JP2014123667A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 窒化物半導体上にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極からなる電極を形成する工程と、
前記窒化物半導体の表面に２．２以上の屈折率を有する窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜を形成する工程の後、前記窒化シリコン膜の成膜温度から５０℃以上かつ４００℃以下の温度範囲で熱処理を実施する工程と、
前記熱処理を実施する工程の後、前記窒化シリコン膜に酸素、窒素、弗素、燐、硫黄およびセレンの少なくとも一つからなる元素を導入する工程と、
前記元素を導入する工程の後、前記窒化物半導体上に形成されたフォトレジストをマスクとして利用し、前記窒化シリコン膜に開口を形成する工程と、
を含み、
前記元素が導入された前記窒化シリコン膜は、前記窒化物半導体上に残存してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記元素は、前記元素を含むプラズマに曝す工程、前記元素をイオン注入する工程、および前記元素を熱拡散する工程の何れかにより導入されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理を実施する工程は、前記窒化シリコン膜の成膜温度より１００℃以上高い温度で実施されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理を実施する工程は、前記窒化シリコン膜の成膜温度より２００℃以上高い温度で実施される請求項３記載の半導体装置の製造方法。
- 前記窒化シリコン膜上に、２．２より小さい屈折率を有する窒化シリコンからなる保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
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