JP2021010002A - 基板処理液 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 579
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 256
- VEZUQRBDRNJBJY-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone oxime Chemical compound ON=C1CCCCC1 VEZUQRBDRNJBJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 186
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 66
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 26
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 200
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 9
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 226
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 226
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 226
- 238000000034 method Methods 0.000 description 76
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 50
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 17
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 16
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 13
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 4
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 3
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 3
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000004805 Cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
- C07C251/32—Oximes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
- C07C251/32—Oximes
- C07C251/34—Oximes with oxygen atoms of oxyimino groups bound to hydrogen atoms or to carbon atoms of unsubstituted hydrocarbon radicals
- C07C251/44—Oximes with oxygen atoms of oxyimino groups bound to hydrogen atoms or to carbon atoms of unsubstituted hydrocarbon radicals with the carbon atom of at least one of the oxyimino groups being part of a ring other than a six-membered aromatic ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/18—Glass; Plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
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Abstract
【課題】従来の昇華性物質を含有した基板処理液と比較して、基板の表面に形成されたパターンの部分的又は局所的な倒壊を防止しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理液を提供することを目的とする。【解決手段】本発明にかかる基板処理液は、パターン形成面を有する半導体基板等の基板上の液体の除去に用いることが可能であり、昇華性物質としてのシクロヘキサノンオキシムと、アルコール類、ケトン類、エーテル類、シクロアルカン類及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒と、を含むことを特徴としている。【選択図】 なし
Description
本発明は、例えば、半導体基板、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の各種基板に付着した液体の除去に用いられる基板処理液に関する。
近年、半導体基板等の基板に形成されるパターンの微細化に伴い、凹凸を有するパターンの凸部におけるアスペクト比(パターン凸部における高さと幅の比)が大きくなってきている。このため、乾燥処理の際、パターンの凹部に入り込んだ洗浄液やリンス液等の液体と、液体に接する気体との境界面に作用する表面張力が、パターン中の隣接する凸部同士を引き寄せて倒壊させる、いわゆるパターン倒壊の問題がある。
この様なパターンの倒壊の防止を目的とした乾燥技術として、例えば、特許文献１には、表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去し、基板を乾燥させる基板乾燥方法が開示されている。この基板乾燥方法によれば、基板に昇華性物質の溶液を供給して、パターンの凹部内に前記溶液を充填し、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質で満たし、基板を昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、昇華性物質を基板から除去することが行われる。これにより、特許文献１では、基板上の液体の表面張力に起因して生じ得るパターンの凸状部を倒壊させようとする応力が、パターンの凸状部に作用するのを抑制し、パターン倒壊を防止することができるとされている。
また、特許文献２には、微細なパターンが形成された半導体基板の表面の昇華乾燥を行うにあたって、シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸等の析出物質を脂肪族炭化水素等の溶媒に溶解させた溶液を用いる半導体装置の製造方法が開示されている。この半導体装置の製造方法によれば、液体処理後の半導体基板の乾燥時に、パターン倒壊を抑制することが可能とされている。
これらの特許文献に開示の昇華乾燥方法であると、例えば、基板を高速回転させることによって、基板表面に付着した液体を除去するスピンドライによる方法や、当該基板表面に付着した液体をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）に置換し、当該ＩＰＡを昇華乾燥させて除去する乾燥方法と比較して、パターンの倒壊率を低減させることができる。しかし、パターンの機械的強度が極めて低い場合には、従来の昇華乾燥方法であっても、パターンが倒壊する領域が局所的に発生するという問題がある。
本発明は、前記課題を鑑みなされたものであり、基板の表面に形成されたパターンの部分的又は局所的な倒壊を防止しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理液を提供することを目的とする。
本発明に係る基板処理液は、前記の課題を解決するために、パターン形成面を有する基板上の液体の除去に用いる基板処理液であって、昇華性物質としてのシクロヘキサノンオキシムと、アルコール類、ケトン類、エーテル類、シクロアルカン類及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒と、を含む。
前記構成の基板処理液は、例えば、基板のパターン形成面上に液体が存在する場合に、昇華乾燥（又は凍結乾燥）の原理により、パターンの倒壊を防止しつつ当該液体の除去を可能にする。特に、前記構成の基板処理液は、昇華性物質としてのシクロヘキサノンオキシムと、アルコール類等の溶媒とを含むことで、従来の昇華性物質を用いた基板処理液と比べ、基板のパターン形成面の部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊を良好に抑制することができる。さらに、前記構成の基板処理液は、表面特性が疎水性のパターン形成面を備えた基板だけでなく、親水性の場合であっても、従来の基板処理液と比べ、部分的又は局所的な領域でのパターンの倒壊を抑制することができる。さらに、微細かつアスペクト比が大きいパターンを備えた基板に対しても、従来の基板処理液と比べ、部分的又は局所的な領域でのパターンの倒壊を抑制することができる。
前記構成においては、前記シクロヘキサノンオキシムの含有量が、基板処理液の全体積に対し０．１ｖｏｌ％以上１０ｖｏｌ％以下の範囲であることが好ましい。シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し０．１ｖｏｌ％以上にすることにより、基板のパターン形成面の部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊を良好に抑制することができる。その一方、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％以下にすることにより、常温での溶媒に対するシクロヘキサノンオキシムの溶解性を良好にし、均一に溶解させることができる。
前記構成においては、前記溶媒が、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、シクロヘキサノール、アセトン、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサン及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
また、前記の構成においては、前記シクロヘキサノンオキシムが前記溶媒中に溶解し存在し、又は前記シクロヘキサノンオキシムが融解状態で前記溶媒中に存在することが好ましい。
本発明の基板処理液は、従来の昇華性物質を含有した基板処理液と比較して、基板のパターン形成面におけるパターンの倒壊を抑制することができ、特にパターン形成面の部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊を良好に抑制することができる。さらに、表面特性が親水性のパターン形成面を備えた基板や、微細かつアスペクト比が大きいパターンを備えた基板に対しても、従来の基板処理液と比べ、部分的又は局所的な領域でのパターンの倒壊を良好に抑制することができる。
（基板処理液）
本発明の実施の形態に係る基板処理液について、以下に説明する。
本発明の実施の形態に係る基板処理液について、以下に説明する。
先ず、本明細書において「基板」とは、半導体基板、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の各種基板をいう。また、本明細書において「パターン形成面」とは、平面状、曲面状又は凹凸状の何れであるかを問わず、基板において、任意の領域に凹凸パターンが形成されている面を意味する。さらに、本明細書において「昇華性」とは、単体、化合物若しくは混合物が液体を経ずに固体から気体、又は気体から固体へと相転移する特性を有することを意味し、「昇華性物質」とはそのような昇華性を有する物質を意味する。
本実施の形態の基板処理液は、シクロヘキサノンオキシムと、溶媒とを少なくとも含む。本実施の形態の基板処理液は、基板のパターン形成面に存在する液体を除去するための乾燥処理において、当該乾燥処理を補助する機能を果たす。
シクロヘキサノンオキシムは以下の化学式（１）で表され、本実施の形態の基板処理液では昇華性物質として機能することができる。
また、シクロヘキサノンオキシムは、凝固点が９０．５℃、沸点が２１０℃、蒸気圧が０．００７１７Ｔｏｒｒ〜２５１．４５８Ｔｏｒｒ（０．９６Ｐａ〜３３．５２ｋＰａ）、融解エントロピーΔＳが３０．０Ｊ／ｍｏｌ・Ｋ、ｎ−オクタノール／水分配係数が＋１．２の物性値を有する。シクロヘキサノンオキシムが有する凝固点であると、パターン形成面における狭所での凝固点降下による凝固（凍結）不良を防止することができる。また、凝固させる際の冷媒を不要にすることができる。
シクロヘキサノンオキシムは、基板処理液中において、溶媒に溶解した状態で存在するのが好ましい。
シクロヘキサノンオキシムの含有量は、例えば、基板処理液を基板のパターン形成面上に供給する際の供給条件等に応じて適宜設定され得るものであるが、基板処理液の全体積に対し０．１ｖｏｌ％以上１０ｖｏｌ％以下であることが好ましく、１．２５ｖｏｌ％以上５ｖｏｌ％以下であることがより好ましく、２ｖｏｌ％以上４ｖｏｌ％以下であることが特に好ましい。シクロヘキサノンオキシムの含有量を０．１ｖｏｌ％以上にすることにより、微細かつアスペクト比が大きいパターンを備えた基板に対しても、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊を一層良好に抑制することができる。その一方、シクロヘキサノンオキシムの含有量を１０ｖｏｌ％以下にすることにより、常温での溶媒に対するシクロヘキサノンオキシムの溶解性を良好にし、均一に溶解させることが可能になる。ここで、本明細書において「常温」とは５℃〜３５℃の温度範囲にあることを意味する。また、本明細書において「溶解性」とは、シクロヘキサノンオキシムが、例えば、２３℃の溶媒１００ｇに対し、１０ｇ以上溶解することを意味する。
前記溶媒は、シクロヘキサノンオキシムを溶解させる溶媒として機能することができる。前記溶媒は、具体的には、アルコール類、ケトン類、エーテル類、シクロアルカン類及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種である。
前記アルコール類としては特に限定されず、例えば、メチルアルコール（融点：−９８℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：−０．８２〜−０．６６）、エチルアルコール（融点：−１１７℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：−０．３２）、イソプロピルアルコール（融点：−９０℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：＋０．０５）、ｎ−ブチルアルコール（融点：−９０℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：＋０．８８）、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール（融点：２５℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：＋０．３）、シクロヘキサノール（融点：２３℃〜２５℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：＋１．２）等が挙げられる。
前記ケトン類としては特に限定されず、例えば、アセトン（融点：−９５℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：−０．２４）等が挙げられる。
前記エーテル類としては特に限定されず、例えば、プロピレングリコールモノエチルエーテル（融点：−１００℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：＋０．３）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（融点：−８７℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：＋０．４３）等が挙げられる。
前記シクロアルカン類としては特に限定されず、例えば、シクロヘキサン（融点：７℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：＋３．４）等が挙げられる。
前記水としては特に限定されず、例えば、純水等が挙げられる。
例示した溶媒は全て、それぞれ単独でシクロヘキサノンオキシムと組み合わせて用いることが可能である。また、例示した溶媒の２種以上と、シクロヘキサノンオキシムとを組み合わせて用いることも可能である。
また前記溶媒は、シクロヘキサノンオキシムが良好な溶解性を示すものであることが好ましい。
さらに、例示した溶媒のうち、部分的又は局所的な領域でのパターン倒壊を良好に抑制できるとの観点からは、イソプロピルアルコール等が挙げられる。
前記溶媒のｎ−オクタノール／水分配係数は、−０．８５〜＋３．４の範囲が好ましく、−０．８２〜＋２．２の範囲がより好ましく、−０．８２〜＋１．２の範囲がさらに好ましく、０〜＋１．２の範囲が特に好ましい。
前記溶媒の蒸気圧は、常温において５００Ｐａ以上であることが好ましく、１０００Ｐａ以上であることがより好ましく、５０００Ｐａ以上であることが特に好ましい。前述のシクロヘキサノンオキシムの蒸気圧との差が大きい程、シクロヘキサノンオキシムが低濃度の場合でも固化膜の成膜を可能にする。その結果、処理コストの削減及び残渣の低減を図ることができる。尚、蒸気圧による配管等への負荷軽減の観点からは、溶媒の蒸気圧は１０ｋＰａ以下に設定するのが好ましい。
（基板処理液の製造方法及び保管方法）
本実施の形態に係る基板処理液の製造方法は特に限定されず、例えば、常温・大気圧下において、一定の含有量となるようにシクロヘキサノンオキシムの結晶物を溶媒に添加する方法等が挙げられる。尚、「大気圧下」とは標準大気圧（１気圧、１０１３ｈＰａ）を中心に、０．７気圧以上１．３気圧以下の環境のことを意味する。
本実施の形態に係る基板処理液の製造方法は特に限定されず、例えば、常温・大気圧下において、一定の含有量となるようにシクロヘキサノンオキシムの結晶物を溶媒に添加する方法等が挙げられる。尚、「大気圧下」とは標準大気圧（１気圧、１０１３ｈＰａ）を中心に、０．７気圧以上１．３気圧以下の環境のことを意味する。
基板処理液の製造方法においては、溶媒にシクロヘキサノンオキシムの結晶物を添加した後に、濾過を行ってもよい。これにより、基板処理液を基板のパターン形成面上に供給して、液体の除去に用いた際に、当該パターン形成面上に基板処理液由来の残渣が発生するのを低減又は防止することができる。濾過方法としては特に限定されず、例えば、フィルター濾過等を採用することができる。
本実施の形態の基板処理液は常温での保管が可能である。但し、溶媒の蒸発に起因してシクロヘキサノンオキシムの濃度が変化するのを抑制するとの観点からは、低温（例えば、５℃程度）で保管しておくのが好ましい。低温で保管されている基板処理液を使用する際には、結露による水分の混入を防止するとの観点から、基板処理液の液温を使用温度又は室温等にした後に使用するのが好ましい。
（基板処理液の使用方法）
本実施の形態の基板処理液は、例えば、パターン形成面を有する基板上の液体除去のために用いることができる。
本実施の形態の基板処理液は、例えば、パターン形成面を有する基板上の液体除去のために用いることができる。
除去対象とする前記液体としては、例えば、基板のパターン形成面を洗浄するための洗浄液除去のために、当該洗浄液から置き換えられたＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等が挙げられる。
より具体的には、先ず、ＩＰＡが付着する基板のパターン形成面上に、本実施の形態の基板処理液を供給して、当該基板処理液の液膜を形成する。基板処理液の供給の際には、基板を、当該基板の中心における鉛直方向を回転軸として回転させながら行うのが好ましい。この場合、基板処理液の供給は、基板の中心の上方から行うことができる。これにより、基板の表面に供給された基板処理液は、基板が回転することにより生ずる遠心力によって、基板の表面中央付近から基板の周縁部に向かって流動し、基板の表面の全面に拡散させることができる。基板の回転速度は、基板処理液の供給量やシクロヘキサノンオキシムの基板処理液中における含有量、基板処理液の液膜の膜厚等に応じて変更することができる。基板の回転速度は、通常は、１００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの範囲で適宜選択される。
続いて、基板処理液の液膜を固化して、当該基板処理液（より具体的には、シクロヘキサノンオキシム）の固化膜を形成する。固化方法としては特に限定されず、例えば、基板の回転を継続させることで基板処理液中の溶媒を蒸発させシクロヘキサノンオキシムを析出させる方法が挙げられる。この方法の場合、基板の回転速度は、通常は、１００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの範囲で適宜選択される。
また、他の固化方法としては、例えば、窒素ガスを基板処理液の上方から吹き付け、基板上方に気体として存在する溶媒を排気へ導くことにより、基板処理液中の溶媒を蒸発（揮発）させる方法も挙げられる。この場合、窒素ガスの温度は、例えば、０℃〜８０℃の範囲内で設定することができる。窒素ガスの供給の際には、基板処理液の供給の場合と同様、基板を回転させながら行うのが好ましい。基板の回転速度は、窒素ガスの供給量等に応じて変更することができる。基板の回転速度は、通常は、１００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの範囲で適宜選択される。尚、基板処理液の液膜に窒素ガスを直接接触させて冷却し凝固させてもよい。
基板処理液の液膜の固化方法としては、前記の窒素ガスを用いた溶媒蒸発方法の他に、基板の裏面側に冷水を接触させて基板処理液の液膜を冷却する方法や、基板の裏面側に温水を接触させて基板処理液中の溶媒を蒸発させシクロヘキサノンオキシムを析出させる方法等も採用可能である。冷水を用いた冷却方法の場合、冷水の温度は、例えば、０℃〜２０℃の範囲内で設定することができる。また、温水を用いたシクロヘキサノンオキシムの析出方法の場合、温水の温度は、例えば、２５℃〜８０℃の範囲内で設定することができる。
次に、前記固化膜を、液体状態を経ることなく気体状態にして昇華させ、当該固化膜を除去する。昇華させる方法としては特に限定されず、例えば、窒素ガスを基板処理液の液膜に直接吹き付ける等して接触させる方法等が挙げられる。この場合、窒素ガスの温度は、例えば、０℃〜８０℃の範囲内で設定することができる。窒素ガスの供給の際には、基板処理液の液膜を固化させる場合と同様、基板を回転させながら行うのが好ましい。基板の回転速度は、窒素ガスの供給量等に応じて変更することができる。基板の回転速度は、通常は、１００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの範囲で適宜選択される。尚、固化膜は、窒素ガスを吹き付けなくても自然昇華するが、乾燥時間（固化膜の形成後、当該固化膜が昇華により除去されるまでの時間）を短縮化しスループットを向上させるとの観点からは、当該窒素ガスの吹き付けを行う方が好ましい。
以上のように、本実施の形態の基板処理液を用いて昇華乾燥処理を行うことにより、基板のパターン形成面における凹凸パターンの倒壊を抑制しつつ、ＩＰＡ等の液体の除去を行うことができる。特に、本実施の形態の基板処理液は、従来の昇華性物質を含有した基板処理液と比べ、表面特性が親水性のパターン形成面を備えた基板や、微細かつアスペクト比が大きいパターンを備えた基板に対しても、部分的又は局所的な領域でのパターンの倒壊を抑制することができる。
（その他の事項）
本実施の形態に於いては、シクロヘキサノンオキシムが基板処理液中に溶解した状態で存在する態様について説明した。しかし、本発明はこの態様に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノンオキシムが融解状態で基板処理液中に存在していてもよい。ここで、「融解状態」とは、シクロヘキサノンオキシムが完全に又は一部融解することにより流動性を有し、液状となっている状態を意味する。
本実施の形態に於いては、シクロヘキサノンオキシムが基板処理液中に溶解した状態で存在する態様について説明した。しかし、本発明はこの態様に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノンオキシムが融解状態で基板処理液中に存在していてもよい。ここで、「融解状態」とは、シクロヘキサノンオキシムが完全に又は一部融解することにより流動性を有し、液状となっている状態を意味する。
シクロヘキサノンオキシムを融解状態で基板処理液中に含有させる場合、溶媒としては、前記に例示した溶媒のうち、当該融解状態のシクロヘキサノンオキシムが相溶性を示すものであることが好ましい。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、各実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
（基板）
基板として、モデルパターンが表面に形成されたシリコン基板Ａ及びＢを準備した（何れも直径３００ｍｍ）。シリコン基板Ａには、アスペクト比が１８．４の円柱が約１７．７ｎｍの間隔を空けて配列されたパターンが形成されており、シリコン基板Ｂには、アスペクト比が２２．６の円柱が約１６．７ｎｍの間隔を空けて配列されたパターンが形成されている。
基板として、モデルパターンが表面に形成されたシリコン基板Ａ及びＢを準備した（何れも直径３００ｍｍ）。シリコン基板Ａには、アスペクト比が１８．４の円柱が約１７．７ｎｍの間隔を空けて配列されたパターンが形成されており、シリコン基板Ｂには、アスペクト比が２２．６の円柱が約１６．７ｎｍの間隔を空けて配列されたパターンが形成されている。
（実施例１）
本実施例においては、以下に述べる手順にてシリコン基板Ｂの乾燥処理を行い、パターン倒壊の抑制効果を評価した。
本実施例においては、以下に述べる手順にてシリコン基板Ｂの乾燥処理を行い、パターン倒壊の抑制効果を評価した。
＜洗浄工程・ＩＰＡリンス工程＞
先ず、シリコン基板Ｂのパターン形成面（表面）に洗浄液としてのフッ酸水溶液（体積比；フッ化水素：水＝１：１０）を供給して、パターン形成面の洗浄を行った。次いで、洗浄後のシリコン基板Ｂのパターン形成面にＤＩＷ（Deionized Water）を供給し、洗浄液をＤＩＷに置換してリンスした。
先ず、シリコン基板Ｂのパターン形成面（表面）に洗浄液としてのフッ酸水溶液（体積比；フッ化水素：水＝１：１０）を供給して、パターン形成面の洗浄を行った。次いで、洗浄後のシリコン基板Ｂのパターン形成面にＤＩＷ（Deionized Water）を供給し、洗浄液をＤＩＷに置換してリンスした。
さらに、シリコン基板Ｂのパターン形成面にＩＰＡを供給した。ＩＰＡの供給の際には、シリコン基板Ｂを、当該シリコン基板Ｂの中心における鉛直方向を回転軸として回転させながら行った。また、ＩＰＡの供給は、シリコン基板Ｂの中心の上方から行った。これにより、シリコン基板Ｂのパターン形成面上のＤＩＷをＩＰＡに置換した。尚、シリコン基板Ｂの回転速度は５００ｒｐｍとした。
＜基板処理液の供給工程＞
次に、ＩＰＡが付着したシリコン基板Ｂのパターン形成面上に、基板処理液（液温２３℃）を供給した。基板処理液の供給の際には、シリコン基板Ｂを、当該シリコン基板Ｂの中心における鉛直方向を回転軸として回転させながら行った。また、基板処理液の供給は、シリコン基板Ｂの中心の上方から行った。これにより、シリコン基板Ｂの表面に供給された基板処理液は、シリコン基板Ｂが回転することにより生ずる遠心力により、シリコン基板Ｂの表面中央付近からシリコン基板Ｂの周縁部に向かって流動し、シリコン基板Ｂの表面の全面に拡散させた。その結果、パターン形成面上に付着していたＩＰＡを基板処理液に置換し、当該基板処理液からなる液膜を形成した。尚、シリコン基板Ｂの回転速度は３００ｒｐｍとした。また、基板処理液の供給開始から当該基板処理液の液膜形成までの時間は、３０秒とした。
次に、ＩＰＡが付着したシリコン基板Ｂのパターン形成面上に、基板処理液（液温２３℃）を供給した。基板処理液の供給の際には、シリコン基板Ｂを、当該シリコン基板Ｂの中心における鉛直方向を回転軸として回転させながら行った。また、基板処理液の供給は、シリコン基板Ｂの中心の上方から行った。これにより、シリコン基板Ｂの表面に供給された基板処理液は、シリコン基板Ｂが回転することにより生ずる遠心力により、シリコン基板Ｂの表面中央付近からシリコン基板Ｂの周縁部に向かって流動し、シリコン基板Ｂの表面の全面に拡散させた。その結果、パターン形成面上に付着していたＩＰＡを基板処理液に置換し、当該基板処理液からなる液膜を形成した。尚、シリコン基板Ｂの回転速度は３００ｒｐｍとした。また、基板処理液の供給開始から当該基板処理液の液膜形成までの時間は、３０秒とした。
基板処理液としては、シクロヘキサノンオキシムが、溶媒としてのイソプロピルアルコールに溶解したものを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量は、当該基板処理液の全体積に対し０．７６ｖｏｌ％とした。
＜固化膜形成工程＞
続いて、基板処理液からなる液膜が形成されたシリコン基板Ｂの表面に、７℃の窒素ガスを供給した。窒素ガスの供給は、シリコン基板Ｂを、当該シリコン基板Ｂの中心における鉛直方向を回転軸として回転させながら行った。また、窒素ガスの供給は、シリコン基板Ｂの中心の上方から行った。これにより、シリコン基板Ｂの表面に供給した窒素ガスを、シリコン基板Ｂが回転することにより生ずる遠心力により、シリコン基板Ｂの表面中央付近からシリコン基板Ｂの周縁部に向かって拡散させ、パターン形成面上に形成された基板処理液からなる液膜に対する溶媒蒸発を行った。この液膜の溶媒蒸発により当該液膜を凝固（析出）させ、可視光における光透明性が高く、アモルファス状の固化膜を形成した。尚、シリコン基板Ｂの回転速度は３００ｒｐｍとした。また、シリコン基板Ｂの回転は固化膜が形成されるまで行った。さらに、窒素ガスの供給量は４０Ｌ／ｍｉｎとした。
続いて、基板処理液からなる液膜が形成されたシリコン基板Ｂの表面に、７℃の窒素ガスを供給した。窒素ガスの供給は、シリコン基板Ｂを、当該シリコン基板Ｂの中心における鉛直方向を回転軸として回転させながら行った。また、窒素ガスの供給は、シリコン基板Ｂの中心の上方から行った。これにより、シリコン基板Ｂの表面に供給した窒素ガスを、シリコン基板Ｂが回転することにより生ずる遠心力により、シリコン基板Ｂの表面中央付近からシリコン基板Ｂの周縁部に向かって拡散させ、パターン形成面上に形成された基板処理液からなる液膜に対する溶媒蒸発を行った。この液膜の溶媒蒸発により当該液膜を凝固（析出）させ、可視光における光透明性が高く、アモルファス状の固化膜を形成した。尚、シリコン基板Ｂの回転速度は３００ｒｐｍとした。また、シリコン基板Ｂの回転は固化膜が形成されるまで行った。さらに、窒素ガスの供給量は４０Ｌ／ｍｉｎとした。
＜昇華工程＞
次に、基板処理液の凝固後も、シリコン基板Ｂを回転させながら７℃の窒素ガスの供給を継続し、固化膜の昇華を行った。シリコン基板Ｂの回転速度は１５００ｒｐｍとした。また、窒素ガスの供給量は４０Ｌ／ｍｉｎ、窒素ガスの供給時間は３００秒とした。以上により、シリコン基板Ｂのパターン形成面上から固化膜を除去し、昇華乾燥を行った。
次に、基板処理液の凝固後も、シリコン基板Ｂを回転させながら７℃の窒素ガスの供給を継続し、固化膜の昇華を行った。シリコン基板Ｂの回転速度は１５００ｒｐｍとした。また、窒素ガスの供給量は４０Ｌ／ｍｉｎ、窒素ガスの供給時間は３００秒とした。以上により、シリコン基板Ｂのパターン形成面上から固化膜を除去し、昇華乾燥を行った。
＜パターン倒壊の抑制効果の評価＞
固化膜の除去を確認した後、シリコン基板Ｂ上のパターンの倒壊率を算出し、当該倒壊率により、パターン形成面におけるパターン倒壊の抑制効果を評価した。具体的には、走査型電子顕微鏡（(株)日立ハイテクノロジーズ製、型番：Ｓ−４８００）を用いて得たＳＥＭ画像により、当該ＳＥＭ画像内における凸部の総数と、倒壊した凸部の数とを数えて、以下の式によりパターンの倒壊率を算出した。その結果、パターンの倒壊率は３．２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。結果を表１に示す。
倒壊率（％）＝（任意の領域における倒壊した凸部の数）÷（当該領域における凸部の総数）×１００
固化膜の除去を確認した後、シリコン基板Ｂ上のパターンの倒壊率を算出し、当該倒壊率により、パターン形成面におけるパターン倒壊の抑制効果を評価した。具体的には、走査型電子顕微鏡（(株)日立ハイテクノロジーズ製、型番：Ｓ−４８００）を用いて得たＳＥＭ画像により、当該ＳＥＭ画像内における凸部の総数と、倒壊した凸部の数とを数えて、以下の式によりパターンの倒壊率を算出した。その結果、パターンの倒壊率は３．２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。結果を表１に示す。
倒壊率（％）＝（任意の領域における倒壊した凸部の数）÷（当該領域における凸部の総数）×１００
尚、表１中の処理に関する評価は、以下の評価基準に基づき行った。
非常に良好：パターン倒壊率が０％以上１％以下
良好：パターン倒壊率が１％より大きく５％以下
不合格：パターン倒壊率が５％より大きい
非常に良好：パターン倒壊率が０％以上１％以下
良好：パターン倒壊率が１％より大きく５％以下
不合格：パターン倒壊率が５％より大きい
（参考例１）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を０ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を０ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
（実施例２）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．４２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．４２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例３）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１．２８％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１．２８％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例４）
本実施例においては、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ｂのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ｂの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ｂの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．８９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ｂのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ｂの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ｂの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．８９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例５）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１．４７％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１．４７％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例６）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１．７％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１．７％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（参考例２）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
（参考例３）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を３０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１．２５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を３０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
（参考例４）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を０ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を０ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
（参考例５）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
（実施例７）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．５６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．５６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例８）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．７２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．７２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例９）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．５２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．５２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例１０）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は３．８６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は３．８６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例１１）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を３０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は２．１６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を３０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は２．１６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（参考例６）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を０ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を０ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００．００％であった。
（参考例７）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９９．８０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９９．８０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（参考例８）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１３．１０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１３．１０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（実施例１２）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．４４％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．４４％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例１３）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を３０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．５６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を３０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．５６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（結果１）
表１〜表３に示す通り、実施例１〜１３の各基板処理液においては、昇華性物質としてシクロヘキサノンオキシム、溶媒としてイソプロピルアルコールを用いたが、昇華性物質の含有量、基板処理液の供給量及び基板処理液の供給工程でのシリコン基板の回転速度について適切な条件下で基板処理を行うことにより、パターン形成面における部分的又は局所的にパターンの倒壊が発生するのを抑制することができ、パターン倒壊率も低減できることが確認された。
表１〜表３に示す通り、実施例１〜１３の各基板処理液においては、昇華性物質としてシクロヘキサノンオキシム、溶媒としてイソプロピルアルコールを用いたが、昇華性物質の含有量、基板処理液の供給量及び基板処理液の供給工程でのシリコン基板の回転速度について適切な条件下で基板処理を行うことにより、パターン形成面における部分的又は局所的にパターンの倒壊が発生するのを抑制することができ、パターン倒壊率も低減できることが確認された。
（参考例９）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１２．２２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１２．２２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（参考例１０）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は２２．９１％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は２２．９１％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（参考例１１）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１２．１９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１２．１９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（実施例１４）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（参考例１２）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９８．８０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９８．８０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（実施例１５）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は３．９２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は３．９２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例１６）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例１７）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（参考例１３）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９９．１４％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９９．１４％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（参考例１４）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１３．４１％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１３．４１％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（参考例１５）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は８７．１９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は８７．１９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（参考例１６）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は６６．６０％であった。但し、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生は確認されなかった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をｎ−ブチルアルコールに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は６６．６０％であった。但し、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生は確認されなかった。
（結果２）
表４〜表６に示す通り、実施例１４〜１７の各基板処理液においては、昇華性物質としてシクロヘキサノンオキシム、溶媒としてｎ−ブチルアルコールを用いたが、昇華性物質の含有量、基板処理液の供給量及び基板処理液の供給工程でのシリコン基板の回転速度について適切な条件下で基板処理を行うことにより、パターン形成面における部分的又は局所的にパターンの倒壊が発生するのを抑制することができ、パターン倒壊率も低減できることが確認された。
表４〜表６に示す通り、実施例１４〜１７の各基板処理液においては、昇華性物質としてシクロヘキサノンオキシム、溶媒としてｎ−ブチルアルコールを用いたが、昇華性物質の含有量、基板処理液の供給量及び基板処理液の供給工程でのシリコン基板の回転速度について適切な条件下で基板処理を行うことにより、パターン形成面における部分的又は局所的にパターンの倒壊が発生するのを抑制することができ、パターン倒壊率も低減できることが確認された。
（実施例１８）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は４．３２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は４．３２％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（参考例１７）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９１．９０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９１．９０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（参考例１８）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１３．３６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１３．３６％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（参考例１９）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は７６．４９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は７６．４９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（参考例２０）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は８３．２７％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は８３．２７％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認された。
（実施例１９）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は４．８５％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は４．８５％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生も確認されなかった。
（実施例２０）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．００％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生が確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は０．００％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生が確認されなかった。
（実施例２１）
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は４．９８％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生が確認されなかった。
本実施例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は４．９８％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生が確認されなかった。
（参考例２１）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は２５．４３％であった。但し、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生が確認されなかった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は２５．４３％であった。但し、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生が確認されなかった。
（参考例２２）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９９．１４％であった。但し、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生は確認されなかった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９９．１４％であった。但し、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生は確認されなかった。
（参考例２３）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００％であった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は１００％であった。
（参考例２４）
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９９．０７％であった。但し、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生は確認されなかった。
本参考例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液の溶媒をＰＧＭＥＡに変更した。さらに、シクロヘキサノンオキシムの含有量を基板処理液の全体積に対し２．５ｖｏｌ％に変更した。また、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を２０００ｒｐｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は９９．０７％であった。但し、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）の発生は確認されなかった。
（結果３）
表７〜表９に示す通り、実施例１８〜２１の各基板処理液においては、昇華性物質としてシクロヘキサノンオキシム、溶媒としてＰＧＭＥＡを用いたが、昇華性物質の含有量、基板処理液の供給量及び基板処理液の供給工程でのシリコン基板の回転速度について適切な条件下で基板処理を行うことにより、パターン形成面における部分的又は局所的にパターンの倒壊が発生するのを抑制することができ、パターン倒壊率も低減できることが確認された。
表７〜表９に示す通り、実施例１８〜２１の各基板処理液においては、昇華性物質としてシクロヘキサノンオキシム、溶媒としてＰＧＭＥＡを用いたが、昇華性物質の含有量、基板処理液の供給量及び基板処理液の供給工程でのシリコン基板の回転速度について適切な条件下で基板処理を行うことにより、パターン形成面における部分的又は局所的にパターンの倒壊が発生するのを抑制することができ、パターン倒壊率も低減できることが確認された。
（比較例１）
本比較例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液として、イソプロピルアルコールに樟脳（融点：１７５℃〜１８０℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：２．３４）を溶解させ、かつ、樟脳の含有量が基板処理液の全体積に対し０．９９ｖｏｌ％であるものを用いた。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それ以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は約４０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）が確認された。
本比較例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液として、イソプロピルアルコールに樟脳（融点：１７５℃〜１８０℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：２．３４）を溶解させ、かつ、樟脳の含有量が基板処理液の全体積に対し０．９９ｖｏｌ％であるものを用いた。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それ以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は約４０％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）が確認された。
（比較例２）
本比較例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液として、イソプロピルアルコールにシクロヘキサノール（融点：約２４℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：１．２５）を溶解させ、かつ、シクロヘキサノールの含有量が基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％であるものを用いた。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それ以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は８６．９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）が確認された。
本比較例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液として、イソプロピルアルコールにシクロヘキサノール（融点：約２４℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：１．２５）を溶解させ、かつ、シクロヘキサノールの含有量が基板処理液の全体積に対し１０ｖｏｌ％であるものを用いた。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それ以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は８６．９％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）が確認された。
（比較例３）
本比較例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液として、イソプロピルアルコールにシクロヘキサノール（融点：約２４℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：１．２５）を溶解させ、かつ、シクロヘキサノールの含有量が基板処理液の全体積に対し２０ｖｏｌ％であるものを用いた。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それ以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は８７．４％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）が確認された。
本比較例においては、基板としてシリコン基板Ａを用いた。また、基板処理液として、イソプロピルアルコールにシクロヘキサノール（融点：約２４℃、ｎ−オクタノール／水分配係数：１．２５）を溶解させ、かつ、シクロヘキサノールの含有量が基板処理液の全体積に対し２０ｖｏｌ％であるものを用いた。さらに、基板処理液をシリコン基板Ａのパターン形成面上に供給する際のシリコン基板Ａの回転速度を１５００ｒｐｍに変更した。それ以外は、実施例１と同様にして、シリコン基板Ａの乾燥処理を行った。また、実施例１と同様の方法により、パターン倒壊の抑制効果の評価も行った。その結果、パターンの倒壊率は８７．４％であった。また、パターン形成面において、部分的又は局所的な領域におけるパターンの倒壊（倒壊ムラ）が確認された。
（結果４）
昇華性物質として樟脳を用い、溶媒としてイソプロピルアルコールを用いた比較例１の基板処理液では、パターン形成面において、部分的又は局所的にパターンが倒壊する領域が多数発生するのが確認された。さらに、パターンの倒壊率も約４０％であった。また、昇華性物質としてシクロヘキサノールを用い、溶媒としてイソプロピルアルコールを用いた比較例２及び３の基板処理液でも、パターン形成面で部分的又は局所的にパターンが倒壊する領域が多数確認され、パターンの倒壊率もそれぞれ８６．９％、８７．４％であった。
昇華性物質として樟脳を用い、溶媒としてイソプロピルアルコールを用いた比較例１の基板処理液では、パターン形成面において、部分的又は局所的にパターンが倒壊する領域が多数発生するのが確認された。さらに、パターンの倒壊率も約４０％であった。また、昇華性物質としてシクロヘキサノールを用い、溶媒としてイソプロピルアルコールを用いた比較例２及び３の基板処理液でも、パターン形成面で部分的又は局所的にパターンが倒壊する領域が多数確認され、パターンの倒壊率もそれぞれ８６．９％、８７．４％であった。
本発明は、基板の表面に付着する液体を除去する乾燥技術、及び当該乾燥技術を用いて基板の表面を処理する基板処理技術全般に適用することができる。
Claims (4)
- パターン形成面を有する基板上の液体の除去に用いる基板処理液であって、
昇華性物質としてのシクロヘキサノンオキシムと、
アルコール類、ケトン類、エーテル類、シクロアルカン類及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒と、
を含む基板処理液。 - 前記シクロヘキサノンオキシムの含有量が、基板処理液の全体積に対し０．１ｖｏｌ％以上１０ｖｏｌ％以下の範囲である請求項１に記載の基板処理液。
- 前記溶媒が、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、シクロヘキサノール、アセトン、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサン及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１又は２に記載の基板処理液。
- 前記シクロヘキサノンオキシムが前記溶媒中に溶解し存在し、又は前記シクロヘキサノンオキシムが融解状態で前記溶媒中に存在する請求項１〜３の何れか１項に記載の基板処理液。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019120655 | 2019-06-28 | ||
| JP2019120655 | 2019-06-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021010002A true JP2021010002A (ja) | 2021-01-28 |
| JP7401042B2 JP7401042B2 (ja) | 2023-12-19 |
Family
ID=73888095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020107623A Active JP7401042B2 (ja) | 2019-06-28 | 2020-06-23 | 基板処理液 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20200411307A1 (ja) |
| JP (1) | JP7401042B2 (ja) |
| KR (1) | KR102338509B1 (ja) |
| CN (1) | CN112151410A (ja) |
| TW (1) | TWI756719B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022254951A1 (ja) * | 2021-06-04 | 2022-12-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および昇華乾燥用処理剤 |
| WO2023047703A1 (ja) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置と処理液 |
| WO2023068133A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置 |
| WO2024084850A1 (ja) * | 2022-10-19 | 2024-04-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2024126452A1 (en) | 2022-12-15 | 2024-06-20 | Merck Patent Gmbh | Substrate treatment solution |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI741635B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-10-01 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
| JP2023046627A (ja) * | 2021-09-24 | 2023-04-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置と処理液 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4775449A (en) * | 1986-12-29 | 1988-10-04 | General Electric Company | Treatment of a polyimide surface to improve the adhesion of metal deposited thereon |
| US5451701A (en) * | 1994-03-11 | 1995-09-19 | Arco Chemical Technology, L.P. | Integrated process for cyclohexanone oxime production |
| JP2000044412A (ja) | 1998-05-28 | 2000-02-15 | Sumitomo Chem Co Ltd | 衣料用防虫剤 |
| JP5681560B2 (ja) | 2011-05-17 | 2015-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
| JP6076887B2 (ja) | 2013-11-29 | 2017-02-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6117711B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2017-04-19 | 信越化学工業株式会社 | 半導体基板の洗浄乾燥方法 |
| KR102545802B1 (ko) | 2015-12-04 | 2023-06-21 | 솔브레인 주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| JP7001423B2 (ja) | 2016-12-26 | 2022-01-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| EP3340280A1 (en) | 2016-12-26 | 2018-06-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| JP6271775B2 (ja) | 2017-01-05 | 2018-01-31 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び薬液 |
| WO2019024892A1 (zh) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 | 一种光刻胶的去除液及光刻胶的去除方法 |
| JP6954793B2 (ja) | 2017-09-25 | 2021-10-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置 |
-
2020
- 2020-06-22 TW TW109121071A patent/TWI756719B/zh active
- 2020-06-23 CN CN202010580887.1A patent/CN112151410A/zh active Pending
- 2020-06-23 JP JP2020107623A patent/JP7401042B2/ja active Active
- 2020-06-24 KR KR1020200077060A patent/KR102338509B1/ko active IP Right Grant
- 2020-06-24 US US16/910,116 patent/US20200411307A1/en not_active Abandoned
-
2024
- 2024-01-25 US US18/423,170 patent/US20240162033A1/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2023047703A1 (ja) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置と処理液 |
| WO2023068133A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置 |
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| WO2024126452A1 (en) | 2022-12-15 | 2024-06-20 | Merck Patent Gmbh | Substrate treatment solution |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102338509B1 (ko) | 2021-12-10 |
| TW202105498A (zh) | 2021-02-01 |
| CN112151410A (zh) | 2020-12-29 |
| KR20210001994A (ko) | 2021-01-06 |
| JP7401042B2 (ja) | 2023-12-19 |
| US20240162033A1 (en) | 2024-05-16 |
| TWI756719B (zh) | 2022-03-01 |
| US20200411307A1 (en) | 2020-12-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221219 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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