TW201809378A

TW201809378A - 一種形成氧化層和磊晶層的方法

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Publication number: TW201809378A
Application number: TW105140000A
Authority: TW
Inventors: 三重野文健
Original assignee: 上海新昇半導體科技有限公司
Priority date: 2016-07-08
Filing date: 2016-12-02
Publication date: 2018-03-16
Also published as: CN107591314A; TWI608133B

Abstract

本發明提供一種形成氧化層和磊晶層的方法，通過UV照射在基板表面形成犧牲氧化層，然後再利用氫源氣體對具有犧牲氧化層的基板進行表面處理，然後在同一腔室內進行磊晶層的生長，磊晶生長之後還可以繼續氧化形成保護層。本發明方法的表面預處理和磊晶生長可以在同一反應腔室中原位完成，磊晶效率高，生產資源消耗較小。由於採用了UV照射，磊晶表面預處理過程可以採用比傳統高溫表面處理更低的溫度，從而避免了高溫處理造成的晶圓翹曲變形等問題。

Description

一種形成氧化層和磊晶層的方法

本發明涉及微電子技術領域，特別是涉及一種形成氧化層和磊晶層的方法。

在半導體製造工藝中，為了獲得高品質的磊晶層，晶圓的表面處理非常重要。傳統的表面處理方法是採用濕法處理，通過化學試劑如SC-1等形成較薄的化學氧化層，從而可以保護晶圓，避免其在後續的儲存、輸運等過程中受到污染。然而長時期的儲存會導致這種化學氧化層的退化，使晶圓表面受到如碳、非均勻的氧化物、金屬等物質的污染。因此，在磊晶生長前需要採用原位氫或HCl/H₂進行高溫預處理。

然而這種高溫預處理的溫度通常高達900-1200℃，容易造成大直徑晶圓的翹曲、滑線等變形，例如直徑為300mm、450mm的晶圓，甚至對於厚度較薄的200mm的晶圓也會有影響。此外，這種高溫處理也不適合應用于一些先進元件結構中，例如，FinFET、FDSOI、應變SD等。

美國專利號：US8317921B2的專利文獻公開了一種在化學氣相沉積腔室中原位生長氧化物和矽層的方法，該方法在磊晶矽之前先形成一層犧牲氧化層，然後加入氫高溫烘烤使氧化物揮發得到潔淨的基板，從而可在該潔淨的基板上繼續原位進行矽的磊晶生長。然而這種在傳統磊晶腔室中生長氧化犧牲層的方法，如果採用低溫氧化則可控性較差，而且加入氫烘烤去除犧牲氧化層時也需要900℃以上的高溫。

因此，實有必要尋求一種處理溫度相對較低的磊晶生長表面處理方法，以克服高溫處理晶圓而造成的種種問題。

鑒於以上所述現有技術，本發明的目的在於提供一種形成氧化層和磊晶層的方法，用於解決現有技術中磊晶生長前的表面高溫處理造成的種種問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種形成氧化層的方法，包括如下步驟：在腔室中放入基板；在所述腔室中引入氧源氣體，並通過紫外線照射，使所述基板的表面氧化形成氧化層。

優選地，形成所述氧化層時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。

優選地，所述氧源氣體為O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種。

優選地，形成所述氧化層時，所述氧源氣體的通入時間為0.5-3min，所述氧源氣體的流量為50-500sccm，所述腔體內壓力為50-600Torr。

優選地，紫外線照射時，採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm²，輻射時間為1msec-3min。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明還提供一種形成氧化層和磊晶層的方法，包括如下步驟：在腔室中放入基板；在所述腔室中引入氧源氣體，並通過紫外線照射，使所述基板的表面氧化形成犧牲氧化層；停止引入所述氧源氣體，並在所述腔室中引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理，使所述犧牲氧化層與所述氫源氣體反應並生成揮發物，得到表面處理後的基板；繼續在所述腔室中進行磊晶生長，在表面處理後的基板上形成磊晶層。

優選地，形成所述犧牲氧化層時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。

優選地，形成所述犧牲氧化層時，所述氧源氣體為O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種。

優選地，形成所述犧牲氧化層時，所述氧源氣體的通入時間為0.5-3min，所述氧源氣體的流量為50-500sccm，所述腔體內壓力為50-600Torr。

優選地，形成所述犧牲氧化層時，採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm²，輻射時間為1msec-3min。

優選地，引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。

優選地，引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，在所述腔室內進行紫外線照射。進一步優選地，引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，紫外線照射採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm²，輻射時間為1msec-3min。

優選地，所述氫源氣體為H₂氣、HF與H₂的混合氣體、或者HCl與H₂的混合氣體。

優選地，引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，所述氫源氣體的通入時間為0.5-3min，所述腔體內壓力為50-600Torr。

優選地，所述氫源氣體為H₂氣時，H₂的流量為10-30slm；所述氫源氣體為HF與H₂的混合氣體時，H₂的流量為10-30slm，HF的流量為50-500sccm；所述氫源氣體為HCl與H₂的混合氣體時，H₂的流量為10-30slm，HCl的流量為50-500sccm。

優選地，進行所述磊晶生長時，在所述腔室內進行紅外線照射。進一步優選地，紅外線照射時，採用的紅外線波長為100μm-750nm，輻射功率為50-150W/cm²，輻射時間為0.5-3min。

優選地，本發明所述形成氧化層和磊晶層的方法還包括，在形成的所述磊晶層表面形成保護氧化層。

優選地，形成所述保護氧化層時，在所述腔室中引入氧源氣體，並在所述腔室內進行紫外線照射。

進一步優選地，形成所述保護氧化層時，引入的氧源氣體為O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種，氧源氣體的通入時間為0.5-3min，氧源氣體的流量為50-500sccm，所述腔體內壓力為50-600Torr。

進一步優選地，通過紫外線照射形成所述保護氧化層時，採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm²，輻射時間為1msec-3min。

優選地，形成所述保護氧化層時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。

如上所述，本發明的形成氧化層和磊晶層的方法，具有以下有益效果：本發明的形成氧化層和磊晶層的方法，通過UV照射在基板表面形成犧牲氧化層，然後再利用氫源氣體對具有犧牲氧化層的基板進行表面處理，從而得到了純淨的適於磊晶生長的表面，進行表面處理後，可在同一腔室內原位進行磊晶層的生長，磊晶生長之後還可以繼續氧化形成保護層。本發明方法的表面預處理和磊晶生長可以在同一反應腔室中原位完成，磊晶效率高，生產資源消耗較小。由於採用了UV照射，在UV射線的啟動作用下，磊晶表面預處理過程可以採用比傳統高溫表面處理更低的溫度，如700-800℃，從而避免了高溫處理造成的晶圓翹曲變形等問題。較低的處理溫度使本發明還可用於一些需要避免高溫處理的，如FinFET、FDSOI等先進元件結構的製造工藝中。

S101~S102‧‧‧步骤

S201~S204‧‧‧步骤

第1圖顯示為本發明提供的形成氧化層方法的示意圖。

第2圖顯示為本發明提供的形成氧化層和磊晶層的方法的示意圖。

以下通過特定的具體實例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地瞭解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基於不同觀點與應用，在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。需說明的是，在不衝突的情況下，以下實施例及實施例中的特徵可以相互組合。

需要說明的是，以下實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發明中有關的組件而非按照實際實施時的元件數目、形狀及尺寸繪製，其實際實施時各元件的型態、數量及比例可為一種隨意的改變，且其元件佈局型態也可能更為複雜。

請參閱第1圖，本發明提供一種形成氧化層的方法，包括如下步驟：S101在腔室中放入基板；S102在所述腔室中引入氧源氣體，並通過紫外線照射，使所述基板的表面氧化形成氧化層。

具體地，所述腔室可以是各種製備薄膜的真空反應腔室，或其他適用於製備氧化層的反應腔室。所述基板可以是常見的半導體基板，如矽基板、鍺基板等，或其他需要製備表面氧化層的各種材質的基板。

在步驟S102中，形成所述氧化層時，優選地，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。所述氧源氣體優選為O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種，或者其他適合作為氧源引入的氣體。形成所述氧化層時，所述腔體內壓力優選為50-600Torr，所述氧源氣體的流量可以為50-500sccm。所述氧源氣體的通入時間優選為0.5-3min。紫外線照射時，採用的紫外線波長優選為400-10nm，輻射功率優選為30-200W/cm²，輻射時間優選為1msec-3min。

本發明由於採用了紫外線照射增強的方法，在基板表面氧化形成所述氧化層時，可以將所述腔室內的溫度控制在700-800℃，避免或減弱了高溫對基板的不良影響，而傳統的高溫氧化表面的氧化層形成方法通常需要900℃以上的高溫。

請參閱第2圖，本發明還提供一種形成氧化層和磊晶層的方法，包括如下步驟：S201在腔室中放入基板；S202在所述腔室中引入氧源氣體，並通過紫外線照射，使所述基板的表面氧化形成犧牲氧化層；S203停止引入所述氧源氣體，並在所述腔室中引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理，使所述犧牲氧化層與所述氫源氣體反應並生成揮發物，得到表面處理後的基板；S204繼續在所述腔室中進行磊晶生長，在表面處理後的基板上形成磊晶層。

本方法可用於磊晶生長的表面預處理，並在同一腔室原位生長磊晶層。具體地，所述腔室可以是適合用於磊晶生長的真空反應腔室，如化學氣相沉積(CVD)設備的反應腔室等。所述基板可以是常見的半導體基板，如矽基板、鍺基板等，或可用於磊晶生長的其他材料的基板。

在步驟S202中，形成所述犧牲氧化層時，優選地，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。

所述氧源氣體優選為O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種，或者其他適合作為氧源引入的氣體。形成所述犧牲氧化層時，所述腔體內壓力優選為50-600Torr，所述氧源氣體的流量可以為50-500sccm。所述氧源氣體的通入時間優選為0.5-3min。紫外線照射時，採用的紫外線波長優選為400-10nm，輻射功率優選為30-200W/cm²，輻射時間優選為1msec-3min。由於本步驟中形成的犧牲氧化層在後續步驟中會被反應蝕刻掉，因此，所述犧牲氧化層的厚度根據實際情況可以為1-3nm。

在步驟S203中，對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，優選地，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。

在步驟S203中，對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，還可以在所述腔室內採用紫外線進行照射，在紫外線照射的增強作用下，有利於所述氫源氣體與所述犧牲氧化層的充分反應。採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm²，輻射時間為1msec-3min。

具體地，所述氫源氣體可以為氫氣、HF與H₂的混合氣體、或者為HCl與H₂的混合氣體。對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，所述腔體內壓力優選為50-600Torr，所述氫源氣體的通入時間可以為0.5-3min。所述氫源氣體為H₂氣時，H₂的流量可以為10-30slm；所述氫源氣體為HF與H₂的混合氣體時，H₂的流量可以為10-30slm，HF的流量可以為50-500sccm；所述氫源氣體為HCl與H₂的混合氣體時，H₂的流量可以為10-30slm，HCl的流量可以為50-500sccm。

步驟S203進行表面處理的時間可以根據基板表面所形成的犧牲氧化層厚度等實際情況而定，表面處理完成後，基板表面原有的污染物，如碳、非均勻的氧化物、金屬等物質可隨著犧牲氧化層的去除而一併去除，使基板表面變得純淨，適於進行磊晶生長。步驟S204繼續在所述腔室中進行磊晶生長前，可以將步驟S203反應產生的揮發物等不需要的氣體抽離所述腔室，便於得到優質的磊晶層。

在步驟S204中，進行磊晶生長時，可以根據實際情況在所述腔室中引入需要的氣源，例如，進行矽磊晶生長可以引入H₂、HCl、SiH₂Cl₂或SiHCl₃、SiCl₄、Si₂H₆、SiH₄等，如需摻雜，還可以引入需要的摻雜物，此為本領域技術人員習知的技術，故在此不作贅述。

作為本發明的優選方案，在進行所述磊晶生長時，還可以採用紅外線在所述腔室內進行照射，從而加熱所述腔室至適合的溫度。紅外線照射時，採用的紅外線波長優選為100μm-750nm，輻射功率為50-150W/cm²，輻射時間為0.5-3min。

在步驟S204形成所述磊晶層之後，還可以繼續在形成的所述磊晶層表面形成保護氧化層，以保護所形成的磊晶層表面。優選地，形成所述保護氧化層時，在所述腔室中引入氧源氣體，並在所述腔室內進行紫外線照射。引入的氧源氣體可以為O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種；氧源氣體的通入時間優選為0.5-3min，氧源氣體的流量可以為50-500sccm，所述腔體內壓力優選為50-600Torr。通過紫外線照射形成所述保護氧化層時，採用的紫外線波長優選為400-10nm，輻射功率優選為30-200W/cm²，輻射時間優選為1msec-3min。形成保護氧化層時，所述腔室內的溫度可以控制為700-800℃。

下面通過具體的實例來詳細說明本發明的技術方案。

實施例一

本實施例提供一種原位形成氧化層和磊晶層的方法，包括如下步驟：首先，在CVD反應腔室中放入矽基板。

然後，在所述腔室中引入氧源氣體，如，O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種，使所述腔體內壓力為50-600Torr。氧源氣體流量為50-500sccm，通入時間為0.5-3min。同時採用紫外燈以波長為400-10nm的紫外線進行照射，輻射功率為30-200W/cm²，輻射時間為1msec-3min。並將腔室內的溫度控制在700-800℃，從而使矽基板的表面氧化形成犧牲氧化層。得到的犧牲氧化層厚度約為2nm。

接下來，停止引入所述氧源氣體，並在所述腔室中引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的矽基板進行表面處理，使所述犧牲氧化層與所述氫源氣體反應並生成揮發物，得到表面處理後的矽基板。本實施例中，引入的氫源氣體為純H₂，流量為10-30slm，腔體內壓力為50-600Torr，氫源氣體的通入時間為0.5-3min。反應時將腔室內的溫度控制在700-800℃。生成的揮發物在H₂氣流推動作用下排出腔室，表面處理之後，矽基板表面變得純淨，適於後續的矽磊晶生長。

隨後，引入矽磊晶需要的氣源，如H₂、HCl、SiH₂Cl₂或SiHCl₃、SiCl₄、Si₂H₆、SiH₄等，繼續在所述腔室中進行磊晶生長，在表面處理後的矽基板上形成矽磊晶層。磊晶生長時，採用紅外線在所述腔室內進行照射，採用的紅外線波長為100μm-750nm，輻射功率為50-150W/cm²，輻射時間為0.5-3min。

實施例二

本實施例提供一種原位形成氧化層和磊晶層的方法，採用與實施例一基本相同的技術方法，與實施例一的不同之處在於，對形成有所述犧牲氧化層的矽基板進行表面處理時，在所述腔室內採用紫外燈進行照射，在紫外線照射的增強作用下，有利於H₂與所述犧牲氧化層的充分反應。採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm²，輻射時間為1msec-3min。

實施例三

本實施例提供一種原位形成氧化層和磊晶層的方法，採用與實施例二基本相同的技術方法，與實施例二的不同之處在於，對形成有所述犧牲氧化層的矽基板進行表面處理時，採用HF與H₂的混合氣體作為氫源氣體，H₂的流量為10-30slm，HF的流量為50-500sccm，所述氫源氣體的通入時間為0.5-3min，所述腔體內壓力為50-600Torr。

引入HF氣體進行表面處理，可以更為有效的將基板上原有的污染物，如碳、非均勻的氧化物、金屬等物質一併去除。

實施例四

本實施例提供一種原位形成氧化層和磊晶層的方法，採用與實施例三基本相同的技術方法，與實施例三的不同之處在於，對形成有所述犧牲氧化層的矽基板進行表面處理時，採用HCl與H₂的混合氣體作為氫源氣體，H₂的流量為10-30slm，HCl的流量為50-500sccm，腔體內壓力為50-600Torr，氫源氣體的通入時間為0.5-3min。引入HCl氣體進行表面處理時同樣可以更為有效的將基板上原有的污染物，如碳、非均勻的氧化物、金屬等物質一併去除。

實施例五

本實施例提供一種原位形成氧化層和磊晶層的方法，在實施例一至實施例四中任意一種方法製備得到磊晶層之後，繼續在所述腔室中通入氧源氣體氧化所述磊晶層表面，形成保護氧化層，以保護所形成的磊晶層表面，避免在後續的工藝步驟中污染或損壞。

通入的氧源氣體可以是O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種，氧化反應時，所述腔體內壓力為50-600Torr，氧源氣體流量50-500sccm，通入時間為0.5-3min。同時還可以採用紫外燈以頻率為波長為400-10nm的紫外線進行照射，輻射功率為30-200W/cm²，輻射時間為1msec-3min。並將腔室內的溫度控制在700-800℃。得到的保護氧化層厚度約為1-3nm。

綜上所述，本發明的形成氧化層和磊晶層的方法，通過UV照射在基板表面形成犧牲氧化層，然後再利用氫源氣體對具有犧牲氧化層的基板進行表面處理，從而得到了純淨的適於磊晶生長的表面，進行表面處理後，可在同一腔室內原位進行磊晶層的生長，磊晶生長之後還可以繼續形成氧化保護層。本發明的表面預處理和磊晶生長可以在同一反應腔室中原位完成，磊晶效率高，生產資源消耗較小。由於採用了UV照射，在UV增強作用下，磊晶表面預處理過程可以採用比傳統高溫表面處理更低的溫度，如700-800℃，從而避免或減弱了高溫處理造成的晶圓翹曲變形等問題。較低的處理溫度使本發明還可用於一些需要避免高溫處理的，如FinFET、FDSOI等先進元件結構的製造工藝中。所以，本發明有效克服了現有技術中的種種缺點而具高度產業利用價值。

上述實施例僅例示性說明本發明的原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發明的精神及範疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發明的權利要求所涵蓋。

Claims

一種形成氧化層的方法，包括以下步驟：在腔室中放入基板；在所述腔室中引入氧源氣體，並通過紫外線照射，使所述基板的表面氧化形成氧化層。
根據權利要求1所述的形成氧化層的方法，其中形成所述氧化層時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。
根據權利要求1所述的形成氧化層的方法，其中所述氧源氣體為O2、O3、N2O、NO中的一種或多種。
根據權利要求1所述的形成氧化層的方法，其中形成所述氧化層時，所述氧源氣體的通入時間為0.5-3min，所述氧源氣體的流量為50-500sccm，所述腔體內壓力為50-600Torr。
根據權利要求1所述的形成氧化層的方法，其中所述紫外線照射時，採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm2，輻射時間為1msec-3min。
一種形成氧化層和磊晶層的方法，所述方法包括以下步驟：在腔室中放入基板；在所述腔室中引入氧源氣體，並通過紫外線照射，使所述基板的表面氧化形成犧牲氧化層；停止引入所述氧源氣體，並在所述腔室中引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理，使所述犧牲氧化層與所述氫源氣體反應並生成揮發物，得到表面處理後的基板；繼續在所述腔室中進行磊晶生長，在表面處理後的基板上形成磊晶層。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中形成所述犧牲氧化層時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中形成所述犧牲氧化層時，所述氧源氣體為O2、O3、N2O、NO中的一種或多種。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中形成所述犧牲氧化層時，所述氧源氣體的通入時間為0.5-3min，所述氧源氣體的流量為50-500sccm，所述腔體內壓力為50-600Torr。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中形成所述犧牲氧化層時，採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm2，輻射時間為1msec-3min。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，在所述腔室內進行紫外線照射。
根據權利要求12所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，紫外線照射採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm2，輻射時間為1msec-3min。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中所述氫源氣體為H2氣、HF與H2的混合氣體、或者HCl與H2的混合氣體。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的基板進行表面處理時，所述氫源氣體的通入時間為0.5-3min，所述腔體內壓力為50-600Torr。
根據權利要求14所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中所述氫源氣體為H2氣時，H2的流量為10-30slm；所述氫源氣體為HF與H2的混合氣體時，H2的流量為10-30slm，HF的流量為50-500sccm；所述氫源氣體為HCl與H2的混合氣體時，H2的流量為10-30slm，HCl的流量為50-500sccm。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中進行所述磊晶生長時，在所述腔室內進行紅外線照射。
根據權利要求16所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中所述紅外線照射時，採用的紅外線波長為100μm-750nm，輻射功率為50-150W/cm2，輻射時間為0.5-3min。
根據權利要求6所述的形成氧化層和磊晶層的方法，還包括在形成的所述磊晶層表面形成保護氧化層。
根據權利要求19所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中形成所述保護氧化層時，在所述腔室中引入氧源氣體，並在所述腔室內進行紫外線照射。
根據權利要求20所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中形成所述保護氧化層時，引入的氧源氣體為O2、O3、N2O、NO中的一種或多種，氧源氣體的通入時間為0.5-3min，氧源氣體的流量為50-500sccm，所述腔體內壓力為50-600Torr。
根據權利要求20所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中通過紫外線照射形成所述保護氧化層時，採用的紫外線波長為400-10nm，輻射功率為30-200W/cm2，輻射時間為1msec-3min。
根據權利要求19所述的形成氧化層和磊晶層的方法，其中形成所述保護氧化層時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。