JP2009239056A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. シリコン基板を熱処理する熱処理装置であって、
   シリコン基板を載置させて加熱する載置台を備え、
   前記載置台の上面に、シリコン、炭化シリコン、窒化アルミニウムのいずれかからなるカバーを配置し、
   前記カバーの下面に、前記載置台の上面に設けられた複数の支持ピンを受容するための凹部が設けられていることを特徴とする、熱処理装置。
2. 前記カバーは円板形状であり、前記載置台上に載置される円板形状のシリコン基板よりも大きい直径を有することを特徴とする、請求項１に記載の熱処理装置。
3. 前記カバーの上面に、シリコン基板の下面を支持する複数の支持ピンが設けられていることを特徴とする、請求項１または２に記載の熱処理装置。
4. シリコン基板の上面には、フッ化水素ガスおよびアンモニアガスを含む混合ガスとの化学反応によりシリコン酸化膜を変質させた反応生成物膜が形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の熱処理装置。
5. シリコン基板の上面に形成されたシリコン酸化膜を除去する処理システムであって、
   シリコン基板の上面にフッ化水素ガスおよびアンモニアガスを含む混合ガスを供給することにより、シリコン基板の上面に形成されたシリコン酸化膜を反応生成物膜に変質させるＣＯＲ処理装置と、請求項１〜４のいずれかに記載の熱処理装置を備えることを特徴とする、処理システム。