CN101620972A - 等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置，其能够防止排气气流集中于形成在处理室中的多个排气口，能够使处理室内的排气气流均匀。该等离子体处理装置设置有将处理室(200)内的等离子体生成区域和对处理室进行排气的排气通路隔开的隔挡部(350)，挡板部由以包围载置台(300)的周围的方式隔开距离配置的上游侧挡板和下游侧挡板构成，在各挡板中分别形成有连通等离子体生成区域和排气通路的多个开口，下游侧挡板(360)的开口为越远离各排气口(208)宽度越大的缝隙状开口(364)。

Description

等离子体处理装置

技术区域

本发明涉及将处理气体导入处理室内并进行排气，生成处理气体的等离子体，对被处理基板(例如液晶显示器(Liquid Crystal Display)、电致发光显示器(Electro-Luminescence Display)等平板显示器(FlatPanel Display)用的基板)进行规定的等离子体处理的等离子体处理装置。

背景技术

在这种等离子体处理装置中，一直以来在对配置在处理室内的FPD基板进行蚀刻、成膜等规定的等离子体处理时，处理气体被导入至处理室内的FPD基板上，并被等离子体化。这种等离子体处理装置中，例如，在处理室的顶部设置有喷淋头，该喷淋头形成有喷出处理气体的多个气体喷出孔，通过例如涡轮分子泵等真空泵对处理室内进行真空排气。

然而，FPD基板日趋大型化，最近甚至出现了一边2m以上的巨大的FPD基板，处理室也随之大型化，需要对这样的处理室内供给大量的处理气体。随之，从处理室的排气量也增大。因此，例如在处理室中设置多个排气口，使涡轮分子泵等真空泵与各排气口连接，从而进行大量气体的排气。

但是，在等离子体处理装置中，通常，例如由于多个涡轮分子泵等的安装位置、各部件的配置位置等，限制了在处理室内形成的排气口的位置。在此情况下，处理室内的排气气流(被排气体的流动)集中于排气口的附近，排气的均匀性出现偏差。因此，存在FPD基板的面内的处理结果(例如蚀刻率、成膜率等)出现偏差的问题。

关于这一点，在处理半导体晶片等的等离子体处理装置中，存在将排气环设置在载置台的周围，从而调整排气气流的方案(参照专利文献1、2)。例如，专利文献中1的排气环由下述部分构成：形成从载置台包围其周围向外侧伸出的脊部的上侧排气环，和形成从处理室的侧壁包围其周围向内侧伸出的脊部的下侧排气环。此外，专利文献2中的排气环(环状遮蔽板)以多个排气孔分别在上侧的排气环和下侧的排气环这两者中不重合的方式形成。

然而，上述内容均为半导体晶片的处理装置，其处理室的大小与FPD用基板的处理装置相比较小，因此排气量也少，设置一个涡轮分子泵等即足够，排气口也是设置一个即足够。即使将这样适用于较小型的处理装置的排气环直接应用于处理FPD用基板的大型的处理装置中，也无法完全解决排气气流的偏差问题。

即，在处理FPD用基板这种大型基板的大型的处理装置中，如上所述排气量较多，因此采用能够从多个排气口大量排气的结构。由于在各排气口的附近吸引力较强，排气气流不是集中于一个排气口，而是集中在各个排气口。在该情况下，例如专利文献1那样不考虑排气口的配置位置地仅在上侧和下侧的排气环上设置脊部，可能由于各排气口的配置位置而导致排气气流产生变化。此外，如专利文献2那样不考虑排气口的配置位置地仅在上侧和下侧的排气环这两者上同样地形成排气口，仍然无法消除由于各排气口的配置位置导致排气气流产生变化的可能性。

专利文献1：日本特开平10-22263号公报

专利文献2：日本特开平11-40398号公报

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置，其能够防止无论设置在处理室中的各排气口的配置位置如何，排气气流集中于各排气口的现象。

为了解决上述课题，根据本发明的观点，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：对被处理基板实施等离子体处理的处理室；向上述处理室供给用于生成等离子体的处理气体的处理气体供给部；设置在上述处理室内，载置上述被处理基板的载置台；将上述处理室内的等离子体生成区域和对上述处理室内进行排气的排气通路隔开的隔挡部；和在上述排气通路中位于上述隔挡部的下游侧，配置在上述载置台的周围的多个排气口，其中，上述隔挡部由以包围上述载置台的周围的方式隔开距离配置的上游侧挡板和配置在该上游侧挡板的下游侧的下游侧挡板构成，在上述各个挡板中分别形成有连通上述等离子体生成区域和上述排气通路的多个开口，至少一个挡板的各个开口根据上述各排气口的配置位置改变数量和形状中的任意一种或使两者均改变。

根据本发明，从处理气体供给部向处理室内的等离子体生成区域供给的处理气体，通过隔挡部从排气通路被引导至排气口，从而被排气。此时，上游侧挡板和下游侧挡板中，至少一个挡板的各个开口根据上述各排气口的配置位置改变数量或形状中的任意一种或使两者均改变，因此，能够防止通过上游侧挡板和下游侧挡板的排气气流无论各排气口的配置位置如何总是集中于各个排气口。

在此情况下，可以是，上述上游侧挡板的多个开口以整体上同样地被配置的方式形成，上述下游侧挡板的多个开口以越远离上述各个排气口数量越多或形状越大的方式形成。从而能够防止排气气流集中于排气口的附近，能够使得排气气流更加均匀。即，一般越是接近排气口的部位吸引力越大，越远离各排气口吸引力越弱，因此，通过与此对应地使得开口的数量变多或形状变大，能够从各开口基本同样的对处理气体进行排气。

具体的说，例如可以是，上述上游侧挡板的上述多个开口形成为圆孔状，并且上述下游侧挡板的上述多个开口形成为缝隙状。在此情况下，优选上述下游侧挡板的上述缝隙状的各个开口以越远离上述各排气口变得越宽的方式形成。

此外，可以使上述上游侧挡板和上述下游侧挡板的上述多个开口均形成为圆孔状。在此情况下，优选上述下游侧挡板的上述圆孔状的开口以越远离上述各排气口数量变得越多的方式形成。

此外，也可以是，上述上游侧挡板以从上述载置台朝向外侧为水平状态的方式形成，上述下游侧挡板以从上述载置台朝向外侧为倾斜状态的方式形成。这样，上游侧挡板和下游侧挡板能够不受各排气口的配置位置的限制，以它们之间的空间、和下游侧挡板与排气口之间的空间大致相同的方式配置。由此，能够使排气气流均匀，并且更加稳定。

例如在上述排气口形成在上述处理室的侧壁的情况下，上述处理室的侧壁这一侧不能够在排气口的位置安装挡板。在此情况下，上述下游侧挡板例如以从上述载置台的下方朝向上述处理室的侧壁向上方倾斜的方式形成，从而能够以使各挡板间的空间、和下游侧挡板与排气口之间的空间大致同样的方式进行设置。

此外，在上述上游侧挡板和上述下游侧挡板上，可以分别设置有调整这些开口的开口度的开口度调整部件。这样，例如能够根据来自排气口的吸引力对上述上游侧挡板和上述下游侧挡板的开口的开口度进行微调。从而能够进行调整使得排气气流为更佳的状态。

根据本发明，能够提供一种等离子体处理装置，其能够防止无论设置在处理室中的各排气口的配置位置如何，排气气流集中于各排气口的现象。

附图说明

图1是表示具有本发明的实施方式的等离子体处理装置的基板处理装置的结构例的立体图。

图2是表示该实施方式的处理室的结构例的纵截面图。

图3是用于说明该实施方式的各排气口的配置位置的图。

图4是表示该实施方式的上游侧挡板的结构例的图。

图5是表示该实施方式的下游侧挡板的结构例的图。

图6是放大图5所示的下游侧挡板的一部分的图。

图7A是用于说明该实施方式的处理室内的排气气流的图，是没有挡板的情况。

图7B是图7A的A-A截面图。

图8A是用于说明该实施方式的处理室内的排气气流的图，是仅设置有下游侧挡板的情况。

图8B是图8A的A-A截面图。

图9A是用于说明该实施方式的处理室内的排气气流的图，是同时设置有上游侧挡板和下游侧挡板这两者的情况。

图9B是图9A的A-A截面图。

图10A是用于说明该实施方式的处理室内的排气气流的图，是仅设置有没有形成有开口的下游侧挡板的情况。

图10B是图10A的A-A截面图。

图11A是用于说明该实施方式中的排气口形成在处理室的侧壁的情况下的排气气流的纵截面图。

图11B是图11A的B-B截面图。

图12A是用于说明该实施方式的下游侧挡板的变形例的纵截面图。

图12B是图12A的B-B截面图。

图13A是用于说明该实施方式的上游侧挡板的开口度调整部件的局部截面图。

图13B是用于说明该实施方式的下游侧挡板的开口度调整部件的局部截面图。

标号说明：

100基板处理装置

102、104、106闸阀

110搬送室

120负载锁定室

130基板搬入搬出机构

140分度器(indexer)

142盒

200处理室

204基板搬入搬出口

208排气口

209安装框体

209a孔

210喷淋头

222缓冲室

224处理气体喷出孔

226处理气体导入口

230处理气体供给机构

232处理气体供给源

233处理气体供给配管

234质量流量控制器(MFC)

235开关阀

300载置台

302基体部件

310基座

312匹配器

314高频电源

315电源

316开关

317致冷剂流路

318气体流路

320静电保持部

322电极板

330外框部

340挡板

350上游侧挡板

352、354板状部件

356圆孔状开口

358开口度调整部件

360下游侧挡板

362板状部件

363没有开口的下游侧挡板

364(364a～364c)缝隙状开口

368开口度调整部件

402排气管

410涡轮分子泵(TMP)

420干式泵(DP)

G  FPD基板

具体实施方式

下面参照附图，对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外，本说明书和附图中，对实质上具有相同功能结构的构成要素标注相同的符号，并省略重复说明。

(等离子体处理装置的结构例)

首先，参照附图，对将本发明应用于具有多个等离子体处理装置的多腔室型的基板处理装置时的实施方式进行说明。图1是本实施方式的基板处理装置100的外观立体图。该图中所示的基板处理装置100包括用于对平板显示器用基板(FPD用基板)G实施等离子体处理的3个等离子体处理装置。

各等离子体处理装置分别具有能够进行减压的处理室200。各处理室200分别通过闸阀102与截面为多边形(例如矩形截面)的搬送室110的侧面连接。在搬送室110上，通过闸阀104还连接有负载锁定室120。基板搬入搬出机构130隔着闸阀106与负载锁定室120邻接设置。

在基板搬入搬出机构130上相邻地分别设置有2个分度器140。在分度器140上载置有收纳FPD用基板G的盒142。盒142能够收纳多个(例如25个)FPD用基板G。

在利用这种基板处理装置100对FPD用基板G进行等离子体处理时，首先，通过基板搬入搬出机构130将盒142内的FPD用基板G搬入负载锁定室120内。此时，如果在负载锁定室120内有处理完成的FPD用基板G，则将该处理完成的FPD用基板G从负载锁定室120内搬出，与未处理的FPD用基板G进行置换。当FPD用基板G被搬入负载锁定室120内之后，关闭闸阀106。

接着，使负载锁定室120内减压至规定的真空度之后，打开搬送室110与负载锁定室120之间的闸阀104。然后，将负载锁定室120内的FPD用基板G通过搬送室110内的搬送机构(未图示)搬入搬送室110内，之后关闭闸阀104。

打开搬送室110与处理室200之间的闸阀102，通过上述搬送机构将未处理的FPD用基板G搬入处理室200内的载置台。此时，如果有处理完成的FPD用基板G，则将该处理完成的FPD用基板G搬出，与未处理的FPD用基板G进行置换。

在处理室200内，将处理气体供给至FPD用基板G上，进行蚀刻、灰化、成膜等规定的处理。本实施方式的处理室200采用从其上方供给处理气体、并且从下方的多个排气口进行排气的结构。

(处理室的结构例)

下面，参照附图对这样的各等离子体处理装置的处理室200的具体的结构例进行说明。此处，说明将本发明的等离子体处理装置应用于例如对玻璃基板等FPD用绝缘基板(以下简称为“基板”)G进行蚀刻的电容耦合型等离子体(CCP)蚀刻装置时的处理室的结构例。图2是表示处理室200的概要结构的截面图。

处理室200例如由表面被阳极酸化处理(防蚀铝处理)的铝所构成的大致角筒形状的处理容器构成。处理室200被接地。在处理室200内的底部设置有载置台300，其具有构成下部电极的基座310。载置台300作为固定保持矩形基板G的基板保持机构起作用，形成为与矩形基板G对应的矩形形状。

载置台300包括：绝缘性基体部件302；和设置在该基体部件302上的由导电体(例如铝)形成的矩形块状的基座310。在基座310上设置有以基板保持面保持基板G的静电保持部320。静电保持部320例如以在下部电介质层与上部电介质层之间夹持有电极板322的方式构成。在载置台300，以构成其外框、并包围上述基体部件302、基座310、静电保持部320的周围的方式，配置有例如由陶瓷、石英的绝缘部件构成的矩形框状的外框部330。

直流(DC)电源315通过开关316与静电保持部320的电极板322电连接。开关316例如能够对电极板322切换DC电源315和接地电位。当开关316被切换至DC电源315侧时，来自DC电源315的DC电压被施加于电极板322，基板G通过静电吸引力(库仑力)被吸附保持在载置台300上。当开关316被切换到接地侧时，电极板322被去电，基板G也随之被去电，静电吸引力解除。

高频电源314的输出端子通过匹配器312与基座310电连接。高频电源314的输出频率能够选择例如13.56MHz等较高的频率，还可以是在该频率上重叠例如3.2MHz等较低的频率的双频率。

在基座310的内部设置有致冷剂流路317，被调整至规定温度的致冷剂从制冷装置(未图示)流过致冷剂流路317。利用该致冷剂能够将基座310的温度调整至规定的温度。

载置台300具有在静电保持部320的基板保持面与基板G的背面间以规定的压力供给传热气体(例如He气)的传热气体供给机构。传热气体供给机构将传热气体通过基座310内部的气体流路318向基板G的背面以规定的压力进行供给。

另外，在将基板G对这样的载置台300进行搬入搬出时，通过闸阀102对形成在处理室200的侧壁的基板搬入搬出口204进行开启关闭，从而使处理室200与搬送室110之间连通。

在处理室200的顶部，以与载置台300相对的方式设置有喷淋头210。喷淋头210构成向处理室200内喷出处理气体的处理气体喷出部。喷淋头210，在内部具有缓冲室222，在与载置台300相对的喷出面(下表面)上形成有喷出处理气体的多个处理气体喷出孔224。

此外，喷淋头210与载置台300的基座310平行地相对配置，兼具有上部电极的功能。即，喷淋头210例如被接地，与基座310一起构成一对平行平板电极。从而，当处理气体被供给至基板G上，来自高频电源314的高频电力被施加于基座310时，在基板G上的等离子体生成空间中生成处理气体的等离子体。该等离子体中的离子、自由基等活性种作用于基板G的上表面(被处理面)，在基板G上实施规定的蚀刻处理。

在喷淋头210上连接有供给处理气体的处理气体供给机构230。具体的说，处理气体供给机构230具有处理气体供给源232，处理气体供给源232通过处理气体供给配管233与设置在喷淋头210的上表面的处理气体导入口226连接。在处理气体供给配管233的管道中部设置有用于控制处理气体的流量的质量流量控制器(MFC)234，和用于开始或停止处理气体的供给的开关阀235等。

来自这样的处理气体供给源232的处理气体，通过处理气体导入口226被导入喷淋头210的缓冲室222，从处理气体喷出孔224向基板G喷出。另外，作为上述处理气体，例如能够使用作为蚀刻气体的氟气等卤素类气体、O₂气体、Ar气体等。

在处理室200的底部设置有多个排气口208。如图3所示这些排气口208例如设置在载置台300的周围。由真空泵构成的排气机构通过排气管402分别与各排气口208连接，通过各排气口208进行处理室200内的排气。在图2中，举出将排气机构由与各排气口208连接的涡轮分子泵(TMP)410和分别设置在其排气侧的干式泵(DP)420构成的情况为例。另外，各干式泵(DP)的排气侧的各配管汇流，例如与设置有基板处理装置100的清洁室等的排气设备连接。

这样，通过在多个排气口208上分别设置涡轮分子泵(TMP)410，能够对处理大型基板G的处理室200内的大量的气体进行排气，将处理室200内保持为高真空(例如1.3Pa)。

另外，排气机构并不局限于图2所示的结构。例如，也可以不在各涡轮分子泵(TMP)410的下游侧分别设置干式泵(DP)420，作为替代，使各涡轮分子泵(TMP)410的下游侧汇流，在其汇流配管上设置1个排气速度高的机械增压泵(MBP)。

在本实施方式的载置台300的侧方，设置有在处理室200内隔开处理基板G的等离子体生成区域S和排气通路V的挡板340。本实施方式的挡板340，由以包围载置台300的周围的方式配置的环状的上游侧挡板350、和位于该上游侧挡板的下游侧且隔开距离配置的环状的下游侧挡板360构成。该上游侧挡板350、下游侧挡板360分别通过未图示的螺栓、螺钉等紧固部件被固定在例如外框部330与处理室200的侧壁之间。

在各挡板350、360上分别形成有连通等离子体生成区域S和排气通路V的多个开口，至少一个挡板的开口根据各排气口208的配置位置改变其数量和形状中的任一个或使两者均改变。由此，在处理室内的气体经由排气通路被排气时，能够防止集中在各排气口208的配置位置地被排气。

(各挡板的结构例)

下面，参照附图对这样的上游侧挡板350和下游侧挡板360的具体的结构例进行详细说明。图4是表示上游侧挡板350的结构例的图，图5是表示下游侧挡板360的结构例的图。图4是在安装有上游侧挡板350的状态下从上方看载置台300的图，图5是在卸下上游侧挡板350的状态下从上方看下流侧挡板360的图。

图4所示的上游侧挡板350以堵塞载置台300的整个周围区域的方式设置。图4所示的上游侧挡板350由四块板状部件构成。具体地说，在载置台300的周围设置有：从处理室200的侧壁的一端到另一端平行延伸的长矩形状的两块板状部件352；和在这些板状部件352的直角方向上延伸的一对短矩形状的两块板状部件354。在这些板状部件352、354中，整体同样地(例如格子状地)形成有多个圆孔状的开口356。另外，各圆孔状开口356的配置并不局限于图4所示的结构。

图5所示的下游侧挡板360，由在载置台300的各个侧面与处理室200的侧壁之间设置的四块板状部件362构成。在板状部件362上分别形成有缝隙状的开口364。各缝隙状开口364以从载置台300朝向处理室200的侧壁大致垂直地延伸的方式形成。此外，各缝隙状开口364以越远离吸引力最强的排气口208的附近区域，宽度变得越宽的方式配置。

具体地说，如图6所示，例如远离排气口208的缝隙状开口364b比接近排气口208的缝隙状开口364a的宽度更宽。由此，按照与排气口208的距离由近到远的顺序，缝隙状开口364a、364b的宽度变大，而且，因为在其外侧的角部形成有孔，所以该孔作为比缝隙状开口364b更大的缝隙状开口364c起作用。

另外，下游侧挡板360也可以如图4所示的上游侧挡板350那样，以平行的两块板状部件362延伸至四个角的方式形成，在四个角上与图6所示的情况同样地形成缝隙状开口364c。由此，能够防止排气气流集中于排气口208的附近。而且，越远离排气口208吸引力越弱，因此，通过与此对应地增大缝隙状开口364的宽度，能够从各缝隙状开口364对处理气体大致同样地进行排气。

(处理室内的排气气流)

下面，参照附图对本实施方式的设置有挡板340时的排气气流进行说明。图7A～图10A、图7B～图10B是用于概略说明排气气流的图。图7B～图10B是从横方向观察图7A～图10A所示的图的A-A截面时的概略图。图7A、图7B表示完全没有设置挡板340的情况，图8A、图8B是仅设置有下游侧挡板360的情况，图9A、图9B是设置有下游侧挡板360和上游侧挡板350这两者的情况，图10A、图10B是作为本实施方式的比较例，仅设置有一块没有缝隙的下游侧挡板363的情况。

如图7A、图7B所示，在完全没有设置挡板340的情况下，处理室200内的排气气流集中于各排气口208。即，从喷淋头210向载置台300上的等离子体生成区域S供给的处理气体，通过载置台300与处理室200的侧壁间的排气通路V流向各排气口208。此时，因为没有挡板340，所以由于各排气口208的吸引力的作用，排气气流集中于各排气口208。这样，排气的均匀性产生偏差，结果基板G的面内的蚀刻率产生偏差。特别是在处理FPD基板的等离子体处理装置中，由于处理室200是大型处理室，当排气气流集中于各排气口208时，存在偏差加大的问题。

对此，在本实施方式中，如图8A、图8B所示设置下游侧挡板360，越接近各排气口208，缝隙状开口364的宽度越窄，因此传导力(conductance)较小；越远离各排气口208，缝隙状开口364的宽度越宽，因此传导力较大。因此，在越靠近各排气口208吸引力越强的部位，排气气流越难流动，在越远离各排气口208吸引力越弱的部位，排气气流越易于流动。由此，能够防止排气气流集中于各排气口208。

在本实施方式中，如图9A、图9B所示，能够在下游侧挡板360上添加设置上游侧挡板350，能够形成朝向上游侧挡板350与下游侧挡板360间的空间更加均匀的排气气流。由此，能够进一步提高排气的均匀性，结果能够提高基板G的面内的蚀刻率的均匀性。

此处，考虑设置有没有缝隙的下游侧挡板363的情况，如图10A、图10B所示，排气气流集中流入四个角的孔中，并向各排气口208去，因此排气的均匀性产生很大的偏差。于是，为了防止该状况，优选在下游侧挡板360形成开口(例如上述的缝隙状开口364)。

此外，上游侧挡板350和下游侧挡板360优选以它们之间的空间、和下游侧挡板360与排气口208之间的空间大致相同的方式配置。由此，通过上游侧挡板350的各圆孔状开口356的排气气流能够被高效的导向下游侧挡板360的各缝隙状开口364，能够使得排气气流更加稳定。

另外，在上述实施方式中，说明了上游侧挡板350和下游侧挡板360均以从载置台300朝向外侧为水平状态的方式设置的情况，但并非局限于此。例如也可以是，下游侧挡板360以从载置台300朝向外侧为倾斜状态的方式形成。

此外，在上述实施方式中，说明了在等离子体处理装置中设置有挡板340的情况，该等离子体处理装置在处理室200的底壁形成有多个排气口208，但并非局限于此，例如，如图11A、图11B所示，也可以将挡板340设置于在处理室200的侧壁形成有多个排气口208的等离子体处理装置中。在处理室200的侧壁形成排气口208的情况下，如图11A、图11B所示，例如在处理室200的侧壁的外侧，以包围排气口208的方式设置有用于安装配管的安装框体209。在形成在该安装框体209的底部的孔209a上，通过配管连接有涡轮分子泵(TMP)410和干式泵(DP)420。

在这样将排气口208形成于处理室200的侧壁的情况下，也可以将上游侧挡板350和下游侧挡板360均水平设置。但根据排气口208的配置位置，也可能有在载置台300的侧方且位于排气口208的上侧的空间(安装挡板340的空间)变狭窄的情况。在这种情况下，如果也将上游侧挡板350和下游侧挡板360均水平设置，则上游侧挡板350与下游侧挡板360之间的空间，可能比下游侧挡板360与排气口208之间的空间狭窄。

在这样的情况下，如图12A、图12B所示，优选例如将下游侧挡板360以从载置台300的下方朝向处理室200的侧壁向上方倾斜的方式倾斜配置。由此，即使排气口208的上侧的空间变得狭窄，也能够以上游侧挡板350与下游侧挡板360之间的空间、和下游侧挡板360与排气口208之间的空间大致相同的方式进行设置。从而能够防止排气气流的集中，并且能够使排气气流更加稳定。

另外，在本实施方式中说明了使在下游侧挡板360中形成的开口364为缝隙状的情况，但并不局限于此。例如，也可以在下游侧挡板360中形成圆孔状开口以代替缝隙状开口364。在此情况下，与缝隙状开口364a、364b、364c的状况同样，可以使越远离排气口208附近区域的孔径越大、孔数越多。从而也能够防止排气气流集中于各排气口208。

此外，在本实施方式的下游侧挡板360中，例如，如图5所示，在排气口208的正上方，在排气口208的孔边缘附近形成有短缝隙状开口364a，但并不局限于此。排气气流在排气口208的正上方较强，因此，例如也可以在排气口208的整个孔的区域范围内不设置缝隙状开口364。从而，在排气口208的正上方能够封闭该排气口208的整个孔。

此外，如图13A、图13B所示，在本实施方式的上游侧挡板350和下游侧挡板360上，例如也可以设置有调整各个圆孔开口356、各个缝隙状开口364的开口度的开口度调整部件358、368。由此，例如能够根据来自排气口208的吸引力对上游侧挡板和上述下流侧挡板的各圆孔开口356、各缝隙状开口364的开口度进行微调整。从而能够进行调整使得排气气流为更佳状态。

图13A所示的开口度调整部件358是，在上游侧挡板350的表面上以能够自由滑动的方式安装板状部件359，在该板状部件上以与圆孔状开口356同样的配置形成用于调整圆孔状开口356的开口度的调整孔359a。由此，通过使构成开口度调整部件358的板状部件359滑动，能够一并调整各圆孔状开口356的开口度。另外，开口度调整部件358的结构并不局限于图13B所示的结构。

图13B所示的开口度调整部件368是，在各缝隙状开口364的附近以能够自由滑动的方式设置调整各缝隙状开口364的开口度的板状部件369。由此，通过使开口度调整部件368的各板状部件369滑动，能够对各缝隙状开口364的开口度分别进行调整。另外，开口度调整部件368的结构并不局限于图13B所示的结构。

以上参照附图对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不局限于上述例子。能够明确的是，本领域的技术人员在权利要求的范围所记载的范畴内能够想到各种变更例或修改例，这些当然也属于本发明的技术范围。

例如，在上述实施方式中，对将本发明运用于下述等离子体处理装置的情况进行了说明：将多个排气口208如图3所示那样在载置台300的四个侧面与处理室200的侧壁之间分别配置有两个，但多个排气口208的数量和配置并不限定于此。此外，多个排气口208也并非必须均等地形成，例如也可以是，以两个或三个以上的排气口208局部接近的方式形成。

此外，在上述实施方式中，对将本发明运用于使上部电极接地、仅对下部电极施加高频电力的类型的等离子体处理装置的情况进行了说明，但并不局限于此。例如也可以运用于对上部电极和下部电极两者施加高频电力的类型的等离子体处理装置，而且也可以运用于仅对下部电极例如施加不同高频的两种高频电力的类型或感应耦合型的等离子体处理装置。

产业上的可利用性

本发明能够应用于向处理室内导入处理气体并进行排气，生成处理气体的等离子体，对被处理基板实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置。

Claims (9)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

对被处理基板实施等离子体处理的处理室；

向所述处理室供给用于生成等离子体的处理气体的处理气体供给部；

设置在所述处理室内，载置所述被处理基板的载置台；

将所述处理室内的等离子体生成区域和对所述处理室内进行排气的排气通路隔开的隔挡部；和

在所述排气通路中位于所述隔挡部的下游侧，配置在所述载置台的周围的多个排气口，其中

所述隔挡部由以包围所述载置台的周围的方式隔开距离配置的上游侧挡板和配置在该上游侧挡板的下游侧的下游侧挡板构成，在所述各个挡板中分别形成有连通所述等离子体生成区域和所述排气通路的多个开口，至少一个挡板的各个开口根据所述各排气口的配置位置改变数量和形状中的任意一种或使两者均改变。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述上游侧挡板的多个开口以整体上同样地被配置的方式形成，所述下游侧挡板的多个开口以越远离所述各个排气口数量越多或形状越大的方式形成。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述上游侧挡板的所述多个开口形成为圆孔状，所述下游侧挡板的所述多个开口形成为缝隙状。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述下游侧挡板的所述缝隙状的各个开口以越远离所述各排气口变得越宽的方式形成。

5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述上游侧挡板和所述下游侧挡板的所述多个开口均形成为圆孔状。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述下游侧挡板的所述圆孔状的开口以越远离所述各排气口数量变得越多的方式形成。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述上游侧挡板以从所述载置台朝向外侧为水平状态的方式形成，所述下游侧挡板以从所述载置台朝向外侧为倾斜状态的方式形成。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述排气口形成在所述处理室的侧壁，

所述下游侧挡板以从所述载置台的下方朝向所述处理室的侧壁向上方倾斜的方式形成。

9.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述上游侧挡板和所述下游侧挡板上，分别设置有调整这些开口的开口度的开口度调整部件。

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