TWI465292B - Shower board and substrate processing device - Google Patents

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TWI465292B
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Chishio Koshimizu
Kazuki Denpoh
Hiromasa Mochiki
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Tokyo Electron Ltd
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Description

淋浴板及基板處理裝置
本發明是有關淋浴板及基板處理裝置，特別是有關供給處理氣體至基板處理裝置所具備的腔室内的處理空間之淋浴頭所有的淋浴板。
通常，基板處理裝置是具備收容作為基板的晶圓之腔室，在該腔室内的處理空間中利用自處理氣體發生的電漿來對晶圓實施電漿處理。處理氣體是藉由配置於腔室的上部之淋浴頭來供給至該腔室内的處理空間。
圖10是以往的基板處理裝置所具備的淋浴頭的構造概略圖，圖10(A)是以往的淋浴頭的剖面圖，圖10(B)是由下方來看以往的淋浴頭的底面圖。另外，圖10(A)是沿著圖10(B)的線10A-10A的剖面圖。
在圖10(A)及圖10(B)中，淋浴頭90是具有：圓板狀的淋浴板91、及配置於該淋浴板91上的圓板狀的冷卻板92、及保持淋浴板91的板保持體93。該板保持體93是由圓柱狀的構件所形成，該圓柱是由下方被挖掉，在該被挖掉的部份收容淋浴板91及冷卻板92。所被収容的冷卻板92是與板保持體93一起在該板保持體93内形成空間94。從處理氣體導入管95導入處理氣體至該空間94。並且，所被収容的淋浴板91是對向於腔室内的處理空間(未圖示)。
淋浴板91及冷卻板92是分別具有貫通於厚度方向的複數個氣體穴96，97，經由該氣體穴96，97來連通空間94及處理空間。被導入至空間94的處理氣體是經由氣體穴96，97來供給至處理空間。在此，特別是如圖10(B)所示，氣體穴96是分散配置，因此處理氣體也會被分散供給。
可是，以往處理空間的電漿會進入至氣體穴96，97，在氣體穴96，97内發生異常放電。一旦發生異常放電，則覆蓋冷卻板92的防蝕鋁會剝落而產生粒子。
於是，將淋浴板或冷卻板的氣體穴形成迷路狀，使電漿難以侵入至各氣體穴，藉此防止氣體穴内的異常放電發生等的對策被開發著(例如參照專利文獻1)。
[專利文獻1]特開2007-5491號公報
然而，即使將氣體穴形成迷路狀，還是會有一旦淋浴板的使用時間經過某程度，仍然在氣體穴内發生異常放電的問題。
在氣體穴96内發生異常放電的淋浴板91，如圖11所示，因為在處理空間側，氣體穴96膨脹成氣球狀，所以在氣體穴96内發生局部性的放電(局部放電)，因為該局部放電，氣體穴96會被慢慢地削去，一旦氣體穴96的膨脹超過某值，則可推測這個時候發生異常放電。
本發明的目的是在於提供一種可為了即使過了使用時間還是能延長淋浴板的壽命而防止異常放電的發生之淋浴板。
為了達成上述目的，申請專利範圍1記載的淋浴板，係配置於基板處理裝置的處理室，對該處理室内的處理空間供給處理氣體的處理氣體供給部所具有的淋浴板，其特徵為：
形成於上述處理氣體供給部内，且介於導入上述處理氣體的處理氣體導入空間及上述處理空間之間，
具有使上述處理氣體導入空間及上述處理空間連通的處理氣體供給路徑，
上述處理氣體供給路徑係具有：形成於上述處理氣體導入空間側的複數的氣體穴、及形成於上述處理空間側的複數的氣體溝，上述複數的氣體穴及上述複數的氣體溝係互相連通，
上述全部的氣體溝的流路剖面積的合計值係比上述全部的氣體穴的流路剖面積的合計值更大。
申請專利範圍2記載的淋浴板，係於申請專利範圍1記載的淋浴板中，在上述剖面的上述全部的氣體溝的流路剖面積的合計值，係上述全部的氣體穴的流路剖面積的合計值的1.75倍以上。
申請專利範圍3記載的淋浴板，係於申請專利範圍1或2記載的淋浴板中，上述氣體溝的深度係比5mm大。
申請專利範圍4記載的淋浴板，係於申請專利範圍1乃至3的任一項所記載的淋浴板中，上述複數的氣體溝係於上述處理空間側的表面形成直線狀且互相平行。
申請專利範圍5記載的淋浴板，係於申請專利範圍1乃至4的任一項所記載的淋浴板中，上述複數的氣體穴係於上述複數的氣體溝的底部沿著該氣體溝的長度方向來均等地開口。
申請專利範圍6記載的淋浴板，係於申請專利範圍1乃至5的任一項所記載的淋浴板中，由鉛直方向被2分割的第1構件及第2構件所構成，上述第1構件係配置於上述氣體導入空間側，且上述第2構件係被配置於上述處理空間側，上述複數的氣體穴係形成於上述第1構件，且上述複數的氣體溝係形成於上述第2構件。
為了達成上述目的，申請專利範圍7記載的基板處理裝置，係具備：收容基板來實施處理的處理室、及配置於該處理室來對該處理室内的處理空間供給處理氣體的處理氣體供給部，其特徵為：
上述處理氣體供給部係具有：形成於該處理氣體供給部内，且介於導入上述處理氣體的處理氣體導入空間及上述處理空間之間的淋浴板，
該淋浴板係具有：使上述處理氣體導入空間及上述處理空間連通的處理氣體供給路徑，
上述處理氣體供給路徑係具有：形成於上述淋浴板的上述處理氣體導入空間側的複數的氣體穴、及形成於上述淋浴板的上述處理空間側的複數的氣體溝，
上述複數的氣體穴及上述複數的氣體溝係互相連通，
上述全部的氣體溝的流路剖面積的合計值係比上述全部的氣體穴的流路剖面積的合計值更大。
申請專利範圍8記載的基板處理裝置，係於申請專利範圍7記載的基板處理裝置中，上述處理氣體供給部係具有：介於上述處理氣體導入空間及上述淋浴板之間，且冷卻該淋浴板的冷卻板，
該冷卻板係具有使上述處理氣體導入空間及上述處理氣體供給路徑連通的複數的貫通穴。
為了達成上述目的，申請專利範圍9記載的基板處理裝置，係具備：收容基板來實施處理的處理室、及配置於該處理室來對該處理室内的處理空間供給處理氣體的處理氣體供給部，其特徵為：
上述處理氣體供給部係具有：形成於該處理氣體供給部内，且介於導入上述處理氣體的處理氣體導入空間及上述處理空間之間的淋浴板、及介於上述處理氣體導入空間及上述淋浴板之間，且冷卻該淋浴板的冷卻板，
上述淋浴板係具有：貫通於鉛直方向且連通至上述處理空間的複數的氣體溝，
上述冷卻板係具有：使上述處理氣體導入空間及上述複數的氣體溝連通的複數的氣體穴，
上述全部的氣體溝的流路剖面積的合計值係比上述全部的氣體穴的流路剖面積的合計值更大。
若根據申請專利範圍1記載的淋浴板及申請專利範圍7記載的基板處理裝置，則在使處理氣體導入空間及處理空間連通，具有形成於處理氣體導入空間側的複數個氣體穴及形成於處理空間側的複數個氣體溝之處理氣體供給路徑中，全部的氣體溝的流路剖面積的合計值是比全部的氣體穴的流路剖面積的合計值更大。從處理氣體導入空間往處理空間之處理氣體的供給時，若對應於該供給，處理氣體供給路徑内的處理氣體的壓力增高，則會在處理氣體供給路徑内由處理氣體發生局部放電，但因為全部的氣體溝的流路剖面積的合計值是比全部的氣體穴的流路剖面積的合計值更大，所以在處理氣體的供給時，不會有氣體溝内的處理氣體的壓力增高的情況，不會在氣體溝内發生局部放電。其結果，可防止氣體溝慢慢地被削去，進而可為了即使過了使用時間還是能延長淋浴板的壽命而防止異常放電的發生。
若根據申請專利範圍2記載的淋浴板，則全部的氣體溝的流路剖面積的合計值是全部的氣體穴的流路剖面積的合計值的1.75倍以上，因此在處理氣體的供給時可確實地防止氣體溝内的處理氣體的壓力增高，進而即使過了使用時間還是可確實地防止異常放電的發生。
若根據申請專利範圍3記載的淋浴板，則氣體溝的深度比5mm大。離子從處理空間進入至處理氣體供給路徑，該離子到達處理氣體導入空間側的表面時，有可能在該表面附近引起異常放電，但因為離子從處理空間側的表面起充其量只進入5mm的深度，所以只要將氣體溝的深度設定成比5mm大，便不會有離子到達至處理氣體導入空間側的表面之情況，藉此可防止離子所引起之異常放電的發生。
若根據申請專利範圍4記載的淋浴板，則因為複數的氣體溝是在處理空間側的表面形成直線狀且互相平行，所以可容易地加工成形各氣體溝，進而能夠減低淋浴板的成本。
若根據申請專利範圍5記載的淋浴板，則因為複數的氣體穴是以能夠在複數的氣體溝的底部沿著該氣體溝的長度方向來均等地開口之方式配置，所以可使處理氣體幾乎均等地分散至各氣體溝内，進而可從淋浴板往處理空間均等地供給處理氣體。
若根據申請專利範圍6記載的淋浴板，則由厚度方向(鉛直方向)2分割的第1構件及第2構件所構成，第1構件是被配置於氣體導入空間側，且第2構件是被配置於處理空間側，複數的氣體穴是被形成於第1構件，複數的氣體溝是被形成於第2構件，因此可更容易地加工成形各氣體穴及各氣體溝。
若根據申請專利範圍8記載的基板處理裝置，則介於處理氣體導入空間及淋浴板之間的冷卻板是具有使處理氣體導入空間及處理氣體供給路徑連通的複數個貫通穴，因此該冷卻板不會有阻礙處理氣體的供給之情況，可冷卻該淋浴板。
若根據申請專利範圍9記載的基板處理裝置，則在淋浴板中貫通於厚度方向(鉛直方向)的全部的氣體溝的流路剖面積的合計值是比在冷卻板中使處理氣體導入空間及複數的氣體溝連通的全部的氣體穴的流路剖面積的合計值更大。從處理氣體導入空間往處理空間之處理氣體的供給時，若對應於該供給，連通至處理空間的氣體溝的處理氣體的壓力增高，則會在氣體溝中由處理氣體發生局部放電，但因為全部的氣體溝的流路剖面積的合計值是比全部的氣體穴的流路剖面積的合計值更大，所以在處理氣體的供給時不會有氣體溝内的處理氣體的壓力增高之情況，不會在氣體溝内發生局部放電。其結果，可防止氣體溝慢慢地被削去，進而可為了即使過了使用時間還是能延長淋浴板的壽命而防止異常放電的發生。
以下，一邊參照圖面一邊說明有關本發明的實施形態。
圖1是概略顯示具備本發明的實施形態的淋浴板之基板處理裝置的構成剖面圖。此基板處理裝置是構成可對作為基板的半導體晶圓實施作為電漿處理的蝕刻處理。
在圖1中，基板處理裝置10是具有收容例如直徑為300mm的半導體晶圓(以下簡稱為「晶圓」)W之腔室11(處理室)，在該腔室11内配置有用以載置晶圓W的圓柱狀的基座12。在基板處理裝置10是藉由腔室11的内側壁及基座12的側面來形成側方排氣路13，其係具有作為將基座12上方的氣體予以排出至腔室11外的流路之機能。在該側方排氣路13的途中配置有排氣板14。
排氣板14是具有多數的孔之板狀構件，具有作為將腔室11隔成上部及下部的隔板之機能。在藉由排氣板14來隔開的腔室11的上部(以下稱為「反應室」)17產生後述的電漿。並且，在腔室11的下部(以下稱為「排氣室(集流腔)」)18開設有用以排出腔室11内的氣體之預抽排氣管15及主要排氣管16。在預抽排氣管15連接DP(Dry Pump)(未圖示)，在主要排氣管16連接TMP(Turbo Molecular Pump)(未圖示)。並且，排氣板14是在於捕捉或反射在反應室17之基座12及後述的淋浴頭30之間的處理空間S中發生的離子或自由基，而防止該等往集流腔18洩漏。
預抽排氣管15及主要排氣管16是使反應室17的氣體經由集流腔18來排出至腔室11的外部。具體而言，預抽排氣管15是使腔室11内從大氣壓減壓至低真空狀態，主要排氣管16是與預抽排氣管15相互作用來使腔室11内減壓至比低真空狀態更低的壓力之高真空狀態(例如133Pa(1Torr)以下)。
在基座12經由第1整合器20來連接第1高頻電源19，該第1高頻電源19是將比較高的頻率、例如40MHz的高頻電力供給至基座12。藉此，基座12是具有作為高頻電極的機能，將40MHz的高頻電壓施加於處理空間S。另外，第1整合器20是在於減低來自基座12之高頻電力的反射，使高頻電力往基座12的供給效率形成最大。
並且，在基座12亦經由第2整合器22來連接第2高頻電源21，該第2高頻電源21是將比第1高頻電源19所供給的高頻電力更低的頻率、例如2MHz的高頻電力供給至基座12。
在基座12的上部配置内部具有靜電電極板23的靜電吸盤24。靜電吸盤24是形成在具有某直徑的下部圓板狀構件之上重疊直徑比該下部圓板狀構件小的上部圓板狀構件之形狀。另外，靜電吸盤24是由陶瓷所構成，在基座12載置晶圓W時，該晶圓W是被配置於靜電吸盤24的上部圓板狀構件之上。
而且，靜電吸盤24是在靜電電極板23電性連接直流電源25。一旦在靜電電極板23施加正的直流高電壓，則在晶圓W之靜電吸盤24側的面(以下稱為「背面」)產生負電位，而於靜電電極板23與晶圓W的背面之間產生電位差，藉由該電位差所引起的庫倫力或約翰生拉別克(Johnsen-Rahbeck)力來使晶圓W吸附保持於靜電吸盤24的上部圓板狀構件之上。
並且，在靜電吸盤24載置有圓環狀的聚焦環26。聚焦環26是導電性構件、例如由矽所構成，包圍在靜電吸盤24的上部圓板狀構件之上所被吸附保持的晶圓W的周圍。而且，聚焦環26是使處理空間S的電漿朝晶圓W的表面収束，使蝕刻處理的效率提升。
而且，在基座12的内部設有例如延伸於圓周方向的環狀冷媒室27。在該冷媒室27中是從冷卻單元(未圖示)經由冷媒用配管28a來循環供給低温的冷媒、例如冷卻水或“Galden”(登録商標)。藉由該低温的冷媒而被冷卻的基座12是經由靜電吸盤24來冷卻晶圓W及聚焦環26。
在靜電吸盤24的上部圓板狀構件上之吸附保持晶圓W的部份(以下稱為「吸附面」)開設有複數的傳熱氣體供給孔29。該等複數的傳熱氣體供給孔29是經由傳熱氣體供給路線28b來連接至傳熱氣體供給部(未圖示)，該傳熱氣體供給部是使作為傳熱氣體的氦(He)氣體經由傳熱氣體供給孔29來供給至吸附面及晶圓W的背面的間隙。被供給至吸附面及晶圓W的背面的間隙之氦氣體是將晶圓W的熱有效地傳達至靜電吸盤24。
在腔室11的頂部，以能夠和基座12成對向的方式配置有淋浴頭30(處理氣體供給部)。淋浴頭30是具有：圓板狀的淋浴板31、及配置於該淋浴板31上的圓板狀的冷卻板32、及保持淋浴板31的板保持體33。
板保持體33是由下方挖掉中央部的圓柱狀構件所形成，在該被挖掉的部份收容淋浴板31及冷卻板32。所被収容的冷卻板32是與板保持體33一起在該板保持體33内形成空間34(處理氣體導入空間)，從處理氣體導入管35導入處理氣體至該空間34。又，由於淋浴板31是對向於處理空間S，因此蝕刻處理時，淋浴板31是藉由來自處理空間S的電漿的加熱而温度上昇，但冷卻板32是冷卻淋浴板31，而使蝕刻處理安定化。
淋浴板31是具有貫通於厚度方向的處理氣體供給路徑36，冷卻板32是具有貫通於厚度方向的複數個氣體穴37(貫通穴)。空間34及處理空間S是經由處理氣體供給路徑36及氣體穴37來連通，被導入至空間34的處理氣體是經由處理氣體供給路徑36及氣體穴37來供給至處理空間S。
又，就淋浴頭30而言，淋浴板31是由矽所構成，冷卻板32是在表面形成有防蝕鋁被膜的鋁所構成。另外，有關淋浴板31的構成會在往後詳述。
此基板處理裝置10是對基座12供給高頻電力，而對處理空間S施加高頻電壓，藉此在該處理空間S中使自淋浴頭30供給的處理氣體形成高密度的電漿來使離子或自由基發生，藉由該離子等來對晶圓W實施蝕刻處理。
另外，上述基板處理裝置10的各構成零件的動作是基板處理裝置10所具備的控制部(未圖示)的CPU會對應於蝕刻處理的程式來控制。
可是，有關上述以往的淋浴板的氣體穴的局部放電的發生機構是難以明瞭地說明，但本發明者在考慮氣體穴96的膨脹位置或蝕刻處理中的氣體穴96附近及内部的環境下，類推以下說明的假設(參照圖11)。
(1)蝕刻處理中，空間94的壓力是10Torr(1.3×103Pa)，且處理空間的壓力是30mTorr(4.0Pa)程度，因此從空間94往處理空間之處理氣體的供給時，在氣體穴96的處理氣體之處理空間側附近的壓力是約形成1Torr。1Torr是比較高壓，在氣體穴96的處理氣體之處理空間側附近處理氣體的分子多數存在。
(2)而且，在蝕刻中進入氣體穴96的電子會與多數存在的處理氣體的分子衝突而引起電離反應，因此發生局部放電。另外，電離程度(電離速度)是以下記式子表示。
電離速度=電離速度係數×電子密度×處理氣體密度
若根據該假設，則一旦使氣體穴96的處理氣體的壓力降低，處理氣體的分子會變少(分子密度降低)，該處理氣體的分子與電子的衝突機率會降下，因此局部放電難發生。
於是，本發明者為了證明上述假設，首先，為了確認電子是否進入氣體穴96，而進行使用下述電腦的模擬。
圖3是表示往蝕刻處理中的淋浴板的氣體穴之電子的進入模擬結果的圖表，縱軸是表示電子的密度，橫軸是表示離淋浴板之處理空間側的表面(以下稱為「底面」)的距離。在橫軸中氣體穴的深度是以負的值來表示。
就圖3的圖表而言，在氣體穴中離底面0mm以下是電子的密度為0。但，圖3的模擬結果是高頻的某相位的結果，就其他相位的模擬結果而言，在氣體穴中即使離底面0mm以下照樣電子的密度為0以上。因此，確認出電子進入氣體穴，該進入的電子會與處理氣體的分子衝突。
又，發明者為了探索處理氣體的壓力(處理氣體密度)與局部放電的發生關係，而使某氣體穴96的處理氣體的壓力降低來進行蝕刻處理。具體而言，如圖2所示，以蓋98來閉塞氣體穴97之空間94側的開口部，防止處理氣體流入至氣體穴96，97，將氣體穴96，97的壓力設定成與處理空間的壓力相同30mTorr，進行蝕刻處理。
在蝕刻處理的期間，未被觀察出氣體穴96中發生局部放電，在蝕刻處理後調查氣體穴96的形狀，確認未發生氣球狀的膨脹。亦即，可知若使處理氣體的壓力(處理氣體密度)降低，則局部放電不會發生。
以上，本發明者證明了上述淋浴板的氣體穴的局部放電的發生機構的假設正確。
而且，本發明者為了決定淋浴板31的處理氣體供給路徑36的詳細形狀，而進行下記說明的實驗。
為了使處理氣體供給路徑36的處理氣體的壓力降低，擴大處理氣體供給路徑36的流路剖面積(與處理氣體的流線垂直的剖面之剖面積，以下同樣)是最為簡便。於是，本發明者準備一淋浴板，其係增加淋浴板的氣體穴，該被増加的全氣體穴的流路剖面積的合計值形成比以往的淋浴板(淋浴板91)的全氣體穴(氣體穴96)的流路剖面積的合計值的1.75倍，在基板處理裝置中進行蝕刻處理時，確認未發生異常放電。因此，可知只要將淋浴板的全氣體穴的流路剖面積的合計值形成以往的淋浴板的全氣體穴的流路剖面積的合計值的1.75倍以上，便可確實地防止局部放電的發生。
又，陽離子從處理空間S進入至處理氣體供給路徑36的氣體穴，該陽離子到達淋浴板31的空間34側的表面(以下稱為「頂面」)(更具體而言是淋浴板31及冷卻板32的境界)時，有可能在該頂面附近引起異常放電，因此本發明者利用電腦來模擬在蝕刻處理中陽離子(Ar+)是如何的程度進入至氣體穴。
圖4是表示在蝕刻處理中陽離子進入淋浴板的氣體穴的模擬結果的圖表，縱軸是表示陽離子的密度，橫軸是表示離淋浴板的底面的距離。在橫軸中氣體穴的深度是以負的值來表示。
由圖4的圖表可知，在氣體穴中陽離子的密度是從底面到5mm的深度為止為0以上，亦即陽離子是5mm程度進入至氣體穴。因此，可知若將氣體穴的深度設為大於5mm，則不會有陽離子通過處理氣體供給路徑來到達頂面的情況，可防止陽離子所引起之異常放電的發生。
本發明是根據上述見解者，在本實施形態，淋浴板31具有以下說明的形狀。
圖5是概略顯示本實施形態的淋浴板的構成，圖5(A)是具有同淋浴板的淋浴頭的擴大剖面圖，圖5(B)是由下方來看同淋浴板的底面圖。另外，圖5(A)是沿著圖5(B)的線5A-5A的剖面圖。又，圖6是沿著圖5(B)的線VI-VI的剖面圖。
在圖5(A)，圖5(B)及圖6中，在厚度方向貫通淋浴板31的處理氣體供給路徑36是具有：在空間34側沿著淋浴板31的厚度方向來穿設的複數個氣體穴40、及在處理空間S側沿著同厚度方向來形成的複數個狹縫狀的氣體溝41。在此，氣體溝41是具有垂直壁。
各氣體溝41是在淋浴板31的底面形成直線狀且互相平行，隣接的2個氣體溝41的間距是5mm以上，較理想是設定於10mm～20mm的範圍，但由淋浴板31強度確保的觀點來看較理想是間距大。
各氣體穴40是與各氣體溝41連通，各氣體穴40是對應於各氣體溝41的配置場所來配置。具體而言，各氣體穴40是以能夠在對應的氣體溝41的底部沿著該氣體溝41的長度方向來均等地開口之方式配置，氣體穴40的間距是在哪個氣體溝41皆為相同值。各氣體穴40的直徑為0.3mm～5mm的任一值，但由加工性的觀點來看是大為理想。各氣體溝41的寬度是0.01mm～0.5mm的任一值，由防止電子進入至氣體溝41的觀點來看是小為理想，至少必須為以往的淋浴板91的氣體穴96的直徑之0.5mm以下。另外，氣體溝41的寬度的下限是依雷射加工或裁斷器加工的下限值而定。
各氣體溝41的深度(圖6中的「d」)是比5mm大，較理想是設定成比8mm大。藉此，即使陽離子進入處理氣體供給路徑36，該陽離子也不會進入氣體穴40，更不用說通過處理氣體供給路徑36來到達頂面。
並且，淋浴板31的全部的氣體溝41的流路剖面積的合計值是設定成比全部的氣體穴40的流路剖面積的合計值更大，具體而言，全部的氣體溝41的流路剖面積的合計值是設定成比全部的氣體穴40的流路剖面積的合計值的1.75倍以上，較理想是2.0倍以上。藉此，在氣體溝41的處理氣體的壓力會比在氣體穴40的處理氣體的壓力更確實地低。另一方面，就淋浴頭30而言，全部的氣體穴40的流路剖面積的合計值是設定成與以往的淋浴板(淋浴板91)的全氣體穴(氣體穴96)的流路剖面積的合計值大略相同。因此，全部的氣體溝41的流路剖面積的合計值是形成以往的淋浴板的全氣體穴的流路剖面積的合計值的1.75倍以上。藉此，在氣體溝41的處理氣體的壓力是比在以往的淋浴板的氣體穴的處理氣體的壓力更確實地低。
若根據本實施形態的淋浴板31，則在使空間34及處理空間S連通，具有穿設於空間34側的複數的氣體穴40及形成於處理空間S側的複數的氣體溝41之處理氣體供給路徑36中，全部的氣體溝41的流路剖面積的合計值是比全部的氣體穴40的流路剖面積的合計值更大。從空間34往處理空間S之處理氣體的供給時，若對應於該供給，處理氣體供給路徑36内的處理氣體的壓力增高，則會在處理氣體供給路徑36内由處理氣體發生局部放電，但因為全部的氣體溝41的流路剖面積的合計值是全部的氣體穴40的流路剖面積的合計值(以往的淋浴板的全氣體穴的流路剖面積的合計值)的1.75倍以上，所以在處理氣體的供給時氣體構41内的處理氣體的壓力不會有像以往的淋浴板那樣提高，在氣體溝41内不會有局部放電發生的情況。其結果，可防止氣體溝41慢慢地被削去，進而可為了即使過了使用時間還是能延長淋浴板31的壽命而確實地防止異常放電的發生。
在上述淋浴板31，為了擴大流路剖面積，並非是氣體穴的數量増加或各氣體穴的直徑擴大，而是形成氣體溝41。氣體溝41可藉由雷射加工或裁斷器加工來容易地形成，且可容易實現窄寬，因此可同時實現淋浴板31的成本低減及抑制電子從處理空間S進入至氣體溝41。
又，上述淋浴板31，如圖5(B)所示，是在底面以各氣體溝41的兩端不會到達淋浴板31的外緣之方式形成各氣體溝41。藉此，可確保淋浴板31的剛性，進而能夠防止淋浴板31容易破損。
上述淋浴板31是氣體溝41的深度比5mm大，因此不會有陽離子通過處理氣體供給路徑36來到達頂面的情況，藉此，可防止陽離子所引起的異常放電發生。
又，上述淋浴板31是複數的氣體溝41在底面形成直線狀且互相平行，因此可容易加工成形各氣體溝41，進而可降低淋浴板31的成本。
又，上述淋浴板31因為複數的氣體穴40是以能夠在對應的氣體溝41的底部沿著該氣體溝41的長度方向來均等地開口之方式配置，所以可使處理氣體大概均等地分散至各氣體溝41内，進而可從淋浴板31至處理空間S均等地供給處理氣體。又，由於可均等地供給處理氣體，因此在底面的氣體溝41的配置圖案較具自由度，藉此，可使淋浴板31的設計形成容易。
又，上述淋浴頭30是介於空間34及淋浴板31之間的冷卻板32具有使空間34及處理氣體供給路徑36連通的複數的氣體穴37，因此該冷卻板32不會阻礙處理氣體的供給，可冷卻該淋浴板31。
上述淋浴板31是藉由矽所構成，但構成淋浴板31的材料並非限於矽，亦可為石英或鋁。以鋁來構成時，在表面噴塗絕緣被膜。
又，上述淋浴板31是藉由1片的圓板狀構件來構成，但淋浴板31亦可藉由積層複數的圓板狀構件來構成。例如，亦可使淋浴板藉由在其厚度方向予以2分割之配置於空間34側的上部構件(第1構件)及配置於處理空間S側的下部構件(第2構件)(皆未圖示)來構成，將各氣體穴40形成於上部構件，且將各氣體溝41形成於下部構件。藉此，由於各氣體穴40、各氣體溝41分別可藉由貫通上部構件、下部構件來形成，因此可更容易加工成形各氣體穴40及各氣體溝41。
上述淋浴板31是各氣體溝41會在淋浴板31的底面形成直線狀且互相平行，但亦可如圖7(A)所示將各氣體溝42形成格子狀，又，亦可如圖7(B)所示將各氣體溝43形成放射狀。哪個情況皆可從淋浴板往處理空間S使處理氣體更分散供給。另外，如上述般，底面的氣體溝41的配置圖案較具自由度。另外，在圖7(A)及7(B)中淋浴板31的氣體穴40是圖示被省略。
又，上述淋浴板31是藉由氣體穴40及氣體溝41來構成處理氣體供給路徑36，但亦可如圖8(A)所示僅以狹縫狀的氣體溝44來構成處理氣體供給路徑36。就此變形例而言，冷卻板32的各氣體穴37是沿著各氣體溝44的長度方向來均等地開口。又，各氣體溝44為了確保淋浴板31的剛性，而形成比淋浴板31的氣體溝41更短(參照圖8(B))。又，淋浴板31的全部的氣體溝44的流路剖面積的合計值是設定成比冷卻板32的全部的氣體穴37的流路剖面積的合計值更大。另外，在圖8(B)中冷卻板32的氣體穴37是圖示被省略。
本變形例是從空間34往處理空間S供給處理氣體時，一旦對應於該供給，氣體溝44内的處理氣體的壓力提高，則在氣體溝44内有可能由處理氣體發生局部放電，但因為全部的氣體溝44的流路剖面積的合計值(如上述般，與以往的淋浴板的全氣體穴的流路剖面積的合計值大概相同)是比全部的氣體穴37的流路剖面積的合計值更大，所以在處理氣體的供給時，氣體溝44内的處理氣體的壓力不會有像以往的淋浴板那樣提高的情況，不會有在氣體溝44内發生局部放電的情況。
又，淋浴頭30在將2種類的處理氣體同時供給至處理空間S時，空間34會藉由O型環45來分割成中央部34a及邊緣部34b，在邊緣部34b從其他的處理氣體導入管46來導入處理氣體(參照圖9(A))，但氣體溝41並未對應於中央部34a或邊緣部34b來分割(參照圖9(B))。藉此，在將2種類的氣體供給至處理空間S之前，可使該2種類的氣體在氣體溝41内混合，可防止在處理空間S中各種氣體偏在。另外，在圖9(B)中淋浴板31的氣體穴40是圖示被省略。
上述淋浴板31是適用於對半導體晶圓實施蝕刻處理的基板處理裝置10，但具有與淋浴板31同樣構成的淋浴板亦可適用於對LCD(Liquid Crystal Display)或FPD(Flat Panel Display)等的玻璃基板實施電漿處理的基板處理裝置。
又，上述基板處理裝置10是對基座12供給2種類的高頻電力，但亦可分別對基座12及淋浴頭30供給1種類的高頻電力。此情況，在淋浴板31及冷卻板32之間配設有電極板，在該電極板連接高頻電源。並且，在電極板形成有使各氣體穴40及各氣體溝41連通的複數個氣體穴，但電極板的全部的氣體穴的流路剖面積的合計值，是以不會妨礙處理氣體的流動之方式，設定成至少比冷卻板32的全部的氣體穴37的流路剖面積的合計值更大。
W．．．晶圓
S．．．處理空間
10．．．基板處理裝置
11．．．腔室
30，90．．．淋浴頭
31，91．．．淋浴板
32，92．．．冷卻板
34，94．．．空間
36．．．處理氣體供給路徑
37，40，96，97．．．氣體穴
41，42，43，44．．．氣體溝
圖1是概略顯示具備本發明的實施形態的淋浴板之基板處理裝置的構成剖面圖。
圖2是表示未發生淋浴板的異常放電之氣體穴的擴大剖面圖。
圖3是表示在蝕刻處理中電子進入淋浴板的氣體穴的模擬結果的圖表。
圖4是表示在蝕刻處理中陽離子進入淋浴板的氣體穴的模擬結果的圖表。
圖5是概略顯示本實施形態的淋浴板的構成圖，圖5(A)是具有同淋浴板的淋浴頭的擴大剖面圖，圖5(B)是由下方來看同淋浴板的底面圖。
圖6是沿著圖5(B)的線VI-VI的剖面圖。
圖7是概略顯示本實施形態的淋浴板的變形例的構成圖，圖7(A)是第1變形例的底面圖，圖7(B)是第2變形例的底面圖。
圖8是概略顯示本實施形態的淋浴板的第3變形例的構成圖，圖8(A)是具有同淋浴板的淋浴頭的擴大剖面圖，圖8(B)是由下方來看同淋浴板的底面圖。
圖9是概略顯示本實施形態的淋浴板的第4變形例的構成圖，圖9(A)是具有同淋浴板的淋浴頭的擴大剖面圖，圖9(B)是由下方來看同淋浴板的底面圖。
圖10是概略顯示以往的基板處理裝置所具備的淋浴頭的構造圖，圖10(A)是以往的淋浴頭的剖面圖，圖10(B)是由下方來看以往的淋浴頭的底面圖。
圖11是表示發生淋浴板的異常放電的氣體穴的擴大剖面圖。
30．．．淋浴頭
31．．．淋浴板
32．．．冷卻板
33．．．板保持體
34．．．空間
35．．．處理氣體導入管
36．．．處理氣體供給路徑
37，40．．．氣體穴
41．．．氣體溝
S．．．處理空間

Claims (6)

  1. 一種淋浴板，係配置於基板處理裝置的處理室，對該處理室內的處理空間供給處理氣體的處理氣體供給部所具有的淋浴板，其特徵為：形成於上述處理氣體供給部內，且介於導入上述處理氣體的處理氣體導入空間及上述處理空間之間，具有使上述處理氣體導入空間及上述處理空間連通的處理氣體供給路徑，上述處理氣體供給路徑係具有：形成於上述處理氣體導入空間側的複數的氣體穴、及形成於上述處理空間側的複數的氣體溝，上述複數的氣體穴及上述複數的氣體溝係以使上述複數的氣體穴於上述複數的氣體溝的底部沿著該氣體溝的長度方向來均等地開口而互相連通，上述複數的氣體溝的流路剖面積的合計值係上述複數的氣體穴的流路剖面積的合計值的1.75倍以上，上述氣體溝的深度係比5mm大。
  2. 如申請專利範圍第1項之淋浴板，其中，上述複數的氣體溝係於上述處理空間側的表面形成直線狀且互相平行。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之淋浴板，其中，由厚度方向被2分割的第1構件及第2構件所構成，上述第1構件係配置於上述氣體導入空間側，且上述第2構件係被配置於上述處理空間側，上述複數的氣體穴係形成於上述第1構件，且上述複 數的氣體溝係形成於上述第2構件。
  4. 一種基板處理裝置，係具備：收容基板來實施處理的處理室、及配置於該處理室來對該處理室內的處理空間供給處理氣體的處理氣體供給部，其特徵為：上述處理氣體供給部係具有：形成於該處理氣體供給部內，且介於導入上述處理氣體的處理氣體導入空間及上述處理空間之間的淋浴板，該淋浴板係具有：使上述處理氣體導入空間及上述處理空間連通的處理氣體供給路徑，上述處理氣體供給路徑係具有：形成於上述淋浴板的上述處理氣體導入空間側的複數的氣體穴、及形成於上述淋浴板的上述處理空間側的複數的氣體溝，上述複數的氣體穴及上述複數的氣體溝係以使上述複數的氣體穴於上述複數的氣體溝的底部沿著該氣體溝的長度方向來均等地開口而互相連通，上述複數的氣體溝的流路剖面積的合計值係上述複數的氣體穴的流路剖面積的合計值的1.75倍以上，上述氣體溝的深度係比5mm大。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述處理氣體供給部係具有：介於上述處理氣體導入空間及上述淋浴板之間，且冷卻該淋浴板的冷卻板，該冷卻板係具有使上述處理氣體導入空間及上述處理氣體供給路徑連通的複數的貫通穴。
  6. 一種基板處理裝置，係具備：收容基板來實施處 理的處理室、及配置於該處理室來對該處理室內的處理空間供給處理氣體的處理氣體供給部，其特徵為：上述處理氣體供給部係具有：形成於該處理氣體供給部內，且介於導入上述處理氣體的處理氣體導入空間及上述處理空間之間的淋浴板、及介於上述處理氣體導入空間及上述淋浴板之間，且冷卻該淋浴板的冷卻板，上述淋浴板係具有：貫通於厚度方向且連通至上述處理空間的複數的氣體溝，上述冷卻板係使上述處理氣體導入空間及上述複數的氣體溝連通的複數的氣體穴，具有於上述複數的氣體溝的底部沿著該氣體溝的長度方向來均等地開口的氣體溝，上述複數的氣體溝的流路剖面積的合計值係上述複數的氣體穴的流路剖面積的合計值的1.75倍以上，上述氣體溝的深度係比5mm大。
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Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5165968B2 (ja) * 2007-08-27 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ粒子シミュレーション方法、記憶媒体、プラズマ粒子シミュレータ、及びプラズマ処理装置
KR101045598B1 (ko) * 2009-05-18 2011-07-01 한국과학기술원 유체 분배 장치 및 유체 분배 방법
JP5455462B2 (ja) 2009-06-23 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5697389B2 (ja) * 2010-09-27 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング用の電極板及びプラズマエッチング処理装置
CN102528855B (zh) * 2012-01-16 2014-09-24 中国林业科学研究院木材工业研究所 一种木竹材多锯片锯切冷却系统
CN103367510A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 生阳新材料科技有限公司 冷却板
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
CN104651838B (zh) * 2013-11-22 2017-07-04 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种进气装置及反应腔室
CN103736616B (zh) * 2013-12-31 2016-09-28 天津市德中技术发展有限公司 集液体的容纳与液体的喷射功能于一体的装置的制作方法
CN106660213B (zh) * 2014-07-15 2019-01-01 株式会社富士 检查方法
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
TWI604495B (zh) 2014-12-26 2017-11-01 A-Sat Corp Measurement of the gas inlet hole provided on the electrode of the plasma etching apparatus Method, electrode and plasma etching apparatus
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
KR102589972B1 (ko) * 2015-09-11 2023-10-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 슬롯형 접지 플레이트를 갖춘 플라즈마 모듈
JP2017183392A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
CN107414019B (zh) * 2017-03-27 2019-11-15 海安海太铸造有限公司 一种铸造加工用混砂机
CN107159839A (zh) * 2017-03-27 2017-09-15 海安海太铸造有限公司 一种铸造加工用混砂机的混合剂添加机构
JP7176860B6 (ja) * 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
CN108012400A (zh) * 2017-11-24 2018-05-08 电子科技大学 一种常压高频冷等离子体处理装置
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US10984987B2 (en) * 2018-10-10 2021-04-20 Lam Research Corporation Showerhead faceplate having flow apertures configured for hollow cathode discharge suppression
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
KR102695926B1 (ko) 2019-10-07 2024-08-16 삼성전자주식회사 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN115775715A (zh) 2021-09-08 2023-03-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
WO2023234150A1 (ja) * 2022-05-31 2023-12-07 京セラ株式会社 流路構造体、半導体製造装置および流路構造体の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
US6942753B2 (en) * 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US20070095284A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-03 Iizuka Hachishiro Gas treating device and film forming device
CN100342057C (zh) * 2002-01-25 2007-10-10 应用材料有限公司 气体分配喷头

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5589002A (en) * 1994-03-24 1996-12-31 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing
JP3195535B2 (ja) * 1996-04-12 2001-08-06 株式会社東京カソード研究所 プラズマエッチング用電極及びプラズマエッチング装置
JP2001237227A (ja) 2000-02-23 2001-08-31 Kobe Steel Ltd プラズマ処理装置
JP2002025984A (ja) * 2000-07-05 2002-01-25 Kyocera Corp シャワープレート
JP3837539B2 (ja) * 2003-03-25 2006-10-25 独立行政法人産業技術総合研究所 プラズマｃｖｄ装置
JP4502639B2 (ja) * 2003-06-19 2010-07-14 財団法人国際科学振興財団 シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法
US7879182B2 (en) * 2003-12-26 2011-02-01 Foundation For Advancement Of International Science Shower plate, plasma processing apparatus, and product manufacturing method
JP4572127B2 (ja) 2005-03-02 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 ガス供給部材及びプラズマ処理装置
US7416635B2 (en) * 2005-03-02 2008-08-26 Tokyo Electron Limited Gas supply member and plasma processing apparatus
KR20080014778A (ko) * 2005-04-18 2008-02-14 호쿠리쿠세이케고교 가부시키가이샤 샤워 플레이트 및 그 제조 방법
US20060288934A1 (en) 2005-06-22 2006-12-28 Tokyo Electron Limited Electrode assembly and plasma processing apparatus
JP4615464B2 (ja) * 2006-03-16 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
CN100342057C (zh) * 2002-01-25 2007-10-10 应用材料有限公司 气体分配喷头
US6942753B2 (en) * 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US20070095284A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-03 Iizuka Hachishiro Gas treating device and film forming device

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