25℃~80℃의 범위 내에서 설정할 수 있다.
다음으로, 상기 고화막을, 액체 상태를 거치지 않고 기체 상태로 하여 승화시켜, 당해 고화막을 제거한다. 승화시키는 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 질소 가스를 기판 처리액의 액막에 직접 분사하는 등 하여 접촉시키는 방법 등을 들 수 있다. 이 경우, 질소 가스의 온도는, 예를 들면, 0℃~80℃의 범위 내에서 설정할 수 있다. 질소 가스의 공급 시에는, 기판 처리액의 액막을 고화시키는 경우와 동일하게, 기판을 회전시키면서 행하는 것이 바람직하다. 기판의 회전 속도는, 질소 가스의 공급량 등에 따라 변경할 수 있다. 기판의 회전 속도는, 통상은, 100rpm~3000rpm의 범위에서 적절히 선택된다. 또한, 고화막은, 질소 가스를 분사하지 않아도 자연 승화하는데, 건조 시간(고화막의 형성 후, 당해 고화막이 승화에 의해 제거될 때까지의 시간)을 단축화하여 스루풋을 향상시킨다는 관점에서는, 당해 질소 가스의 분사를 행하는 편이 바람직하다.
이상과 같이, 본 실시의 형태의 기판 처리액을 이용하여 승화 건조 처리를 행함으로써, 기판의 패턴 형성면에 있어서의 요철 패턴의 도괴를 억제하면서, IPA 등의 액체의 제거를 행할 수 있다. 특히, 본 실시의 형태의 기판 처리액은, 종래의 승화성 물질을 함유한 기판 처리액과 비교하여, 표면 특성이 친수성의 패턴 형성면을 구비한 기판이나, 미세하면서 애스펙트비가 큰 패턴을 구비한 기판에 대해서도, 부분적 또는 국소적인 영역에서의 패턴의 도괴를 억제할 수 있다.
(그 외의 사항)
본 실시의 형태에 있어서는, 시클로헥사논옥심이 기판 처리액 중에 용해한 상태로 존재하는 양태에 대해 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이 양태에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 시클로헥사논옥심이 융해 상태로 기판 처리액 중에 존재하고 있어도 된다. 여기서, 「융해 상태」란, 시클로헥사논옥심이 완전하게 또는 일부 융해함으로써 유동성을 갖고, 액상으로 되어 있는 상태를 의미한다.
시클로헥사논옥심을 융해 상태로 기판 처리액 중에 함유시키는 경우, 용매로서는, 상기에 예시한 용매 중, 당해 융해 상태의 시클로헥사논옥심이 상용성을 나타내는 것인 것이 바람직하다.
이하에, 이 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 각 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 이 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다.
(기판)
기판으로서, 모델 패턴이 표면에 형성된 실리콘 기판 A 및 B를 준비하였다(모두 직경 300mm). 실리콘 기판 A에는, 애스펙트비가 18.4인 원기둥이 약 17.7nm의 간격을 두고 배열된 패턴이 형성되어 있으며, 실리콘 기판 B에는, 애스펙트비가 22.6인 원기둥이 약 16.7nm의 간격을 두고 배열된 패턴이 형성되어 있다.
(실시예 1)
본 실시예에 있어서는, 이하에 서술하는 순서로 실리콘 기판 B의 건조 처리를 행하여, 패턴 도괴의 억제 효과를 평가하였다.
＜세정 공정·IPA 린스 공정＞
먼저, 실리콘 기판 B의 패턴 형성면(표면)에 세정액으로서의 불화수소산 수용액(체적비；불화수소：물=1：10)을 공급하여, 패턴 형성면의 세정을 행하였다. 이어서, 세정 후의 실리콘 기판 B의 패턴 형성면에 DIW(Deionized Water)를 공급하여, 세정액을 DIW로 치환하여 린스하였다.
또한, 실리콘 기판 B의 패턴 형성면에 IPA를 공급하였다. IPA의 공급 시에는, 실리콘 기판 B를, 당해 실리콘 기판 B의 중심에 있어서의 연직 방향을 회전축으로 하여 회전시키면서 행하였다. 또한, IPA의 공급은, 실리콘 기판 B의 중심의 상방으로부터 행하였다. 이것에 의해, 실리콘 기판 B의 패턴 형성면 상의 DIW를 IPA로 치환하였다. 또한, 실리콘 기판 B의 회전 속도는 500rpm으로 하였다.
＜기판 처리액의 공급 공정＞
다음으로, IPA가 부착된 실리콘 기판 B의 패턴 형성면 상에, 기판 처리액(액체 온도 23℃)을 공급하였다. 기판 처리액의 공급 시에는, 실리콘 기판 B를, 당해 실리콘 기판 B의 중심에 있어서의 연직 방향을 회전축으로 하여 회전시키면서 행하였다. 또한, 기판 처리액의 공급은, 실리콘 기판 B의 중심의 상방으로부터 행하였다. 이것에 의해, 실리콘 기판 B의 표면에 공급된 기판 처리액은, 실리콘 기판 B가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해, 실리콘 기판 B의 표면 중앙 부근으로부터 실리콘 기판 B의 주연부를 향하여 유동하여, 실리콘 기판 B의 표면의 전체 면에 확산시켰다. 그 결과, 패턴 형성면 상에 부착되어 있던 IPA를 기판 처리액으로 치환하여, 당해 기판 처리액으로 이루어지는 액막을 형성하였다. 또한, 실리콘 기판 B의 회전 속도는 300rpm으로 하였다. 또한, 기판 처리액의 공급 개시부터 당해 기판 처리액의 액막 형성까지의 시간은, 30초로 하였다.
기판 처리액으로서는, 시클로헥사논옥심이, 용매로서의 이소프로필알코올에 용해한 것을 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량은, 당해 기판 처리액의 전체 체적에 대해 0.76vol%로 하였다.
＜고화막 형성 공정＞
이어서, 기판 처리액으로 이루어지는 액막이 형성된 실리콘 기판 B의 표면에, 7℃의 질소 가스를 공급하였다. 질소 가스의 공급은, 실리콘 기판 B를, 당해 실리콘 기판 B의 중심에 있어서의 연직 방향을 회전축으로 하여 회전시키면서 행하였다. 또한, 질소 가스의 공급은, 실리콘 기판 B의 중심의 상방으로부터 행하였다. 이것에 의해, 실리콘 기판 B의 표면에 공급한 질소 가스를, 실리콘 기판 B가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해, 실리콘 기판 B의 표면 중앙 부근으로부터 실리콘 기판 B의 주연부를 향하여 확산시켜, 패턴 형성면 상에 형성된 기판 처리액으로 이루어지는 액막에 대한 용매 증발을 행하였다. 이 액막의 용매 증발에 의해 당해 액막을 응고(석출)시켜, 가시광에 있어서의 광투명성이 높고, 어모퍼스형의 고화막을 형성하였다. 또한, 실리콘 기판 B의 회전 속도는 300rpm으로 하였다. 또한, 실리콘 기판 B의 회전은 고화막이 형성될 때까지 행하였다. 또한, 질소 가스의 공급량은 40L/min으로 하였다.
＜승화 공정＞
다음으로, 기판 처리액의 응고 후에도, 실리콘 기판 B를 회전시키면서 7℃의 질소 가스의 공급을 계속하여, 고화막의 승화를 행하였다. 실리콘 기판 B의 회전 속도는 1500rpm으로 하였다. 또한, 질소 가스의 공급량은 40L/min, 질소 가스의 공급 시간은 300초로 하였다. 이상에 의해, 실리콘 기판 B의 패턴 형성면 상으로부터 고화막을 제거하여, 승화 건조를 행하였다.
＜패턴 도괴의 억제 효과의 평가＞
고화막의 제거를 확인한 후, 실리콘 기판 B 상의 패턴의 도괴율을 산출하여, 당해 도괴율에 의해, 패턴 형성면에 있어서의 패턴 도괴의 억제 효과를 평가하였다. 구체적으로는, 주사형 전자현미경((주)히타치하이테크놀로지즈 제조, 제품 번호：S-4800)을 이용하여 얻은 SEM 화상에 의해, 당해 SEM 화상 내에 있어서의 볼록부의 총수와 도괴한 볼록부의 수를 세어, 이하의 식에 의해 패턴의 도괴율을 산출하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 3.2%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다. 결과를 표 1에 나타낸다.
도괴율(%)=(임의의 영역에 있어서의 도괴한 볼록부의 수)÷(당해 영역에 있어서의 볼록부의 총수)×100
또한, 표 1 중의 처리에 관한 평가는, 이하의 평가 기준에 의거하여 행하였다.
매우 양호：패턴 도괴율이 0% 이상 1% 이하
양호：패턴 도괴율이 1%보다 크고 5% 이하
불합격：패턴 도괴율이 5%보다 큼
(참고예 1)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 1.25vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 0rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 100.00%였다.
(실시예 2)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 1.25vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0.42%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 3)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 1.25vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 1.28%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 4)
본 실시예에 있어서는, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 1.25vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 B의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 B의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 B의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0.89%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 5)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 1.25vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 1.47%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 6)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 1.25vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 1.7%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(참고예 2)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 1.25vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 100.00%였다.
(참고예 3)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 1.25vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 3000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 100.00%였다.
(참고예 4)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 0rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 100.00%였다.
(참고예 5)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 100.00%였다.
(실시예 7)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0.56%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 8)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0.72%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 9)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0.52%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 10)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 3.86%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 11)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 3000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 2.16%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(참고예 6)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 0rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 100.00%였다.
(참고예 7)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 99.80%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(참고예 8)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 13.10%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(실시예 12)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0.44%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 13)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 3000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0.56%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(결과 1)
표 1~표 3에 나타내는 바와 같이, 실시예 1~13의 각 기판 처리액에 있어서는, 승화성 물질로서 시클로헥사논옥심, 용매로서 이소프로필알코올을 이용했는데, 승화성 물질의 함유량, 기판 처리액의 공급량 및 기판 처리액의 공급 공정에서의 실리콘 기판의 회전 속도에 대해 적절한 조건 하에서 기판 처리를 행함으로써, 패턴 형성면에 있어서의 부분적 또는 국소적으로 패턴의 도괴가 발생하는 것을 억제할 수 있어, 패턴 도괴율도 저감할 수 있는 것이 확인되었다.
(표 1)
Figure pat00002
(표 2)
Figure pat00003
(표 3)
Figure pat00004
(참고예 9)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 12.22%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(참고예 10)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 22.91%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(참고예 11)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 12.19%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(실시예 14)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(참고예 12)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 98.80%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(실시예 15)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 3.92%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 16)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 17)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(참고예 13)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 99.14%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(참고예 14)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 13.41%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(참고예 15)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 87.19%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(참고예 16)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 n-부틸알코올로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 66.60%였다. 단, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생은 확인되지 않았다.
(결과 2)
표 4~표 6에 나타내는 바와 같이, 실시예 14~17의 각 기판 처리액에 있어서는, 승화성 물질로서 시클로헥사논옥심, 용매로서 n-부틸알코올을 이용했는데, 승화성 물질의 함유량, 기판 처리액의 공급량 및 기판 처리액의 공급 공정에서의 실리콘 기판의 회전 속도에 대해 적절한 조건 하에서 기판 처리를 행함으로써, 패턴 형성면에 있어서의 부분적 또는 국소적으로 패턴의 도괴가 발생하는 것을 억제할 수 있어, 패턴 도괴율도 저감할 수 있는 것이 확인되었다.
(표 4)
Figure pat00005
(표 5)
Figure pat00006
(표 6)
Figure pat00007
(실시예 18)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 4.32%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(참고예 17)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 91.90%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(참고예 18)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 13.36%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(참고예 19)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 76.49%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(참고예 20)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 83.27%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되었다.
(실시예 19)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 4.85%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생도 확인되지 않았다.
(실시예 20)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 0.00%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생이 확인되지 않았다.
(실시예 21)
본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 4.98%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생이 확인되지 않았다.
(참고예 21)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 25.43%였다. 단, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생이 확인되지 않았다.
(참고예 22)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 99.14%였다. 단, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생은 확인되지 않았다.
(참고예 23)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 100%였다.
(참고예 24)
본 참고예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액의 용매를 PGMEA로 변경하였다. 또한, 시클로헥사논옥심의 함유량을 기판 처리액의 전체 체적에 대해 2.5vol%로 변경하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 2000rpm으로 변경하였다. 그들 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 99.07%였다. 단, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)의 발생은 확인되지 않았다.
(결과 3)
표 7~표 9에 나타내는 바와 같이, 실시예 18~21의 각 기판 처리액에 있어서는, 승화성 물질로서 시클로헥사논옥심, 용매로서 PGMEA를 이용했는데, 승화성 물질의 함유량, 기판 처리액의 공급량 및 기판 처리액의 공급 공정에서의 실리콘 기판의 회전 속도에 대해 적절한 조건 하에서 기판 처리를 행함으로써, 패턴 형성면에 있어서의 부분적 또는 국소적으로 패턴의 도괴가 발생하는 것을 억제할 수 있어, 패턴 도괴율도 저감할 수 있는 것이 확인되었다.
(표 7)
Figure pat00008
(표 8)
Figure pat00009
(표 9)
Figure pat00010
(비교예 1)
본 비교예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액으로서, 이소프로필알코올에 장뇌(융점：175℃~180℃, n-옥탄올/물 분배계수：2.34)를 용해시키고, 또한, 장뇌의 함유량이 기판 처리액의 전체 체적에 대해 0.99vol%인 것을 이용하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 약 40%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)가 확인되었다.
(비교예 2)
본 비교예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액으로서, 이소프로필알코올에 시클로헥산올(융점：약 24℃, n-옥탄올/물 분배계수：1.25)을 용해시키고, 또한, 시클로헥산올의 함유량이 기판 처리액의 전체 체적에 대해 10vol%인 것을 이용하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그것 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 86.9%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)가 확인되었다.
(비교예 3)
본 비교예에 있어서는, 기판으로서 실리콘 기판 A를 이용하였다. 또한, 기판 처리액으로서, 이소프로필알코올에 시클로헥산올(융점：약 24℃, n-옥탄올/물 분배계수：1.25)을 용해시키고, 또한, 시클로헥산올의 함유량이 기판 처리액의 전체 체적에 대해 20vol%인 것을 이용하였다. 또한, 기판 처리액을 실리콘 기판 A의 패턴 형성면 상에 공급할 때의 실리콘 기판 A의 회전 속도를 1500rpm으로 변경하였다. 그것 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실리콘 기판 A의 건조 처리를 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 패턴 도괴의 억제 효과의 평가도 행하였다. 그 결과, 패턴의 도괴율은 87.4%였다. 또한, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적인 영역에 있어서의 패턴의 도괴(도괴 얼룩)가 확인되었다.
(표 10)
Figure pat00011
(결과 4)
승화성 물질로서 장뇌를 이용하고, 용매로서 이소프로필알코올을 이용한 비교예 1의 기판 처리액에서는, 패턴 형성면에 있어서, 부분적 또는 국소적으로 패턴이 도괴하는 영역이 다수 발생하는 것이 확인되었다. 또한, 패턴의 도괴율도 약 40%였다. 또한, 승화성 물질로서 시클로헥산올을 이용하고, 용매로서 이소프로필알코올을 이용한 비교예 2 및 3의 기판 처리액에서도, 패턴 형성면에서 부분적 또는 국소적으로 패턴이 도괴하는 영역이 다수 확인되고, 패턴의 도괴율도 각각 86.9%, 87.4%였다.
산업상 이용가능성
본 발명은, 기판의 표면에 부착되는 액체를 제거하는 건조 기술, 및 당해 건조 기술을 이용하여 기판의 표면을 처리하는 기판 처리 기술 전반에 적용할 수 있다.

Claims (4)

  1. 패턴 형성면을 갖는 기판 상의 액체의 제거에 이용하는 기판 처리액으로서,
    승화성 물질로서의 시클로헥사논옥심과,
    알코올류, 케톤류, 에테르류, 시클로알칸류 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용매를 포함하는 기판 처리액.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 시클로헥사논옥심의 함유량이, 기판 처리액의 전체 체적에 대해 0.1vol% 이상 10vol% 이하의 범위인, 기판 처리액.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 용매가, 메틸알코올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, n-부틸알코올, tert-부틸알코올, 시클로헥산올, 아세톤, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥산 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 기판 처리액.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 시클로헥사논옥심이 상기 용매 중에 용해하여 존재하고, 또는 상기 시클로헥사논옥심이 융해 상태로 상기 용매 중에 존재하는, 기판 처리액.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI741635B (zh) * 2019-06-28 2021-10-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP2022186047A (ja) * 2021-06-04 2022-12-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および昇華乾燥用処理剤
JP2023046627A (ja) * 2021-09-24 2023-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法と基板処理装置と処理液
JP2023046626A (ja) * 2021-09-24 2023-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法と基板処理装置と処理液
EP4421850A1 (en) * 2021-10-22 2024-08-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing device
JP2024060140A (ja) * 2022-10-19 2024-05-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
WO2024126452A1 (en) 2022-12-15 2024-06-20 Merck Patent Gmbh Substrate treatment solution
WO2024163215A2 (en) * 2023-01-30 2024-08-08 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Surface treatment compositions and methods

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012243869A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Tokyo Electron Ltd 基板乾燥方法及び基板処理装置
KR20150093098A (ko) * 2014-02-06 2015-08-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반도체 기판의 세정 건조 방법
JP2017076817A (ja) * 2017-01-05 2017-04-20 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び薬液

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4775449A (en) * 1986-12-29 1988-10-04 General Electric Company Treatment of a polyimide surface to improve the adhesion of metal deposited thereon
JPS63215603A (ja) * 1987-02-28 1988-09-08 Agency Of Ind Science & Technol 昇華性防虫剤組成物
JP2858132B2 (ja) * 1989-08-11 1999-02-17 小林製薬株式会社 繊維用防虫剤
US5451701A (en) * 1994-03-11 1995-09-19 Arco Chemical Technology, L.P. Integrated process for cyclohexanone oxime production
JP2000044412A (ja) 1998-05-28 2000-02-15 Sumitomo Chem Co Ltd 衣料用防虫剤
KR19990088539A (ko) * 1998-05-28 1999-12-27 고사이 아끼오 직물용방충제
JP6076887B2 (ja) 2013-11-29 2017-02-08 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
KR102545802B1 (ko) 2015-12-04 2023-06-21 솔브레인 주식회사 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
JP7001423B2 (ja) 2016-12-26 2022-01-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
EP3340280A1 (en) 2016-12-26 2018-06-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
WO2019024892A1 (zh) * 2017-08-03 2019-02-07 无锡华瑛微电子技术有限公司 一种光刻胶的去除液及光刻胶的去除方法
JP6954793B2 (ja) 2017-09-25 2021-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012243869A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Tokyo Electron Ltd 基板乾燥方法及び基板処理装置
KR20150093098A (ko) * 2014-02-06 2015-08-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반도체 기판의 세정 건조 방법
JP2017076817A (ja) * 2017-01-05 2017-04-20 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び薬液

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