JP7478906B2 - インピーダンス整合方法、インピーダンス整合器及び半導体プロセス装置 - Google Patents
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Description
プロセスが開始するとき、インピーダンス整合器の可変素子のパラメータ値を予め設定される初期値に調節することと、
無線周波数電源がオンにされる場合、予め記憶された前記プロセスに対応する最適な整合経路に基づいて前記可変素子のパラメータ値を調節することであって、前記最適な整合経路が予め設定される整合時間帯内の異なる時刻に対応する前記可変素子のパラメータ値を含むことと、
前記予め設定される整合時間帯の終点時刻に到達した後、インピーダンス整合を実現するまで自動整合アルゴリズムを採用し前記可変素子のパラメータ値を調節することと、を含む。
前記可変素子のパラメータ値を前記初期値に調節することと、
前記無線周波数電源をオンにし、且つインピーダンス整合を実現するまで自動整合アルゴリズムを採用し前記可変素子のパラメータ値を調節することであって、整合経路を取得するように整合過程全体における異なる時刻に対応する前記可変素子のパラメータ値を記録することと、
前記整合経路の取得ステップをN回繰り返し行い、Nは所定数値以上の整数であることと、
N本の前記整合経路から1本の整合経路を前記最適な整合経路として選択して記憶することと、を含む。
N本の前記整合経路から消灯現象のない整合経路を選択することと、
前記消灯現象のない整合経路から、繰り返し出現回数の最も多い整合経路を前記最適な整合経路として選択して記憶することと、を含む。
前記プロセスに対応する前記最適な整合経路が記憶されるか否かを判断することと、
YESの場合、インピーダンス整合器の可変素子のパラメータ値を予め設定される初期値に調節するステップを行うことと、
NOの場合、前記最適な整合経路の取得方法を実行し、且つ前述した、プロセスに対応する前記最適な整合経路が記憶されるか否かを判断するステップに戻ることと、を更に含む。
前記記憶ユニットは、前記可変素子のパラメータ値の初期値及び異なるプロセスに対応する最適な整合経路を記憶するために用いられ、前記最適な整合経路が予め設定される整合時間帯内の異なる時刻に対応する前記可変素子のパラメータ値を含み、
前記センサは、前記予め設定される整合時間帯の終点時刻に到達した後、無線周波数伝送線路上の電圧信号及び電流信号をリアルタイムに検出して前記制御ユニットに送信するために用いられ、
前記制御ユニットは、プロセスが開始するとき、前記記憶ユニットに記憶される前記初期値を呼び出して、前記実行ユニットを制御して前記可変素子のパラメータ値を前記初期値に調節させ、無線周波数電源がオンにされる場合、前記記憶ユニットに記憶される現在のプロセスに対応する最適な整合経路を呼び出して、前記最適な整合経路に基づいて前記実行ユニットを制御して前記可変素子のパラメータ値を調節させ、前記予め設定される整合時間帯の終点時刻に到達した後、インピーダンス整合を実現するまで前記電圧信号及び電流信号に基づいて自動整合アルゴリズムを採用し前記実行ユニットを制御して前記可変素子のパラメータ値を調節させるために用いられる。
図2に示されるインピーダンス整合器1を例とし、該インピーダンス整合器1は無線周波数電源3とプロセスチャンバ2との間に接続され、無線周波数電源3の後部の入力インピーダンスを調節することにより無線周波数エネルギーの正常伝送を実現し、即ちインピーダンス整合を実現するために用いられる。具体的に、インピーダンス整合器1は、センサ11、整合ネットワーク12、実行ユニット14及び制御ユニット13を備え、センサ11は、無線周波数伝送線路上の電圧信号及び電流信号をリアルタイムに検出して制御ユニット13に送信するために用いられ、整合ネットワーク12は、2つの可変容量(C1、C2)を備え、両方が可変素子として使用され、両方の容量値又は容量位置が可変素子のパラメータ値であり、制御ユニット13は、2つのモータ(M1、M2)を制御してそれぞれ2つの可変容量(C1、C2)の容量位置を調節させるために用いられ、異なる容量位置は異なる容量値に対応し、それによって、無線周波数電源3の後部の入力インピーダンスを調節してインピーダンス整合の目的を実現する。当然ながら、実際の応用では、インピーダンス整合器の構造は図2に示される上記インピーダンス整合器の構造に限定されるものではなく、その可変素子は無線周波数電源3の後部の入力インピーダンスを調節できる他の任意の構造、例えば可変インダクタンス又は可変容量と可変インダクタンスとの組み合わせなどを用いてもよい。整合ネットワーク12は、例えばL型、π型、T型などである。
上記最適な整合経路は、予め設定される整合時間帯内の異なる時刻に対応する可変素子のパラメータ値を含む。
該初期値が上記ステップS1における初期値と同じであってもよい。
上記自動整合アルゴリズムとは、センサ11を利用して無線周波数伝送線路上の電圧信号及び電流信号をリアルタイムに検出し、且つ該電圧信号及び電流信号に基づいて可変素子のパラメータ値の調整量を計算して取得し、且つインピーダンス整合状態を実現するまで該調整量に基づいて可変素子のパラメータ値(例えば、可変容量の容量値又は容量位置)を自動的に調節することを意味する。
取得された整合経路の数Nは1本の最適な整合経路を選択できる条件を満たせば、上記所定数値は、具体的なプロセス状況に応じて設定されてもよく、該所定数値は、例えば20以上である。
N本の整合経路から消灯現象のない整合経路を選択するステップ41と、
消灯現象のない整合経路から、繰り返し出現回数の最も多い整合経路を最適な整合経路として選択して記憶するステップ42と、を含む。
現在のプロセスに対応する最適な整合経路が記憶されるか否かを判断し、
YESの場合、ステップS102を行い、NOの場合、ステップS107を行うステップS101と、
可変素子のパラメータ値を予め設定される初期値に調節するステップS102と、
無線周波数電源がオンにされるか否かを判断し、
YESの場合、ステップS104を行い、NOの場合、ステップS103に戻るステップS103と、
予め記憶された現在のプロセスに対応する最適な整合経路に基づいて上記可変素子のパラメータ値を調節するステップS104と、
予め設定される整合時間帯の終点時刻(即ち、tn)に到達した後、自動整合アルゴリズムを採用し可変素子のパラメータ値を調節するステップS105と、
インピーダンス整合を実現するか否かを判断し、
YESの場合、工程が終了し、NOの場合、インピーダンス整合を実現しない問題を調べるステップS106と、
可変素子のパラメータ値を初期値に調節するステップS107と、
無線周波数電源がオンにされるか否かを判断し、
YESの場合、ステップS109を行い、NOの場合、ステップS108に戻るステップS108と、
自動整合アルゴリズムを採用し可変素子のパラメータ値を調節するステップS109と、
インピーダンス整合を実現するか否かを判断し、
YESの場合、ステップS111を行い、NOの場合、インピーダンス整合を実現しない問題を調べるステップS110と、
整合過程全体における異なる時刻に対応する可変素子のパラメータ値を記録することによって、整合経路を取得するステップS111と、
無線周波数電源をオフにするステップS112と、
整合経路を取得するステップ(即ち、上記ステップ2)をN回行うか否かを判断し、
YESの場合、ステップS114を行い、NOの場合、ステップS101に戻るステップS113と、
N本の整合経路から1本の整合経路を最適な整合経路として選択して記憶するステップS114と、を含む。
Claims (11)
- 半導体プロセス装置に応用されるインピーダンス整合方法であって、
プロセスが開始するとき、インピーダンス整合器の可変素子のパラメータ値を予め設定される初期値に調節することと、
無線周波数電源がオンにされる場合、予め記憶された前記プロセスに対応する最適な整合経路に基づいて前記可変素子のパラメータ値を調節することであって、前記最適な整合経路が予め設定される整合時間帯内の異なる時刻に対応する前記可変素子のパラメータ値を含むことと、
前記予め設定される整合時間帯の終点時刻に到達した後、インピーダンス整合を実現するまで自動整合アルゴリズムを採用し前記可変素子のパラメータ値を調節することと、を含むことを特徴とする半導体プロセス装置に応用されるインピーダンス整合方法。 - 前記最適な整合経路の取得方法は、
前記可変素子のパラメータ値を前記初期値に調節することと、
前記無線周波数電源をオンにし、且つインピーダンス整合を実現するまで自動整合アルゴリズムを採用し前記可変素子のパラメータ値を調節することであって、整合経路を取得するように整合過程全体における異なる時刻に対応する前記可変素子のパラメータ値を記録することと、
前記整合経路の取得ステップをN回繰り返し行い、Nは所定数値以上の整数であることと、
N本の前記整合経路から1本の整合経路を前記最適な整合経路として選択して記憶することと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のインピーダンス整合方法。 - N本の前記整合経路から1本の整合経路を前記最適な整合経路として選択して記憶することは、具体的に、
N本の前記整合経路から消灯現象のない整合経路を選択することと、
前記消灯現象のない整合経路から、繰り返し出現回数の最も多い整合経路を前記最適な整合経路として選択して記憶することと、を含むことを特徴とする請求項2に記載のインピーダンス整合方法。 - インピーダンス整合器の可変素子のパラメータ値を予め設定される初期値に調節するステップの前に、
前記プロセスに対応する前記最適な整合経路が記憶されるか否かを判断することと、
YESの場合、インピーダンス整合器の可変素子のパラメータ値を予め設定される初期値に調節するステップを行うことと、
NOの場合、前記最適な整合経路の取得方法を実行し、且つ前述した、プロセスに対応する前記最適な整合経路が記憶されるか否かを判断するステップに戻ることと、を更に含むことを特徴とする請求項2に記載のインピーダンス整合方法。 - 前記所定数値が20以上であることを特徴とする請求項2に記載のインピーダンス整合方法。
- 前記初期値は、プラズマの点灯条件を満たす場合に対応する前記可変素子のパラメータ値であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のインピーダンス整合方法。
- 同じ前記プロセスを用いて異なる被加工ワークを加工するとき、予め設定される前記初期値が同じであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のインピーダンス整合方法。
- 前記可変素子が可変容量であり、前記可変素子のパラメータ値が前記可変容量の容量値又は容量位置であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のインピーダンス整合方法。
- 無線周波数伝送線路上の電圧信号及び電流信号を検出するためのセンサ、可変素子、実行ユニット、記憶ユニット及び制御ユニットを備えるインピーダンス整合器であって、
前記実行ユニットは、前記可変素子のパラメータ値を調節するために用いられ、
前記記憶ユニットは、前記可変素子のパラメータ値の初期値及び異なるプロセスに対応する最適な整合経路を記憶するために用いられ、前記最適な整合経路が予め設定される整合時間帯内の異なる時刻に対応する前記可変素子のパラメータ値を含み、
前記センサは、前記予め設定される整合時間帯の終点時刻に到達した後、無線周波数伝送線路上の電圧信号及び電流信号をリアルタイムに検出して前記制御ユニットに送信するために用いられ、
前記制御ユニットは、プロセスが開始するとき、前記記憶ユニットに記憶される前記初期値を呼び出して、前記実行ユニットを制御して前記可変素子のパラメータ値を前記初期値に調節させ、無線周波数電源がオンにされる場合、前記記憶ユニットに記憶される現在のプロセスに対応する最適な整合経路を呼び出して、前記最適な整合経路に基づいて前記実行ユニットを制御して前記可変素子のパラメータ値を調節させ、前記予め設定される整合時間帯の終点時刻に到達した後、インピーダンス整合を実現するまで前記電圧信号及び電流信号に基づいて自動整合アルゴリズムを採用し前記実行ユニットを制御して前記可変素子のパラメータ値を調節させるために用いられることを特徴とするインピーダンス整合器。 - プロセスチャンバと、インピーダンス整合器により前記プロセスチャンバに無線周波数電力をロードするための無線周波数電源と、を備える半導体プロセス装置において、
前記インピーダンス整合器が請求項9に記載のインピーダンス整合器を用いることを特徴とする半導体プロセス装置。 - 前記半導体プロセス装置が用いるプラズマ源は、誘導結合プラズマ源又は容量結合プラズマ源であることを特徴とする請求項10に記載の半導体プロセス装置。
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CN116190190B (zh) * | 2023-04-25 | 2023-07-25 | 季华实验室 | 自动阻抗匹配方法、装置、系统、电子设备及存储介质 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009188152A (ja) | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN108271308A (zh) | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种在电感耦合等离子体处理装置内点燃等离子体的方法 |
CN111430211A (zh) | 2020-04-02 | 2020-07-17 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法 |
Family Cites Families (12)
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CN101478856B (zh) * | 2008-01-04 | 2011-12-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种射频自动阻抗匹配器及其实现方法 |
US8416008B2 (en) * | 2011-01-20 | 2013-04-09 | Advanced Energy Industries, Inc. | Impedance-matching network using BJT switches in variable-reactance circuits |
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US10714314B1 (en) * | 2017-07-10 | 2020-07-14 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11114280B2 (en) * | 2017-07-10 | 2021-09-07 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with multi-level power setpoint |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009188152A (ja) | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN108271308A (zh) | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种在电感耦合等离子体处理装置内点燃等离子体的方法 |
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