KR20050121649A - 유도 결합 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 대형 기판에 대하여 용량 결합 성분에 의한 플라즈마 밀도의 저하 및 전계 분포의 편차에 의한 플라즈마 밀도의 불균일이 발생하지 않고, 보다 고밀도인 플라즈마로 균일한 플라즈마 처리를 할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
고주파 안테나(13)에 고주파 전력을 공급함으로써 처리실(4)내에 유도 결합 플라즈마를 형성하여 기판(G)에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 고주파 안테나(13)는 안테나선(46, 47, 48, 49, 50, 51, 52)의 존재 밀도가 성긴 부분(63)과 조밀한 부분(61, 62)을 갖는 동시에, 그 중심 부분(60)에 안테나선이 존재하지 않도록 구성되어 있다.

Description

유도 결합 플라즈마 처리 장치{INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판에 대하여 에칭 등의 처리를 실시하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(LCD) 등의 제조 공정에 있어서는, 유리 기판에 소정의 처리를 실시하기 위하여, 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 성막(成膜) 장치 등의 각종 플라즈마 처리 장치가 이용된다. 이러한 플라즈마 처리 장치로는 종래에 용량 결합 플라즈마 처리 장치가 사용되었지만, 최근 고진공도로 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있는 큰 이점을 갖는 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma : ICP) 처리 장치가 주목받고 있다.
유도 결합 플라즈마 처리 장치는, 피처리 기판을 수용하는 처리 용기의 유전체창의 외측에 고주파 안테나를 배치하고, 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 동시에 이 고주파 안테나에 고주파 전력을 공급함으로써, 처리 용기내에 유도 결합 플라즈마를 발생시키고, 이 유도 결합 플라즈마에 의해서 피처리 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 것이다. 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 고주파 안테나로는, 소용돌이 형상의 평면 안테나가 많이 사용되고 있다.
그런데, 최근 LCD 유리 기판의 대형화가 진행되고, 그 때문에 유도 결합 플라즈마 처리 장치도 대형화되지 않을 수 없고, 그것에 대응하여 고주파 안테나도 대형화되고 있다.
그러나, 소용돌이 형상의 고주파 안테나를 그 상태에서 대형화하면, 안테나 길이가 길어지고, 안테나 임피던스가 높아져서, 고주파 안테나에 공급하는 고주파 전력의 정합이 어려워지는 동시에, 안테나 전위가 높아지는 문제가 있다. 안테나 전위가 높아지면, 고주파 안테나와 플라즈마 사이의 용량 결합이 강해져서, 유도 결합 플라즈마를 효과적으로 형성할 수 없는 동시에, 전계 분포에 편차가 발생하여 플라즈마 밀도가 불균일해져, 처리가 불균일하게 되는 문제가 발생한다.
안테나 임피던스를 저하시키는 기술로는, 고주파 안테나를 평면내에서 다중화하여 인덕턴스를 저감하는 것이 알려져 있다(일본 특허 공개 공보 제 1996-83696 호 등).
그러나, 종래의 다중화 안테나는 중앙에 분기부가 있기 때문에, 다중화가 진행하면 분기부가 평판화하고 용량 결합 성분이 증가하여 충분한 플라즈마 밀도를 얻을 수 없게 되며, 또한 상술한 바와 같이 기판이 대형화한 경우, 이러한 안테나의 다중화에 의한 전계 분포의 편차를 방지하는 효과에도 한계가 있다. 이 때문에, 용량 결합 성분을 보다 감소시키고, 또한 전계 분포의 편차에 의한 처리의 불균일을 보다 개선하여, 보다 고밀도인 플라즈마로 균일한 플라즈마 처리를 실현할 것이 강하게 요구되고 있다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 성립된 것으로, 대형 기판에 대하여 용량 결합 성분에 의한 플라즈마 밀도의 저하 및 전계 분포의 편차에 의한 플라즈마 밀도의 불균일이 발생하지 않고, 보다 고밀도인 플라즈마로 균일한 플라즈마 처리를 할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 피처리 기판을 수용하여 플라즈마 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실내에서 피처리 기판이 탑재되는 기판 탑재대와, 상기 처리실내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와, 상기 처리실내를 배기하는 배기계와, 상기 처리실의 상부벽을 구성하는 유전체벽과, 상기 처리실 외부의 상기 유전체벽에 대응하는 부분에 소정의 패턴으로 안테나선을 형성하여 설치되고, 소정의 고주파 전력이 공급됨으로써 상기 처리실내에 유도 전계를 형성하기 위한 고주파 안테나와, 상기 고주파 안테나의 중심부 부근에 고주파 전력을 공급하는 급전(給電) 부재를 구비하며, 상기 고주파 안테나에 고주파 전력을 공급함으로써 상기 처리실내에 유도 결합 플라즈마를 형성하여 피처리 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서, 상기 고주파 안테나는 상기 안테나선의 존재 밀도가 성긴 부분과 조밀한 부분을 갖는 동시에, 그 중심 부분에 안테나선이 존재하지 않도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
이와 같이, 고주파 안테나를 안테나선의 존재 밀도가 성긴 부분과 조밀한 부분을 갖게 함으로써, 유도 전계의 균일화(유도 전계 분포의 편차 해소)를 도모할 수 있고, 균일한 플라즈마를 생성할 수 있으며, 급전 부분에 대응하는 중심 부분에 안테나선이 존재하지 않게 됨으로써, 대형 기판이더라도 안테나와 플라즈마의 용량 결합을 저감하여, 플라즈마 밀도의 저하를 억제할 수 있다.
상기 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 고주파 안테나는 상기 급전 부재로부터 상기 안테나선이 복수 분기되고 다중화되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 다중화함으로써, 인덕턴스를 저감하여 안테나 임피던스를 저하시키고, 안테나 전위를 저하시킬 수 있어, 상기 전계 분포의 불균일을 한층 더 효과적으로 해소할 수 있는 동시에, 용량 결합을 발생시키는 것이 어렵게 할 수 있다. 이 안테나선의 수를 8개로 8중화함으로써, 이러한 효과를 매우 높게 할 수 있다.
안테나선에는 1개 또는 복수개의 콘덴서가 직렬로 개재되어 있는 것이 바람직하다. 이로써 안테나 임피던스를 저하시키고, 안테나 전위를 저하시킬 수 있다. 또한, 다중화된 안테나에 있어서는, 복수의 안테나선의 어느 것에도 1개 또는 복수개의 콘덴서를 직렬로 개재시킴으로써, 다중화와의 상승 작용에 의해 안테나 임피던스를 저하시키는 효과를 한층 더 높일 수 있다.
고주파 안테나는, 그 일부 또는 전부가 유전체벽으로부터 이격되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, 고주파 안테나를 유전체벽으로부터 적절히 이격시킴으로써 고주파 안테나와 플라즈마간의 용량 결합을 저하시킬 수 있다. 또한, 고주파 안테나에 있어서, 중앙 부분이 주연 부분보다도 유전체벽으로부터의 거리가 크도록 할 수도 있다. 이로써, 안테나의 가장 전위가 높은 급전부 근방 부분을 유전체벽으로부터 보다 이격시켜 용량 결합 성분을 효과적으로 저감시킬 수 있다. 이 경우에, 안테나의 주연 부분을 유전체벽에 접촉시켜서, 중앙 부분만을 유전체벽으로부터 이격할 수도 있다.
또한, 안테나선이 8개 있는 경우에, 고주파 안테나는 그 중심부의 주위에 중심으로부터 대략 동일 반경 위치에 또한 90°씩 어긋난 위치에 배치된 상기 급전 부재에 접속된 4개의 급전부를 갖고, 각 급전부로부터 2개씩의 안테나선이 외측으로 연장되어 구성되어 있으며, 각 급전부로부터 연장되는 2개의 안테나선은 서로 근접하여 평행하게 설치되고, 급전부로부터 안테나 주연부의 중간 위치까지 연장되는 제 1 직선부와, 상기 제 1 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡되어 안테나 주연부까지의 중간 위치까지 연장되는 제 2 직선부와, 제 2 직선부의 종단 위치에서 경사지게 외측으로 굴곡하여 안테나 주연부까지 연장되는 제 3 직선부와, 제 3 직선부의 종단 위치에서 굴곡하여 상기 제 1 직선부와 대략 평행하게 연장되는 제 4 직선부를 갖고, 인접하는 급전부로부터 연장되는 안테나선의 제 1 직선부는 순차적으로 90°씩 어긋나 있으며, 4개의 급전부로부터 2개씩 연장되는 안테나선의 제 1 직선부 및 제 2 직선부에 의해, 안테나선이 조밀하게 배치된 중앙부가 형성되고, 제 4 직선부에 의해 안테나선이 조밀하게 배치된 주연부가 형성되며, 상기 제 3 직선부에 의해 안테나선이 성기게 배치된 중간부가 형성되고, 상기 4개의 급전부의 내측의 중심부에는 안테나선이 존재하지 않도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 구성함으로써, 고주파 안테나에 안테나선이 적절한 밀도로 형성되어 전계 분포를 균일화할 수 있고, 또한 안테나선을 8중화했기 때문에 안테나 임피던스를 저감시킬 수 있으며, 게다가 급전부를 중심부의 주위에 설치하여 다중화에 수반하는 용량 결합 성분의 증가를 발생시키지 않도록 했기 때문에, 대형 기판이더라도 용량 결합 성분에 의한 플라즈마 밀도의 저하 및 전계 분포의 편차에 의한 플라즈마 밀도의 불균일이 발생하지 않으며, 보다 고밀도인 플라즈마로 균일한 플라즈마 처리를 할 수 있다.
이 경우에, 8개의 안테나선은 1개 걸러서 4개의 길이가 동일한 2 세트로 구성하는 것이 바람직하다. 이로써, 완전히 동일한 안테나선 쌍이 90°씩 어긋나 4개 배치되므로 안테나선의 배치가 대칭적으로 되고, 전계 강도 균일화 효과가 높아진다. 또한, 8개의 안테나선은 동일한 길이를 가질 수도 있다. 또한, 각 급전부로부터 연장되는 2개의 안테나선 중 내측 부분의 것이, 제 4 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡하여 연장되는 제 5 직선부를 가질 수도 있다. 이로써 8개의 안테나선을 용이하게 동일한 길이로 할 수 있다. 또한, 상기 8개의 안테나선의 주연부측 단부는, 콘덴서를 거쳐 접지되어 있는 것이 바람직하다. 이로써 안테나 임피던스를 저감할 수 있다.
또한, 고주파 안테나가, 그 중심부의 주위에, 중심으로부터 대략 동일 반경 위치에 또한 90°씩 어긋난 위치에 배치된 상기 급전 부재에 접속된 4개의 급전부를 갖고, 각 급전부로부터 1개씩 합계 4개의 안테나선이 외측으로 연장되어 구성되어 있으며, 각 급전부로부터 연장되는 안테나선은, 급전부로부터 안테나 주연부의 중간 위치까지 연장되는 제 1 직선부와, 상기 제 1 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡하여 안테나 주연부까지의 중간 위치까지 연장되는 제 2 직선부와, 제 2 직선부의 종단 위치에서 경사지게 외측으로 굴곡하여 안테나 주연부까지 연장되는 제 3 직선부와, 제 3 직선부의 종단 위치에서 굴곡하여 상기 제 1 직선부와 대략 평행하게 연장되는 제 4 직선부를 가지며, 인접하는 급전부로부터 연장되는 안테나선의 제 1 직선부는 순차적으로 90°씩 어긋나 있으며, 4개의 급전부로부터 1개씩 연장되는 안테나선의 제 1 직선부 및 제 2 직선부에 의해, 안테나선이 조밀하게 배치된 중앙부가 형성되고, 제 4 직선부에 의해 안테나선이 조밀하게 배치된 주연부가 형성되며, 상기 제 3 직선부에 의해 안테나선이 성기게 배치된 중간부가 형성되고, 상기 4개의 급전부의 내측의 중심부에는 안테나선이 존재하지 않도록 구성하는 것도 바람직하다.
이 구성은, 상기 8개의 안테나선에 의한 고주파 안테나와 동일하게 4개의 급전부를 갖고, 이들 급전부로부터 상술한 바와 동일한 구성의 안테나선이 1개씩 연장된 구성으로, 상기 구성과 같이 고주파 안테나에 안테나선이 적절한 밀도로 형성되어 전계 분포를 균일화할 수 있으며, 또한 안테나선을 4중화했기 때문에 8중화의 경우 정도는 아니지만 안테나 임피던스를 저감할 수 있고, 게다가 급전부를 중심부의 주위에 설치하여 다중화에 수반하는 용량 결합 성분의 증가를 발생시키지 않도록 했기 때문에, 대형 기판이라도 용량 결합 성분에 의한 플라즈마 밀도의 저하 및 전계 분포의 편차에 의한 플라즈마 밀도의 불균일이 발생하지 않고, 고밀도의 플라즈마로 균일한 플라즈마 처리를 실시할 수 있다.
이 경우에, 상기 각 안테나선의 주연부측 단부 및 상기 제 3 직선부에 콘덴서가 개재되어 있는 것이 바람직하다. 이로써 안테나 임피던스를 더 저감하고, 안테나의 전위를 도중에 저하할 수 있다. 또한 상기 제 3 직선부에 개재된 콘덴서를 안테나선의 길이의 중심으로 위치시킴으로써, 이러한 효과를 보다 높일 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 에칭 장치를 도시하는 단면도이다. 이 장치는, 예컨대 LCD의 제조에 있어서 LCD 유리 기판상에 박막 트랜지스터를 형성할 때에, 금속막, ITO막, 산화막 등을 에칭하기 위해 사용된다.
이 플라즈마 에칭 장치는, 도전성 재료, 예컨대 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되는 사각통 형상의 기밀한 본체 용기(1)를 갖는다. 이 본체 용기(1)는 분해 가능하게 조립할 수 있고, 접지선(1a)에 의해 접지되어 있다. 본체 용기(1)는 유전체벽(2)에 의해 상하에 안테나실(3) 및 처리실(4)로 구획되어 있다. 따라서, 유전체벽(2)은 처리실(4)의 천정벽을 구성하고 있다. 유전체벽(2)은 Al2O3 　등의 세라믹, 석영 등으로 구성되어 있다.
유전체벽(2)의 하측 부분에는, 처리 가스 공급용의 샤워 하우징(11)이 삽입되어 있다. 샤워 하우징(11)은 +자 형상으로 설치되어 있고, 유전체벽(2)을 하측으로부터 지지하는 구조로 되어 있다. 또한, 상기 유전체벽(2)을 지지하는 샤워 하우징(11)은, 복수의 서스펜더(도시하지 않음)에 의해 본체 용기(1)의 천정에 매달린 상태로 되어 있다.
이 샤워 하우징(11)은 도전성 재료, 바람직하게는 금속, 예컨대 오염물이 발생하지 않도록 그 내면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 이 샤워 하우징(11)에는 수평으로 연장되는 가스 유로(12)가 형성되어 있고, 이 가스 유로(12)에는 하측을 향해 연장되는 복수의 가스 토출 구멍(12a)이 연통되어 있다. 한편, 유전체벽(2)의 상면 중앙에는, 이 가스 유로(12)에 연통되도록 가스 공급관(20a)이 설치되어 있다. 가스 공급관(20a)은, 본체 용기(1)의 천정으로부터 그 외측으로 관통되고, 처리 가스 공급원 및 밸브 시스템 등을 포함하는 처리 가스 공급계(20)에 접속되어 있다. 따라서, 플라즈마 처리에 있어서는, 처리 가스 공급계(20)로부터 공급된 처리 가스가 가스 공급관(20a)을 거쳐 샤워 하우징(11)내에 공급되고, 그 하면의 가스 공급 구멍(12a)으로부터 처리실(4)내로 토출된다.
본체 용기(1)에 있어서의 안테나실(3)의 측벽(3a)과 처리실(4)의 측벽(4a) 사이에는 내측으로 돌출되는 지지 선반(5)이 설치되어 있고, 이 지지 선반(5) 위에 유전체벽(2)이 탑재된다.
안테나실(3)내에는 유전체벽(2)상에 유전체벽(2)이 향하도록 고주파(RF) 안테나(13)가 배치되어 있다. 이 고주파 안테나(13)는 절연 부재로 구성되는 스페이서(13a)에 의해 유전체벽(2)으로부터 50㎜ 이하의 범위로 이격되어 있다. 안테나실(3)의 중앙부 부근에는, 연직으로 연장되는 4개의 급전 부재(16)가 설치되어 있고, 이들 급전 부재(16)에는 정합기(14)를 거쳐 고주파 전원(15)이 접속되어 있다. 급전 부재(16)는 상기 가스 공급관(20a)의 주위에 설치되어 있다. 또한, 고주파 안테나(13)의 상세한 사항은 후술한다.
플라즈마 처리 중, 고주파 전원(15)으로부터는, 유도 전계 형성용의 예컨대 주파수가 13.56㎒인 고주파 전력이 고주파 안테나(13)로 공급된다. 이와 같이 고주파 전력이 공급된 고주파 안테나(13)에 의해, 처리실(4)내에 유도 전계가 형성되고, 이 유도 전계에 의해 샤워 하우징(11)으로부터 공급된 처리 가스가 플라즈마화된다. 이 때의 고주파 전원(15)의 출력은 플라즈마를 발생시키는데 충분한 값이 되도록 적절히 설정된다.
처리실(4)내의 하측에는, 유전체벽(2)을 사이에 두고 고주파 안테나(13)와 대향하도록, LCD 유리 기판(G)을 탑재하기 위한 탑재대로서의 서셉터(22)가 설치되어 있다. 서셉터(22)는 도전성 재료, 예컨대 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 서셉터(22)에 탑재된 LCD 유리 기판(G)은, 정전 척(도시하지 않음)에 의해 서셉터(22)에 흡착 유지된다.
서셉터(22)는 절연체 프레임(24)내에 수납되고, 또한 중공의 지주(25)에 지지된다. 지주(25)는 본체 용기(1)의 바닥부를 기밀 상태로 유지하면서 관통하며, 본체 용기(1) 외측에 배치된 승강 기구(도시하지 않음)에 지지되고, 기판(G)의 반입출시에 승강 기구에 의해 서셉터(22)가 상하 방향으로 구동된다. 또한, 서셉터(22)를 수납하는 절연체 프레임(24)과 본체 용기(1)의 바닥부 사이에는, 지주(25)를 기밀하게 포위하는 벨로우즈(26)가 배치되어 있고, 이로써 서셉터(22)의 상하 이동에 의해서도 처리 용기(4)내의 기밀성이 보증된다. 또한 처리실(4)의 측벽(4a)에는, 기판(G)을 반입출하기 위한 반입출구(27a) 및 그것을 개폐하는 게이트 밸브(27)가 설치되어 있다.
서셉터(22)에는 중공의 지주(25)내에 설치된 급전봉(25a)에 의해, 정합기(28)를 거쳐 고주파 전원(29)이 접속되어 있다. 이 고주파 전원(29)은, 플라즈마 처리중에, 바이어스용 고주파 전력, 예컨대 주파수 6㎒의 고주파 전력을 서셉터(22)에 인가한다. 이 바이어스용 고주파 전력에 의해, 처리실(4)내에 생성된 플라즈마중의 이온이 효과적으로 기판(G)으로 인입된다.
또한, 서셉터(22)내에는, 기판(G)의 온도를 제어하기 위해, 세라믹 히터 등의 가열 수단이나 냉매 유로 등으로 구성되는 온도 제어 기구와, 온도 센서가 설치되어 있다(모두 도시하지 않음). 이들의 기구나 부재에 대한 배관이나 배선은, 모두 중공의 지주(25)를 통해 본체 용기(1) 밖으로 도출된다.
처리실(4)의 바닥부에는 배기관(31)을 거쳐 진공 펌프 등을 포함하는 배기 장치(30)가 접속되고, 이 배기 장치(30)에 의해 처리실(4)이 배기되고, 플라즈마 처리 동안 처리실(4)내가 소정의 진공 분위기(예컨대 1.33 ㎩)로 설정되어 유지된다.
다음으로, 상기 고주파 안테나(13)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.
도 2는 고주파 안테나(13)를 도시하는 평면도이다. 도 2에 도시하는 바와 같이 고주파 안테나(13)는, 외형이 정방형인 8중 안테나이다. 이하, 편의적으로 고주파 안테나(13)의 중심을 원점 0으로 하는 XY 좌표계에 의해 이 고주파 안테나(13)에 대하여 설명한다.
이 고주파 안테나(13)는, 그 중심부의 주위에, 중심으로부터 대략 동일 반경 위치에 또한 약 90°씩 어긋난 위치에 급전 부재(16)에 접속하는 4개의 급전부(41, 42, 43, 44)를 갖고, 이 각 급전부로부터 2개씩의 안테나선이 외측으로 연장되어 구성되어 있다. 구체적으로는, 급전부(41)로부터는 2개의 안테나선(45, 46)이 연장되어 있고, 급전부(42)로부터는 안테나선(47, 48)이 연장되어 있으며, 급전부(43)로부터는 안테나선(49, 50)이 연장되어 있고, 급전부(44)로부터는 안테나선(51, 52)이 연장되어 있다. 그리고, 각 급전부로부터 연장되는 2개의 안테나선은 서로 근접하여 평행하게 설치되어 있다.
급전부(41)로부터 연장되는 안테나선(45, 46)은, 각각 Y축 음의 방향을 향해 급전부(41)로부터 안테나 주연부의 중간 위치까지 연장되는 제 1 직선부(45a, 46a)와, 제 1 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡하여 안테나 주연부까지의 중간 위치까지 연장되는 제 2 직선부(45b, 46b)와, 제 2 직선부의 종단 위치에서 경사지게 외측으로 약 45°의 각도로 굴곡하여 안테나 주연부까지 연장되는 제 3 직선부(45c, 46c)와, 제 3 직선부(45c, 46c)의 종단 위치에서 굴곡하여 상기 제 1 직선부(45a, 46a)와 대략 평행하게 연장되는 제 4 직선부(45d, 46d)를 갖고 있다. 또한, 내측의 안테나선(46)은 외측의 안테나선(45)과 동일한 길이가 되도록, 제 4 직선부(46d)의 종단 위치에서 90°내측으로 굴곡한 제 5 직선부(46e)를 갖고 있다. 그리고 안테나선(45)은 제 4 직선부(45d)의 종단에서 직렬로 접속된 콘덴서(18)를 거쳐 접지되어 있으며, 안테나선(46)은 제 5 직선부(46e)의 종단에서 직렬로 접속된 콘덴서(18)를 거쳐 접지되어 있다.
급전부(41)의 시계 회전 방향으로 인접하는 급전부(42)로부터 연장되는 안테나선(47, 48)은, 각각 상기 안테나선(45, 46)의 제 1 직선부(45a, 46a)의 방향으로부터 90°어긋난 방향, 즉 X축 음의 방향을 향해 급전부(42)로부터 안테나 주연부의 중간 위치까지 연장되는 제 1 직선부(47a, 48a)와, 제 1 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡하여 안테나 주연부까지의 중간 위치까지 연장되는 제 2 직선부(47b, 48b)와, 제 2 직선부의 종단 위치에서 경사지게 외측으로 약 45°의 각도로 굴곡하여 안테나 주연부까지 연장되는 제 3 직선부(47c, 48c)와, 제 3 직선부(47c, 48c)의 종단 위치에서 굴곡하여 상기 제 1 직선부(47a, 48a)와 대략 평행하게 연장되는 제 4 직선부(47d, 48d)를 갖고 있다. 또한, 내측의 안테나선(48)은 외측의 안테나선(47)과 동일한 길이가 되도록, 제 4 직선부(48d)의 종단 위치에서 90°내측으로 굴곡한 제 5 직선부(48e)를 갖고 있다. 그리고 안테나선(47)은 제 4 직선부(47d)의 종단에서 직렬로 접속된 콘덴서(18)를 거쳐서 접지되어 있고, 안테나선(48)은 제 5 직선부(48e)의 종단에서 직렬로 접속된 콘덴서(18)를 거쳐서 접지되어 있다.
급전부(42)의 시계 회전 방향으로 인접하는 급전부(43)로부터 연장되는 안테나선(49, 50)은, 각각 상기 안테나선(47, 48)의 제 1 직선부(47a, 48a)의 방향으로부터 90°어긋난 방향, 즉 Y축 양의 방향을 향해 급전부(43)로부터 안테나 주연부의 중간 위치까지 연장되는 제 1 직선부(49a, 50a)와, 제 1 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡하여 안테나 주연부까지의 중간 위치까지 연장되는 제 2 직선부(49b, 50b)와, 제 2 직선부의 종단 위치에서 경사지게 외측으로 약 45°의 각도로 굴곡하여 안테나 주연부까지 연장되는 제 3 직선부(49c, 50c)와, 제 3 직선부(49c, 50c)의 종단 위치에서 굴곡하여 상기 제 1 직선부(49a, 50a)와 대략 평행하게 연장되는 제 4 직선부(49d, 50d)를 갖고 있다. 또한, 내측의 안테나선(50)은 외측의 안테나선(49)과 동일한 길이가 되도록, 제 4 직선부(50d)의 종단 위치에서 90°내측으로 굴곡한 제 5 직선부(50e)를 갖고 있다. 그리고 안테나선(49)은 제 4 직선부(49d)의 종단에서 직렬로 접속된 콘덴서(18)를 거쳐 접지되어 있으며, 안테나선(50)은 제 5 직선부(50e)의 종단에서 직렬로 접속된 콘덴서(18)를 거쳐 접지되어 있다.
급전부(43)의 시계 회전 방향으로 인접하는 급전부(44)로부터 연장되는 안테나선(51, 52)은, 각각 상기 안테나선(49, 50)의 제 1 직선부(49a, 50a) 방향으로부터 90°어긋난 방향, 즉 X축 양의 방향을 향해 급전부(44)로부터 안테나 주연부의 중간 위치까지 연장되는 제 1 직선부(51a, 52a)와, 제 1 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡하여 안테나 주연부까지의 중간 위치까지 연장되는 제 2 직선부(51b, 52b)와, 제 2 직선부의 종단 위치에서 경사지게 외측으로 약 45°의 각도로 굴곡하여 안테나 주연부까지 연장되는 제 3 직선부(51c, 52c)와, 제 3 직선부(51c, 52c)의 종단 위치에서 굴곡하여 상기 제 1 직선부(51a, 52a)와 대략 평행하게 연장되는 제 4 직선부(51d, 52d)를 갖고 있다. 또한, 내측의 안테나선(52)은 외측의 안테나선(51)과 동일한 길이가 되도록 제 4 직선부(52d)의 종단 위치에서 90°내측으로 굴곡한 제 5 직선부(52e)를 갖고 있다. 그리고 안테나선(51)은 제 4 직선부(51d)의 종단에서 직렬로 접속된 콘덴서(18)를 거쳐 접지되어 있으며, 안테나선(52)은 제 5 직선부(52e)의 종단에서 직렬로 접속된 콘덴서(18)를 거쳐 접지되어 있다.
그리고, 4개의 급전부(41, 42, 43, 44) 사이의 안테나선이 존재하지 않는 중심 부분(60)의 외측 부분에, 안테나선(45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52)의 제 1 직선부(45a, 46a, 47a, 48a, 49a, 50a, 51a, 52a) 및 제 2 직선부(45b, 46b, 47b, 48b, 49b, 50b, 51b, 52b)가 배치된 안테나선이 조밀하게 존재하는 대략적인 정방형의 중앙부(61)가 형성되고, 제 4 직선부(45d, 46d, 47d, 48d, 49d, 50d, 51d, 52d)가 배치된 안테나선이 조밀하게 존재하는 대략적인 정방형의 주연부(62)가 형성되며, 중앙부(61)와 주연부(62) 사이에는 제 3 직선부(45c, 46c, 47c, 48c, 49c, 50c, 51c, 52c)가 배치된 안테나선이 성기게 존재하는 중간부(63)가 형성되어 있다.
안테나선(45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52)은 모두 동일한 길이를 갖고 있고, 또한 각 안테나선에 접속되어 있는 콘덴서(18)는 모두 동일한 용량을 갖고 있다. 따라서, 각 안테나선에 흐르는 전류값은 동일해진다.
다음으로, 이상과 같이 구성되는 유도 결합 플라즈마 에칭 장치를 이용하여 LCD 유리 기판(G)에 대하여 플라즈마 에칭 처리를 실시할 때의 처리 동작에 대하여 설명한다.
우선, 게이트 밸브(27)를 개방한 상태에서 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 기판(G)을 처리실(4)내로 반입하고, 서셉터(22)의 탑재면에 탑재한 후, 정전 척(도시하지 않음)에 의해 기판(G)을 서셉터(22)상에 고정한다. 다음으로, 처리실(4)내에 처리 가스 공급계(20)로부터 에칭 가스를 포함하는 처리 가스를 샤워 하우징(11)의 가스 토출 구멍(12a)으로부터 처리실(4)내로 토출시키는 동시에, 배기 장치(30)에 의해 배기관(31)을 거쳐서 처리실(4)내를 진공 배기함으로써, 처리실내를 예컨대 1.33㎩ 정도의 압력 분위기로 유지한다.
이어서, 고주파 전원(15)으로부터 13.56㎒의 고주파를 고주파 안테나(13)에 인가하고, 이로써 유전체벽(2)을 거쳐 처리실(4)내에 균일한 유도 전계를 형성한다. 이렇게 하여 형성된 유도 전계에 의해, 처리실(4)내에서 처리 가스가 플라즈마화하여, 고밀도의 유도 결합 플라즈마가 생성된다.
이 경우에, 고주파 안테나(13)는, 상술한 바와 같이, 안테나선을 조밀하게 배치한 중앙부(61) 및 주연부(62), 안테나선을 성기게 배치한 중간부(63)를 형성하고, 안테나선이 조밀하게 존재하는 부분과 성기게 존재하는 부분이 교대로 되도록 구성되어 있으며, 또한 급전 부분에 대응하는 중심 부분(60)에 안테나선이 존재하지 않기 때문에, 한변이 1m 이상인 초대형 기판(G)이더라도 전계 분포의 편차에 의한 플라즈마 밀도의 불균일 및 용량 결합 성분에 의한 플라즈마 밀도의 저하가 발생하지 않는다.
안테나선의 중앙 부분으로부터 급전하는 유형은, 용량 전계 강도가 처리 용기의 중심 부분에서 크고, 주변 부분에서 작은 경향이 있지만, 이와 같이 중심 부분에 안테나선이 존재하지 않고, 또한 밀도를 안테나선의 존재 밀도로 형성함으로써, 처리실(4)내의 고주파 안테나(13) 바로 아래 부분에 도 3에 도시하는 바와 같은 유도 전계 강도 분포가 형성되고, 처리실(4)내의 기판(G)의 배치 부분에 있어서 유도 전계 강도 분포가 균일해져 전계 강도 분포를 균일하게 할 수 있다.
또한, 고주파 안테나(13)는 급전 부재로부터 8개의 안테나선이 분기되어 다중화되어 있기 때문에, 안테나선이 1개인 경우와 비교하여 인덕턴스를 1/8로 저감하여 안테나 임피던스를 저하시킬 수 있다. 따라서, 안테나 전위를 효과적으로 저하시킬 수 있고, 이에 의해서도 전계 분포의 불균일이나 용량 결합 성분의 증가를 발생하기 어렵게 할 수 있다.
또한, 안테나선(45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52)의 종단 부분에 콘덴서(18)가 직렬로 개재되어 있기 때문에, 안테나 임피던스를 저하시켜, 안테나 전위를 저하시킬 수 있다.
또한, 고주파 안테나(13)는 스페이서(13a)에 의해 유전체벽(2)으로부터 이격되어 있기 때문에, 고주파 안테나(13)와 플라즈마 사이의 용량 결합을 저하시킬 수 있다. 또한, 이 때의 이격 거리는, 고주파 전력의 주파수, 출력, 얻고자 하는 플라즈마 밀도에 따라 50㎜ 이하의 범위에서 적절히 설정할 수 있다.
또한, 안테나선(45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52)은 모두 동일한 길이를 갖고 있고, 또한 각 안테나선에 접속되어 있는 콘덴서(18)는 모두 동일한 용량을 갖고 있기 때문에, 각 안테나선에 흐르는 전류값은 동일하게 되어, 전계 강도 균일화 효과가 높아진다. 단, 8개의 안테나선을 1개 걸러서 4개의 길이가 동일한 2 세트로 구성하면, 완전히 동일한 안테나선 쌍이 90°씩 어긋나 4개가 배치되기 때문에 안테나선의 배치가 대칭적으로 되어, 전계 강도 균일화 효과를 얻을 수 있다.
이상과 같이 플라즈마 밀도의 불균일 및 용량 결합 성분에 의한 플라즈마 밀도의 저하가 방지되기 때문에, 한변이 1m 이상인 초대형 기판(G)이더라도, 보다 고밀도인 플라즈마로 보다 균일한 플라즈마 에칭 처리를 실행할 수 있다.
이상과 같이 에칭 처리를 실시한 후, 고주파 전원(15, 29)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하고, 처리실(4)내의 압력을 소정의 압력까지 승압하여 게이트 밸브(27)를 개방 상태로 하며, 반입출구(27a)를 거쳐 처리실(4)내로부터 도시하지 않은 로드로크실로 기판(G)을 반출함으로써, 기판(G)의 에칭 처리를 종료한다.
다음으로, 고주파 안테나의 다른 예에 대하여 설명한다.
도 4는 고주파 안테나의 다른 예의 구조를 도시하는 평면도이다. 이 고주파 안테나(13')는, 도 2의 고주파 안테나(13)의 급전부(41, 42, 43, 44)와 같이 설치된 4개의 급전부(41', 42', 43', 44')를 갖고, 이들 급전부로부터 각각 안테나선이 1개씩 연장된 4중화 안테나이다. 구체적으로는, 급전부(41')로부터는 안테나선(45')이, 급전부(42')로부터는 안테나선(47')이, 급전부(43')로부터는 안테나선(49')이, 급전부(44')로부터는 안테나선(51')이 연장되어 있다.
이들 안테나선(45', 47', 49', 51')은, 각각 제 1 직선부(45a', 47a', 49a', 51a'), 제 2 직선부(45b', 47b', 49b', 51b'), 제 3 직선부(45c', 47c', 49c', 51c'), 제 4 직선부(45d', 47d', 49d', 51d')를 갖고 있고, 이들 안테나선(45', 47', 49', 51')은 제 3 직선부(45c', 47c', 49c', 51c')에 콘덴서(19)가 개재되어 있는 이외는, 도 2의 안테나선(45, 47, 49, 51)과 동일한 구조 및 배치를 갖고 있다.
따라서, 이 고주파 안테나(13')는 도 2의 고주파 안테나(13)와 같이 4개의 급전부(41', 42', 43', 44') 사이의 안테나선이 존재하지 않는 중심 부분(60')의 외측 부분에, 안테나선(45', 47', 49', 51')의 제 1 직선부(45a', 47a', 49a', 51a') 및 제 2 직선부(45b', 47b', 49b', 51b')가 배치된 안테나선이 조밀하게 존재하는 대략 정방형의 중앙부(61')가 형성되고, 제 4 직선부(45d', 47d', 49d', 51d')가 배치된 안테나선이 조밀하게 존재하는 대략 정방형의 주연부(62')가 형성되며, 중앙부(61')와 주연부(62') 사이에는 제 3 직선부(45c', 47c', 49c', 51c')가 배치된 안테나선이 성기게 존재하는 중간부(63')가 형성되어 있다.
안테나선(45', 47', 49', 51')은 모두 동일한 길이를 갖고 있으며, 또한 각 안테나선에 접속되어 있는 종단 콘덴서(18) 및 제 3 직선부에 설치된 콘덴서(19)는 각각 모두 동일한 용량을 갖고 있어, 따라서 각 안테나선으로 흐르는 전류값은 동일하게 된다.
이와 같이, 도 4의 고주파 안테나(13')도, 도 2의 고주파 안테나와 동일하게 안테나선을 조밀하게 배치한 중앙부(61') 및 주연부(62'), 안테나선을 성기게 배치한 중간부(63')를 형성하고, 안테나선이 조밀하게 존재하는 부분과 성기게 존재하는 부분이 교대로 되도록 구성되어 있으며, 또한 급전 부분에 대응하는 중심 부분(60')에 안테나선이 존재하지 않기 때문에, 한변이 1m 이상인 초대형 기판(G)이더라도 전계 분포의 편차에 의한 플라즈마 밀도의 불균일 및 용량 결합 성분에 의한 플라즈마 밀도의 저하가 발생하지 않는다.
또한, 고주파 안테나(13')는 급전 부재로부터 4개의 안테나선이 분기되어 다중화되어 있기 때문에, 안테나선이 1개인 경우와 비교하여 인덕턴스를 1/4로 저감하여 안테나 임피던스를 저하시킬 수 있다. 따라서, 안테나 전위를 효과적으로 저하시킬 수 있어, 이로써도 전계 분포의 불균일이나 용량 결합 성분의 증가가 발생하기 어렵게 할 수 있다.
안테나선(45', 47', 49', 51')의 종단 부분 및 제 3 직선부에 각각 콘덴서(18, 19)가 각 안테나선에 대하여 직렬로 개재되어 있기 때문에, 이로써도 안테나 임피던스를 저하시켜, 안테나 전위를 저하시킬 수 있다. 또한, 이 고주파 안테나(13')는 4중화 안테나이기 때문에 도 2의 8중화한 고주파 안테나와 비교하여 본질적으로 안테나 임피던스 저감 효과는 작지만, 각 안테나선에 2개의 콘덴서(18, 19)가 개재되어 있기 때문에, 안테나 임피던스 저감 효과 및 안테나 전위를 도중에 저하시키는 효과를 얻을 수 있으며, 도 2의 고주파 안테나(13)에 근접하는 효과를 얻을 수 있다. 이 경우에, 콘덴서(19)를 각 안테나선의 길이의 중심에 위치시킴으로써, 상기 효과를 한층 더 높일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 각종 변형이 가능하다. 예컨대, 상기 실시예에서는, 고주파 안테나를 도 2에 도시하는 패턴으로 했지만, 이에 한정되지 않고, 피처리 기판 배치 부분의 전계가 균일하게 되도록 안테나선의 밀도가 형성되어 있으면 무방하다. 예컨대, 도 2의 예에서는 급전부를 4개 설치했지만, 3개 이하이거나 5 이상이어도 무방하고, 또한 각 급전부로부터 연장되는 안테나선의 수도 1개 또는 2개에 한정되지 않고 3개(안테나의 총수는 12개) 이상일 수도 있다. 또한, 각 안테나선을 정방형을 형성하도록 굴곡시켰지만, 이에 한정되지 않고, 기판 형상 등에 따라 곡선 등을 포함한 다른 형상으로 굴곡할 수도 있다. 안테나선의 개수가 증가할수록 임피던스 저하 효과는 커지지만, 다중화가 진행하면 안테나선의 배치가 곤란해지며, 또한 용량 결합 성분이 증가하기 쉬워지는 경향이 있기 때문에, 이러한 불량이 발생하지 않고 임피던스 저하 효과를 효과적으로 발휘시키는 관점에서, 도 2에 도시하는 바와 같은 8중 안테나가 바람직하다.
상기 실시예에서는, 고주파 안테나 전부를 균일한 거리로 유전체벽으로부터 이격했지만, 도 5에 도시하는 바와 같이 중앙 부분이 주연 부분보다도 상기 유전체벽으로부터의 거리가 커지도록 할 수도 있다. 이로써, 안테나의 가장 전위가 높은 급전부 근방 부분을 유전체벽으로부터 보다 이격시켜 용량 결합 성분을 효과적으로 저감시킬 수 있다. 또한, 동일한 이유에서 안테나의 중앙 부분만을 이격시키도록 할 수도 있다. 다른 대책으로 용량 결합 성분이 충분히 저감되어 있는 경우에는, 고주파 안테나를 유전체벽으로부터 이격하지 않도록 할 수도 있다.
상기 실시예에서는, 각 안테나선에 콘덴서를 1개 또는 2개씩 설치했지만, 3개 이상일 수도 있다. 또한, 콘덴서를 설치하는 위치도 상기 실시예에 한정되는 것이 아니다.
또한, 상기 실시예에서는, 본 발명을 에칭 장치에 적용한 경우에 대하여 개시했지만, 에칭 장치에 한정하지 않고, 스퍼터링이나 CVD 성막 등의 다른 플라즈마 처리 장치에 적용할 수 있다. 또한, 피처리 기판으로서 LCD 기판을 이용했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 반도체 웨이퍼 등 다른 기판을 처리하는 경우에도 적용 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 대략 평면적으로 배치된 고주파 안테나를, 안테나선의 존재 밀도가 성기게 되는 부분과 조밀하게 되는 부분을 갖고, 또한 급전 부분에 대응하는 중심 부분에 안테나선이 존재하지 않도록 구성하여 용량 결합 성분이 증가하지 않도록 했기 때문에, 대형 기판이라도 용량 결합 성분에 의한 플라즈마 밀도의 저하 및 전계 분포의 편차에 의한 플라즈마 밀도의 불균일이 발생하지 않아서, 보다 고밀도인 플라즈마로 균일한 플라즈마 처리를 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 에칭 장치를 나타내는 단면도,
도 2는 도 1에 도시한 장치에 설치된 고주파 안테나의 구조를 도시하는 평면도,
도 3은 도 2의 고주파 안테나의 바로 아래 위치에 있어서의 전자 밀도 분포를 나타내는 도면,
도 4는 고주파 안테나의 다른 예의 구조를 도시하는 평면도,
도 5는 고주파 안테나의 다른 배치 상태를 도시하는 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 본체 용기 2 : 유전체벽
3 : 안테나실 4 : 처리실
13 : 고주파 안테나 15 : 고주파 전원
16 : 급전 부재 20 : 처리 가스 공급계
22 : 서셉터 30 : 배기 장치
41, 42, 43, 44 : 급전부
45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52 : 안테나선
45a, 46a, 47a, 48a, 49a, 50a, 51a, 52a : 제 1 직선부
45b, 46b, 47b, 48b, 49b, 50b, 51b, 52b : 제 2 직선부
45c, 46c, 47c, 48c, 49c, 50c, 51c, 52c : 제 3 직선부
45d, 46d, 47d, 48d, 49d, 50d, 51d, 52d : 제 4 직선부
60 : 중심 부분 61 : 중앙부
62 : 주연부 63 : 중간부

Claims (14)

  1. 피처리 기판을 수용하여 플라즈마 처리를 실시하는 처리실과,
    상기 처리실내에서 피처리 기판이 탑재되는 기판 탑재대와,
    상기 처리실내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,
    상기 처리실내를 배기하는 배기계와,
    상기 처리실의 상부벽을 구성하는 유전체벽과,
    상기 처리실 외부의 상기 유전체벽에 대응하는 부분에 소정의 패턴으로 안테나선을 형성하여 설치되고, 소정의 고주파 전력이 공급됨으로써 상기 처리실내에 유도 전계를 형성하기 위한 고주파 안테나와,
    상기 고주파 안테나의 중심부 부근에 고주파 전원으로부터의 고주파 전력을 공급하는 급전 부재를 구비하며,
    상기 고주파 안테나에 고주파 전력을 공급함으로써 상기 처리실내에 유도 결합 플라즈마를 형성하여 피처리 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 고주파 안테나는 상기 안테나선의 존재 밀도가 성긴 부분과 조밀한 부분을 갖는 동시에, 그 중심 부분에 안테나선이 존재하지 않도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고주파 안테나는 상기 급전 부재로부터 상기 안테나선이 복수 분기되어 다중화되어 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 안테나선이 8개인 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안테나선에는 1개 또는 복수개의 콘덴서가 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 안테나선에는 모두 1개 또는 복수개의 콘덴서가 직렬로 개재되어 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고주파 안테나는 그 일부 또는 전부가 상기 유전체벽으로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 고주파 안테나는 중앙 부분이 주연부보다도 상기 유전체벽으로부터의 거리가 먼 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 고주파 안테나는, 그 중심부의 주위에, 중심으로부터 대략 동일 반경 위치에 또한 90°씩 어긋난 위치에 배치된 상기 급전 부재에 접속된 4개의 급전부를 갖고, 각 급전부로부터 2개씩 안테나선이 외측으로 연장되어 구성되어 있고, 각 급전부로부터 연장되는 2개의 안테나선은, 서로 근접하여 평행하게 설치되며, 급전부로부터 안테나 주연부의 중간 위치까지 연장되는 제 1 직선부와, 상기 제 1 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡하여 안테나 주연부까지의 중간 위치까지 연장되는 제 2 직선부와, 제 2 직선부의 종단 위치에서 경사지게 외측으로 굴곡하여 안테나 주연부까지 연장되는 제 3 직선부와, 제 3 직선부의 종단 위치에서 굴곡하여 상기 제 1 직선부와 대략 평행하게 연장되는 제 4 직선부를 갖고, 인접하는 급전부에서 연장되는 안테나선의 제 1 직선부는 순차적으로 90°씩 어긋나 있으며, 4개의 급전부로부터 2개씩 연장되는 안테나선의 제 1 직선부 및 제 2 직선부에 의해, 안테나선이 조밀하게 배치된 중앙부가 형성되고, 제 4 직선부에 의해 안테나선이 조밀하게 배치된 주연부가 형성되며, 상기 제 3 직선부에 의해 안테나선이 성기게 배치된 중간부가 형성되고, 상기 4개의 급전부의 내측의 중심부에는 안테나선이 존재하지 않도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 8개의 안테나선은 1개 걸러서 4개의 길이가 동일한 2 세트로 구성되는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 각 급전부로부터 연장되는 2개의 안테나선 중 내측 부분의 것이, 상기 제 4 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡하여 연장되는 제 5 직선부를 갖는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각 안테나선의 주연부측 단부는 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 고주파 안테나는, 그 중심부의 주위에 중심으로부터 대략 동일 반경 위치에 또한 90°씩 어긋난 위치에 배치된 상기 급전 부재에 접속된 4개의 급전부를 갖고, 각 급전부로부터 1개씩 합계 4개의 안테나선이 외측으로 연장되어 구성되어 있고, 각 급전부로부터 연장되는 안테나선은, 급전부로부터 안테나 주연부의 중간 위치까지 연장되는 제 1 직선부와, 상기 제 1 직선부의 종단 위치에서 내측으로 90°굴곡하여 안테나 주연부까지의 중간 위치까지 연장되는 제 2 직선부와, 제 2 직선부의 종단 위치에서 경사지게 외측으로 굴곡하여 안테나 주연부까지 연장되는 제 3 직선부와, 제 3 직선부의 종단 위치에서 굴곡하여 상기 제 1 직선부와 대략 평행하게 연장되는 제 4 직선부를 갖고, 인접하는 급전부에서 연장되는 안테나선의 제 1 직선부는 순차적으로 90°씩 어긋나 있으며, 4개의 급전부로부터 1개씩 연장되는 안테나선의 제 1 직선부 및 제 2 직선부에 의해, 안테나선이 조밀하게 배치된 중앙부가 형성되고, 제 4 직선부에 의해 안테나선이 조밀하게 배치된 주연부가 형성되며, 상기 제 3 직선부에 의해 안테나선이 성기게 배치된 중간부가 형성되고, 상기 4개의 급전부의 내측의 중심부에는 안테나선이 존재하지 않도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 각 안테나선의 주연부측 단부 및 상기 제 3 직선부에는 콘덴서가 개재되어 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 3 직선부에 개재된 콘덴서는 안테나선의 길이의 중심에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는
    유도 결합 플라즈마 처리 장치.
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