JP2017079288A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 133
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 133
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 68
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 32
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 31
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 11
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
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- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/2654—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
- H01L21/3245—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering of AIIIBV compounds
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
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- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
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Abstract
【課題】半導体層の表面モフォロジーの悪化を抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板2上に設けられた窒化物半導体層に不純物をイオン注入する不純物注入工程と、不純物注入工程の後、窒化物半導体層の表面に第1窒化シリコン膜23を形成する第1膜形成工程と、窒化物半導体層および第1窒化シリコン膜23を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程の後、第1窒化シリコン膜23を除去する第1除去工程と、を有する。第1窒化シリコン膜23は、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である。【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
近年、高出力及び高耐圧を有する窒化ガリウム(GaN)系材料を用いた半導体装置(パワー半導体デバイス)として、高電子移動度トランジスタ(HEMT)が知られている。例えば下記非特許文献1には、半導体と金属との間における接触抵抗を低下させるために、半導体層における該オーミック電極と接する領域及びその周囲に低抵抗の不純物領域(n+領域)を設けることが記載されている。
Recht,F.et al. 「Nonalloyed Ohmic Contacts In AlGAN/GAN HEMTs By Ion Implantation With Reduced Activation Annealing Temperature」 IEEE,Electron Device Letters, 27(2006),p.205−207
上記n+領域は、イオン化された不純物を半導体層中に注入した後、該半導体層を加熱する活性化工程を施すことにより形成される。この活性化工程では1000℃以上の熱処理を行うので、半導体層の表面が劣化してしまう。半導体層の表面の劣化を防ぐために、活性化処理を行う前に保護膜を形成することがある。この保護膜は、プラズマCVD法(CVD:Chemical Vapor Deposition)によって形成されるSiN膜が一般的である。しかしながら、上記SiN膜を形成して活性化処理を行った後に該SiN膜を除去すると、半導体層の表面モフォロジー(表面の凹凸状態)が悪化してしまう。このような半導体層を用いて例えばHEMTを形成した場合、リーク電流の増加及びHEMTの信頼性低下が発生するおそれがある。
本発明は、半導体層の表面モフォロジーの悪化を抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の一形態に係る半導体装置の製造方法は、基板上の窒化物半導体層に不純物をイオン注入する不純物注入工程と、不純物注入工程の後、窒化物半導体層の表面に第1窒化シリコン膜を形成する第1膜形成工程と、窒化物半導体層および第1窒化シリコン膜を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程の後、第1窒化シリコン膜を除去する第1除去工程と、を有し、第1窒化シリコン膜は、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である。
本発明の別の一形態に係る半導体装置は、基板と、基板上に設けられ、不純物がイオン注入された領域を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層の表面に設けられる窒化シリコン膜と、を有し、窒化シリコン膜は、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である。
本発明によれば、半導体層の表面モフォロジーの悪化を抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供できる。
[本願発明の実施形態の説明]
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の一実施形態は、基板上の窒化物半導体層に不純物をイオン注入する不純物注入工程と、不純物注入工程の後、窒化物半導体層の表面に第1窒化シリコン膜を形成する第1膜形成工程と、窒化物半導体層および第1窒化シリコン膜を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程の後、第1窒化シリコン膜を除去する第1除去工程と、を有し、第1窒化シリコン膜は、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である、半導体装置の製造方法である。
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の一実施形態は、基板上の窒化物半導体層に不純物をイオン注入する不純物注入工程と、不純物注入工程の後、窒化物半導体層の表面に第1窒化シリコン膜を形成する第1膜形成工程と、窒化物半導体層および第1窒化シリコン膜を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程の後、第1窒化シリコン膜を除去する第1除去工程と、を有し、第1窒化シリコン膜は、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である、半導体装置の製造方法である。
この製造方法によれば、窒化物半導体層の表面に、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である第1窒化シリコン膜を形成する。このような第1窒化シリコン膜を形成することにより、該第1窒化シリコン膜内部の水素の含有量が低減される。これにより、第1窒化シリコン膜内部におけるシリコンと水素との結合、及び窒素と水素との結合が低減する。したがって、熱処理工程中に水素の離脱による第1窒化シリコン膜と窒化物半導体層界面との反応が抑制されるため、窒化物半導体層の表面モフォロジーの悪化が抑制される。
また、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度は、Si−Nの伸縮振動ピーク強度の1/50以下であってもよい。この場合、第1窒化シリコン膜内部の水素の含有量がさらに低減されるので、窒化物半導体層の表面モフォロジーの悪化が好適に抑制される。
また、第1膜形成工程は、電子サイクロトロン共鳴スパッタリングにより、マイクロ波パワーを400〜600Wとし、RFパワーを400〜600Wとし、Ar流量を20〜50sccmとし、N2流量を5〜7sccmとした条件により実施してもよい。これにより、シリコンと水素との結合、及び窒素と水素との結合が低減する。
また、第1膜形成工程は、プラズマCVDにより、SiH4の流量を3〜15sccmとし、NH3の流量を0〜10sccmとし、N2の流量を20〜200sccmとし、成長温度を250〜300℃とした条件で第1窒化シリコン膜を成長した後、N2雰囲気下で800℃〜1000℃、30〜60分のアニールを実施してもよい。これにより、シリコンと水素との結合、及び窒素と水素との結合が低減する。
また、第1膜形成工程は、RFスパッタリングによって、N2雰囲気下、0.1Pa、RFパワーを500Wとした条件下で第1窒化シリコン膜を形成してもよい。この場合、第1窒化シリコン膜内部の水素の含有量がさらに低減される。
また、窒化物半導体層の不純物の濃度が1.0×1019cm−3以上5.0×1020cm−3以下であり、窒化物半導体層の抵抗値は、200ohm/sq以下であってもよい。この場合、窒化物半導体層は、良好な導電性を有する。
また、上記製造方法は、熱処理工程前に、第1窒化シリコン膜において、窒化物半導体層のうち不純物が注入された部分を除く一部領域を除去することにより、窒化物半導体層の一部を露出する第2除去工程をさらに備えてもよい。この場合、第1窒化シリコン膜の残留応力が減少するので、窒化物半導体層のクラックの発生を抑制できる。
また、上記製造方法は、第2除去工程後であって熱処理工程前に、第1窒化シリコン膜上、及び露出した窒化物半導体層上に第2窒化シリコン膜を形成する第2膜形成工程をさらに備え、第2窒化シリコン膜の窒素に対するシリコンの組成比は、第1窒化シリコン膜の窒素に対するシリコンの組成比よりも小さくてもよい。
また、上記製造方法は、第2除去工程後、基板及び窒化物半導体層をスクライブラインに沿って切断する個片化工程をさらに備え、第2除去工程では、スクライブラインに重なる第1窒化シリコン膜を除去してもよい。この場合、窒化物半導体層において、熱処理工程を経ることにより劣化した表面は、個片化工程にて除去される。したがって、製造された半導体装置の信頼性を向上できる。
また、上記製造方法は、第2除去工程後であって熱処理工程前に、第1窒化シリコン膜上、及び露出した窒化物半導体層上に第2窒化シリコン膜を形成する第2膜形成工程をさらに備え、第2窒化シリコン膜の残留応力は、第1窒化シリコン膜の残留応力よりも小さくてもよい。この場合、露出した窒化物半導体層は第2窒化シリコン膜に覆われるので、熱処理工程による窒化物半導体層の表面の劣化を抑制できる。加えて、第2窒化シリコン膜の残留応力が第1窒化シリコン膜の残留応力よりも小さいので、窒化物半導体層のクラックの発生を抑制できる。
また、熱処理工程では、1000℃以上1300℃以下にて熱処理を行ってもよい。この場合、熱処理工程時における窒化物半導体層の表面モフォロジーの悪化が良好に抑制される。
また、上記製造方法は、不純物注入工程前に、窒化物半導体層上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、不純物注入工程後であって第1膜形成工程前に、絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程と、をさらに備えてもよい。この場合、不純物は、絶縁膜を介して窒化物半導体層に注入される。これにより、不純物注入工程による窒化物半導体層の表面モフォロジーの悪化を抑制できる。
本願発明の他の一実施形態は、基板と、基板上に設けられ、不純物がイオン注入された領域を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層の表面に設けられる窒化シリコン膜と、を有し、窒化シリコン膜は、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である半導体装置である。
この半導体装置によれば、窒化物半導体層の表面に、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である窒化シリコン膜が設けられる。これにより、窒化物半導体層の表面には、水素の含有量が低減された窒化シリコン膜が設けられるので、窒化シリコン膜内部におけるシリコンと水素との結合、及び窒素と水素との結合が低減する。したがって、窒化物半導体層と窒化シリコン膜との界面における水素に起因した反応が抑制されるため、窒化物半導体層の表面モフォロジーの悪化が抑制される。
また、窒化物半導体層の不純物の濃度が1.0×1019cm−3以上5.0×1020cm−3以下であり、領域の抵抗値が200ohm/sq以下であってもよい。この場合、窒化物半導体層は、良好な導電性を有する。
また、上記半導体装置は、窒化シリコン膜上に設けられる保護膜をさらに備え、保護膜は、窒化物半導体層のうち不純物が注入された部分を除く一部領域が露出するように設けられてもよい。
[本願発明の実施形態の詳細]
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
図1は、本実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図1に示されるように、半導体装置であるトランジスタ1はHEMTであり、基板2、バッファ層3、チャネル層4、電子供給層5、不純物領域6,7、ソース電極8、ドレイン電極9、ゲート電極10、及び絶縁膜11を備えている。このトランジスタ1は保護膜12によって覆われており、ソース電極8及びドレイン電極9は、配線13,14にそれぞれ接続されている。また、トランジスタ1は、チャネル層4及び電子供給層5に設けられる素子分離領域Dによって、基板2上の他のトランジスタと電気的に分離されている。トランジスタ1では、チャネル層4と電子供給層5との界面に2次元電子ガス(2DEG:2 Dimensional Electron Gas)が生じることにより、チャネル層4内にチャネル領域が形成される。
基板2は、結晶成長用の基板である。基板2として、例えばSi基板、SiC基板、サファイア基板、AlN基板又はダイヤモンド基板が挙げられる。本実施形態では、基板2はSiC基板である。
バッファ層3は、基板2上にエピタキシャル成長した層であり、チャネル層4よりも電気抵抗が高い。バッファ層3の厚さは、例えば5nm以上50nm以下である。バッファ層3は、例えばAlN層、又はAlGaN層である。
チャネル層4は、バッファ層3上にエピタキシャル成長した層である。チャネル層4におけるバッファ層3と反対側の表面近傍は、チャネル領域として機能する。チャネル層4は、窒化物半導体層であり、例えばGaN層である。チャネル層4の厚さは、例えば0.3μm以上3μm以下である。
電子供給層5は、チャネル層4上にエピタキシャル成長した層である。電子供給層5は、チャネル層4よりも電子親和力が大きい窒化物半導体層であり、例えばAlGaN層、InAlN層、又はInAlGaN層等である。本実施形態では、電子供給層5は、n型のAlGaN層である。電子供給層5の厚さは、例えば1nm以上30nm以下である。また、図示しないが、電子供給層5の上に、GaN層からなるキャップ層を設けても良い。
不純物領域6,7は、チャネル層4及び電子供給層5にイオン化された不純物が注入されることによって設けられており、互いに離間した領域である。不純物領域6,7の厚さは、例えば5nm以上300nm以下である。不純物領域6,7に注入される不純物は、チャネル層4及び電子供給層5に対してドーパントとして機能するSi(シリコン)等が挙げられる。この場合、不純物領域6,7はn+領域として機能する。
ソース電極8及びドレイン電極9は、電子供給層5上に設けられている。具体的には、ソース電極8は不純物領域6に接して設けられており、ドレイン電極9は不純物領域7に接して設けられている。ソース電極8及びドレイン電極9は、オーミック電極であり、例えばチタン(Ti)層とアルミニウム(Al)層との積層構造を有する。
ゲート電極10は、電子供給層5に接して設けられている。ゲート電極10は、基板2の厚さ方向と垂直であり且つソース電極8からドレイン電極9へ向かう方向において不純物領域6,7の間に設けられている。ゲート電極10は、例えばニッケル(Ni)層と金(Au)層との積層構造を有する。
絶縁膜11は、電子供給層5上に設けられている。絶縁膜11には開口部11a〜11cが設けられている。ソース電極8、ドレイン電極9、及びゲート電極10は、それぞれ対応する開口部11a〜11cを介して電子供給層5に接している。絶縁膜11は、例えば窒化シリコン膜である。絶縁膜11においては、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるN−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度は、Si−Nの伸縮振動ピーク強度の1/30以下であってもよく、1/50以下でもよい。
次に、図2〜図5を用いながら本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図2の(a)〜(c)、図3の(a)〜(c)、図4の(a)〜(c)、及び図5の(a)、(b)は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
まず、図2の(a)に示されるように、例えば有機金属気相成長法(以下、MOVPE(MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)法とする)によって、基板2上にバッファ層3、チャネル層4、及び電子供給層5を順番にエピタキシャル成長する。
次に、図2の(b)に示されるように、電子供給層5上に、絶縁膜21を形成する(絶縁膜形成工程)。例えば、化学気相成長法(CVD法)により、絶縁膜21として窒化シリコン膜を形成する。
次に、図2の(c)に示されるように、絶縁膜21上にレジストパターン22を形成した後、イオン化された不純物を絶縁膜21に向かって照射する。不純物は例えばシリコンであり、当該不純物(シリコン)のドーズ量は、例えば1×1014cm−2以上1×1016cm−2以下である。レジストパターン22から露出した絶縁膜21を貫通した不純物を、窒化物半導体層である電子供給層5及びチャネル層4に注入することにより、電子供給層5及びチャネル層4内に不純物領域6,7を形成する(不純物注入工程)。
次に、図3の(a)に示されるように、レジストパターン22及び絶縁膜21を除去し、電子供給層5を露出する(絶縁膜除去工程)。例えばウェットエッチングによってレジストパターン22及び絶縁膜21をそれぞれ除去するが、ウェットエッチング以外の手法が用いられてもよい。
次に、図3の(b)に示されるように、RFスパッタリングによって、電子供給層5上(すなわち、電子供給層5の表面)に窒化シリコン膜23を形成する(第1膜形成工程)。例えば、N2雰囲気下、0.1Pa、RFパワーを500Wとした条件にてRFスパッタリングを行い、窒化シリコン膜23を形成する。この窒化シリコン膜23は、後述する不純物領域6,7の活性化処理に伴う熱処理工程の際に、電子供給層5の表面を保護する活性化保護膜になる。
なお、上記第1膜形成工程においては、電子サイクロトロン共鳴スパッタリング(ECRスパッタリング)またはプラズマCVDによって窒化シリコン膜23を形成してもよい。ECRスパッタリングを用いる場合、その条件を例えばマイクロ波パワーを400〜600Wとし、RFパワーを400〜600Wとし、Ar流量を20〜50sccmとし、N2流量を5〜7sccmと設定する。また、プラズマCVDを用いる場合、その条件を例えばSiH4の流量を3〜15sccmとし、NH3の流量を0〜10sccmとし、N2の流量を20〜200sccmとし、成長温度を250〜300℃と設定する。プラズマCVDにて窒化シリコン膜23を形成した場合、例えば30〜60分のアニール(熱処理)を実施する。
窒化シリコン膜23を形成後、少なくともチャネル層4、電子供給層5、及び窒化シリコン膜23を熱処理する(熱処理工程)。この熱処理工程では、例えば急速加熱炉(RTA:Rapid Thermal Annealing)あるいは拡散炉を用いて、窒素又は不活性雰囲気下、1000℃以上1300℃以下の条件にて熱処理を行う。上記熱処理工程を経て、チャネル層4及び電子供給層5内の不純物領域6,7を活性化処理する。上記熱処理が1000℃以上で行われることにより、不純物領域6,7の活性化処理が好適に行われる。このとき、不純物領域6,7の不純物濃度は、1.0×1019cm−3以上5.0×1020cm−3以下である。また、チャネル層4及び電子供給層5に形成される不純物領域6,7の抵抗値は、200ohm/sq以下である。また、上記熱処理が1300℃以下で行われることにより、電子供給層5の表面モフォロジーの悪化を好適に抑制できる。以上から、不純物領域6,7の不純物濃度と、チャネル層4及び電子供給層5との抵抗値は、水素の含有量が少ない窒化シリコン膜を形成し、熱処理することで実現できるものである。
次に、図3の(c)に示されるように、窒化シリコン膜23を除去する(第1除去工程)。例えばウェットエッチングによって窒化シリコン膜23を除去するが、ウェットエッチング以外の手法が用いられてもよい。
次に、図4の(a)に示されるように、電子供給層5上にレジストパターン24を形成した後、例えばアルゴン(Ar)あるいは酸素等の原子又はイオンを電子供給層5に向かって照射する。照射される原子のドーズ量は、例えば1.0×1012cm−2以上5×1015cm−2以下である。この原子又はイオンをレジストパターン24から露出した電子供給層5と、該露出した電子供給層5に重なるチャネル層4との両方に注入することにより、素子分離領域Dを形成する。
次に、図4の(b)に示されるように、レジストパターン24を除去した後、電子供給層5上に絶縁膜11を形成する。絶縁膜11の一部を除去し、基板2の厚さ方向において不純物領域6に重なる開口部11aと、上記厚さ方向において不純物領域7に重なる開口部11bを形成する。そして、開口部11aを介して不純物領域6に接するソース電極8と、開口部11bを介して不純物領域7に接するドレイン電極9とを蒸着・リフトオフ法により形成する。
次に、図4の(c)に示されるように、ソース電極8とドレイン電極9との間の絶縁膜11の一部を除去し、開口部11cを形成する。この開口部11cを介して電子供給層5に接するゲート電極10を蒸着・リフトオフ法により形成する。これにより、基板2上に複数のトランジスタ1を形成する。基板2上における複数のトランジスタ1は、素子分離領域Dによって互いに電気的に分離している。そしてソース電極8、ドレイン電極9、ゲート電極10、及び絶縁膜11を覆う保護膜12を形成した後、ソース電極8に接続する配線13と、ドレイン電極9に接続する配線14とを形成する。複数のトランジスタ1は、配線13,14を介して互いに電気的に接続されてもよい。なお、絶縁膜11及び保護膜12は、電子供給層5の不純物領域6,7を除く一部領域が露出するように設けられてもよい。
次に、図5の(a),(b)に示されるように、基板2、バッファ層3、チャネル層4、電子供給層5、絶縁膜11、及び保護膜12を格子状のスクライブラインLに沿って切断することによって、少なくとも1つのトランジスタ1を含んだ半導体素子を個片化する(個片化工程)。上記切断は、例えばダイシングソー等を用いて行われる。
上記製造方法においては、窒化物半導体層である電子供給層5の表面に、RFスパッタリングによって窒化シリコン膜23を形成している。RFスパッタリング以外の手法によって窒化シリコン膜23を形成する場合と、本実施形態のようにRFスパッタリングによって窒化シリコン膜23を形成する場合との電子供給層5の表面状態の違いについて、図6の(a),(b)を用いながら説明する。図6の(a)は、窒化シリコン膜23をプラズマCVD法によって形成した場合における上記第1除去工程後の電子供給層5の表面を観察した写真である。図6の(b)は、窒化シリコン膜23をRFスパッタリングによって形成した場合における上記第1除去工程後の電子供給層5の表面を観察した写真である。
図6の(a),(b)に示されるように、窒化シリコン膜23が除去された電子供給層5の表面の一部には、エピタキシャル成長中に発生した転位によるピット31が観察される。また、図6(a)では、ピット31の直径よりも小さい直径を有する多数のピット32が、電子供給層5の全面に渡って観察される。これに対して、図6の(b)では、電子供給層5の表面の一部には、上記ピット32が観察されない。
図7は、窒化シリコン膜のフーリエ変換赤外分光法(FT−IR)の測定結果を示すグラフである。図7において、横軸は波数を、縦軸は透過量をそれぞれ示す。図7において、データ41は、プラズマCVD法によって形成した窒化シリコン膜の測定結果を示し、データ42は、RFスパッタリングによって形成した窒化シリコン膜の測定結果を示す。図7に示されるように、RFスパッタリングによって形成した窒化シリコン膜は、プラズマCVD法によって形成した窒化シリコン膜と異なり、2200cm−1付近のSi−H結合の伸縮振動ピーク、3300cm−1付近のN−H結合の伸縮振動ピーク、及び1200cm−1付近のN−H結合の変角振動ピークが観察されない。つまり、RFスパッタリングによって形成された窒化シリコン膜において、FT−IRのN−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度は、Si−Nの伸縮振動ピーク強度の1/30以下である。測定精度のマージンを考慮した場合、窒化シリコン膜において、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度は、Si−Nの伸縮振動ピーク強度の1/50以下であればよい。このFT−IRの測定結果より、RFスパッタリングによって形成された窒化シリコン膜の水素の含有量は、プラズマCVD法(成長後の高温アニールなし)によって形成された窒化シリコン膜の水素の含有量に比べて、非常に小さいことがわかる。
以上説明した本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、電子供給層5の表面に、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である窒化シリコン膜23を形成する。このような窒化シリコン膜23を形成することにより、該窒化シリコン膜23内部の水素の含有量が低減される。これにより、窒化シリコン膜23内部におけるシリコンと水素との結合、及び窒素と水素との結合が低減する。したがって、熱処理工程における水素の離脱による窒化シリコン膜23と電子供給層5との界面の反応が抑制されるため、電子供給層5の表面モフォロジーの悪化が抑制される。
また、上記製造方法によって形成された半導体装置においては、電子供給層5の表面に、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である絶縁膜11が設けられる。これにより、窒化物半導体層の表面には、水素の含有量が低減された絶縁膜11が設けられるので、当該絶縁膜11内部におけるシリコンと水素との結合、及び窒素と水素との結合が低減する。したがって、電子供給層5と絶縁膜11との界面における水素に起因した反応が抑制されるため、電子供給層5の表面モフォロジーの悪化が抑制される。
また、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度は、Si−Nの伸縮振動ピーク強度の1/50以下であってもよい。この場合、窒化シリコン膜23内部の水素の含有量がさらに低減されるので、電子供給層5の表面モフォロジーの悪化が好適に抑制される。
また、第1膜形成工程は、電子サイクロトロン共鳴スパッタリングにより、マイクロ波パワーを400〜600Wとし、RFパワーを400〜600Wとし、Ar流量を20〜50sccmとし、N2流量を5〜7sccmとした条件により実施してもよい。これにより、シリコンと水素との結合、及び窒素と水素との結合が低減する。
また、第1膜形成工程は、プラズマCVDにより、SiH4の流量を3〜15sccmとし、NH3の流量を0〜10sccmとし、N2の流量を20〜200sccmとし、成長温度を250〜300℃とした条件で窒化シリコン膜23を成長した後、N2雰囲気下で800℃〜1000℃、30〜60分のアニールを実施してもよい。これにより、シリコンと水素との結合、及び窒素と水素との結合が低減する。
また、第1膜形成工程では、RFスパッタリングによって、N2雰囲気下、0.1Pa、RFパワーを500Wとした条件下で窒化シリコン膜23を形成してもよい。この場合、窒化シリコン膜23内部の水素の含有量がさらに低減される。
また、不純物領域6,7の不純物の濃度が1.0×1019cm−3以上5.0×1020cm−3以下であり、不純物領域6,7の抵抗値は、200ohm/sq以下であってもよい。この場合、不純物領域6,7は、良好な導電性を有する。
また、第2除去工程後であって前記熱処理工程前に、前記第1窒化シリコン膜上、及び露出した前記窒化物半導体層上に第2窒化シリコン膜を形成する第2膜形成工程をさらに備え、第2窒化シリコン膜の窒素に対するシリコンの組成比は、第1窒化シリコン膜の窒素に対するシリコンの組成比よりも小さくてもよい。
また、熱処理工程では、1000℃以上1300℃以下にて熱処理を行ってもよい。この場合、熱処理工程時における電子供給層5の表面モフォロジーの悪化が良好に抑制される。
また、上記製造方法は、不純物注入工程前に、窒化物半導体層である電子供給層5上に絶縁膜21を形成する絶縁膜形成工程と、不純物注入工程後であって第1膜形成工程前に、絶縁膜21を除去する絶縁膜除去工程と、をさらに備えてもよい。この場合、不純物は、絶縁膜21を介してチャネル層4及び電子供給層5に注入される。これにより、不純物注入工程による電子供給層5の表面モフォロジーの悪化を抑制できる。
窒化シリコン膜23と、窒化物半導体層であるチャネル層4及び電子供給層5とは、熱膨張係数が互いに異なる。また、第1膜形成工程にて形成される窒化シリコン膜23の残留応力は、高くなる傾向にあり、例えば約−1.5GPaである。このため、熱処理工程において、チャネル層4及び電子供給層5と、窒化シリコン膜23との間の熱応力差が高まり、チャネル層4及び電子供給層5にクラックが発生するおそれがある。このクラックの発生を抑制するために、例えば熱処理工程前に窒化シリコン膜23の一部を除去し、電子供給層5の一部を露出させてもよい(第2除去工程)。これにより、図8に示されるように、窒化シリコン膜23の一部に開口部23aが形成され、該開口部23aによって電子供給層5の一部が露出する。このように窒化シリコン膜23の一部を除去することによって、該窒化シリコン膜23の残留応力が減少し、電子供給層5等のクラックの発生を抑制できる。
ここで、除去される窒化シリコン膜23の一部とは、後に形成されるトランジスタ1において、スクライブライン領域の少なくとも一部である。このスクライブライン領域は、電子供給層5のうち不純物領域6,7と厚さ方向にて重ならないように設けられる。
図9は、熱処理工程後、窒化シリコン膜23の開口部23aに重なる電子供給層5の表面を観察した写真である。図9に示されるように、開口部23aによって露出した電子供給層5の表面には、ピット51が多数形成される。このような表面モフォロジーが悪化した電子供給層5を含む半導体装置の信頼性は、低下するおそれがある。そこで、電子供給層5の劣化した表面を除去するために、除去される窒化シリコン膜23の一部を、図5の(a)に示されるスクライブラインLと重ねてもよい。すなわち、窒化シリコン膜23の開口部23aを、上記スクライブラインLと重なる位置に設けてもよい。この場合、熱処理工程を経ることにより劣化した電子供給層5の表面は、個片化工程にて除去される。したがって、製造された半導体装置の信頼性の低下を防ぐことができる。
また、図10に示されるように、第2除去工程後であって熱処理工程前に、窒化シリコン膜23上、及び露出した電子供給層5上に窒化シリコン膜(第2窒化シリコン膜)26を形成してもよい(第2膜形成工程)。すなわち、少なくとも開口部23aを埋めるように、窒化シリコン膜23上、及び露出した電子供給層5上に窒化シリコン膜26を形成してもよい。この場合、窒化シリコン膜23の残留応力よりも小さい残留応力を有する窒化シリコン膜26を形成する。窒化シリコン膜23,26の残留応力の差は、例えば−1000MPaである。この場合、露出した電子供給層5は窒化シリコン膜26に覆われるので、熱処理工程による電子供給層5の表面の劣化を抑制できる。加えて、窒化シリコン膜26の残留応力が窒化シリコン膜23の残留応力よりも小さいので、チャネル層4及び電子供給層5のクラックの発生を抑制できる。例えば、窒化シリコン膜26における窒素に対するシリコンの組成比は、窒化シリコン膜23における窒素に対するシリコンの組成比よりも小さくなるように形成される。
本発明による半導体装置の製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態において、RFスパッタリング以外のスパッタリング(マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリング、あるいはDCスパッタリング等)によって窒化シリコン膜23を形成してもよい。何れの製法であっても、形成された窒化シリコン膜23が、FT−IRにおけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下(好ましくは1/50以下)であればよい。これらの場合であっても、上記実施形態と同等の作用効果を奏する。
また、上記実施形態では、例えば窒化シリコン膜26を形成した場合であっても、開口部23aはスクライブラインLに重なってもよい。
1…トランジスタ、2…基板、3…バッファ層、4…チャネル層、5…電子供給層、6,7…不純物領域、8…ソース電極、9…ドレイン電極、10…ゲート電極、11…絶縁膜、21…絶縁膜、23…窒化シリコン膜(第1窒化シリコン膜)、26…窒化シリコン膜(第2窒化シリコン膜)、D…素子分離領域、L…スクライブライン。
Claims (11)
- 基板上の窒化物半導体層に不純物をイオン注入する不純物注入工程と、
前記不純物注入工程の後、前記窒化物半導体層の表面に第1窒化シリコン膜を形成する第1膜形成工程と、
前記窒化物半導体層および前記第1窒化シリコン膜を熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後、前記第1窒化シリコン膜を除去する第1除去工程と、を有し、
前記第1窒化シリコン膜は、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である、半導体装置の製造方法。 - 前記N−Hの伸縮振動ピーク強度および前記Si−Hの伸縮振動ピーク強度は、前記Si−Nの伸縮振動ピーク強度の1/50以下である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1膜形成工程は、電子サイクロトロン共鳴スパッタリングにより、マイクロ波パワーを400〜600Wとし、RFパワーを400〜600Wとし、Ar流量を20〜50sccmとし、N2流量を5〜7sccmとした条件により実施する、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1膜形成工程は、プラズマCVDにより、SiH4の流量を3〜15sccmとし、NH3の流量を0〜10sccmとし、N2の流量を20〜200sccmとし、成長温度を250〜300℃とした条件で前記第1窒化シリコン膜を成長した後、N2雰囲気下で800℃〜1000℃、30〜60分のアニールを実施する、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記窒化物半導体層の前記不純物の濃度が1.0×1019cm−3以上5.0×1020cm−3以下であり、
前記窒化物半導体層の抵抗値は、200ohm/sq以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理工程前に、前記第1窒化シリコン膜において、前記窒化物半導体層のうち前記不純物が注入された部分を除く一部領域を除去することにより、前記窒化物半導体層の一部を露出する第2除去工程をさらに備える、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2除去工程後であって前記熱処理工程前に、前記第1窒化シリコン膜上、及び露出した前記窒化物半導体層上に第2窒化シリコン膜を形成する第2膜形成工程をさらに備え、
前記第2窒化シリコン膜の窒素に対するシリコンの組成比は、前記第1窒化シリコン膜の窒素に対するシリコンの組成比よりも小さい、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理工程では、1000℃以上1300℃以下にて熱処理を行う、請求項1〜7いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に設けられ、不純物がイオン注入された領域を含む窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の表面に設けられる窒化シリコン膜と、を有し、
前記窒化シリコン膜は、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)におけるSi−Nの伸縮振動ピーク強度に対し、N−Hの伸縮振動ピーク強度およびSi−Hの伸縮振動ピーク強度が1/30以下である、半導体装置。 - 前記領域の不純物の濃度が1.0×1019cm−3以上5.0×1020cm−3以下であり、
前記領域の抵抗値が200ohm/sq以下である、請求項9に記載の半導体装置。 - 前記窒化シリコン膜上に設けられる保護膜をさらに備え、
前記保護膜は、前記窒化物半導体層のうち前記不純物が注入された部分を除く一部領域が露出するように設けられる、請求項9に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015207345A JP2017079288A (ja) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US15/299,034 US9799508B2 (en) | 2015-10-21 | 2016-10-20 | Process of forming nitride semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015207345A JP2017079288A (ja) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017079288A true JP2017079288A (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=58561885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015207345A Pending JP2017079288A (ja) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9799508B2 (ja) |
JP (1) | JP2017079288A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022208865A1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017055008A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US20220376104A1 (en) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | Cree, Inc. | Transistors including semiconductor surface modification and related fabrication methods |
US20220376085A1 (en) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | Cree, Inc. | Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6106908B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2017-04-05 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-10-21 JP JP2015207345A patent/JP2017079288A/ja active Pending
-
2016
- 2016-10-20 US US15/299,034 patent/US9799508B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022208865A1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR20230148237A (ko) | 2021-04-02 | 2023-10-24 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
DE112021007447T5 (de) | 2021-04-02 | 2024-01-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170117132A1 (en) | 2017-04-27 |
US9799508B2 (en) | 2017-10-24 |
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