JP5889368B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Description
少なくともシリコン系ガス及び酸素ガスを含む保護膜形成用原料ガスと、反応性エッチングガスとを同時に処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、処理チャンバ内に配置された基台上に載置される炭化ケイ素基板をプラズマエッチングして、該炭化ケイ素基板にテーパ形状のエッチング構造を形成する方法であって、
前記炭化ケイ素基板の表面に開口部を有するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記保護膜形成用原料ガスの流量及び前記反応性エッチングガスの流量によって定まる比であって、形成すべきエッチング構造側壁面と底面とがなす角度に応じて定められる流量比を設定する流量比設定工程と、
前記炭化ケイ素基板を前記処理チャンバ内の基台上に載置して、該炭化ケイ素基板を加熱し、前記反応性エッチングガス及び保護膜形成用原料ガスを前記設定した流量比になるように、所定の流量で前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、前記炭化ケイ素基板が載置された基台にバイアス電力を印加して、前記炭化ケイ素基板に側壁保護膜を形成しつつ、該炭化ケイ素基板をエッチングするエッチング工程とを行うようにし、
前記シリコン系ガスは、四フッ化ケイ素ガス又は四塩化ケイ素ガスのいずれか一方のガスであり、
前記反応性エッチングガスは、六フッ化硫黄ガス、三フッ化窒素ガス及びフッ素ガスの中から選択したガスであるプラズマエッチング方法に係る。
(数式1)
θ(°)=tan−1〔D/{(W1−W2)/2}〕
11 処理チャンバ
15 基台
20 ガス供給装置
21 SF6ガス供給部
22 SiF4ガス供給部
23 O2ガス供給部
24 不活性ガス供給部
30 プラズマ生成装置
31 コイル
32 高周波電源
35 高周波電源
40 排気装置
K 炭化ケイ素基板
M Niマスク(マスク)
H 保護膜
Claims (15)
- 少なくともシリコン系ガス及び酸素ガスを含む保護膜形成用原料ガスと、反応性エッチングガスとを同時に処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、処理チャンバ内に配置された基台上に載置される炭化ケイ素基板をプラズマエッチングして、該炭化ケイ素基板にテーパ形状のエッチング構造を形成する方法であって、
前記炭化ケイ素基板の表面に開口部を有するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記保護膜形成用原料ガスの流量及び前記反応性エッチングガスの流量によって定まる比であって、形成すべきエッチング構造側壁面と底面とがなす角度に応じて定められる流量比を設定する流量比設定工程と、
前記炭化ケイ素基板を前記処理チャンバ内の基台上に載置して、該炭化ケイ素基板を加熱し、前記反応性エッチングガス及び保護膜形成用原料ガスを前記設定した流量比になるように、所定の流量で前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、前記炭化ケイ素基板が載置された基台にバイアス電力を印加して、前記炭化ケイ素基板に側壁保護膜を形成しつつ、該炭化ケイ素基板をエッチングするエッチング工程とを行うようにし、
前記シリコン系ガスは、四フッ化ケイ素ガス又は四塩化ケイ素ガスのいずれか一方のガスであり、
前記反応性エッチングガスは、六フッ化硫黄ガス、三フッ化窒素ガス及びフッ素ガスの中から選択したガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記エッチング工程において、前記基台上に載置した炭化ケイ素基板を190℃以上に加熱することを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング方法。
- 前記エッチング工程において、前記基台上に載置した炭化ケイ素基板を200℃以上に加熱することを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング方法。
- 前記エッチング工程において、処理チャンバと炭化ケイ素基板との間のバイアス電位(Vpp)が430V以上となるように、基台に印加するバイアス電力の大きさを設定することを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
- 前記角度に応じて定められる流量比は、前記反応性エッチングガス、シリコン系ガス及び酸素ガスの流量のうち、1つ又は2つのガスの流量を固定した状態で設定されることを特徴とする請求項1乃至4記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
- 前記角度に応じて定められる流量比は、前記反応性エッチングガス、シリコン系ガス及び酸素ガスの流量のうち、2つのガスの流量を固定した状態で設定されることを特徴とする請求項1乃至5記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
- 前記シリコン系ガスは、ハロゲンを含むことを特徴とする請求項1乃至6記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
- 前記反応性エッチングガスは、六フッ化硫黄ガスであり、
前記シリコン系ガスは、四フッ化ケイ素ガスであることを特徴とする請求項1乃至7記載のいずれかのプラズマエッチング方法。 - 前記角度に応じて定められる流量比は、前記保護膜形成用原料ガスの流量に対する、前記反応性エッチングガスの流量の比である第1流量比であって、該第1流量比を、0.140以上0.35以下に設定することを特徴とする請求項1乃至8記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
- 前記角度に応じて定められる流量比は、前記保護膜形成用原料ガスの流量に対する、前記反応性エッチングガスの流量の比である第1流量比であって、該第1流量比を、0.140以上0.30以下に設定することを特徴とする請求項1乃至8記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
- 前記角度に応じて定められる流量比は、前記保護膜形成用原料ガスの流量と前記反応性エッチングガスの流量との和に対する、前記シリコン系ガスの流量の比である第2流量比であって、該第2流量比を、0.385より大きく、0.632以下に設定することを特徴とする請求項1乃至8記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
- 前記角度に応じて定められる流量比は、前記保護膜形成用原料ガスの流量と前記反応性エッチングガスの流量との和に対する、前記シリコン系ガスの流量の比である第2流量比であって、該第2流量比を、0.4より大きく、0.6以下に設定することを特徴とする請求項1乃至8記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
- 前記反応性エッチングガスは、六フッ化硫黄ガスであり、
前記シリコン系ガスは、四フッ化ケイ素ガスであり、
前記角度に応じて定められる流量比は、前記保護膜形成用原料ガスの流量に対する、反応性エッチングガスの流量の比である第1流量比であって、該第1流量比の値を、0.140〜0.186の範囲内に設定して、
前記エッチング工程において形成されるエッチング構造の前記角度が85.2°〜87.5°となるようにしたことを特徴とする請求項6記載のプラズマエッチング方法。 - 前記保護膜形成用原料ガスは、同量の四フッ化ケイ素ガスと酸素ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項8記載のプラズマエッチング方法。
- 前記角度に応じて定められる流量比は、前記保護膜形成用原料ガスの流量に対する、反応性エッチングガスの流量の比である第1流量比であって、該第1流量比の値を、0.250〜0.333の範囲内に設定して、
前記エッチング工程において形成されるエッチング構造の前記角度が81.0°〜88.8°となるようにしたことを特徴とする請求項14記載のプラズマエッチング方法。
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