JP2008138283A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. プラズマリアクタに用いるための基板サポートであって、
   前記プラズマリアクタの電極となるよう構成された導電性本体を含み、前記導電性本体が、大面積基板をサポートし、前記大面積基板に熱エネルギーを提供するために構成された上面を有し、前記上面が前記大面積基板の裏面と接触するために構成された複数の隆起領域を有し、前記複数の隆起領域が前記上面の表面積の約５０％未満を占めている基板サポート。
2. 前記複数の隆起領域が十分に平滑で、前記大面積基板の前記裏面がスクラッチによる損傷を受けないようなものである請求項１記載の基板サポート。
3. 前記複数の隆起領域が、前記上面に均一に分配された隆起アイランドの配列である請求項１又は２記載の基板サポート。
4. 前記複数の隆起アイランドが化学エッチングにより形成される請求項１〜３のいずれか１項記載の基板サポート。
5. 前記導電性本体に封入された発熱体を含む請求項１〜４のいずれか１項記載の基板サポート。
6. 前記導電性本体の前記上面をカバーする絶縁皮膜を含む請求項１〜５のいずれか１項記載の基板サポート。
7. 前記導電性本体がアルミニウムから作製されている請求項１〜６のいずれか１項記載の基板サポート。
8. 大面積基板を処理するための基板サポートであって、
   前記大面積基板をサポートし、前記大面積基板に容量性デカップリングを提供するように構成された導電性本体を含み、前記導電性本体が、上面に均一に分配され、前記上面の複数の低部領域に連続して接続された複数の隆起領域を有し、前記複数の隆起領域が前記大面積基板の裏面と実質的に接触するために構成されていて、前記複数の隆起領域が、前記上面の合計表面積の約５０％未満を占めており、
   前記導電性本体に封入された発熱体とを含む基板サポート。
9. １つ以上の強化要素を含む請求項８記載の基板サポート。
10. 前記上面をカバーする絶縁皮膜を含む請求項８又は９記載の基板サポート。
11. 前記複数の隆起領域及び前記複数の低部領域が、化学エッチング、電解研磨、研削、テクスチャリング及びローレット切りのうち１つから形成される請求項８〜１０のいずれか１項記載の基板サポート。
12. 前記複数の隆起領域が夫々、０．５ｍｍ未満の直径の円形である請求項８〜１１のいずれか１項記載の基板サポート。
13. プラズマチャンバにおいて大面積基板を処理する方法であって、
    導電性本体を有する基板サポートを提供する工程を含み、前記導電性本体が大面積基板をサポートし、前記大面積基板に熱エネルギーを提供するために構成された上面を有し、前記上面が前記大面積基板の裏面と接触するために構成された複数の隆起領域を有し、前記複数の隆起領域が前記上面の表面積の約５０％未満を占めており、
    前記基板サポートの上面に前記大面積基板を配置する工程と、
    前記プラズマチャンバに前駆体ガスを導入する工程と、
    前記導電性本体と前記導電性本体に平行な電極の間でＲＦ電力を印加することにより前記前駆体ガスのプラズマを生成する工程とを含む方法。
14. 前記導電性本体に埋め込まれた発熱体を用いて前記大面積基板を加熱する工程を含む請求項１３記載の方法。
15. 前記基板を提供する工程が、前記導電性本体の前記上面をエッチングして、前記複数の隆起領域を形成する工程を含む請求項１３又は１４記載の方法。