CN114503238A - 进行调谐以改善等离子稳定性的方法 - Google Patents

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Abstract

本文描述的实施方式涉及在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。在这些实施方式中，提供多个匹配网络。所述匹配网络中的每一个匹配网络将射频(RF)源耦接到位于电极上的多个连接点中的一个连接点。基于调谐参数信息和物理几何信息，控制器确定所述多个匹配网络的调谐顺序。如此，所述匹配网络中的一些匹配网络被调谐，而其他匹配网络被锁定。使用多个匹配网络使处理腔室的处理空间内产生更均匀的等离子体。改善的等离子体均匀性使基板缺陷更少且器件性能更好。此外，在这些实施方式中，用于以一种顺序调谐所述匹配网络中的每一个匹配网络的能力减少或防止在所述匹配网络之间发生干扰。

Description

进行调谐以改善等离子稳定性的方法
背景
技术领域
本文描述的实施方式总体涉及在半导体工艺内进行调谐的方法，并且更特别地，涉及在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。
背景技术
等离子体腔室通常用于执行用于制造电子器件诸如半导体、显示器和太阳能电池的工艺。这样的等离子体制造工艺包括：在基板的表面上对半导体、导体或介电层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或对在基板表面上的这些层的选定部分的蚀刻。在基板的表面之上以高空间均匀性(spatial uniformity)执行等离子体制造工艺是关键的。沉积工艺应当执行得使沉积的材料在基板的表面上的所有位置处具有均匀的厚度和品质。同样地，蚀刻工艺应当在所有这样的位置处以均匀速率蚀刻材料。
在常规的射频(RF)等离子体处理(诸如在许多半导体器件的制造阶段期间使用的那种)中，RF能量经由RF能量源提供到基板处理腔室。由于在形成在处理腔室中的等离子体与RF能量源的阻抗之间的不匹配，RF能量被反射回RF能量源，从而造成RF能量的使用效率低下和能量浪费，这导致了对处理腔室或RF能量源的潜在损害，以及关于基板处理的潜在不一致性/不可重复性问题。如此，RF能量经常通过固定的或可调谐的匹配网络被耦合到处理腔室中的等离子体，该固定的或可调谐的匹配网络运行成通过更精密地匹配等离子体的阻抗与RF能量源的阻抗来最小化反射的RF能量。
匹配网络试图并确保RF源的输出高效地耦合到等离子体，以最大化耦合到等离子体的能量的量(例如，称为“调谐”)。然而，在常规工艺中，经常仅使用一个RF匹配网络。当使用一个RF匹配网络时，尤其是对于诸如用于显示器和太阳能应用的大基板腔室，等离子体不均匀性是经常遇到的问题。尝试使用具有多个馈电器(feed)的多个RF匹配网络的工艺经常引起等离子体稳定性问题，因为在匹配网络之间经常发生干扰。当前的途径(诸如相位控制(phase control))未解决所有干扰问题，并且在调谐时经常造成不良结果。
因此，本领域需要在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。
发明内容
本文描述的一个或多个实施方式总体涉及在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。
在一个实施方式中，一种在等离子体处理工艺期间进行调谐的方法包括：由控制器从多个匹配网络中的每个匹配网络接收调谐参数信息，其中所述多个匹配网络中的每个匹配网络将射频(RF)电源耦接到电极的多个连接点中的一个连接点；基于由所述控制器接收到的所述调谐参数信息，确定用于所述多个匹配网络的调谐顺序(tuning sequence)；以及调谐所述多个匹配网络中的一个匹配网络，而同时地锁定所述多个匹配网络的每个剩余匹配网络。
在另一个实施方式中，一种在等离子体处理工艺期间进行调谐的方法包括：由控制器从多个匹配网络接收物理几何信息，其中所述多个匹配网络中的每个匹配网络将射频(RF)电源耦接到电极的多个连接点中的一个连接点；基于由所述控制器接收到的所述物理几何信息，确定用于所述多个匹配网络的调谐顺序；以及将所述多个匹配网络中的一对匹配网络一起进行调谐，而同时地锁定所述多个匹配网络的每个剩余匹配网络。
在另一个实施方式中，一种在等离子体处理工艺期间进行调谐的方法包括：由控制器从多个匹配网络中的每个匹配网络接收调谐参数信息和物理几何信息，其中所述多个匹配网络中的每个匹配网络将射频(RF)电源耦接到电极的多个连接点中的一个连接点；基于由所述控制器接收到的所述物理几何信息和调谐参数信息，确定用于所述多个匹配网络的调谐顺序；以及将所述多个匹配网络中的一对匹配网络一起进行调谐，而同时地锁定所述多个匹配网络的每个剩余匹配网络。
附图说明
为了能够详细地理解本公开内容的上述特征，可参考实施方式来得到以上简要地概述的本公开内容的更特别的描述，这些实施方式中的一些实施方式例示在附图中。然而，需注意，附图仅仅例示了本公开内容的典型实施方式，因此不应当被视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可承认其他等效实施方式。
图1是根据本文描述的至少一个实施方式的处理系统的示意性侧视截面图；
图2是根据本文描述的至少一个实施方式的处理系统的示意性俯视图；
图3是根据本文描述的至少一个实施方式的处理系统的示意性俯视图；
图4是根据本文描述的至少一个实施方式的方法的流程图；并且
图5是根据本文描述的至少一个实施方式的史密斯图(smith chart)图示。
为了便于理解，已经尽可能使用相同的附图标记标示各图共有的相同元素。设想的是，一个实施方式的元素和特征可有益地结合在其他实施方式中，而无需进一步陈述。
具体实施方式
在以下的描述中，阐述了众多具体细节以提供对本公开内容的实施方式的更透彻的理解。然而，对本领域技术人员将显而易见的是，可在没有这些具体细节中的一个细节或多个细节的情况下实践本公开内容的实施方式中的一个实施方式或多个实施方式。在其他情况下，未描述众所周知的特征，以免使本公开内容的实施方式中的一个实施方式或多个实施方式变得晦涩难懂。
本文描述的实施方式总体涉及在半导体工艺期间递送射频(RF)功率以改善等离子体稳定性和处理结果的方法。在这些实施方式中，提供多个匹配网络以如所期望地将功率递送到等离子体处理腔室的处理区域。匹配网络中的每一个匹配网络将射频(RF)源耦接到位于电耦接到等离子体处理腔室的电极上的多个连接点中的一个连接点。在一些实施方式中，控制器能够利用电极的匹配调谐参数信息和物理几何信息和/或电极上连接点几何信息来调整匹配网络中的一个匹配网络或多个匹配网络的匹配参数，以控制将功率递送到等离子体处理腔室的处理区域。在一些实施方式中，调谐参数信息可以是用于阻抗匹配的电压/电流(V/I)幅值和相位信息，诸如用于确定源功率电平阻抗和负载功率电平阻抗，如下所述。此外，接收到的调谐参数信息可以是用于频率匹配的被驱动频率信息，如下所述。在一些实施方式中，物理几何信息可以基于电极上的多个连接点相对于彼此的位置。基于接收到的调谐参数信息和物理几何信息，控制器确定多个匹配网络中的一个匹配网络或多个匹配网络的调谐顺序。如此，调整在匹配网络中的一个匹配网络或多个匹配网络中正被控制的匹配参数中的一些匹配参数，而将在其他匹配网络中正被控制的匹配参数锁定在固定点或位置处。在一些实施方式中，调整一个匹配网络中的匹配参数，而同时地将剩余匹配网络锁定在固定点或位置处。在其他实施方式中，调谐一对匹配网络中的每一个匹配网络中的匹配参数，而将剩余匹配网络同时地锁定在固定点或位置处。
使用多个匹配网络使处理腔室的处理空间内产生更均匀的等离子体。改善的等离子体均匀性使基板缺陷更少且器件性能更好。此外，在这些实施方式中，用于以一种顺序调整匹配网络中的每一个匹配网络中的匹配参数的能力减少或防止电干扰影响由匹配网络对功率的递送。如此，与本领域的常规方法相比，在这些实施方式中实现了更好的处理结果。
图1是根据本文描述的至少一个实施方式的处理系统100的侧视截面图。处理系统100包括支撑在处理腔室102内的基板支撑件106上的基板108。处理腔室102旨在使基板108经受等离子体处理工艺以在基板108上制造电子器件，诸如半导体器件、显示器器件(例如，TFT)、太阳能电池或固态发光二极管(LED)。要在处理腔室102内处理的基板108的例子包括在上面制造平板显示器的矩形玻璃基板或在上面制造集成电路的圆形半导体基板。
处理腔室102具有由诸如铝之类的材料制成的导电侧壁103、底壁105和顶壁107，它们围住处理空间110。典型地，腔室壁的所有部分电连接在一起并且电接地。在基板108上执行等离子体处理工艺时，一种或多种处理气体从气体源(未示出)分配到处理腔室102中。然后，处理气体通过喷头中的多个开口分配到处理空间110中，在这些实施方式中，喷头用作电极104。
如图1所示，电源120、122、124、126中的每一个电源的输出通过相应的匹配网络112、114、116、118连接到电极104上的相应连接点128、130、132、134。RF功率从相应的电源120、122、124、126的输出流到电极104上的相应连接点128、130、132、134。RF功率从电极104耦合以在电极104与基板支撑件106之间在处理空间110内形成等离子体。匹配网络112、114、116、118中的每一个匹配网络可包括电路，所述电路包括一个或多个可变电容器和/或电感器以提供期望的匹配，以将RF功率如所期望地递送到处理腔室的处理区域。尽管图1中示出了四个电源、匹配网络和连接点，但是也可使用任何其他数量的电源、匹配网络和连接点，诸如例如使用两个、三个、五个或十个电源、匹配网络和连接点。
在这些实施方式中，控制器136控制从电源120、122、124、126递送RF功率的时序以及匹配网络112、114、116、118中的匹配参数的调谐。控制器136用于确定匹配网络112、114、116、118递送RF功率以在处理腔室中产生和/或维持等离子体的能力的有效度(effectiveness)。在处理期间，控制器136从每个匹配网络112、114、116、118接收调谐参数信息，并且基于接收到的调谐参数信息和连接点几何方面的知识来确定匹配网络112、114、116、118的调谐顺序。调谐参数信息的例子是从相应的匹配网络112、114、116、118反射的功率，基于对电压和电流的测量。当反射的功率被用作指标(indicator)时，大的反射功率指示不匹配的情况。如此，控制器136可首先为从中接收到最大反射功率的匹配网络112、114、116、118中的一个匹配网络或一对匹配网络产生调谐信号。
在同时地调谐匹配网络112、114、116、118中的一个匹配网络或一对匹配网络时，控制器136被构造为锁定剩余匹配网络112、114、116、118。一次调谐匹配网络112、114、116、118中的一个匹配网络或一对匹配网络有利地减少或防止在匹配网络112、114、116、118之间发生干扰，因为匹配网络112、114、116、118被彼此隔离。如此，控制器136仅处理当前正被调谐的期望的匹配网络112、114、116、118(中的一个或多个)的调谐参数信息，并且持续监测来自其他网络的调谐参数信息。因此，控制器136接收到更准确的读数，从而带来改善的结果。
在这些实施方式中，处理系统100可使用阻抗调谐作为调谐方法来改善等离子体稳定性。例如，匹配网络112、114、116、118中的每一个匹配网络可由以下方式调谐：电源120、122、124、126产生期望的正向功率以补偿反射功率，以便提供期望的递送功率。每个匹配网络112、114、116、118中的V/I探头/传感器(未示出)可检测负载功率电平阻抗(ZL)。例如，ZL(从匹配网络112、114、116、118中的每一个匹配网络的输入侧测得)可被调整(或调谐)到50欧姆。如此，对ZL进行进一步调谐，使得ZL的阻抗实质上与源功率阻抗(ZS)共轭(conjugate)。因此，匹配网络112、114、116、118微调ZL的阻抗，使得ZS和ZL的阻抗实质上共轭。
在这些实施方式中，“实质上”旨在涵盖测量的阻抗可能不完全相等但在某个阈值范围内的情况。在一些实施方式中，阈值可以是ZS和ZL的SWR的半径的指定或预定百分比。该阈值将控制ZS和ZL之间的SWR误差。即，如果ZL(典型地等于50欧姆)和ZS的差值在阈值范围内，则调谐会被停止。如果ZL SWR在某个阈值内不等于ZS SWR，或者ZS和ZL的SWR变化量(delta)变化超过某个阈值，则RF匹配会再次开始调谐，直到ZS和ZL的差值在阈值范围内。上述使用阻抗调谐的例子可与匹配网络112、114、116、118中的每一个匹配网络一起使用，并且可按一种顺序或按一种成对顺序一次一个地应用于每个匹配网络112、114、116、118。
除了阻抗调谐之外，处理系统100还可使用频率调谐作为调谐方法来改善等离子体稳定性。例如，可通过电源120、122、124、126中的一个电源向处理腔室102提供第一RF功率。第一频率可与第一RF功率相关联。在一些实施方式中，第一频率可作为在第一RF功率的最后已知调谐频率被存储在控制器136中。之后，控制器136可将第一频率调整到第二频率，以实现在第一RF功率电平的新调谐状态，这在电源120、122、124、126中的一个电源与ZL之间实现了在第一RF功率的期望阻抗。具体地，可将第一频率调整到第二频率以减少来自电源120、122、124、126中的一个电源的反射功率，从而实现匹配网络112、114、116、118中的一个匹配网络的新调谐状态。反射功率典型地减小到由电源120、122、124、126中的一个电源提供的正向功率的约0％的目标，以实现一种调谐状态。上述使用频率调谐的例子可与匹配网络112、114、116、118中的每一个匹配网络一起使用，并且可按一种顺序或按一种成对顺序一次一个地应用于每个匹配网络112、114、116、118。
图2是根据本文描述的至少一个实施方式的处理系统200的示意图。如图2所示，电源212、214、216、218中的每一个电源的相应输出通过相应的匹配网络204、206、208、210连接到介电窗202上的相应连接点220、222、224、226。在这些实施方式中，RF功率被感应耦合到位于介电窗202下方的处理腔室(未示出)中的等离子体。如此，每个连接点220、222、224、226包括相应的感应线圈228、230、232、234。RF功率从相应的电源212、214、216、218的输出流到介电窗202上的相应连接点220、222、224、226。类似于图1中描述的实施方式，匹配网络204、206、208、210中的每一个匹配网络可以是包括一个或多个可变电容器和/或电感器以提供期望匹配的电路。尽管图2中示出了四个电源、匹配网络和连接点，但是也可使用任何其他数量的电源、匹配网络和连接点。
在这些实施方式中，类似于图1中描述的实施方式，控制器236控制启动和停用电源212、214、216、218的时序以及调谐匹配网络204、206、208、210。控制器236用于确定匹配网络204、206、208、210匹配等离子体的能力的有效度。控制器236从每个匹配网络204、206、208、210接收调谐参数信息，并且基于接收到的调谐参数信息来确定用于匹配网络204、206、208、210的调谐顺序。调谐参数信息的例子是从相应的匹配网络204、206、208、210反射的功率，基于对电压和电流及其相角的测量。当反射功率被用作指标时，大的反射功率指示不匹配的情况。如此，控制器236可首先为从中接收到最大反射功率的匹配网络204、206、208、210中的一个匹配网络或一对匹配网络产生调谐信号。在同时地调谐匹配网络204、206、208、210中的一个匹配网络或一对匹配网络时，控制器236被构造为锁定剩余匹配网络204、206、208、210。一次调谐匹配网络204、206、208、210中的一个匹配网络或一对匹配网络有利地减少或防止在匹配网络204、206、208、210之间发生干扰。
图3是根据本文描述的至少一个实施方式的处理系统300的示意图。如图3所示，电源312、314、316、318中的每一个电源的相应输出通过相应的匹配网络304、306、308、310连接到电极302上的相应连接点320、322、324、326。在这些实施方式中，RF功率被容性耦合到位于电极302下方的处理腔室(未示出)中的等离子体。RF功率从相应的电源312、314、316、318的输出流到电极302上的相应连接点320、322、324、326。类似于图1-2中描述的实施方式，匹配网络304、306、308、310中的每一个匹配网络可以是包括一个或多个可变电容器和/或电感器以提供期望匹配的电路。尽管图3中示出了四个电源、匹配网络和连接点，但是也可使用任何其他数量的电源、匹配网络和连接点。
在这些实施方式中，类似于图1-2中描述的实施方式，控制器328控制启动和停用电源312、314、316、318的时序以及调谐匹配网络304、306、308、310。控制器328用于确定匹配网络304、306、308、310匹配等离子体的能力的有效度。控制器328从每个匹配网络304、306、308、310接收调谐参数信息，并且基于接收到的调谐参数信息来确定匹配网络304、306、308、310的调谐顺序。调谐参数信息的例子是从相应匹配网络304、306、308、310反射的功率，基于电压和电流及其相角。当反射功率被用作指标时，大的反射功率指示不匹配的情况。如此，控制器328可首先为从中接收到最大反射功率的匹配网络304、306、308、310中的一个匹配网络或一对匹配网络产生调谐信号。在同时地调谐匹配网络304、306、308、310中的一个匹配网络或一对匹配网络时，控制器328被构造为锁定剩余的匹配网络304、306、308、310。一次调谐匹配网络304、306、308、310中的一个匹配网络或一对匹配网络有利地减少或防止在匹配网络304、306、308、310之间发生干扰。
图4是根据本文描述的至少一个实施方式的方法400的流程图。在这些实施方式中，用图1-3中描述的系统和装置执行方法400，但是不限于这些系统和装置，并且可用其他类似的系统和装置执行方法400。
在框402中，提供具有多个连接点的电极。电极可以是上文在图1-3中描述的电极104、202或302。多个连接点可以是图1中描述的连接点128、130、132、134、图2中描述的连接点220、222、224、226或图3中描述的连接点320、322、324、326。
在框404中，提供多个匹配网络。匹配网络可以是图1中描述的匹配网络112、114、116、118、图2中描述的匹配网络204、206、208、210或图3中描述的匹配网络304、306、308、310。在这些实施方式中，每个匹配网络将RF电源耦接到连接点中的一个连接点。RF电源可以是图1中描述的电源120、122、124、126、图2中描述的电源212、214、216、218或图3中描述的电源312、314、316、318。
在框406中，由控制器接收多个连接点的物理几何信息。控制器可以是以上图1-3中描述的控制器136、236或328。由控制器接收到的物理几何信息可与连接点中的每一个连接点相对于彼此的定位有关。例如，可由控制器接收与在连接点中的每一个连接点之间的间距有关的信息。
在框408中，由控制器接收来自匹配网络中的每一个匹配网络的调谐参数信息。在这些实施方式中，接收到的调谐参数信息可以是用于阻抗匹配的V/I信息，诸如用于确定上述ZS和ZL的V/I信息。此外，接收到的调谐参数信息可以是用于上述频率匹配的频率信息。
在框410中，基于由控制器接收到的物理几何信息和/或调谐参数信息，确定用于多个匹配网络的调谐顺序。在一些实施方式中，基于由控制器接收到的物理几何信息，控制器可确定首先匹配哪个匹配网络或哪些匹配网络。例如，控制器可确定首先将连接点彼此相距最远的一对匹配网络一起进行调谐。调谐间隔更远的匹配网络有利地减少或防止在匹配网络之间发生干扰。如此，可首先将沿电极上彼此对角的(diagonal)位置定位的一对匹配网络一起进行调谐，诸如图2中示出的具有连接点220和226的匹配网络204和210和具有连接点222和224的匹配网络206和208或图3中示出的具有连接点320和326的匹配网络304和310和具有连接点322和324的匹配网络306和308。
在另一个例子中，可首先将在X方向上彼此分离的一对匹配网络一起进行调谐，诸如图2中示出的具有连接点220和222的匹配网络204和206和具有连接点224和226的匹配网络208和210或图3中示出的具有连接点320和322的匹配网络304和306和具有连接点324和326的匹配网络308和310。
在另一个例子中，可首先将在Y方向上彼此分离的一对匹配网络一起进行调谐，诸如图2中示出的具有连接点220和224的匹配网络204和208和具有连接点222和226的匹配网络206和210或图3中示出的具有连接点320和324的匹配网络304和308和具有连接点322和326的匹配网络306和310。在调谐第一对匹配网络之后，然后可调谐下一对匹配网络，直到所有的匹配网络被调谐。
在一些实施方式中，基于由控制器接收到的调谐参数信息，控制器可确定首先匹配哪个匹配网络或哪些匹配网络。例如，诸如在ZS与ZL之间的差异之类的调谐参数信息可被用于确定首先匹配哪个匹配网络或哪些匹配网络。另外，诸如频率差异之类的调谐参数信息可被用于确定首先匹配哪个匹配网络或哪些匹配网络。例如，可首先调谐具有最大阻抗差异的图2示出的那个匹配网络204、206、208、210或图3示出的那个匹配网络304、306、308、310。在调谐第一个匹配网络之后，接下来可调谐下一个具有最大阻抗差异的匹配网络。可重复此过程，直到所有的匹配网络被匹配为止。在其他实施方式中，由控制器接收的调谐参数信息和物理几何信息两者可确定匹配网络的调谐顺序。
在框412中，调谐一个匹配网络或一对匹配网络，而同时地锁定剩余匹配网络。这样，每个匹配网络或每对匹配网络在没有来自其他匹配网络的干扰的情况下受到调谐。如上所述，用于以一种顺序调谐匹配网络中的每一个匹配网络的能力减少或防止在匹配网络之间发生干扰，从而带来改善的等离子体均匀性，这造成了基板缺陷更少且器件性能更好。
图5是根据本文描述的至少一个实施方式的史密斯图500。史密斯图500例示了从本领域的常规途径和方法得到的常规调谐范围502。相比之下，史密斯图500例示了从本文的方法400中描述的实施方式得到的变窄的调谐范围504和阻抗506。与呈现表明不良的阻抗匹配的较大反射功率的常规调谐范围502相比，变窄的调谐范围504呈现更少的反射功率，表明改善的阻抗匹配。如此，与本领域的常规途径和方法相比，在这些实施方式中实现了更好的结果。
虽然前述内容针对的是本公开内容的多个实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设想本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种在等离子体处理工艺期间进行调谐的方法，包括：
由控制器从多个匹配网络中的每个匹配网络接收调谐参数信息，其中所述多个匹配网络中的每个匹配网络将射频(RF)电源耦接到电极的多个连接点中的一个连接点；
基于由所述控制器接收到的所述调谐参数信息，确定用于所述多个匹配网络的调谐顺序；以及
调谐所述多个匹配网络中的一个匹配网络，而同时地锁定所述多个匹配网络的每个剩余匹配网络。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述调谐参数信息包括：用于阻抗调谐的电压信息、电流信息和相角信息。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述调谐参数信息包括：用于频率调谐的频率信息。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述多个连接点包括四个连接点，并且所述多个匹配网络包括四个匹配网络。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述电极是喷头。
6.一种在等离子体处理工艺期间进行调谐的方法，包括：
由控制器从多个匹配网络接收物理几何信息，其中所述多个匹配网络中的每个匹配网络将射频(RF)电源耦接到电极的多个连接点中的一个连接点；
基于由所述控制器接收到的所述物理几何信息，确定用于所述多个匹配网络的调谐顺序；以及
将所述多个匹配网络中的一对匹配网络一起进行调谐，而同时地锁定所述多个匹配网络的每个剩余匹配网络。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述物理几何信息包括：与所述多个连接点中的每一个连接点相对于彼此的定位相关的信息。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述多个连接点包括四个连接点，并且所述多个匹配网络包括四个匹配网络。
9.如权利要求8所述的方法，其中首先调谐所述四个匹配网络中具有一对彼此对角地间隔的连接点的一对匹配网络。
10.如权利要求8所述的方法，其中首先调谐所述四个匹配网络中具有一对彼此在X方向上间隔的连接点的一对匹配网络。
11.如权利要求8所述的方法，其中首先调谐所述四个匹配网络中具有一对彼此在Y方向上间隔的连接点的一对匹配网络。
12.一种在等离子体处理工艺期间进行调谐的方法，包括：
由控制器从多个匹配网络中的每个匹配网络接收调谐参数信息和物理几何信息，其中所述多个匹配网络中的每个匹配网络将射频(RF)电源耦接到电极的多个连接点中的一个连接点；
基于由所述控制器接收到的所述物理几何信息和所述调谐参数信息，确定用于所述多个匹配网络的调谐顺序；以及
将所述多个匹配网络中的一对匹配网络一起进行调谐，而同时地锁定所述多个匹配网络的每个剩余匹配网络。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述调谐参数信息包括：用于阻抗调谐的电压信息、电流信息和相角信息。
14.如权利要求12所述的方法，其中所述调谐参数信息包括：用于频率调谐的频率信息。
15.如权利要求12所述的方法，其中所述物理几何信息包括：与所述多个连接点中的每一个连接点相对于彼此的定位相关的信息。
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