JP2007129219A5

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Publication number: JP2007129219A5
Application number: JP2006293192A
Authority: JP
Filing date: 2006-10-27
Publication date: 2008-12-11

Claims

導電体を露出するためのエッチング方法であって、前記方法が、
オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）を含む化学処理剤を用いて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む第１の誘電体層を通してエッチングするステップと、
テトラフルオロメタン（ＣＦ４）を含む化学処理剤を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層を通してエッチングして、前記導電体を露出するステップと
を含む前記方法において、前記第１の誘電体層をエッチングするステップは、以下の諸条件、即ち、９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、２７ＭＨｚ及び２ＭＨｚにおける９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、３７５−４２５の標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）のアルゴン（Ａｒ）、１３−１７ｓｃｃｍのオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）及び５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）からなる気体流と、の条件を用いることを含む前記方法。
請求項１に記載の方法であって、前記キャップ層をエッチングするステップは、以下の諸条件、即ち、２５５−２８５ｍＴの圧力と、２７ＭＨｚにおける１３５０−１４５０Ｗ及び２ＭＨｚにおける６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）及び９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）からなる気体流と、の条件を用いることを含む前記方法。
前記エッチング・ステップの各々は反応性イオン・エッチング装置内で実行される、請求項１に記載の前記方法。
前記エッチング・ステップの各々は、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャックの圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることを含む、請求項１に記載の前記方法。
前記第１のエッチング・ステップの前に、デスカム処理を実行するステップを更に含む、請求項１に記載の前記方法。
前記デスカム処理を実行するステップは、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）を含む気体流を用いることを含む、請求項５に記載の方法。
請求項１に記載の方法であって、前記第１の誘電体層をエッチングする前に、前記第１の誘電体層の上に位置し、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を含む第２の誘電体層を通してエッチングするステップを更に含む前記方法。
前記キャップ層をエッチングするステップの後に、灰化を実行するステップを更に含む、請求項１に記載の前記方法。
導電体を露出するためのエッチング方法であって、前記方法が、
窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を含む第１の誘電体層を通してエッチングするステップと、
１３−１７標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）のオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）の気体流を含む化学処理剤を用いて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む第２の誘電体層を通してエッチングするステップと、
１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）の気体流を含む化学処理剤を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層を通してエッチングして、導電体を露出するステップと
を含む前記方法において、前記第２の誘電体層をエッチングするステップは、以下の諸条件、即ち、９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、２７ＭＨｚ及び２ＭＨｚにおける９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、３７５−４２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）及び５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）をさらに含む前記気体流と、の条件を用いることを含む前記方法。
請求項９に記載の前記方法において、前記キャップ層をエッチングするステップは、２５５−２８５ｍＴの圧力と、２７ＭＨｚにおける１３５０−１４５０Ｗ及び２ＭＨｚにおける６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）を更に含む前記気体流と、の条件を用いることを含む前記方法。
前記エッチング・ステップの各々が、反応性イオン・エッチング装置内で実行される、請求項９に記載の前記方法。
請求項９に記載の方法において、前記エッチング・ステップの各々は、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることを含む前記方法。
請求項９に記載の方法であって、前記第１のエッチング・ステップの前に、前記デスカム処理実行ステップは窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）の気体流を用いてデスカム処理を実行するステップを更に含む、前記方法。
請求項１３に記載の方法であって、前記デスカム処理を実行するステップは、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の付加的条件を用いることを含む前記方法。
前記キャップ層のエッチング・ステップの後に、灰化を実行するステップを更に含む、請求項９に記載の前記方法。
窒化チタン（ＴｉＮ）キャップ層と、その上の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層と、その上の窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層と、その上のパターン付けされたフォトレジストとを含む積層の下にある導電体を露出する方法であって、前記方法が、
窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層を通してエッチングするステップと、
９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、２７ＭＨｚ及び２ＭＨｚにおける９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、３７５−４２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）、１３−１７ｓｃｃｍのオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）及び５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）からなる気体流と、の条件を用いて、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層を通してエッチングするステップと、
２５５−２８５ｍＴの圧力と、２７ＭＨｚにおける１３５０−１４５０Ｗ及び２ＭＨｚにおける６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）及び９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）からなる気体流と、の条件を用いて、窒化チタン（ＴｉＮ）層を通してエッチングするステップと
を含む前記方法。
前記エッチング・ステップの前にデスカム処理ステップが実行され、前記エッチング・ステップの後に灰化ステップが実行される、請求項１６に記載の前記方法。
請求項１６に記載の方法において、前記エッチング・ステップの各々は、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることを含む前記方法。