JP7101096B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

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Description

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置に関するものである。
電子デバイスの製造では、プラズマ処理装置を用いてプラズマ処理が行われる。プラズマ処理装置は、チャンバ及び基板支持台を備える。基板支持台は、下部電極を含み、チャンバ内に設けられている。プラズマ処理においては、チャンバ内のガスを励起させるために高周波電力が供給されて、当該ガスからプラズマが生成される。
プラズマ処理の実行中には、別の高周波電力が下部電極に供給され得る。別の高周波電力は、プラズマ生成用の高周波電力の周波数よりも低い周波数を有する。即ち、別の高周波電力はバイアス高周波電力である。一般的に、バイアス高周波電力は、基板支持台上に設けられた基板に衝突するイオンのエネルギーを調整するために用いられる。基板に衝突するイオンのエネルギーは、高い電力レベルを有するバイアス高周波電力が下部電極に供給されている場合には、高くなる。一方、基板に衝突するイオンのエネルギーは、低い電力レベルを有するバイアス高周波電力が下部電極に供給されている場合には、低くなる。
特許文献１には、シリコン窒化膜のエッチングのためのプラズマ処理について記載されている。特許文献１に記載された技術では、シリコン窒化膜のエッチング中にバイアス高周波電力の電力レベルが高いレベルに設定される。また、特許文献１に記載された技術では、シリコン窒化膜のエッチングによってシリコン窒化膜とシリコン酸化膜が共に露出されている状態が形成されている場合に、バイアス高周波電力の電力レベルが、高いレベルと低いレベルに交互に切り替えられる。
特開平６－２６７８９５号公報
プラズマ処理として、基板上に堆積物を形成するプラズマ処理を行い、しかる後に基板の膜をエッチングするプラズマ処理を行うことが考えられる。かかるプラズマ処理では、エッチングに用いられるイオンのエネルギーを設定することが要求される。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法が提供される。プラズマ処理方法は、第１の期間においてチャンバ内で第１のプラズマ処理を実行する工程と、第２の期間においてチャンバ内で第２のプラズマ処理を実行する工程と、を含む。第２の期間は、第１の期間の後の期間又は第１の期間に続く期間である。第１のプラズマ処理を実行する工程と第２のプラズマ処理を実行する工程は、チャンバ内に設けられた基板支持台上に基板が載置された状態で実行される。このプラズマ処理方法では、第１のプラズマ処理を実行する工程と第２のプラズマ処理を実行する工程とを含むシーケンスが複数回実行される。第２の期間内では、第１の高周波電力が、基板支持台の下部電極に供給される。第１の高周波電力は、第１の周波数を有する。第１の期間内では、下部電極に対する第１の高周波電力の供給が停止される。第２の期間内の第１の高周波電力の各周期内において、プラズマ生成用の第２の高周波電力が、パルス状の高周波電力として供給される。第２の高周波電力は、第１の周波数よりも高い第２の周波数を有する。第２の高周波電力は、第１の期間内において連続的に供給されるか、或いは、パルス状の高周波電力として供給される。
一つの例示的実施形態によれば、エッチングに用いられるイオンのエネルギーを設定することが可能となる。
一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理方法を示す流れ図である。 一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 図３の（ａ）は図１に示す方法ＭＴが適用され得る一例の基板の部分断面図、図３の（ｂ）は方法ＭＴの工程ＳＴ１の実行後の状態の一例の基板の部分断面図、図３の（ｃ）は方法ＭＴのシーケンスＳＱの実行後の状態の一例の基板の部分断面図、図３の（ｄ）は方法ＭＴの工程ＳＴ４の実行後の状態の一例の基板の部分断面図である。 図１に示すプラズマ処理方法に関連する一例のタイミングチャートである。 図１に示すプラズマ処理方法に関連する別の例のタイミングチャートである。 図１に示すプラズマ処理方法に関連する更に別の例のタイミングチャートである。 図１に示すプラズマ処理方法に関連する更に別の例のタイミングチャートである。 図８の（ａ）は図１に示す方法ＭＴが適用され得る別の例の基板の部分断面図、図８の（ｂ）は方法ＭＴの工程ＳＴ１の実行後の状態の別の例の基板の部分断面図、図８の（ｃ）は方法ＭＴのシーケンスＳＱの実行後の状態の別の例の基板の部分断面図、図８の（ｄ）は方法ＭＴの工程ＳＴ４の実行後の状態の別の例の基板の部分断面図である。 図１に示すプラズマ処理方法に関連する更に別の例のタイミングチャートである。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法が提供される。プラズマ処理方法は、第１の期間においてチャンバ内で第１のプラズマ処理を実行する工程と、第２の期間においてチャンバ内で第２のプラズマ処理を実行する工程と、を含む。第２の期間は、第１の期間の後の期間又は第１の期間に続く期間である。第１のプラズマ処理を実行する工程と第２のプラズマ処理を実行する工程は、チャンバ内に設けられた基板支持台上に基板が載置された状態で実行される。このプラズマ処理方法では、第１のプラズマ処理を実行する工程と第２のプラズマ処理を実行する工程とを含むシーケンスが複数回実行される。第２の期間内では、第１の高周波電力が、基板支持台の下部電極に供給される。第１の高周波電力は、第１の周波数を有する。第１の期間内では、下部電極に対する第１の高周波電力の供給が停止される。第２の期間内の第１の高周波電力の各周期内において、プラズマ生成用の第２の高周波電力が、パルス状の高周波電力として供給される。第２の高周波電力は、第１の周波数よりも高い第２の周波数を有する。第２の高周波電力は、第１の期間内において連続的に供給されるか、或いは、パルス状の高周波電力として供給される。
上記例示的実施形態では、第１の期間において、第１の高周波電力、即ちバイアス高周波電力が下部電極に供給されないので、チャンバ内で生成される化学種が基板支持台上に載置された基板上に堆積する。第２の期間においては、第１の高周波電力が下部電極に供給されるので、チャンバ内で生成されるイオンにより基板の膜がエッチングされる。また、第２の期間内の第１の高周波電力の各周期内においてプラズマ生成用の第２の高周波電力がパルス状の高周波電力として供給される期間を設定することにより、エッチングに用いられるイオンのエネルギーが設定され得る。
一つの例示的実施形態において、第２の高周波電力は、第２の期間内の第１の高周波電力の各周期内で第１の高周波電源部から出力される第１の高周波電力が負の電位を有する期間内で、パルス状の高周波電力として供給されてもよい。この実施形態では、膜のエッチング時のイオンのエネルギーが比較的高いエネルギーに設定され得る。
一つの例示的実施形態において、第２の高周波電力は、第２の期間内の第１の高周波電力の各周期内で第１の高周波電源部から出力される第１の高周波電力が正の電位を有する期間内で、パルス状の高周波電力として供給される。この実施形態では、膜のエッチング時のイオンのエネルギーが比較的低いエネルギーに設定され得る。
一つの例示的実施形態において、第２の高周波電力は、第２の期間内でパルス状の高周波電力が供給される周期と同じ周期で、第１の期間内において、パルス状の高周波電力として供給されてもよい。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法は、第１の高周波電力及び第２の高周波電力の供給を停止した状態で、チャンバを排気する工程を更に含む。チャンバを排気する工程は、シーケンス内で第２のプラズマ処理を実行する工程が実行された後に、実行され得る。
一つの例示的実施形態において、第１のプラズマ処理に用いられる処理ガスと第２のプラズマ処理に用いられる処理ガスは同一であってもよい。一つの例示的実施形態において、第１のプラズマ処理に用いられる処理ガスと第２のプラズマ処理に用いられる処理ガスは互いに異なっていてもよい。
別の例示的実施形態においては、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持台、第１の高周波電源部、第２の高周波電源部、及び制御部を備える。基板支持台は、下部電極を含み、チャンバ内に設けられている。第１の高周波電源部は、第１の周波数を有する第１の高周波電力を下部電極に供給するように構成されている。第２の高周波電源部は、プラズマを生成するために第１の周波数よりも高い第２の周波数を有する第２の高周波電力を供給するように構成されている。制御部は、第１の高周波電源部及び第２の高周波電源部を制御するように構成されている。制御部は、制御シーケンスを繰り返して実行する。制御シーケンスは、第１の制御及び第２の制御を含む。第１の制御は、第１の期間においてチャンバ内で第１のプラズマ処理を実行するために実行される。第２の制御は、第２の期間においてチャンバ内で第２のプラズマ処理を実行するために実行される。第２の期間は、第１の期間の後の期間又は第１の期間に続く期間である。第１の制御は、第１の期間において、下部電極に対する第１の高周波電力の供給を停止するよう、第１の高周波電源部を制御することを含む。第１の制御は、第１の期間内において、第２の高周波電力を、連続的に供給するか、或いは、パルス状の高周波電力として供給するよう、第２の高周波電源部を制御することを更に含む。第２の制御は、第２の期間において、第１の高周波電力を下部電極に供給するよう、第１の高周波電源部を制御することを含む。第２の制御は、第２の期間内の第１の高周波電力の各周期内において、第２の高周波電力を、パルス状の高周波電力として供給するよう、第２の高周波電源部を制御することを更に含む。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理方法を示す流れ図である。図１に示すプラズマ処理方法（以下、「方法ＭＴ」という）は、プラズマ処理装置を用いて実行される。図２は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。本開示における種々の実施形態に係るプラズマ処理方法の実行には、図２に示すプラズマ処理装置が用いられ得る。
図２に示すプラズマ処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１は、チャンバ１０を備えている。チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供している。
チャンバ１０は、チャンバ本体１２を含んでいる。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有している。内部空間１０ｓは、チャンバ本体１２の内側に提供されている。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから形成されている。チャンバ本体１２の内壁面上には、耐腐食性を有する膜が設けられている。耐腐食性を有する膜は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムといったセラミックから形成された膜であり得る。
チャンバ本体１２の側壁には、通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送されるときに、通路１２ｐを通過する。通路１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇにより開閉可能となっている。ゲートバルブ１２ｇは、チャンバ本体１２の側壁に沿って設けられている。
チャンバ本体１２の底部上には、支持部１３が設けられている。支持部１３は、絶縁材料から形成されている。支持部１３は、略円筒形状を有している。支持部１３は、内部空間１０ｓの中で、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。支持部１３は、基板支持台、即ち支持台１４を支持している。支持台１４は、内部空間１０ｓの中に設けられている。支持台１４は、チャンバ１０内、即ち内部空間１０ｓの中で、基板Ｗを支持するように構成されている。
支持台１４は、下部電極１８及び静電チャック２０を有している。支持台１４は、電極プレート１６を更に有し得る。電極プレート１６は、例えばアルミニウムといった導体から形成されており、略円盤形状を有している。下部電極１８は、電極プレート１６上に設けられている。下部電極１８は、例えばアルミニウムといった導体から形成されており、略円盤形状を有している。下部電極１８は、電極プレート１６に電気的に接続されている。
静電チャック２０は、下部電極１８上に設けられている。静電チャック２０の上面の上には、基板Ｗが載置される。静電チャック２０は、本体及び電極を有する。静電チャック２０の本体は、略円盤形状を有し、誘電体から形成されている。静電チャック２０の電極は、膜状の電極であり、静電チャック２０の本体内に設けられている。静電チャック２０の電極は、スイッチ２０ｓを介して直流電源２０ｐに接続されている。静電チャック２０の電極に直流電源２０ｐからの電圧が印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは、静電チャック２０に引き付けられ、静電チャック２０によって保持される。
下部電極１８の周縁部上には、基板Ｗのエッジを囲むように、フォーカスリングＦＲが配置される。フォーカスリングＦＲは、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、限定されるものではないが、シリコン、炭化シリコン、又は石英から形成され得る。
下部電極１８の内部には、流路１８ｆが設けられている。流路１８ｆには、チャンバ１０の外部に設けられているチラーユニット２２から配管２２ａを介して熱交換媒体（例えば冷媒）が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、配管２２ｂを介してチラーユニット２２に戻される。プラズマ処理装置１では、静電チャック２０上に載置された基板Ｗの温度が、熱交換媒体と下部電極１８との熱交換により、調整される。
プラズマ処理装置１には、ガス供給ライン２４が設けられている。ガス供給ライン２４は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を、静電チャック２０の上面と基板Ｗの裏面との間に供給する。
プラズマ処理装置１は、上部電極３０を更に備えている。上部電極３０は、支持台１４の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支持されている。部材３２は、絶縁性を有する材料から形成されている。上部電極３０と部材３２は、チャンバ本体１２の上部開口を閉じている。
上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４の下面は、内部空間１０ｓの側の下面であり、内部空間１０ｓを画成している。天板３４は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から形成され得る。天板３４には、複数のガス吐出孔３４ａが形成されている。複数のガス吐出孔３４ａは、天板３４をその板厚方向に貫通している。
支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持する。支持体３６は、アルミニウムといった導電性材料から形成される。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。支持体３６には、複数のガス孔３６ｂが形成されている。複数のガス孔３６ｂは、ガス拡散室３６ａから下方に延びている。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
プラズマ処理装置１は、ガス供給部ＧＳを更に備えている。ガス供給部ＧＳは、ガスソース群４０、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３を含む。ガスソース群４０は、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３を介して、ガス供給管３８に接続されている。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含んでいる。複数のガスソースは、種々の実施形態の各々で利用される複数のガスのソースを含む。バルブ群４１及びバルブ群４３の各々は、複数の開閉バルブを含んでいる。流量制御器群４２は、複数の流量制御器を含んでいる。流量制御器群４２の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４１の対応の開閉バルブ、流量制御器群４２の対応の流量制御器、及びバルブ群４３の対応の開閉バルブを介して、ガス供給管３８に接続されている。
プラズマ処理装置１では、チャンバ本体１２の内壁面に沿って、シールド４６が着脱自在に設けられている。シールド４６は、支持部１３の外周にも設けられている。シールド４６は、チャンバ本体１２にエッチング副生物が付着することを防止する。シールド４６は、例えば、アルミニウムから形成された部材の表面に耐腐食性を有する膜を形成することにより構成される。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウムといったセラミックから形成された膜であり得る。
支持部１３とチャンバ本体１２の側壁との間には、バッフルプレート４８が設けられている。バッフルプレート４８は、例えば、アルミニウムから形成された部材の表面に耐腐食性を有する膜を形成することにより構成される。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウムといったセラミックから形成された膜であり得る。バッフルプレート４８には、複数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート４８の下方、且つ、チャンバ本体１２の底部には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプといった真空ポンプを有している。
プラズマ処理装置１は、発光分析器５４を更に備え得る。発光分析器５４は、チャンバ１０の外側に設けられている。発光分析器５４は、チャンバ１０に形成された光学的に透明な窓部材を介して、プラズマからの光を受ける。発光分析器５４は、プラズマの一以上の波長の発光強度を取得する。後述する制御部８０は、発光分析器５４によって取得された発光強度に基づいて工程を終了させることができる。
プラズマ処理装置１は、第１の高周波電源部６１を更に備えている。第１の高周波電源部６１は、第１の高周波電力ＬＦを出力するように構成されている。第１の高周波電力ＬＦは、主としてイオンを基板Ｗに引き込むことに適した周波数を有する。第１の高周波電力ＬＦの基本周波数である第１の周波数は、例えば５０ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数である。
第１の高周波電源部６１は、整合器６３を介して下部電極１８に電気的に接続されている。整合器６３は、整合回路を有している。整合器６３の整合回路は、第１の高周波電源部６１の負荷側（下部電極側）のインピーダンスを、第１の高周波電源部６１の出力インピーダンスに整合させるよう構成されている。一実施形態において、プラズマ処理装置１は、方向性結合器６５を更に備え得る。方向性結合器６５は、第１の高周波電源部６１と整合器６３との間に設けられている。
プラズマ処理装置１は、第２の高周波電源部６２を更に備えている。第２の高周波電源部６２は、チャンバ１０内でガスからプラズマを生成するために、第２の高周波電力ＨＦを出力するように構成されている。第２の高周波電力ＨＦの基本周波数である第２の周波数は、第１の周波数よりも高い。第２の周波数は、例えば２７ＭＨｚ～３００ＭＨｚの範囲内の周波数である。
第２の高周波電源部６２は、整合器６４を介して下部電極１８に電気的に接続されている。整合器６４は、整合回路を有している。整合器６４の整合回路は、第２の高周波電源部６２の負荷側（下部電極側）のインピーダンスを、第２の高周波電源部６２の出力インピーダンスに整合させるよう構成されている。プラズマ処理装置１は、方向性結合器６６を更に備えていてもよい。方向性結合器６６は、第２の高周波電源部６２と整合器６４との間に設けられている。別の実施形態では、第２の高周波電源部６２は、整合器６４を介して上部電極３０に電気的に接続されていてもよい。
プラズマ処理装置１は、制御部８０を更に備え得る。制御部８０は、プロセッサ、メモリといった記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。制御部８０は、プラズマ処理装置１の各部を制御する。制御部８０では、入力装置を用いて、オペレータがプラズマ処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部８０では、表示装置により、プラズマ処理装置１の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、制御部８０の記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御プログラムは、プラズマ処理装置１で各種処理を実行するために、制御部８０のプロセッサによって実行される。制御部８０のプロセッサが、制御プログラムを実行し、レシピデータに従ってプラズマ処理装置１の各部を制御することにより、種々の実施形態の各々のプラズマ処理方法が、プラズマ処理装置１で実行される。
第１の高周波電源部６１は、制御部８０から指定された期間において、第１の高周波電力ＬＦの出力を停止するよう構成されている。また、第１の高周波電源部６１は、制御部８０から指定された別の期間において、第１の高周波電力ＬＦ（連続的な高周波電力）を連続的に出力するよう構成されている。
一実施形態において、第１の高周波電源部６１は、信号発生器６１ｇ及び増幅器６１ａを有している。信号発生器６１ｇは、第１の高周波信号を生成するよう構成されている。第１の高周波信号は、第１の周波数を有する。信号発生器６１ｇは、制御部８０から指定された期間において、第１の高周波信号の出力を停止するよう構成されている。信号発生器６１ｇは、制御部８０から指定された別の期間において、第１の高周波信号を連続的に出力するように構成されている。信号発生器６１ｇは、同期信号発生器６０ｓからの同期信号ＳＳを受けるように構成されている。同期信号ＳＳは、同期パルスを含む。同期パルスは、第１の周波数で規定される周期で出力される。信号発生器６１ｇは、同期信号ＳＳに含まれる同期パルスに同期するように第１の高周波信号を生成する。増幅器６１ａの入力は、信号発生器６１ｇの出力に接続されている。増幅器６１ａは、第１の高周波信号を増幅して、第１の高周波電力ＬＦを生成する。
第２の高周波電源部６２は、制御部８０からの制御信号及び同期信号発生器６０ｓからの同期信号ＳＳに応じて、第１の高周波電力ＬＦの各周期内で第２の高周波電力ＨＦを連続的に出力するよう構成されている。また、第２の高周波電源部６２は、制御部８０からの制御信号及び同期信号発生器６０ｓからの同期信号ＳＳに応じて、第１の高周波電力ＬＦの各周期内で第２の高周波電力ＨＦをパルス状の高周波電力として出力するよう構成されている。第１の高周波電力ＬＦの各周期は、同期信号発生器６０ｓからの同期信号ＳＳから特定される。パルス状の高周波電力は、ある期間内の特定の期間内でその電力レベルが増加された高周波電力である。例えば、パルス状の高周波電力の電力レベルは、ある期間内の特定の期間においてゼロよりも大きく、当該特定の期間の前後の期間ではゼロである。第１の高周波電力ＬＦの各周期内で第２の高周波電力ＨＦがパルス状の高周波電力として出力される期間は、制御部８０からの制御信号によって指定される。
一実施形態において、第２の高周波電源部６２は、信号発生器６２ｇ及び増幅器６２ａを有している。信号発生器６２ｇは、第２の高周波信号を生成するよう構成されている。第２の高周波信号は、第２の周波数を有する。信号発生器６２ｇは、同期信号発生器６０ｓからの同期信号ＳＳを受けるように構成されている。信号発生器６２ｇは、制御部８０からの制御信号に応じて、第２の高周波電力ＨＦを連続波として出力する場合には、第２の高周波信号を連続波として出力する。信号発生器６２ｇは、制御部８０からの制御信号に応じて、第２の高周波電力ＨＦをパルス状の高周波電力として出力する場合には、第２の高周波信号をパルス状の高周波信号として出力する。信号発生器６２ｇは、同期パルスによって特定される時点を基準にして制御部８０から指定されたタイミングで第２の高周波信号を出力する。増幅器６２ａの入力は、信号発生器６２ｇの出力に接続されている。増幅器６２ａは、信号発生器６２ｇからの高周波信号を増幅して、第２の高周波電力ＨＦを生成する。
上述の同期信号発生器６０ｓ、信号発生器６１ｇ、及び信号発生器６２ｇは、一つのシグナルジェネレータ６０によって提供されていてもよい。シグナルジェネレータ６０は、制御部６０ｃを更に含み得る。制御部６０ｃは、制御部８０からの制御信号に応じて、同期信号発生器６０ｓ、信号発生器６１ｇ、及び信号発生器６２ｇを制御するよう構成されている。
以下、プラズマ処理装置１が用いられる場合を例として、種々の実施形態に係るプラズマ処理方法について詳細に説明する。以下の説明では、図１と共に、図３の（ａ）、図３の（ｂ）、図３の（ｃ）、図３の（ｄ）、図４、図５、図６、及び図７を参照する。図３の（ａ）は図１に示す方法ＭＴが適用され得る一例の基板の部分断面図である。図３の（ｂ）は方法ＭＴの工程ＳＴ１の実行後の状態の一例の基板の部分断面図、図３の（ｃ）は方法ＭＴのシーケンスＳＱの実行後の状態の一例の基板の部分断面図、図３の（ｄ）は方法ＭＴの工程ＳＴ４の実行後の状態の一例の基板の部分断面図である。図４、図５、図６、及び図７の各々は、図１に示すプラズマ処理方法に関連する一例のタイミングチャートである。図４、図５、図６、及び図７の各々に示すタイミングチャートにおいて、横軸は時間を表している。図４、図５、図６、及び図７の各々に示すタイミングチャートにおいて、縦軸は、同期信号ＳＳ、第１の高周波電力ＬＦ、及び第２の高周波電力ＨＦを示している。
図３の（ａ）に示すように、方法ＭＴが適用され得る一例の基板Ｗは、下地領域ＵＲＡ、膜ＦＡ１、膜ＦＡ２、及びマスクＭＫＡを有する。下地領域ＵＲＡは、例えばシリコンから形成されている。膜ＦＡ２は、下地領域ＵＲＡ上に設けられている。下地領域ＵＲＡは、例えば酸化シリコンから形成されている。膜ＦＡ１は、膜ＦＡ２上に設けられている。膜ＦＡ１は、例えばシリコンを含有する反射防止膜である。マスクＭＫＡは、膜ＦＡ１上に設けられている。マスクＭＫＡは、例えばフォトレジストマスクである。マスクＭＫＡは、膜ＦＡ１を部分的に露出させるようにパターニングされている。即ち、マスクＭＫＡは、開口を提供している。
方法ＭＴは、工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２を含む。工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２は、基板Ｗがチャンバ１０内で配置された状態で実行される。チャンバ１０内では、基板Ｗは、支持台１４上に載置される。工程ＳＴ１は、第１の期間Ｐ１において実行される。第１の期間Ｐ１の時間長は、第１の高周波電力ＬＦの一周期の時間長のｍ倍であり得る。ｍは１以上の整数である。工程ＳＴ１では、チャンバ１０内で第１のプラズマ処理が実行される。工程ＳＴ２は、第２の期間Ｐ２において実行される。第２の期間Ｐ２は、第１の期間Ｐ１の後の期間又は第１の期間Ｐ１に続く期間である。工程ＳＴ２では、チャンバ１０内で第２のプラズマ処理が実行される。第２の期間Ｐ２の時間長は、第１の高周波電力ＬＦの一周期の時間長のｎ倍であり得る。ｎは１以上の整数である。
方法ＭＴの実行のために、制御部８０は、第１の制御及び第２の制御を含む制御シーケンスを繰り返して実行する。第１の制御は、工程ＳＴ１の実行のための制御である。第２の制御は、工程ＳＴ２の実行のための制御である。
工程ＳＴ１では、チャンバ１０内に処理ガスが供給される。工程ＳＴ１で用いられる処理ガス（以下、「第１の処理ガス」ということがある）は、限定されるものではないが、Ｃ４Ｆ８ガスといったフルオロカーボンガスを含み得る。第１の処理ガスは、Ｏ２ガスといった酸素含有ガス及び／又はアルゴンガスといった希ガスを更に含んでいてもよい。
別の例では、第１の処理ガスは、ハイドロフルオロカーボンガス及びフルオロカーボンガスを含んでいてもよい。ハイドロフルオロカーボンガスは、例えばＣＨ３Ｆガスである。フルオロカーボンガスは、例えばＣ４Ｆ８ガスである。第１の処理ガスは、アルゴンガスといった希ガスを更に含んでいてもよい。
工程ＳＴ１では、ガス供給部ＧＳが、第１の処理ガスを供給するために、制御部８０によって制御される。工程ＳＴ１では、排気装置５０が、チャンバ１０内の圧力を指定された圧力に設定するよう、制御部８０によって制御される。チャンバ１０内の圧力は、例えば数ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒの範囲内の圧力に設定される。
工程ＳＴ１が実行される第１の期間Ｐ１では、下部電極１８への第１の高周波電力ＬＦの供給は停止される。工程ＳＴ１が実行される第１の期間Ｐ１において、第１の高周波電源部６１は、下部電極１８への第１の高周波電力ＬＦの供給を停止するよう、制御部８０によって制御される。
図４に示す例及び図５に示す例では、第２の高周波電力ＨＦは、工程ＳＴ１が実行される第１の期間Ｐ１において、パルス状の高周波電力として、下部電極１８（又は上部電極３０）に供給される。一実施形態では、第２の高周波電力ＨＦは、第２の期間Ｐ２内で第２の高周波電力ＨＦがパルス状の高周波電力として供給される周期と同じ周期で、第１の期間Ｐ１において、パルス状の高周波電力として供給され得る。図６に示す例及び図７に示す例では、第２の高周波電力ＨＦは、工程ＳＴ１が実行される第１の期間Ｐ１において、連続的に下部電極１８（又は上部電極３０）に供給される。第２の高周波電源部６２は、第１の期間Ｐ１において第２の高周波電力ＨＦを供給するために、制御部８０によって制御される。
工程ＳＴ２では、チャンバ１０内に処理ガス（以下、「第２の処理ガス」ということがある）が供給される。第２の処理ガスは、Ｃ４Ｆ８ガスといったフルオロカーボンガスを含み得る。第２の処理ガスは、Ｏ２ガスといった酸素含有ガス及び／又はアルゴンガスといった希ガスを更に含んでいてもよい。即ち、第２の処理ガスは、第１の処理ガスと同じであってもよく、第１の処理ガスと異なっていてもよい。
工程ＳＴ２では、ガス供給部ＧＳが、処理ガスを供給するために、制御部８０によって制御される。工程ＳＴ２では、排気装置５０が、チャンバ１０内の圧力を指定された圧力に設定するよう、制御部８０によって制御される。チャンバ１０内の圧力は、例えば数ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒの範囲内の圧力に設定される。
工程ＳＴ２が実行される第２の期間Ｐ２では、第１の高周波電力ＬＦは、連続的に下部電極１８に供給される。工程ＳＴ２が実行される第２の期間Ｐ２において、第１の高周波電源部６１は、下部電極１８に第１の高周波電力ＬＦを連続的に供給するよう、制御部８０によって制御される。
図４～図７の各々に示す例において、第２の高周波電力ＨＦは、第２の期間Ｐ２内の第１の高周波電力ＬＦの各周期ＰＬＦ内において、パルス状の高周波電力として、下部電極１８（又は上部電極３０）に供給される。第２の高周波電源部６２は、第２の期間Ｐ２において第２の高周波電力ＨＦを供給するために、制御部８０によって制御される。
第２の高周波電力ＨＦがパルス状の高周波電力として供給される期間は、第２の期間Ｐ２内の各周期ＰＬＦ内の部分的な期間である。第２の高周波電力ＨＦがパルス状の高周波電力として供給される部分的な期間は、任意に設定され得る。各周期ＰＬＦは、負電圧出力期間ＰＮと正電圧出力期間ＰＰを含む。負電圧出力期間ＰＮは、第１の高周波電源部６１から出力される第１の高周波電力ＬＦが負の電位を有する期間である。正電圧出力期間ＰＰは、第１の高周波電源部６１から出力される第１の高周波電力ＬＦが正の電位を有する期間である。図４～図７の各々に示す例では、第２の高周波電力ＨＦは、第２の期間Ｐ２内の各周期ＰＬＦ内の負電圧出力期間ＰＮにおいてパルス状の高周波電力として供給される。
第２の高周波電源部６２は、同期信号ＳＳから特定される各周期ＰＬＦにおいて、制御部８０から指定されたタイミングで、パルス状の高周波電力を供給するように構成されている。したがって、第２の高周波電力ＨＦは、第１の高周波電力ＬＦの周期に対して相対的に同じ位相でパルス状の高周波電力として供給され得る。
工程ＳＴ１では、チャンバ１０内で第１の処理ガスからプラズマが形成される。工程ＳＴ１では、第１の高周波電力ＬＦが下部電極１８に供給されない。したがって、図３の（ｂ）に示すように、チャンバ１０内で第１の処理ガスから生成される化学種が、基板Ｗ上に堆積して、堆積物ＤＰＡを形成する。
工程ＳＴ２では、第１の高周波電力ＬＦが下部電極１８に供給されるので、チャンバ１０内で第２の処理ガスから生成されるイオンにより基板Ｗの膜（膜ＦＡ１及び膜ＦＡ２）がエッチングされる。また、工程ＳＴ２では、第２の高周波電力ＨＦは、各周期ＰＬＦ内でパルス状の高周波電力として供給される。第２の高周波電力ＨＦが各周期ＰＬＦ内でパルス状の高周波電力として供給される期間を設定することにより、エッチングに用いられるイオンのエネルギーが設定され得る。
図４～図７の各々に示す例では、上述したように、第２の高周波電力ＨＦは、第２の期間Ｐ２内の各周期ＰＬＦ内の負電圧出力期間ＰＮにおいてパルス状の高周波電力として供給される。したがって、支持台１４上の基板のＶｐｐ（電圧の波高値）が高くなり、プラズマから基板Ｗに向かうイオンのエネルギーが比較的高くなる。したがって、基板Ｗの膜が高速にエッチングされる。
工程ＳＴＪでは、停止条件が満たされるか否かが判定される。即ち、工程ＳＴＪでは、工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２を含むシーケンスＳＱを停止させるか否かが判定される。停止条件は、例えば、発光分析器５４によって取得されるＣＯの発光強度が所定値以下であると判定される場合に、満たされる。或いは、停止条件は、シーケンスＳＱの実行回数が所定回数に達している場合に、満たされる。工程ＳＴＪにおいて停止条件が満たされていないと判定されると、シーケンスＳＱが再び実行される。一方、工程ＳＴＪにおいて停止条件が満たされているものと判定されると、シーケンスＳＱの実行が終了される。このようなシーケンスＳＱの繰り返しにより、膜ＦＡ１及び膜ＦＡ２がエッチングされる。その結果、図３の（ｃ）に示すように、マスクＭＫＡの開口に連続する開口が膜ＦＡ１及び膜ＦＡ２に形成され、下地領域ＵＲＡが露出される。
一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴ３を更に含んでいてもよい。工程ＳＴ３は、シーケンスＳＱにおいて、工程ＳＴ２の後に実行される。即ち、図５及び図７に示すように、工程ＳＴ３は、第２の期間Ｐ２の後の第３の期間Ｐ３において実行される。工程ＳＴ３では、第１の高周波電力ＬＦ及び第２の高周波電力ＨＦの供給を停止した状態で、チャンバ１０の排気が行われる。工程ＳＴ３においては、制御部８０は、第１の高周波電力ＬＦ及び第２の高周波電力ＨＦの供給を停止するよう、第１の高周波電源部６１及び第２の高周波電源部６２を制御し、チャンバ１０の排気を行うよう、排気装置５０を制御する。シーケンスＳＱにおいて、工程ＳＴ２の後に工程ＳＴ３が実行されると、工程ＳＴ２で生成される反応生成物の排気が促進される。その結果、基板Ｗの側壁面に反応生成物が付着することが抑制される。
一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴ４を更に含んでいてもよい。工程ＳＴ４は、シーケンスＳＱの繰り返しの終了後の期間ＰＯＥにおいて実行される。工程ＳＴ４では、オーバーエッチングが実行される。
工程ＳＴ４では、チャンバ１０内に処理ガスが供給される。工程ＳＴ４で用いられる処理ガスは、第２の処理ガスと同じ処理ガスであり得る。工程ＳＴ４では、ガス供給部ＧＳが、処理ガスを供給するために、制御部８０によって制御される。工程ＳＴ４では、排気装置５０が、チャンバ１０内の圧力を指定された圧力に設定するよう、制御部８０によって制御される。チャンバ１０内の圧力は、例えば数ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒの範囲内の圧力に設定される。
工程ＳＴ４が実行される期間ＰＯＥでは、第１の高周波電力ＬＦは、連続的に下部電極１８に供給される。工程ＳＴ２が実行される第２の期間Ｐ２において、第１の高周波電源部６１は、下部電極１８に第１の高周波電力ＬＦを連続的に供給するよう、制御部８０によって制御される。
第２の高周波電力ＨＦは、期間ＰＯＥ内の第１の高周波電力ＬＦの各周期ＰＬＦ内において、パルス状の高周波電力として、下部電極１８（又は上部電極３０）に供給される。第２の高周波電力ＨＦは、期間ＰＯＥ内の各周期ＰＬＦ内の正電圧出力期間ＰＰにおいてパルス状の高周波電力として供給される。第２の高周波電源部６２は、期間ＰＯＥにおいて第２の高周波電力ＨＦを供給するために、制御部８０によって制御される。工程ＳＴ４では、支持台１４上の基板のＶｐｐ（電圧の波高値）が低くなり、プラズマから基板Ｗに向かうイオンのエネルギーが比較的低くなる。したがって、工程ＳＴ４では、下地領域ＵＲＡのエッチングを抑制しつつ、膜ＦＡ１及び膜ＦＡ２のオーバーエッチングが実行される。
以下、図１と共に、図８の（ａ）、図８の（ｂ）、図８の（ｃ）、及び図８の（ｄ）、及び図９を参照する。図８の（ａ）は図１に示す方法ＭＴが適用され得る別の例の基板の部分断面図である。図８の（ｂ）は方法ＭＴの工程ＳＴ１の実行後の状態の別の例の基板の部分断面図、図８の（ｃ）は方法ＭＴのシーケンスＳＱの実行後の状態の別の例の基板の部分断面図、図８の（ｄ）は方法ＭＴの工程ＳＴ４の実行後の状態の別の例の基板の部分断面図である。図９は、図１に示すプラズマ処理方法に関連する更に別の例のタイミングチャートである。
図８の（ａ）に示すように、方法ＭＴが適用され得る別の例の基板ＷＢは、下地領域ＵＲＢ、隆起領域ＰＲ、及びオフセット領域ＯＲを有する。下地領域ＵＲＢは、例えばシリコンから形成されている。隆起領域ＰＲは、下地領域ＵＲＢ上に設けられている。隆起領域ＰＲは、下地領域ＵＲＢから突き出るように延在している。隆起領域ＰＲは、略直方体形状を有し得る。隆起領域ＰＲは、第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２、及び第３領域Ｒ３を含んでいる。第１領域Ｒ１は、下地領域ＵＲＢ上で延在している。第１領域Ｒ１は、例えばゲート酸化膜である。第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１上で延在している。第２領域Ｒ２は、例えば多結晶シリコンから形成されている。第３領域Ｒ３は、第２領域Ｒ２上で延在している。第３領域Ｒ３は、例えば窒化シリコンから形成されている。オフセット領域ＯＲは、隆起領域ＰＲ及び下地領域ＵＲＢを覆うように、隆起領域ＰＲの表面及び下地領域ＵＲＢの表面に沿って延在している。オフセット領域ＯＲは、例えば、酸化シリコンから形成されている。なお、オフセット領域ＯＲは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を含む多層膜であってもよい。
図９に示す例の場合に、方法ＭＴの工程ＳＴ１は、図４～図７の各々に示す例における工程ＳＴ１と同様である。図９に示す例の場合に、方法ＭＴの工程ＳＴ１では、図８の（ｂ）に示すように、チャンバ１０内で生成されたプラズマからの化学種が、基板ＷＢ上に堆積し、堆積物ＤＰＢを形成する。
図４～図７の各々に示す例における工程ＳＴ２とは異なり、図９に示す例における工程ＳＴ２では、第２の高周波電力ＨＦは、第２の期間Ｐ２内の各周期ＰＬＦ内の正電圧出力期間ＰＰにおいてパルス状の高周波電力として供給される。他の点では、図９に示す例における工程ＳＴ２は、図４～図７の各々に示す例における工程ＳＴ２と同様である。
図９に示す例の方法ＭＴでは、シーケンスＳＱが繰り返されることにより、基板ＷＢの異方性エッチング、即ち垂直方向へのエッチングが進行する。その結果、図８の（ｃ）に示すように、第３領域Ｒ３上及び下地領域ＵＲＢ上において、オフセット領域ＯＲが除去される。なお、シーケンスＳＱは、上述した工程ＳＴ３を更に含んでいてもよい。
しかる後に、工程ＳＴ４が実行される。図９に示す例の場合に、方法ＭＴの工程ＳＴ４は、図４～図７の各々に示す例における工程ＳＴ４と同様である。図９に示す例における工程ＳＴ４の実行により、図８の（ｄ）に示すように、基板ＷＢのオーバーエッチングが行われる。
図９に示す例におけるシーケンスＳＱでは、隆起領域ＰＲの側面に沿った部分においてオフセット領域ＯＲが堆積物ＤＰＢによって保護されつつ、基板ＷＢの異方性エッチングが進行する。したがって、隆起領域ＰＲの側面に沿った部分においてオフセット領域ＯＲの幅が狭くなることが抑制される。また、図９に示す例における工程ＳＴ２では、支持台１４上の基板のＶｐｐ（電圧の波高値）が低くなり、プラズマから基板Ｗに向かうイオンのエネルギーが比較的低くなる。したがって、第３領域Ｒ３及び下地領域ＵＲＢのエッチングが抑制される。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
例えば、種々の実施形態に係るプラズマ処理方法は、誘導結合型のプラズマ処理装置を用いて実行されてもよい。誘導結合型のプラズマ処理装置では、第２の高周波電力は、チャンバ１０の中に誘導磁場を形成するために、アンテナに供給される。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１４…支持台、１８…下部電極、ＬＦ…第１の高周波電力、ＨＦ…第２の高周波電力、ＭＴ…方法、ＳＱ…シーケンス、Ｐ１…第１の期間、Ｐ２…第２の期間、ＰＬＦ…周期。

Claims (8)

  1. 第１の周波数を有する第１の高周波電力と前記第１の周波数よりも高い第２の周波数を有する第２の高周波電力とを用いてプラズマ処理チャンバにおいて基板支持台上に配置された基板を処理するプラズマ処理方法であり、前記基板支持台は下部電極を含み、該プラズマ処理方法は、
    （ａ）第１の期間において第１のプラズマ処理を実行する工程であり、前記第１のプラズマ処理は、前記第１の高周波電力を供給することなく前記第２の高周波電力をパルス状に供給することを含む、該工程と、
    （ｂ）前記第１の期間とは異なる第２の期間において第２のプラズマ処理を実行する工程であり、前記第２の期間は複数の周期を含み、該複数の周期の各々は第１の電圧出力期間及び該第１の電圧出力期間とは異なる第２の電圧出力期間を含み、前記第２のプラズマ処理は、前記複数の周期の各々において前記第１の高周波電力を前記下部電極に供給すること、前記第１の電圧出力期間において前記第２の高周波電力を供給すること、及び、前記第２の電圧出力期間において前記第２の高周波電力を停止すること、を含む、該工程と、
    （ｃ）前記（ａ）と前記（ｂ）とを繰り返す工程と、
    を含み、
    前記第２の高周波電力は、前記第２の期間においてパルス状に供給され、前記第２の高周波電力は、前記第１の期間内と前記第２の期間内で同じ周期でパルス状に供給される、
    プラズマ処理方法。
  2. 前記第１の高周波電力は、前記第１の電圧出力期間において負の電位を有する、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  3. 前記第１の高周波電力は、前記第１の電圧出力期間において正の電位を有する、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  4. （ｄ）前記（ａ）及び（ｂ）の後に、前記第１の高周波電力及び前記第２の高周波電力を停止し、前記チャンバを排気する工程を更に含み、
    前記（ｃ）は、前記（ａ）、前記（ｂ）、及び前記（ｄ）を繰り返すことを含む、
    請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  5. 前記第１のプラズマ処理と前記第２のプラズマ処理は同一の処理ガスを用いて行われる、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  6. 第１の周波数を有する第１の高周波電力と前記第１の周波数よりも高い第２の周波数を有する第２の高周波電力とを用いてプラズマ処理チャンバにおいて基板支持台上に配置された基板を処理するプラズマ処理方法であり、前記基板支持台は下部電極を含み、該プラズマ処理方法は、
    （ａ）第１の期間において第１のプラズマ処理を実行する工程であり、前記第１のプラズマ処理は、前記第１の高周波電力を供給することなく前記第２の高周波電力を連続的に又はパルス状に供給することを含む、該工程と、
    （ｂ）前記第１の期間とは異なる第２の期間において第２のプラズマ処理を実行する工程であり、前記第２の期間は複数の周期を含み、該複数の周期の各々は第１の電圧出力期間及び該第１の電圧出力期間とは異なる第２の電圧出力期間を含み、前記第２のプラズマ処理は、前記複数の周期の各々において前記第１の高周波電力を前記下部電極に供給すること、前記第１の電圧出力期間において前記第２の高周波電力を供給すること、及び、前記第２の電圧出力期間において前記第２の高周波電力を停止すること、を含む、該工程と、
    （ｃ）前記（ａ）と前記（ｂ）とを繰り返す工程と、
    を含み、
    前記第１のプラズマ処理と前記第２のプラズマ処理は同一の処理ガスを用いて行われる、プラズマ処理方法。
  7. プラズマ処理チャンバと、
    下部電極を含み、前記チャンバ内に設けられた基板支持台と、
    第１の周波数を有する第１の高周波電力を前記下部電極に供給するように構成された第１の高周波電源部と、
    前記プラズマ処理チャンバにおいてプラズマを生成するために前記第１の周波数よりも高い第２の周波数を有する第２の高周波電力を供給するように構成された第２の高周波電源部と、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    （ａ）第１の期間において第１のプラズマ処理を実行し、
    （ｂ）前記第１の期間とは異なる第２の期間において第２のプラズマ処理を実行し、
    （ｃ）前記（ａ）と前記（ｂ）とを繰り返す
    ように、前記第１の高周波電源部及び前記第２の高周波電源部を制御するように構成され、
    前記第１のプラズマ処理は、前記第１の高周波電力を供給することなく前記第２の高周波電力をパルス状に供給することを含み、
    前記第２の期間は、複数の周期を含み、該複数の周期の各々は、第１の電圧出力期間及び前記第１の電圧出力期間とは異なる第２の電圧出力期間を含み、
    前記第２のプラズマ処理は、前記複数の周期の各々において前記第１の高周波電力を前記下部電極に供給すること、前記第１の電圧出力期間において前記第２の高周波電力を供給すること、及び、前記第２の電圧出力期間において前記第２の高周波電力を停止すること、を含み、
    前記第２の高周波電力は、前記第２の期間においてパルス状に供給され、前記第２の高周波電力は、前記第１の期間内と前記第２の期間内で同じ周期でパルス状に供給される、
    プラズマ処理装置。
  8. プラズマ処理チャンバと、
    下部電極を含み、前記チャンバ内に設けられた基板支持台と、
    第１の周波数を有する第１の高周波電力を前記下部電極に供給するように構成された第１の高周波電源部と、
    前記プラズマ処理チャンバにおいてプラズマを生成するために前記第１の周波数よりも高い第２の周波数を有する第２の高周波電力を供給するように構成された第２の高周波電源部と、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    （ａ）第１の期間において第１のプラズマ処理を実行し、
    （ｂ）前記第１の期間とは異なる第２の期間において第２のプラズマ処理を実行し、
    （ｃ）前記（ａ）と前記（ｂ）とを繰り返す
    ように、前記第１の高周波電源部及び前記第２の高周波電源部を制御するように構成され、
    前記第１のプラズマ処理は、前記第１の高周波電力を供給することなく前記第２の高周波電力を連続的又はパルス状に供給することを含み、
    前記第２の期間は、複数の周期を含み、該複数の周期の各々は、第１の電圧出力期間及び前記第１の電圧出力期間とは異なる第２の電圧出力期間を含み、
    前記第２のプラズマ処理は、前記複数の周期の各々において前記第１の高周波電力を前記下部電極に供給すること、前記第１の電圧出力期間において前記第２の高周波電力を供給すること、及び、前記第２の電圧出力期間において前記第２の高周波電力を停止すること、を含み、
    前記第１のプラズマ処理と前記第２のプラズマ処理は同一の処理ガスを用いて行われる、
    プラズマ処理装置。
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