JP5595481B2 - 選択的窒素化の方法 - Google Patents

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Description

本発明の実施の形態は、一般的に、半導体製造工程および装置の分野、より特別に、装置の形成方法に関する。
装置構造を単純に縮小させることによる半導体装置の縮小は、しばしば、小さな寸法において、受け入れ可能な結果を生まない。ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置において、トンネル酸化物層、インターポリ誘導体（ＩＰＤ）層、あるいは類似層といった特徴部が縮小されると、望ましくない漏洩が、例えば、基板とフローティングゲートとの間、フローティングゲートと制御ゲートの間等で生ずる。従って、そして例えば、トンネル酸化物層の信頼性の改良、あるいは、フローティングゲートらのドーパントの外方拡散の抑制のために、それぞれの層には、その中、あるいはその表面に、窒化工程などによって窒素が組み込まれている。
通常、そうした窒化工程は、メモリ装置のフローティングゲート構造に窒素を取り込むことで行われる。然し、窒化工程は、また、近接したフローティングゲート構造を分離する浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域に、望ましくなく窒素を組み入れてしまう。窒素が組み入れられたＳＴＩ領域は、隣接するフローティングゲートを電気的に望ましくない結合をし、隣接するフローティングゲート間で電気的に結合する結果となり、最終的な装置の性能に負の効果を与える。幾つかの従来の工程において、窒化工程後、ＳＴＩ領域から窒素を除去する試みとして、湿式の化学工程が利用されている。しかし、不幸にも、湿式の化学的除去処理は、フローティングゲート上に形成された望ましい窒素含有層から窒素を除去し、その層の性能を劣化させる。
従って、半導体装置を作成する改良された方法を開発する技術的な必要がある。
半導体装置の形成方法がここに提供される。ある実施の形態において、半導体装置形成の方法は、酸化物の表面とシリコンの表面を持った基板を用意し、酸化物とシリコン両表面の露出した部分上に窒素含有層を形成し、酸化物表面上から窒素含有層を選択的に除去するために、窒素含有層を酸化する。ある実施の形態において、酸化物表面は、シリコン特徴部上に形成された窒素含有層の残余の部分の上に形成される。ある実施の形態では、酸化物表面は、半導体装置の１つまたはそれ以上のフローティングゲートに隣接して配置された浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域の露出表面である。ある実施の形態において、シリコン表面は、半導体装置のシリコンまたはポリシリコンのフローティングゲートの露出面である。
上記に短くまとめ、下記に詳細に論議する本発明の実施の形態は、添付した図面に図示された本発明の態様を参照することによって理解されよう。然し、添付の図面は本発明の典型的な実施態様を示しているに過ぎず、従って、発明の範囲を限定するものではなく、本発明は、その他の同様に有効な実施態様をも容認することに注意されたい。
図１は、本発明のある実施の形態に従う半導体装置形成の方法を示すフローチャートである。
図２Ａは、図１の方法のある実施の形態に従う半導体装置の製造の段階を図示している。
図２Ｂは、図１の方法のある実施の形態に従う半導体装置の製造の段階を図示している。
図２Ｃは、図１の方法のある実施の形態に従う半導体装置の製造の段階を図示している。
図２Ｄは、図１の方法のある実施の形態に従う半導体装置の製造の段階を図示している。
図３は、本発明の一部分を実行するに適したクラスターツールを図示している。
理解を容易にするために、各図に共通な同じ要素を指定するため、可能な限り、同じ参照番号を使用した。図面は、同じ縮尺で描画していないし、明瞭とするための簡素化されている。１つの実施態様の要素や特徴は、さらに説明することなくその他の実施の形態に有益に組み込まれると考えられる。
半導体装置を製造するための方法がここに提供される。一般に、その方法は、例えば、フラッシュメモリ装置のフローティングゲートといった露出したシリコンの特徴部の選択的窒素化を含み、隣接するフローティングゲート構造間に配置されている浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域といったその他の露出した特徴部には窒素化は、極めて僅かか全く行われない。本文に開示される方法は、露出したシリコン特徴部上に形成された窒化物層には減少あるいは限定した損傷しか与えずに、望ましくない露出した特徴部から有利に窒素を除去する。
図１は、本発明のある実施の形態による半導体装置の製造方法のフローチャートを図示している。この方法１００は図２Ａから図２Ｄに図示される典型的な半導体装置（メモリ装置２００）製造の段階に従って以下に記述される。この方法１００は、各フローティングゲート層の表面に窒素含有層を選択的に形成する一方、基板の望ましくない部分（基板のフィールド酸化物の表面、ＳＴＩ構造等）には、窒素の編入は僅かかあるいは無い。ＳＴＩ構造および／またはフィールド酸化物といったフローティングゲートや酸化物層に関して図示したが、ここに開示する方法は、その他の酸化物層、誘電体層または構造等といった基板上に配置されたその他の構造と組み合わせて使用することができる。
方法１００は、露出した酸化物表面と露出したシリコン表面を持つ基板２０２を準備することによる工程１０２から始まる。このような基板２０２は、図２Ａに図示され、同図には、基板２０２上に形成される部分的に形成されたメモリ装置２００を図示している。基板２０２は、結晶シリコン（例えば、Ｓｉ＜１００＞、あるいはＳｉ＜１１１＞）、シリコン酸化物、歪みシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープありまたはドープなしのポリシリコン、ドープありまたはドープなしのシリコンウエーハ、パターン付きまたはパターンなしのウエーハ、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素ドープ酸化シリコン、窒化シリコン、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガラス、サファイヤ、等からなる。ある実施の形態では、基板２０２はシリコンからなる。
部分的に形成されたメモリ装置２００は、露出したシリコン表面２０７を持つパターンが形成されたフローティングゲート層２０６（多数のフローティングゲートを画成している）を含む。フローティングゲート２０６は通常、ポリシリコン、金属等といった導体材料からなる。ある実施の形態において、フローティングゲート層２０６は、共にドープされているかドープされていないシリコン（Ｓｉ）またはポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）からなる。フローティングゲート２０６は、図２Ｄに示すように隣接したセル（例えば、セル２０３、２０５、２１１の間）の間にＩＰＤ層２１０の部分を容易に配置するに適した構成を持つ。
トンネル酸化物層２０４は、基板２０２とフローティングゲート層２０６との間に配置されている。トンネル酸化物層２０４は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、あるいは、アルミニウム−（Ａｌ）、ハフニウム−（Ｈｆ）、ランタナム−（Ｌａ）、ジルコニウム−（Ｚｒ）の酸化物または酸窒化物、または窒化シリコンの単一または多層構造（例えば、ＳｉＯ２／ｈｉｇｈ−ｋ／ＳｉＯ２）等といった高誘電体材料（Ｈｉｇｈ−ｋ）からなる。
トンネル酸化物層２０４は、パターン化されたフローティングゲート層２０６に相当する同様なパターンとされている。パターン化されたフローティングゲート層２０６、トンネル酸化物層２０４、および基板２０２の下地部分といった各部分は、メモリ装置２００のセル２０３（あるいはメモリ単位）からなる。トンネル酸化物層２０４は、各セル内で、パターン化されたフローティングゲート層２０６によって画成されたそれぞれのフローティングゲートの元の幅とほぼ等しい幅を持つ。トンネル酸化物層２０４は、例えば、５から１２ｎｍの間の適切な厚さを持つ。
メモリ装置２００の各セルは、基板２０２上の隣接したセルおよび／または他の装置（その他のメモリ装置を含む）と分離する浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域によって分離されている。例えば、メモリ装置２００内で、浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域２０８は、基板２０２上の各セルの間（例えば、トンネル酸化物層２０４とフローティングゲート層２０６のそれぞれの部分に隣接する、ここで、ＳＴＩ領域２０８は隣接するセル２０５、２１１からセル２０３を分離する）に配置される。ＳＴＩ領域２０８は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等 シリコンと酸素を含む。ＳＴＩ領域２０８は、隣接するセル（例えば、セル２０３および２０５）における隣接したフローティングゲート２０６に接触するように十分な高さに広がる。
それ故、図２Ａに図示される作成の段階において、基板２０２は、露出した酸化物表面（例えば、ＳＴＩ領域２０８上部）と露出したシリコン表面２０７（例えば、フローティングゲート層２０６上部）を含んでいる。
ある実施の形態において、窒素層（後述の１０４で述べる）を形成する前に、予備洗浄（湿式あるいは乾式）を行い、シリコン領域−化学酸化物あるいは露出したシリコン上に終端処理された表面が残る。ある実施の形態において、露出したシリコン表面を残す乾式洗浄処理が用いられ、これが、全ての工程に組み込まれる。この場合、全ての工程に組み込まれた予備洗浄は、空気にさらされてシリコンが酸化することを防止する効果がある。ある実施の形態において、１０４における窒素化のまえに、ドーパント注入が行われるので、最終的なドーパント濃度は増加する（予備窒素化ドーパント処理を行わない場合に比較して）。
次いで、１０４において、図２Ｂに示すように、ＳＴＩ領域２０８の露出した酸化物表面２０９とフローティングゲート２０６の露出したシリコン表面１０７の両表面上に窒素含有層が形成される。窒素含有層２１４は、例えば、ＳＴＩ領域２０８の露出表面２０９上に形成された酸窒化部２１４Ａおよび／または、例えば、フローティングゲート２０６の露出表面２０７上に形成された窒化部２１４Ｂを含む。典型的な酸窒化部はシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）
である。典型的な窒化物部は窒化シリコン（ＳｉＮ）を含む。窒素含有層２０８は、約０．２から５ｎｍの間の厚さを持つ。窒素含有層２０８は、約１から６０％の窒素含有量を持つ。
窒素含有層２１４は、例えば、分離されたプラズマ源を用いるプラズマ窒化といった適切な窒化処理を用いて形成できる。本発明に使用するに適した典型的な窒化チャンバの例は、カリフォルニア州、サンタクララのアプライドマテリアル社から入手できる分離されたプラズマ窒化（ＤＰＮ）用に構成された各種チャンバでよい。
例えば、典型的な窒素化工程はプロセスガスガスからのプラズマの形成を含む。プロセスガスは少なくとも窒素を含む。例えば、適切な第１ガスは窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）あるいは、それらの組み合わせを含む。その他の選択肢として、第１プロセスガスは、さらに、例えば、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）等の不活性ガスを含むこともできる。ある実施の形態では、第１プロセスガスは窒素（Ｎ２）のみである。
プロセスガスは、全流量として約２００から１０００ｓｃｃｍ、あるいは約４００ｓｃｃｍで供給される。第１プロセスガスはある範囲の組成のガスが利用される。ある実施の形態において、プロセスガスは約３％の窒素（Ｎ２）（即ち、窒素（Ｎ２）の流量が約１０から約５０ｓｃｃｍの間）を含む。ある実施の形態では、プロセスガスは約３から約５０％のアンモニア（ＮＨ３）（即ち、アンモニア（ＮＨ３）の流量が約１０から約１００ｓｃｃｍの間）を含む。ある実施の形態では、プロセスガスは約０から約９７％の不活性ガス（即ち、不活性ガスの流量が約０から約１０００ｓｃｃｍの間）を含む。例えば、ある特別な実施の形態において、１００からなる窒素（Ｎ２）が、約４００ｓｃｃｍの割合で供給される。
プラズマは、例えば、誘導結合されたプラズマ源を用いて形成される。ある実施の形態において、プラズマ密度は約１ｅ９から約１ｅ１２ｉｏｎｓ／ｃｍ3の間である。プラズマはＲＦ電源電力を用いて形成される。ある実施の形態では、ＲＦ電源電力は約１００から約５ｋＷの間である。ＲＦ電源電力はいかなる適切なＲＦ周波数を用いてもよい。例えば、ある実施の形態では、ＲＦ電源電力は約１３ＭＨｚから約９０ＭＨｚの間の周波数で供給される。ある実施の形態では、ＲＦ電源電力は、約１３ＭＨｚの周波数で供給される。誘導的窒素化処理の間の処理チャンバの圧力は、約０．００５Ｔｏｒｒから約０．５Ｔｏｒｒ、あるいは０．０５Ｔｏｒｒに維持される。
基板２０２は、窒化処理時は加熱される。例えば、基板２０２、ＳＴＩ領域２０８、およびフローティングゲート２０６は露出面の温度が約１００から５００℃の間であるように加熱される。加熱温度範囲を増加させると、より高い窒化速度および／またはより高い窒素含有量を促進し、シリコン領域とＳｉＯ２領域の間の窒化速度の差を変える。ある実施の形態において、約３００から４５０℃の温度において、フローティングゲートに取り込まれた窒素の含有量は、約１５から３０％の間である。ある実施の形態で、約３００から約４５０℃の間の温度において、ＳＴＩ領域に取り込まれた窒素の含有量は約５から約２０％である。
ある実施の形態において、約５０から５００ワットの間といったＲＦバイアス電力を任意に印加することが出来る。ＲＦバイアス電力は、約１３．５ＭＨｚから６０ＭＨｚの間といった適切な周波数で印加することが出来る。
次に、１０６において、窒素含有層２１４は酸化される一方、同時に、図２Ｃに図示されるように、窒素含有層はＳＴＩ領域２０８から選択的に除去される。例えば、隣接するセルの隣接するフローティングゲート２０６間のいかなる導電通路をも制限または除外するため、窒素含有層はＳＴＩ領域２０８上から選択的に除去される。窒素含有シリコン表面（２１４）は酸化され、結果として最後にＳｉＯＮ層（２１６）となる。酸化物層２１６は、約０．２から約５ｎｍの間の厚さを持つ。ある実施の形態において、酸化物層２１６は、後に論議するように、ＯＮＯ層の第１酸化物層といったＩＰＤ層２１０の一部として利用される。
窒素含有層の選択的除去のための酸化処理は、分離プラズマ酸化（ＤＰＯ）といったプラズマ酸化、およびスパイクＲＴＰ、ラジカル酸化、スパイクラジカル酸化、熱窒素化等といった急速熱酸化（ＲＴＯ）を含むいずれかの適切な酸化工程によって行われる。ラジカル酸化に続くアニールといった処理工程の組み合わせもある。本発明の方法の酸化処理を実施するために適切な典型的な処理チャンバは、カリフォルニア州、サンタクララのアプライドマテリアル社で入手可能なＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）あるいはＲＡＤＯＸTM ＲＴＰチャンバを含む。
酸化プロセスガスが用いられ、少なくとも酸素含有ガスを含む。ある実施の形態において、プロセスガスは水素（Ｈ２）および酸素（Ｏ２）を含む。ある実施の形態において、水素（Ｈ２）は、約１％以下、または約３％以下、あるいは約６％以下、あるいは、用いられる水素（Ｈ２）および酸素（Ｏ２）の全量の約８０％までである。ある実施の形態において、水素（Ｈ２）は、用いられる水素（Ｈ２）および酸素（Ｏ２）の全量の約３から約３３％（即ち、水素（Ｈ２）および酸素（Ｏ２）の流量比は約１：１から約４：１）である。ある実施の形態において、水素（Ｈ２）は、用いられる酸素（Ｏ２）および水素（Ｈ２）の全量の約０．５％、あるいは約１％、あるいは約３％、あるいは約６％である。ある実施の形態において、酸化プロセスガスは、上述の通り、同じ流量比の水素（Ｈ２）および亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を含む。
ある実施の形態において、酸化プロセスガスは、合計流量速度において、５０ｓｌｍ以下、あるいは、約２０から約３０ｓｌｍの間で供給される。ある実施の形態において、不活性ガスが、必要に応じて、約２０から約３０ｓｌｍの間の合計流速で供給される。ある実施の形態において、不活性ガスが、必要に応じて、水素（Ｈ２）が約５０％またはそれ以上の含有量をもつプロセスガス混合物として供給されるように提供される。ある実施の形態において、１種あるいはそれ以上の不活性ガスは、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、ネオン（Ｎｅ）等を含む。プロセスガスに１種またはそれ以上の不活性ガスを添加することは、容易により高い酸化速度を与える。ある具体的な実施の形態において、酸素（Ｏ２）が約１９ｓｌｍで供給され、水素（Ｈ２）が約１ｓｌｍで供給される。ある実施の形態において、酸素（Ｏ２）が１９ｓｌｍで供給され、水素（Ｈ２）が約１ｓｌｍで供給される。ある実施の形態において、プラズマ酸化ガスは、上記のように、合計ガス流量に対して約５から約９５％の不活性ガスを含むＯ２とＨ２の組み合わせガスからなる。
酸化プラズマが酸化プロセスガス（例えば、分離プラズマ酸化といった）から形成される酸化処理の実施の形態において、酸化プラズマは、プラズマ形成に適した周波数（例えば、ＭＨｚ範囲、あるいは約１３．５６ＭＨｚまたはそれ以上の周波数）の約５０Ｗから約２５００Ｗの間のＲＦ電源電力を印加して形成される。ある実施の形態において、酸化プラズマは、約１ｅ９から約１ｅ１２ｉｏｎｓ／ｃｍ3の間の密度で形成される。
酸化物層２１６は約０．００５から約１５Ｔｏｒｒの間の圧力で形成される。それに変えて、あるいは組み合わせて、酸化速度の増加を促進させるために、例えば、基板２０２の温度を約室温から約５５０℃の間に加熱して、基板２０２をより高い温度で維持する。
酸化性プロセスガスから酸化プラズマが形成される実施の形態において、窒素含有層２１４表面への酸化性プラズマのフラックスを制御するために、また、ある実施の形態では、形成される酸化物層の厚さを制御するために、基板２０２は酸化物層の形成の間バイアスされる。ある実施の形態において、基板２０２に印加されるバイアス電力は約５０から約５００ワットである。
窒素含有素層２１４が熱的酸化工程において酸化される実施の形態において、この工程は６００を超え１１００℃以下の温度で行なわれる。ある実施の形態において、熱的酸化工程の期間供給されたプロセスガスは、水素（Ｈ２）を含む酸素含有ガスである。水素（Ｈ２）および酸素含有ガスは、チャンバの全圧力が約２０Ｔｏｒｒ以下で反応する。
ある実施の形態において、ＳＴＩ領域２０８上からは窒素含有層２１４は除去したい一方、窒素含有層２１４の残余の領域上では、酸化物含有層の形成は最少としたい。例えば、酸化物層形成の最少化はメモリ装置２００における縮小化を保持して行われることが望まれる。それ故、酸化処理の工程条件は、ＳＴＩ領域２０８上からの窒素除去と残余の窒素含有領域２１４上の酸化物層の形成との間でトレードオフが成立するように調整される。例えば、そのような工程条件は、温度の低下、あるいは、スパイクＲＴＰ工程を用いることによって、プロセスガスの濃度、圧力、流量、あるいはそれらの組み合わせを調整するといった熱的な割当量を減少させること等を含む。一例として、７００℃の温度で、（酸素Ｏ２中の）水素（Ｈ２）％が３％から３３％の濃度のガス中への浸漬時間が約１０ないし約６０秒の低温ラジカル酸化工程がある。加えて、上述の組み合わせの酸化性ガスを用いたピーク温度が９５０℃までのスパイクラジカル酸化工程も使用できる。
方法１００と組み合わせるか、方法１００の完了後、別の選択肢の処理工程を実施することができる。例えば、ＳＴＩ領域２０８上に配置されている。窒素含有層２１４の一部を除去する酸化工程の前に、湿式エッチングを利用することができる。湿式エッチングは、弗酸（ＨＦ）あるいは塩酸（ＨＣｌ）といった酸性液に、装置２００を浸漬することを含む。湿式エッチの前に、窒素の密度を上げるためにアニールが行なわれる。さらに、１０６における選択的酸化の前に、例えば、窒素含有層２１４の均質化や安定化のために高温に於ける酸化に先立って、装置２００はアニールされる。装置２００は、ＩＰＤ層２１０の堆積前に、同じ理由から高温酸化後にアニールされる。さらに、例えば、フローティングゲート上の酸化物層２１６（ある実施の形態では、ＳｉＯＮ層）を除去すること無しに、ＳＴＩ領域２０８上から、残余の窒素含有種の徐去のため、酸化工程後に湿式エッチが行なわれる。
ある実施の形態において、方法１００は、窒素含有層２１４の選択的徐去で終了するが、その他の処理が、図２Ｄに示すように、装置２００を完成させるために実行されることもある。例えば、インターポリ誘電体（ＩＰＤ）層２１０がフローティングゲート２０６の上に形成されたり、制御ゲート層２１２が、図２Ｄに示すように、ＩＰＤ層２１０の上に形成されることもある。ＩＰＤ層２１０は、各フローティングゲート２０６を制御ゲート層２１２から分離する。ＩＰＤ層は、酸化物層２１６上、そしてＳＴＩ領域２０８上に、かつ互いに隣接するフローティングゲート２０６の空いた領域に配置される。ＩＰＤ層２１０は任意の適切な単層または多数層の誘電体材料からなる。単層のＩＰＤは、ＳｉＯ2、ＳＩＯＮ、あるいは、トンネル酸化物層に関連して前に論議した高誘電体材料等からなる。多数層ＩＰＤの非限定例は、第１酸化物層、窒化層、および第２酸化物層からなる多数層ＯＮＯ層、または、第１酸化物層、アルミニウム酸化物層、第２酸化物層からなる多数層ＯＡＯ層である。第１および第２酸化物層は主としてシリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）等である。窒化層は一般的に、窒化シリコン（ＳｉＮ）などのシリコン及び窒素からなる。ある実施の形態において、ＳｉＯ２／ｈｉｇｈ−ｋ／ＳｉＯ２（例えば、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＯ２）からなる多数層ＩＰＤ層がＩＰＤ層１１０として用いられる。ある実施の形態において、ＩＰＤ層２１０は、約１２から約１５ｎｍの間の厚さに堆積される。
制御ゲート層２１２は、図２Ｄに示すように、ＩＰＤ層２１０の上に堆積される。任意であるが、窒素含有層（図示していない）は、制御ゲート２１２の堆積前に、ＩＰＤ層の上に堆積される。制御ゲート層２１２は、通常、ポリシリコン、金属等といった導体材料からなる。
例えば、窒素化および酸化といったここで述べる方法は、上記に討議したような典型的なチャンバである別個の窒素化チャンバあるいは酸化チャンバ内で行われ、こうしたチャンバは、独立構成あるいは、図３に関連して下記に記載する、例えば、集積ツール３００（即ち、クラスターツール）であるクラスターツールの一部として提供されている。集積ツール３００の例は、カリフォルニア州、サンタクララのアプライドマテリアル社から全て入手できる、例えば、ＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）ＤＰＮゲートスタックといったＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）およびＥＮＤＵＲＡ（登録商標）集積ツールがある。ここで述べる方法は、それに結合された適切な処理チャンバを持つその他のクラスターツールを用いるか、あるいは、その他の適切な処理チャンバ内で実行出来ると考えられる。
集積ツール３００は、真空気密状態の処理プラットフォーム３０１、ファクトリーインターフェース３０４およびシステム制御装置３０２を含む。プラットフォーム３０１は、真空基板移動チャンバ３０３と動作可能に結合された、例えば、３１４Ａ、３１４Ｂ、３１４Ｃおよび３１４Ｄといった多数の処理チャンバを含む。ファクトリーインターフェース３０４は、１つまたはそれ以上のロードロックチャンバ（図３に示す、３０６Ａおよび３０６Ｂといった２個のロードロックチャンバ）によって移動チャンバ３０３と動作可能に結合されている。
ある実施の形態において、ファクトリーインターフェース３０４は、少なくとも１つのドッキングステーション３０７と半導体基板の移動を容易にするための少なくとも１つのファクトリーインターフェースロボット３３８を有する。ドッキングステーション３０７は、１個またはそれ以上の前方開口統合ポッド（ＦＯＵＰ）を収容するように構成されている。３０５Ａ、３０５Ｂ、３０５Ｃおよび３０５Ｄといった４個のＦＯＵＰは、図３の実施の形態に図示されている。ファクトリーインターフェースロボット３３８は、基板をファクトリーインターフェース３０４から処理プラットフォーム３０１に、３０６Ａおよび３０６Ｂといったロードロックチャンバによって移動するように構成されている。それぞれのロードロックチャンバ３０６Ａおよび３０６Ｂは、ファクトリーインターフェース３０４と結合した第１ポートと、移動チャンバ３０３と結合した第２ポートを有する。ロードロックチャンバ３０６Ａおよび３０６Ｂは、圧力制御システム（図示されていない）と結合され、この圧力システムは、チャンバ３０６Ａおよび３０６Ｂをポンプダウンし通風して、移動チャンバ３０３の真空環境とファクトリーインターフェース３０４の事実上周囲の環境（即ち、大気圏の）との間の基板の通過を容易にする。移動チャンバ３０３は、その中に配置された真空ロボット３１３を持つ。真空ロボット３１３は、基板３２１をロードロックチャンバ３０６Ａ、３０６Ｂと処理チャンバ３１４Ａ、３１４Ｂ、３１４Ｃおよび３１４Ｄの間を移動させることが出来る。
ある実施の形態において、処理チャンバ３１４Ａ、３１４Ｂ、３１４Ｃ、および３１４Ｄは、移動チャンバ３０３と結合している。処理チャンバ３１４Ａ、３１４Ｂ、３１４Ｃ、および３１４Ｄは、少なくとも１つの酸化チャンバ、窒素化チャンバ、そして、随意に、エッチチャンバ、およびトンネル酸化物層、材料層、ＩＰＤ層、制御ゲート層等を堆積する堆積チャンバ等を有する。酸化チャンバは、プラズマ酸化、急速熱酸化、あるいはラジカル酸化用に構成されたチャンバを有する。窒素化チャンバは、分離プラズマ窒素化（ＤＰＮ）等を行うためのチャンバを含む。エッチングチャンバは、湿式または乾式、反応性イオンエッチ（ＲＩＥ）等用として構成されたチャンバを含む。本発明の少なくともある実施の形態を実行するに適したチャンバの例は上記に説明した。
ある実施の形態において、１つまたはそれ以上の任意の役割を果たすサービスチャンバ（３１６Ａおよび３１６Ｂとして示す）が移動チャンバ３０３に結合されている。サービスチャンバ３１６Ａ、３１６Ｂは、脱ガス、配向、基板の計測、冷却等の基板処理を行う構成となっている。
システム制御装置３０２は、処理チャンバ３１４Ａ、３１４Ｂ、３１４Ｃ、および３１４Ｄを直接制御に使用してツール３００の操作を制御するか、あるいはそれに変えて、処理チャンバ３１４Ａ、３１４Ｂ、３１４Ｃ、および３１４Ｄおよびツール３００と関連するコンピュータ（あるいは制御装置）を制御することによって操作の制御を行う。制御操作において、システム制御装置３０２は、ツール３００の性能を最適化するために、それぞれのチャンバおよびシステムからのデータ収集およびフィードバックを可能としている。システム制御装置３０２は、一般に、中央処理装置（ＣＰＵ）３３０、記憶装置３３４、および支援回路３３２を含む。ＣＰＵ３３０は、工業環境に使用可能な汎用コンピュータプロセッサの任意の形態の１つであればよい。支援回路３３２は、通常ＣＰＵ３３０に結合され、それは、キャッシュメモリ、クロック回路、入力／出力サブシステム、電源等が含まれる。例えば、上述のフローティングゲートを形成する方法といったシフトウエアルーチンは、ＣＰＵ３３０によって実行される時、ＣＰＵ３３０を特定目的のコンピュータ（制御装置）３０２に転換する。ソフトウエアルーチンは、ツール３００から離れて配置されている第２制御装置（図示されていない）によって格納され、および／または実行される。
従って、半導体装置を形成するための方法がここに提供された。有利には、この方法は、露出した酸化物特徴部から、堆積した窒素含有層を、露出したシリコン特徴部上に形成された窒素含有層に減少あるいは限定した損傷しか与えずに、選択的に除去する。
上記において、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の元来の範囲から離れること無く、その他のあるいは更なる本発明の実施の形態を考案することが出来よう。

Claims (14)

  1. 半導体装置の形成方法であって、この方法は、
    酸化物表面とシリコン表面を有する基板を供給し、
    酸化物表面およびシリコン表面の共に露出した部分に窒素含有層を形成し、
    酸化物表面上から窒素含有層を選択的に除去するために、窒素含有層を酸化する工程を有し、さらに、
    酸化物層上から窒素含有層の一部を除去するため、窒素含有層形成後および窒素含有層の酸化以前に湿式エッチングを施すか、あるいは、
    酸化物層上から残余の窒素含有種を除去するために、窒素含有層の酸化後にウエットエッチングを施すか、少なくとも一つを有する半導体装置の形成方法。
  2. さらに、シリコン表面上に形成された窒素含有層の残余の部分上に酸化物層を形成することからなる請求項１の方法。
  3. 酸化物表面は、半導体装置の１つまたはそれ以上のフローティングゲートに隣接して配置された浅いトレンチ分離領域（ＳＴＩ）の露出面を含み、シリコン表面は半導体装置のシリコンまたはポリシリコンのフローティングゲートの露出面である請求項１の方法。
  4. 窒素含有層の形成は、厚さが約０．２から約５．０ナノメーターの窒素含有層を形成することをからなる請求項１の方法。
  5. 窒素含有層の形成は、約１％から約６０％の間の窒素含有量を持つ窒素含有層を形成することからなる請求項１の方法。
  6. 請求項１の方法は、さらに、
    窒素含有層を酸化後、露出したシリコン表面上にインターポリ誘電体層を形成し、そして、
    インターポリ誘電体層上に制御ゲート層を形成することを含む請求項１の方法。
  7. 窒素含有層がプラズマ窒化工程において形成される請求項１ないし６のいずれか１つに記載の方法。
  8. プラズマ窒化工程は、
    窒素含有ガスからなるプロセスガスからプラズマを形成し、そして、
    窒素含有層を形成するために、基板をプラズマに露出することを含む請求項７に記載の方法。
  9. 窒素含有ガスは、少なくとも、窒素（Ｎ2）またはアンモニア（ＮＨ3）のいずれか１つを有する請求項８に記載の方法。
  10. さらに、
    窒素含有層の窒化速度あるいは窒素含有量の少なくとも１つを増加させるために、プラズマ窒化工程を実行中に基板を加熱することを含む請求項７に記載の方法。
  11. 窒素含有層はプラズマ酸化工程において酸化される請求項１ないし６のいずれか１つに記載の方法。
  12. プラズマ酸化工程は、
    酸素（Ｏ2）に加えて、水素（Ｈ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、あるいはアルゴン（Ａｒ）のいずれか１種を有するプロセスガスからプラズマを形成し、そして、
    窒素含有層を酸化するために、基板をプラズマに露出することを有する請求項１１に記載の方法。
  13. 窒素含有層は、６００より高く１１００℃より低い温度で、熱酸化工程によって酸化されることを有する請求項１ないし６のいずれか１つに記載の方法。
  14. 熱酸化工程は全チャンバ圧力が２０Ｔｏｒｒ未満で、水素（Ｈ2）と酸素含有ガスとを反応させることを有する請求項１３に記載の方法。
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