TWI456679B - 抗電漿腐蝕之反應室部件、其製造方法以及包含該部件之電漿反應室 - Google Patents

Claims (22)

1. 一種抗電漿腐蝕之反應室部件，其至少包含一表面暴露於所述電漿反應室內產生之電漿中，所述反應室部件由氧化釔材料和少量摻雜元素製成，並具有低於10歐姆-釐米之電阻率。
2. 如申請專利範圍第1項所述之反應室部件，其中反應室部件係由氧化釔材料和少量摻雜元素經過燒結或熱壓製成。
3. 如申請專利範圍第1項所述之反應室部件，其中摻雜元素包括非金屬元素。
4. 如申請專利範圍第1項或第3所述之反應室部件，其中摻雜元素為包括碳、矽、氮元素中的一種或幾種。
5. 如申請專利範圍第1項所述之反應室部件，其中摻雜元素為碳元素，且成份含量小於1%。
6. 如申請專利範圍第1項所述之反應室部件，其中氧化釔材料之成份含量大於99%。
7. 如申請專利範圍第1項所述之反應室部件，其中反應室部件由包括反應室的腔壁、反應室內襯、氣體噴淋頭、氣體噴淋頭接地環、卡盤邊環、基片支座、電漿限制環、聚焦環、排氣環在內之這組部件中選出。
8. 如申請專利範圍第1項所述之反應室部件，其中反應室部件為氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭上設置有若干通 孔，用於傳輸反應氣體。
9. 一種製造電漿反應室的抗電漿腐蝕之反應室部件之方法，其包括：(1)將氧化釔材料和少量摻雜元素經過熱壓或燒結形成具有電阻率小於10歐姆-釐米之導電基體；(2)加工所述導電基體，製成所述反應室部件。
10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中氧化釔材料成份含量占99%以上。
11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中少量摻雜元素包括氮、碳、矽元素中之一種或多種。
12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中反應室部件是氣體噴淋頭，還包括在導電基體上用超聲波鑽孔以在其上形成若干用於傳輸反應氣體的通孔之步驟。
13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，還包括在完成所述鑽孔步驟後對所述導電基體進行高溫退火之步驟。
14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，還包括在完成所述退火步驟後對所述導電基體進行清洗之步驟。
15. 一種電漿反應室，包括反應室部件，其中電漿反應室在工作時於其內產生有電漿，而反應室部件具有暴露於所述電漿之至少一表面，其特徵在於：反應室部件之電阻率小於10歐姆-釐米，其成份為氧化釔和少量摻雜元素，且反 應室部件在電漿反應室工作時提供射頻通路。
16. 如申請專利範圍第15項所述之電漿反應室，其中反應室部件由包括反應室的腔壁、反應室內襯、氣體噴淋頭、氣體噴淋頭接地環、卡盤邊環、基片支座、電漿限制環、聚焦環、排氣環在內之這組部件中選出。
17. 一種用於電漿反應室之抗電漿腐蝕之反應室部件，其至少包括相互連接在一起的第一導電基體和第二導電基體，其中第一導電基體為導電材料，第二導電基體具有至少一表面暴露於電漿中，並由電阻率低於10歐姆-釐米之氧化釔材料和少量摻雜元素製成。
18. 如申請專利範圍第17項所述之反應室部件，其中少量摻雜元素為成份含量不到1%之非金屬元素，該非金屬元素為氮、碳、矽元素中之一種或多種。
19. 如申請專利範圍第18項所述之反應室部件由包括反應室的腔壁、反應室內襯、氣體噴淋頭、氣體噴淋頭接地環、卡盤邊環、基片支座、電漿限制環、聚焦環、排氣環在內之這組部件中選出。
20. 如申請專利範圍第19項所述之反應室部件為氣體噴淋頭，其中第二導電基體的厚度範圍為1毫米至20毫米。
21. 如申請專利範圍第19項所述之反應室部件，其中第一導電基體及第二導電基體通過熱壓的方式連接在 一起。
22. 如申請專利範圍第19項所述之反應室部件，更包括一粘合材料設置於所述第一導電基體及第二導電基體之間，通過粘合材料使第一導電基體及第二導電基體粘合在一起。