TW201015636A - Plasma processing apparatus - Google Patents

Description

201015636 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一面將處理氣體導入至處理室內一面予 以排氣，並生成處理氣體之電漿而對被處理基板（例如， 液晶顯示器（Liquid Crystal Display)或電激發光顯示器 (Electro-Luminescence Display)等之平面顯示器（Flat Panel Display)用之基板）施予特定電漿處理之電漿處理裝置。 ❹ 【先前技術】 在該種電漿處理裝置中，自以往對被配置在處理室內 之FPD基板執行蝕刻、成膜等之特定電漿處理之時，處理 氣體被導入至處理室內之FPD基板上，且被電漿化。在如 此之電漿處理裝置中，在處理室之天井部設置形成有吐出 例如處理氣體之多數氣體吐出孔之噴淋頭，藉由例如渦輪 分子泵等之真空泵將處理室內真空排氣。 然而，FPD基板漸漸指向大型化，在最近則出現一邊 超過2m以上之巨大FPD基板，隨此處理室也大型化，產 生必須對如此處理室供給大量處理氣體之情形。依此，也 增大來自處理室之排氣量。因此，例如在處理室設置多數 排氣口，並在各排氣口連接渦輪分子泵等之真空泵，而排 出大量氣體。 [專利文獻1]日本特開10-22263號公報 [專利文獻2]日本特開11-40 398號公報 201015636 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 但是，在電漿處理裝置中，通常由於多數渦輪分子杲 等之安裝位置或各部之配設位置等使得被形成在處理室內 之排氣口之位置也受到限制。此時，處理室內之排氣之氣 流集中於排氣口之附近，在排氣之均勻性上產生偏差。因 此，則有在FPD基板之面內中的處理結果（例如，鈾刻率 或成膜率等）產生偏差之問題。 @ 針對該點，處理半導體晶圓等之電漿處理裝置中，則 有在載置台周圍設置排氣環，調整排氣氣流的技術（參照 專利文獻1、2)。例如專利文獻1中之排氣環係由形成自 載置台包圍其周圍且突出至外側之鰭部的上側排氣環，和 形成自處理室之側壁包圍其周圍且突出至內側之鰭部的下 側之排氣環所構成。再者，專利文獻2中之排氣環（環狀 遮蔽板）係被形成在上側排氣環和下側排氣環之雙方分別 不重叠多數排氣孔。 魯 但是，該些無論針對哪一個皆爲半導體晶圓之處理裝 置，因其處理室之大小也較FP.D用基板之處理裝置小，故 排氣量也較少，因此渦輪分子泵等僅一個即足夠，排氣口 僅一個也相當充裕。即使將如此適用於比較小型之處理裝 ^ 置之排氣環直接適用於處理FPD用基板之大型處理裝置， 也無法充分解除排氣氣流的偏差。 即是’在處理FPD用基板般之大型基板的大型處理裝 置中，如上述般，因排氣量多，故構成可以從多數排氣口 -6- 201015636 大量排氣。因此，因在各排氣口之附近吸力變強，不僅一 個排氣口，排氣之氣流集中於各排氣口。此時，例如專利 文獻1般，與排氣口之配置位置無關係，僅在上側和下側 之排氣環設置鰭部，則有因各排氣口之配置位置使得排氣 之氣流改變之虞。再者，如專利文獻2般，即使與排氣口 之配置位置無關係，僅在上側和下側之排氣環之雙方一樣 形成排氣孔，亦無法抹去因各排氣口之配置位置而使得排 ^ 氣之氣流改變之虞。 在此，本發明係鑑於如此之問題而所創作出者，其目 的在於提供不管被設置在處理室之各排排氣口之各排氣口 之配置位置，可以防止排氣之氣流集中在各排氣口之電漿 處理裝置。 (用以解決課題之手段） 爲了解決上述課題，若藉由本發明之某觀點，則提供 〇 —種電漿處理裝置，其特徵爲：具備用以對被處理基板施 予電漿處理之處理室；用以對上述處理室內供給用以產生 電漿之處理氣體的處理氣體供給部；被配置在上述處理室 內，載置上述被處理基板之載置台；區隔上數處理室內之 電漿生成區域和排氣上述處理室內之排氣路徑的隔板部； 和在上述排氣路徑中較上述隔板部更下游側，被配置於上 述載置台之周圍的多數排氣口，上述隔板部係由被間隔開 而配置成包圍上述載置台之周圍的上游側隔板和被配置在 該上游側隔板之下游側的下游側隔板所構成，在上述各隔 201015636 板形成分別連通上述電漿生成區域和上述排氣路徑之多數 開口’至少一方之隔板之各開口因應上述各排氣口之配置 位置而改變數量和形狀中之一方或雙方。 若藉由如此之本發明時，從處理氣體供給部朝向處理 室內之電漿生成區域被供給之處理氣體，經隔板部從排氣 路徑被導入排氣口並被排氣。此時，因上游側隔板和下游 側隔板中，至少一方隔板之各開口因應上述各排氣口之配 置位置而改變數量和形狀中之一方或雙方，故通過上游側 @ 隔板和下游側隔板之排氣之氣流，不管各排氣口之配置位 置，可以防止經常集中於各排氣口。 此時，即使上述上游隔板之多數開口形成全體被配置 成一樣，上述下游側隔板之多數開口係形成離上述排氣口 越遠數量越多或是形狀越大亦可。依此，可以防止排氣之 氣流集中於排氣口之附近，可以使排氣之氣流更爲均等。 即是，一般因越接近於排氣口之部位吸力越大，越離各排 氣口越遠吸力越弱，故因應此增多開口之數量或是增大形 ❷ 狀，則可以自各開口幾乎同樣排出處理氣體。 具體而言，上述上游側隔板之上述多數開口即使形成 圓孔狀，並且上述下游側隔板之上述多數開口形成開縫狀 亦可。此時，上述下游側隔板之上述開縫狀之各開口以形 成離上述各排氣口越遠越寬爲佳。 除上述之外，上述上流側隔板和上述下游側隔板之上 述多數開口即使皆形成圓孔狀亦可。此時，上述下游側隔 板之上述圓孔狀之開孔之數量以形成離上述各排氣口越遠 -8 - 201015636 越多爲佳。 再者，上述上游側隔板及使形成從上述載置台朝向外 側呈水平，上述下游側隔板係形成從上述載置台朝向外側 傾斜亦可。藉此，不管各排氣口之配置位置，上游側隔板 和下游側隔板可以配設成該些之間的空間，和下游側隔板 和排氣口之間的空間幾乎相同。依此，可以使排氣之氣流 均等，並且可以使更加安定》 〇 例如，於上述排氣口形成在上述處理室之側壁之時， 上述處理室之側壁側無法在排氣口之位置安裝隔板。即使 在如此之情形下，上述下游側隔板也可以藉由形成從例如 上述載置台之下方朝向上述處理室之側壁傾斜於上方，配 設成各隔板之間的空間，和下游側隔板和排氣口之間的空 間成爲幾乎相同。 再者，即使在上述上游側隔板及上述下游側隔板分別 設置調整該些開口之開口度之開口度調整構件亦可。依此 © ’可以因應例如來自排氣口之吸力微調整上述上游側隔板 及上述下游側隔板之開口之開口度。依此，可以將排氣之 氣流調整成更適合。 [發明效果] 若藉由本發明，則可以提供不管被設置在處理室之各 排排氣口之各排氣口之配置位置，可以防止排氣之氣流集 中在各排氣口之電漿處理裝置。 201015636 【實施方式】 以下一面參照附件圖面一面針對本發明之較佳實施型 態予以詳細說明。並且，在本說明書及圖面中，針對實質 上具有相同功能構成之構成要素，藉由賦予相同符號，省 略重複說明。 (電漿處理裝置之構成例） 首先，針對適用於具備多數電漿處理裝置之多腔室型 之基板處理裝置之時的實施形態，一面參照圖面，一面說 明本發明。第1圖爲本實施型態所涉及之基板處理裝置 100之外觀斜視圖。同圖所示之基板處理裝置100具備用 以對平面顯示器用基板（FPD用基板）G施予電漿處理之3 個電漿處理裝置。 各電漿處理裝置分別具備可減壓之處理室200。各處 理室200各經閘閥1 02被連結於剖面呈多角形狀（例如剖 面呈矩形狀）之搬運室110之側面。在搬運室110經閘閥 104連結有裝載鎖定室120。在裝載鎖定室120經閘閥106 鄰設有基板搬出搬入機構130。 在基板搬出搬入機構130分別鄰設有兩個指示器140 。在指示器140載置收納FPD用基板G之卡匣142。卡匣 142被構成能夠收納多片（例如25片）之FPD用基板G。 於藉由如此之基板處理裝置100對FPD用基板G執 行電漿處理之時，首先藉由基板搬出搬入機構130，將卡 匣142內之FPD用基板G搬入至裝載鎖定室120內。此 201015636 時，若在裝載鎖定室120內具有處理完之FPD用基板G 之時，則將其處理完之FPD用基板G自裝載鎖定室120 內搬出，與未處理之FPD用基板G更換。當FPD用基板 G被搬入至裝載鎖定室120內之時，則關閉閘閥106。 接著，將裝載鎖定室120內減壓至特定真空度之後， 打開搬運室110和裝載鎖定室120間之閘閥104 »然後， 藉由搬運室110內之搬運機構（無圖式）將裝載鎖定室120 φ 內之FPD用基板G搬入至搬運室110內之後，關閉閘閥 104。 打開搬運室110和處理室2 00之間之閘閥102，藉由 上述搬運機構將未處理之FPD用基板G搬入至處理室200 內之載置台。此時，若具有處理完之FPD用基板G之時 ，則搬出其處理完之FPD用基板G，與未處理之FPD用 基板G更換。 在處理室2 00內，對FPD用基板G上供給處理氣體 φ ，執行鈾刻、灰化、成膜等之特定處理。並且，本實施型 態所涉及之處理室200係被構成自其上方供給處理氣體， 並且自下方之多數排氣口排氣。 (處理室之構成例） 以下，針對如此之各電漿處理裝置之處理室200之具 體性構成例，一面參照圖面一面予以說明。在此，針對本 發明之電漿處理裝置適用蝕刻例如玻璃基板等之FPD用之 絕緣基板（以下，也單稱爲「基板」）G之電容耦合型電漿 -11 - 201015636 (CCP)蝕刻裝置之時的處理室之構成例予以說明。第2圖 爲表示處理室200之槪略構成的剖面圖。 處理室200係藉由例如由表面被陽極氧化處理（氧皮 鋁處理）之鋁所構成之略角筒形狀之處理容器而構成。處 理室200被接地。在處理室2 00內之底部，配設具有構成 下部電極之承載器310之載置台3 00。載置台300係當作 固定保持矩形基板G之基板保持機構而發揮功能，並形成 對應於矩形基板G之矩形形狀。 @ 載置台300具備絕緣性之基座構件3 02，和由被設置 在該基座構件302上之導電體（例如鋁）所構成之矩形塊狀 之承載器310。在承載器310上設置在基板保持面保持基 板G之靜電保持部320。靜電保持部320係在例如下部介 電體層和上部介電體層之間夾著電極板322而構成。在載 置台300構成其外框，以包圍上述基座構件302、承載器 310、靜電保持部320之周圍之方式，配設例如由陶磁或 石英之絕緣構件所構成之矩形框狀之外框部330。 @ 在靜電保持部320之電極板322，經開關316電性連 接直流（DC)電源315。開關310係對例如電極板322切換 DC電源315和接地電位。當開關316被切換至DC電源 315側之時，來自DC電源315之DC電壓被施加至電極板 3 22，藉由靜電吸力（庫倫力）基板G被吸附保持在載置台 3 00上。當開關316被切換至接地側之時，電極板3 22被 除電，隨此基板G也被除電，解除靜電吸力。 在承載器310，經整合部312電性連接有高頻電源 -12- 201015636 314之輸出端子。高頻電源314之輸出頻率雖然選擇比較 高之頻率例如13·56ΜΗζ ’並且設爲在該頻率重疊比較低 之頻率例如3.2MHz之2頻率。 在承載器310之內部設置有冷媒流路317’被調整至 特定溫度之冷媒從冷卻裝置（無圖式）流通於冷媒流路317 。藉由該冷煤，可以將承載器310之溫度調整成特定溫度 〇 φ 載置台300具備以特定壓力將導熱氣體（例如He氣體 )供給至靜電保持部320之基板保持面和基板G之背面之 間。導熱氣體供給機構係以特定壓力將導熱氣體經承載器 310內部之氣體流路318供給至基板G之背面。 並且，對如此之載置台3 00搬出搬入基板G之時，藉 由閘閥102開關被形成在處理室200之側壁的基板般入搬 出口 2 04，使處理室2 00和搬運室110之間連通。 在處理容器200之天井部以與載置台300對向之方式 〇 ，配設有噴淋頭210。噴淋頭210構成對處理室200內吐 出處理氣體之處理氣體吐出部。噴淋頭210在內部具有緩 衝室222，在與載置台300對向之吐出面（下面）形成吐出 處理氣體之多數氣體吐出孔2 24。 再者，噴淋頭210係被配置成與載置台3 00之承載器 31〇平行對向，也兼具上部電極之功能。即是，噴淋頭 210例如被接地，與承受器310 —起構成一對平行平板電 極。依此，處理氣體被供給至基板G上，當對承載器310 施加來自高頻電源314之高頻電力時，則在基板G上之電 -13- 201015636 漿生成空間產生處理氣體之電漿。該電漿中之離子、自由 基等之活性種作用於基板G之上面（被處理面），且對基板 G上施予特定蝕刻處理。 在噴淋頭210連接有供給處理氣體之處理氣體供給機 構23 0。具體而言，處理氣體供給機構23 0具備處理氣體 供給源232，處理氣體供給源232經處理氣體供給配管 23 3而連接於被設置在噴淋頭210上面之處理氣體導入口 226。在處理氣體供給配管23 3之途中，設置有用以控制 @ 處理氣體之流量之質量流量控制器（MFC)234，和開始或停 止處理氣體之供給的開關閥235等。 來自此處理氣體供給源232之處理氣體通過處理氣體 導入口 22 6而被導入至噴淋頭210之緩衝室222，自處理 氣體吐出孔224朝向基板G被吐出。並且，作爲如此之處 理氣體，例如使用當作蝕刻氣體之氟氣體等之鹵系氣體、 〇2氣體、Ar氣體等。 在處理室200之底部設置有多數排氣口 208。該些排 @ 氣口 208係例如第3圖所示般被配置在載置台300之周圍 。在各排氣口 2〇8分別經排氣管402連揆有藉由真空泵所 構成之排氣機構，通過各排氣口 208執行處理室200內之 排氣。在第2圖中，舉出藉由被連接於各排氣口 208之渦 輪分子泵（TMP)410和分別被設置在其排氣側之乾式泵 (DP)420構成排氣機構之情形爲例。並且，各乾式泵（DP) 之排氣側之各配管合流，被連接於設置有例如基板處理裝 置100之無塵室等之排氣設備。 • 14 - 201015636 如此一來，藉由在多數排氣口 208分別設置渦輪分子 泵（TMP)410，則可以排氣處理大型基板G之處理室200 內之大量氣體而將處理室200內保持在高真空（例如 1 .3Pa) ° 並且，排氣機構並不限於第2圖所不者。例如，即使 使各渦輪分子泵（TMP)410之下游側合流，在其合流配管 設置一個排氣速度高之機械增壓泵（MBP)，來取代在各渦 〇 輪分子泵（TMP)410之下游側分別設置乾式泵（DP)420亦可 在本實施型態所涉及之載置台300之側方，配置有將 處理室200內區隔處理基板G之電漿生成區域S和排氣路 徑V之隔板3 40。本實施型態中之隔板340係由包圍載置 台300之周圍而配置之環狀上游側隔板3 50，和被間隔開 配置在較該上游側隔板下游側之環狀下游側隔板3 60所構 成。該些上游側隔板3 50、下游側隔板360分別藉由無圖 ® 式之螺栓或螺絲等之締結構件被固定在例如外框部330和 處理室200之側壁之間。 成爲在各隔板350、360分別形成連通電漿生成區域 S和排氣路徑V之多數開口，至少一方之隔板之開口因應 各排氣口 208之配置位置而改變數量和形狀中之一方或雙 方之構成。依此，於處理室內之氛圍經排氣路徑被排氣之 時，則可以防止集中於各排氣口 208之配匱位置而被排氣 -15- 201015636 (各隔板之構成例） 以下，針對如此之上游側隔板3 50和下游側隔板360 之具體構成例，一面參照圖面一面予以詳細說明。第4圖 爲表示上游側隔板350之構成例之圖式，第5圖爲表示下 游側隔板360之構成例之圖式。第4圖爲在安裝上游側隔 板350之狀態下自上方觀看載置台3 00之圖式，第5圖爲 在拆下上游側隔板3 50之狀態下自上方觀看下游側隔板 360之圖式。 _ 第4圖所示之上游側隔板3 50被設置成阻塞載置台 3 00之周圍全體。第4圖所示之上游側隔板350被分成4 片板狀構件而構成。具體而言，在載置台3 00之周圍，配 設有從處理室200之側壁之一端平行延伸至另一端之長矩 形狀之兩片板狀構件3 52，和延伸至該些板狀構件3 52之 直角方向的一對短矩形狀之兩片板狀構件3 54。在該些板 狀構件3 52、3 54，全體一樣（例如格子狀）形成多數圓孔狀 之開口 3 56。並且，各圓孔狀開口 356之配置並不限於第 _ 4圖所示者。 第5圖所示之下游側隔板360係由被設置在載置台 300之各側面和處理室200之側壁之間的4片板狀構件 362所構成。該些係在板狀構件362分別形成有開縫狀之 開口 364。各開縫狀開口 3 64係被形成從載置台3 00朝向 處理室200之側壁而幾乎垂直延伸。再者，各開縫狀開口 3 64係被配置成離吸力最強之排氣口 208之附近越遠寬度 越寬。 -16- 201015636 具體而言，如例如第6圖所示般，離排氣口 208遠的 開縫狀開口 364b較離排氣口 208近的開縫狀開口 364a， 增大寬度。依此，開縫狀開口 364a、3 64b和寬度離排氣 口 2 08越近循序變大，並且因在外側之角部形成孔，故其 孔當作較開縫狀開口 364b更大之開縫狀開口 3 64c而發揮 功能。 並且，下游側隔板360即使以延伸至4個角之方式形 〇 成如第4圖所示之上游側隔板350般平行之兩個板狀構件 3 62,在四個角與第6圖所示之情形相同形成開縫狀開口 364c亦可。依此，可以防止排氣之氣流集中於排氣口 208 之附近。而且，因離排氣口 208越遠吸力越弱，故因應此 增大開縫狀開口 364之寬度，依此可以幾乎同樣地從各開 縫狀開口 364排出處理氣體。 (處理室內之排氣的氣流） Φ 接著，針對設置有本實施型態中之隔板340之時之排 氣的氣流，一面參照圖面一面予以說明。第7圖A〜第10 圖A、第7圖B〜第10圖B爲用以說明排氣之氣流的槪 略圖。第7圖B〜第10圖B爲自橫方向觀看第7圖A〜 第10圖A所示之A-A剖面之時的槪略圖。第7圖A、第 7圖B爲完全不設置隔板340之時，第8圖A、第8圖B 爲僅設置下游側隔板3 60之時’第9圖A、第9圖B爲設 置下游側隔板3 60和上游側隔板350雙方之時’第10圖 A、第10圖B爲僅設置一片無開縫之下游側隔板363之時 -17- 201015636 以當作本實施形態之比較例。 如第7圖A、第7圖B所示般，於不完全設置隔板 3 40之時，處理室200內之排氣的氣流集中於各排氣口 208。即是，從噴淋頭210朝向載置台300上之電漿生成 區域S被供給之處理氣體，通過載置台3 00和處理室200 之側壁之間之排氣路徑V而朝向各排氣口 208。此時，因 無隔板3 40，故由於各排氣口 2 08之吸力之作用，使得排 氣之氣流集中在各排氣口 208。在該狀況下，於排氣之均 參 勻性產生偏差，其結果在基板G之面內之蝕刻率產生偏差 。尤其，因在處理FPD基板之電漿處理裝置中，處理室 2 00也爲大型，故當排氣之氣流集中於各排氣口 208之時 ，則有偏差變大之問題。 對此，在本實施型態中，如第8圖A、第8圖B所示 般，設置下游側隔板360，依此因離各排氣口 208越近開 縫狀開口 364之寬度越窄，故傳導率變小，因離各排氣口 208越遠開縫狀開口 364之寬度越寬，故傳導率變大。因 參 此，排氣之氣流係在離各排氣口 208近而吸力則較強之部 分難以流動，在雛各撕氣口 2〇8遠而吸力弱之部位則容易 流動。依此，可以防止排氣之氣流集中於各排氣口 20 8。 在本實施型態中，如第9圖A、第9圖B所示般，除 下游側隔板360之外，設置上游側隔板350，依此可以朝 向上游側隔板3 50和下游側隔板3 60之間之空間更均勻形 成排氣氣流。依此，因可以更提高排氣之均勻性，故其結 果亦可以提高基板G之面內之蝕刻率的均勻性。 -18- 201015636 在此，當設想設置無開縫之下游側隔板3 63之情形時 ，則如第10圖A、第10圖B所示般，因排氣之氣流集中 於四個角而流入，朝向各排氣口 2 08，故排氣之均勻性產 生較大偏差。因此，爲了防止此，也在下游側隔板3 60形 成開口（例如上述開縫狀開口 3 64)爲佳。 再者，上游側隔板3 50和下游側隔板360配設成該些 之間的空間，和下游側隔板3 60和排氣口 2(V8之間的空間 φ 幾乎相同爲佳。依此，通過上游側隔板350之各圓孔開口 356之排氣之氣流效率佳地被導入下游側隔板360之各開 縫狀開口 364，可以使排氣之氣流更加安定， 並且，在上述實施型態中，雖然針對上游側隔板350 及下游側隔板3 60皆設置成從載置台300朝向外側成爲水 平之情形予以說明，但並不一定要限定於此。例如，下游 側隔板360即使形成從載置台300朝向外側傾斜亦可。 再者，在上述實施型態中，雖然針對在處理室2 00之 〇 底壁形成多數排氣口 208之電漿處理裝置設置隔板340之 情形予以說明，但並不一定要限定於此，即使例如第11 圖A、第1 1圖B所示般，在處理室200之側壁形成有多 數排氣口 208之電漿處理裝置設置隔板340亦可。於在處 理室200之側壁形成排氣口 208之時，例如第1 1圖a、 第11圖B所示般，在處理室200之側壁之外側，以包圍 排氣口 208之方式，設置有用以安裝配管之安裝框體209 亦可。在被形成於該安裝框體209之底部之孔209a經配 管連接渦輪分子泵（TMP)410、乾式泵（DP)420。 -19- 201015636 如此一來，在處理室200之側壁形成排氣口 208之時 ，即使將上游側隔板3 50和下游側隔板3 60皆予以水平設 置亦可。但是，依據排氣口 2 08之配置位置，也有載置台 300之側方且較排氣口 208上側之空間（安裝隔板304之空 間）變窄之情形。此時，當將上游側隔板350和下游側隔 板3 60皆予以水平配置之時，則有上游側隔板3 5 0和下游 側隔板360之間的空間則較下游側隔板360和排氣口 208 之間的空間窄之虞。 @ 於是，在如此之情形，則如第12圖A、第1 2圖B所 示般，將下游側隔板360傾斜配置成從載置台300之下方 朝向處理室200之側壁傾斜於上方爲佳。依此，即使較排 氣口 208上方之空間窄，亦可以配設成上游側隔板3 50和 下游側隔板360之間的空間，和下游側隔板360和排氣口 208之間的空間幾乎相同。依此，可以防止排氣之氣流集 中，可以使排氣之氣流更爲安定。 並且，雖然針對將形成在本實施型態中之下游側隔板 Θ 360之開口 364設爲開縫狀予以說明，但是並不限定於此 。例如，即使在下漩側隔板3 60形成圓孔狀開口，以取代 開縫狀開口 364亦可。此時，即使與開縫狀開口 364a、 364b、3 64c之情形相同，離排氣口 208越遠增大孔徑，或 增多孔數亦可。依此，亦可以防止排氣之氣流集中於各排 氣口 208 。 再者，在本實施型態中之下游側隔板360中，雖然如 第5圖所示般，在排氣口 208之正上方中’排氣口 208之 -20- 201015636 孔邊附近形成短開縫狀開口 3 64a，但係並不限定於此。排 氣口 208之正上方因排氣之氣流強，故即使在整個例如排 氣口 208之全體不設置開縫狀開口 364亦可。依此，可以 在排氣口 208之正上方關閉其排氣口 208之孔全體。 再者，即使在本實施型態中之上游側隔板350及下游 側隔板360，例如第13圖A、第13圖B所示般，設置調 整該些各圓孔開口 356、各開縫狀開口 364之開口度的開 ❹ 口度調整構件358、368亦可。依此，可以因應例如來自 排氣口 208之吸力微調整上述上游側隔板及上述下游側隔 板中之各圓孔開口 356、各開縫狀開口 3 64之開口度。依 此，可以將排氣之氣流調整成更適合。 第13圖A所示之開口度調整構件358係在上游側隔 板35〇表面滑動自如地安裝板狀構件359，並在該板狀構 件以與圓孔狀開口 356同樣之配置形成用以調整圓孔狀開 口 356之開口度的調整孔359a。依此，藉由使構成開口度 〇 調整構件3 58之板狀構件359滑動，可以一起調整各圓孔 狀開口 356之開口度。並且，各開口度調整構件358之構 成並不限於第13圖B所示者。 第13圖B所示之開口度調整構件3 68係將調整各開 縫狀開口 364之開口度的板狀構件369滑動自如地設置在 各開縫狀開口 364附近。依此，藉由使開口度調整構件 3 6 8之各板狀構件369滑動，可以個別調整各開縫狀開口 364之開口度。並且，開口度調整構件368之構成並不限 於第13圖B所示者。 -21 - 201015636 以上，雖然係一面參照附件圖面一面針對本發明之最 佳實施型態予以說明，但是本發明當然並不限定於此例。 若爲本項技藝者在記載於申請專利範圍之範疇內應該能夠 思及各種變更例或是修正例，針對該些變更例或修正例當 然也屬於本發明之技術範圍。 例如，在上述實施型態中，雖然針對本發明適用於將 多數排氣口 208如第3圖所示般在載置台300之4個側面 和處理室200之側壁之間各配置兩個的電漿處理裝置之情 形予以說明，但是多數排氣口 208之數量和配置並不限定 於此。再者，多數排氣口 2 08不一定要形成均等，即使例 如兩個或三個以上之排氣口 208被形成一部份接近亦可。 再者，在本實施型態中，雖然針對本發明適用於將上 部電極接地，僅對下部電極施加高頻電力之類型的電漿處 理裝置之情形予以說明，但是並非限定於此。例如，即使 適用於對上部電極和下部電極之雙方施加高頻電力之類型 的電漿處理裝置亦可，再者，即使適用於僅對下部電極施 加例如高頻不同之兩種類高頻電力之類型或是感應耦合型 之電漿處理裝置亦可。 [產業上之利用可行性] 本發明係可適用於一面將處理氣體導入至處理室內一 面予以排氣，並且生成處理氣體之電漿而對被處理基板施 予特定電漿處理之電漿處理裝置。 -22- 201015636 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示具備有本實施型態所涉及之電漿處理裝 置之基板處理裝置之構成例的斜視圖。 第2圖爲表示同實施型態中之處理室之構成例的縱剖 面圖。 第3圖爲用以說明同實施型態中之各排氣口之配置位 置的圖式。 ， φ 第4圖爲表示同實施型態中之上游側隔板之構成例的 圖式。 第5圖爲表示同實施型態中之下游側隔板之構成例的 圖式。 第6圖爲放大表示第5圖所示之下游側隔板之一部分 的圖式。 第7圖A爲用以說明同實施型態中之處理室內之排氣 之氣流的圖式，爲無隔板之情形。 φ 第7圖B爲第7圖A中之A-A剖面圖。 第8圖A爲用以說明同實施型態中之處理室內之排氣 之氣流的圖式，僅設置下游側隔板之情形。 第8圖B爲第8圖A中之A-A剖面圖。 ' 第9圖A爲用以說明同實施型態中之處理室內之排氣 之氣流的圖式，設置上游側隔板和下游側隔板之雙方的情 形。 第9圖B爲第9圖A中之A-A剖面圖。 第10圖A爲用以說明同實施型態中之處理室內之排 -23- 201015636 氣之氣流的圖式，僅設置無形成開口之下游側隔板的彳青形 〇 第10圖B爲第10圖A中之A-A剖面圖。 第11圖A爲用以說明在同實施型態中排氣口被形成 在處理室之側壁時之排氣氣流的縱剖面圖。 第11圖B爲第11圖A中之B-B剖面圖。 第12圖A爲用以說明在同實施型態中之下游側隔板 之變形例的縱剖面圖。 第12圖B爲第12圖A中之B-B剖面圖。 第13圖A爲用以說明在同實施型態中之上游側隔板 之開口度調整構件之部分剖面圖。 第13圖B爲用以說明在同實施型態中之下游側隔板 之開口度調整構件的部分剖面圖。 【主要元件符號說明】 100:基板處理裝置 Θ 102 、 104 、 106 ：閘閥 1 10 :搬運室 120 :裝載鎖定室 130:基板搬出搬入機構 140 :指示器 142 :卡匣 200 :處理室 204 :基板搬入搬出口 -24- 201015636 2 0 8 :排氣口 209 :安裝框體 209a :孔 210 :噴淋頭 222 :緩衝室 224 :處理氣體吐出孔 226 :處理氣體導入口 φ 23 0 :處理氣體供給機構 232 :處理氣體供給源 23 3 :處理氣體供給配管 234 :質量流量控制器（MFC) 23 5b :開關閥 300 :載置台 302 :基座構件 3 1 0 :承載器 _ 312 :整合器 314 :高頻電源 3 1 5 :電源 3 1 6 :開關 3 1 7 :冷煤流路 3 1 8 :氣體流路 320 :靜電保持部 3 2 2 :電極板 33 0 :外框部 -25 201015636 340 :隔板 350 :上游側隔板 352、354:板狀構件 3 56 :圓孔狀開口 3 5 8 :開口度調整構件 3 6 0 :下游側隔板 3 6 2 :板狀構件 363:無開口之下游側隔板 ⑩ 364(364a〜364c):開縫狀開口 368 :開口度調整構件 4 0 2 :排氣管 410 :渦輪分子泵（TMP) 420:乾式泵（DP) G : FPD基板 -26-

Claims (1)

1. 201015636 七、申請專利範圍： 1·一種電漿處理裝置，其特徵爲：具備 處理室’用以對被處理基板施予電漿處理； 處理氣體供給部，用以對上述處理室內供給用以產生 電漿之處理氣體； 載置台’被配置在上述處理室內，載置上述被處理基 板； Φ 隔板部，區隔上數處理室內之電槳生成區域和排氣上 述處理室內之排氣路徑：和 多數排氣口 ’在上述排氣路徑中較上述隔板部更下游 側’被配置於上述載置台之周圍， 上述隔板部係由被間隔開而配置成包圍上述載置台之 周圍的上游側隔板和被配置在該上游側隔板之下游側的下 游側隔板所構成，在上述各隔板形成分別連通上述電漿生 成區域和上述排氣路徑之多數開口，至少一方之隔板之各 Ο 開口因應上述各排氣口之配置位置而改變數量和形狀中之 一方或雙方。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之電漿處理裝置，其 中， 上述上游側隔板之多數開口形成全體被配置成一樣， 上述下游側隔板之多數開口係形成離上述各排氣口越遠數 量越多或是形狀越大。 3. 如申請專利範圍第2項所記載之電漿處理裝置，其 中， -27- 201015636 上述上游側隔板之上述多數開口係形成圓孔狀，上述 下游側隔板之上述多數開口係形成開縫狀。 4. 如申請專利範圍第3項所記載之電漿處理裝置，其 中， 上述下游側隔板之上述開縫狀之各開口係形成離上述 各排氣口越遠越寬。 5. 如申請專利範圍第2項所記載之電漿處理裝置，其 中， 上述上游側隔板和上述下游側隔板之上述多數開口皆 形成圓孔狀。 6. 如申請專利範圍第5項所記載之電漿處理裝置，其 中， 上述下游側隔板之上述圓孔狀之開口數量係形成離上 述各排氣口越遠越多。 7·如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之電 漿處理裝置，其中， 上述上游側隔板係形成從上述載置台朝向外側呈水平 ，上述下游側隔板保形成從上述載置台朝向外側傾斜。 8. 如申請專利範圍第7項所記載之電漿處理裝置，其 中， 上述設排氣口被形成在上述處理室之側壁， 上述下游側隔板係形成從上述載置台之下方朝向上述 處理室之側壁傾斜於上方。 9. 如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之電 -28- 201015636 漿處理裝置，其中， 在上述上游側隔板及上述下游側隔板分別設置有調整 該些開口之開口度的開口度調整構件。

   -29-