JP2010080614A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 窒化物系半導体基板を保持する基板ホルダであって、
   窒化物系半導体基板が載置される載置領域に形成された凹部と、
   前記載置領域に設けられ、前記凹部の外周部側に配された外周面とを備え、
   前記外周面は、前記凹部の中心を通るとともに面内方向における第１方向の線上に位置する部分が、前記凹部の中心を通り前記第１方向と直交する第２方向の線上に位置する部分よりも上方に位置していることを特徴とする、基板ホルダ。
2. 前記外周面は、曲面からなり、
   前記第１方向の線上に位置する部分から前記第２方向の線上に位置する部分にかけて徐々に変化するように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板ホルダ。
3. 前記凹部は、底面部と側壁部とを含み、
   窒化物系半導体基板と前記底面部とが接触することなく、前記側壁部と前記外周面との角部で窒化物系半導体基板と線接触するように構成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板ホルダ。
4. 前記凹部は、すり鉢状に湾曲した形状に形成された底面部を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板ホルダ。
5. 窒化物系半導体基板を保持する基板ホルダであって、
   窒化物系半導体基板が載置される載置領域に形成され、窒化物系半導体基板を支持する複数の突起部を備えることを特徴とする、基板ホルダ。
6. 前記載置領域には、４つの前記突起部が形成されており、
   平面的に見た場合に、前記突起部を結ぶ線によって正方形が形成されるように前記突起部が配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の基板ホルダ。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板ホルダと、
   前記基板ホルダを露出させるための開口部を含み、原料ガスを前記基板ホルダに載置されている窒化物系半導体基板と平行に流すフローチャネルと、
   前記基板ホルダの下部側に設けられ、窒化物系半導体基板を加熱する加熱部とを備えることを特徴とする、気相成長装置。