KR101045598B1 - 유체 분배 장치 및 유체 분배 방법 - Google Patents

유체 분배 장치 및 유체 분배 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유체 분배 장치 및 유체 분배 방법을 제공한다. 이 방법은 예비 단위 영역들을 포함하는 예비 유체 분배부를 이용하여 기판의 최적 공정 위치를 선택하고, 및 기판의 최적 공정 위치에 대응하는 예비 유체 분배부의 구조를 전사하여 유체 분배부를 제공하는 것을 포함한다. 예비 단위 영역들 각각은 위치에 따라 서로 다른 유량을 공급하는 스플릿 영역들을 포함한다.
샤워 헤드, 유체 분배 장치, 분리 결합성, 국부적 유량 조절

Description

유체 분배 장치 및 유체 분배 방법{ FLUID DISTRIBUTION APPARATUS AND FLUID DISTRIBUTION METHOD}
본 발명은 대면적 기판을 처리하기 위한 유체 분배 장치 및 유체 분배 방법에 관한 것이다. 더 구체적으로, 대면적 기판의 중심부와 주변부 사이에 발생되는 압력 차이를 저감시켜 빠른 속도로 기판 전체를 균일하게 처리할 수 있는 유체 분배 장치 및 유체 분배 방법에 관한 것이다.
종래의 챔버의 샤워 헤드는 공간적으로 균일한 유량을 제공한다. 유체 분배 장치는 피처리물에 유체 물질을 공급하는 장치일 수 있다. 상기 유체 분배 장치는 상기 피처리물의 공정 균일성을 제공할 수 있다. 상기 피처리물의 균일한 공정을 위하여 상기 유체 분배 장치는 다양한 기하학적 구조를 가질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 공정 균일성을 제공하는 유체 분배 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 공정 균일성을 제공하는 유체 분배 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 방법은 예비 단위 영역들을 포함하는 예비 유체 분배부를 이용하여 기판의 최적 공정 위치를 선택하는 단계, 및 상기 기판의 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 예비 유체 분배부의 구조를 전사하여 유체 분배부를 제공하는 단계를 포함하되, 상기 예비 단위 영역들은 서로 다른 유량을 공급하는 스플릿 영역들을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 최적 공정 위치를 선택하는 단계는 상기 예비 단위 영역들을 포함하는 상기 예비 유체 분배부를 제공하는 단계, 상기 예비 유체 분배부를 이용하여 기판에 예비 공정을 진행하는 단계, 상기 예비 공정이 진행된 상기 기판의 특성을 조사하는 단계, 소정의 공정 균일성을 충족하는 최적 공정 위치를 선택하는 단계, 및 상기 최적 공정 위치에 대응하는 위치를 상기 예비 단위 영역별로 선택하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 최적 공정 위치를 선택하는 단계는 상기 최적 공정 위치를 선택할 수 없는 영역에 대응하는 상기 예비 유체 분배부에서 상기 예비 단위 영역의 스플릿 영역들의 유량을 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 유체 분배부를 사용하여 기판에 시험공정을 진행하는 단계, 기판에서 소정의 범위 안에 공정 균일성을 확인하는 단계,공정 균일성 불충족 영역에 대응하는 유체 분배부의 유량을 조절하는 단계, 및 상기 유체 분배부를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 장치는 제1 노즐들을 포함하는 노즐판, 상기 노즐판의 일면 상에 배치되어 복수의 판들이 서로 교차하여 다각형 형상들을 구성하는 고립 구조체, 상기 고립 구조체 상에 배치되어 상기 다각형 형상의 상부에 적어도 하나의관통홀을 제공하는 스플릿판, 및 상기 스플릿판 상에 배치되어 버퍼 공간을 제공하고 유체가 공급되는 유체 공급 라인과 연결되는 가드부를 포함할 수 있다. 상기 노즐판, 상기 다각형 형상, 및 상기 분배판은 케비티를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 스플릿판의 상기 관통홀의 직경 및 밀도 중에서 적어도 하나를 제어하여 상기 제1 노즐을 통과하는 유량을 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 스플릿판의 상기 관통홀은 규칙적으로 배열되어 단위 영역들로 구분될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노즐판에 전력을 공급하는 전원을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노즐판의 타면의 표면에 형성된 홀들을 더 포함하되, 상기 홀들은 상기 노즐의 주위에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 홀들의 지름은 상기 노즐의 지름보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노즐판의 타면의 표면에 형성된 홀들을 더 포함하되, 상기 홀들 중에서 적어도 하나는 상기 노즐과 같은 중심축 상에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 장치는 제1 노즐들을 포함하는 제1 노즐판, 상기 제1 노즐판의 일면 상에 배치되어 상기 제1 노즐의 지름보다 작은 제2노즐들을 포함하든 제2 노즐판, 및 상기 제1 노즐판 및 상기 제2 노즐판 주위에 배치되어 버퍼 공간을 제공하고 유체가 공급되는 유체 공급 라인과 연결되는 가드부를 포함하되, 상기 제1 노즐판의 제1 노즐과 상기 제2 노즐들은 서로 연결되도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 위치에 따라 적어도 둘 이상의 다른 직경을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 노즐의 중심축과 상기 제2 노즐의 중심축은 서로 일치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 노즐판의 상기 제2 노즐들은 규칙적으로 배열되어 단위 영역들로 구분될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 단위 영역들은 서로 분리 결합할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 노즐판에 전력을 공급하는 전원을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 노즐판의 타면의 표면에 형성된 홀들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 장치는 노즐들을 포함하는 노즐판, 상기 노즐판에 전력을 공급하는 전원, 및 상기 노즐판 주위에 배치되어 버퍼 공간을 제공하고 유체가 공급되는 유체 공급 라인과 연결되는 가드부를 포함하되, 상기 노즐판은 위치에 따라 노즐의 밀도 및 직경 중에서 적어도 하나가 서로 다른 스플릿 영역들을 가지는 단위 영역들을 포함하고, 상기 단위 영역들은 분리 결합할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 노즐판의 타면의 표면에 형성된 홀들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 장치는 공간적으로 불균일한 유량을 제공하여 공간적으로 균일한 공정 특성을 확보할 수 있다.
유체 분배 장치는 처리되는 기판의 면적이 증가하게 됨에 따라, 상기 유체가 균일한 유량으로 분사된 경우에도, 상기 기판의 위치에 따라 형성되는 압력이 공정에서 요구하는 범위 이상으로 달라질 수 있다. 통상적으로 기판 중심부의 압력이 가장 크고, 그 다음으로 기판 주변부의 압력이 작고, 가스 배기관 근처에서 압력이 가장 작게 형성된다. 또한 압력이 균일한 경우라도, 기판과의 반응이 일어나는 시간 및 가스가 배기되기 까지 걸리는 시간 등의 차이로, 위치별로 가스의 분압이 다를 수 있다. 따라서, 상기 유체 분배 장치는 위치에 따라 다른 유량을 분사하도록 설계될 필요가 있다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층(또는 막) 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층(또는 막)이 다른 층(또는 막) 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층(또는 막) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층(또는 막)이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 방법은 예비 단위 영역들을 포함하는 예비 유체 분배부를 이용하여 기판의 최적 공정 위치를 선택하는 단계(S100), 및 상기 기판의 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 예비 유체 분배부의 구조를 전사하여 유체 분배부를 제공하는 단계(S210)를 포함한다. 상기 예비 단위 영역들 각각은 위치에 따라 서로 다른 유량을 공급하는 스플릿 영역들을 포함할 수 있다. 상기 유체 분배 방법은 기판에 시험공정을 진행하는 단계(S220), 상기 기판에서 소정의 범위 안에 공정 균일성을 확인하는 단계(S230),상기 공정 균일성을 불충족하는 영역에 대응하는 상기 유체 분배부의 유량을 조절하는 단계(S240), 및 상기 유체 분배부를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계(S250)를 포함할 수 있다.
상기 최적 공정 위치를 선택하는 단계(S100)는 상기 예비 단위 영역들을 포함하는 상기 예비 유체 분배부를 제공하는 단계(110), 상기 예비 유체 분배부를 이용하여 기판에 예비 공정을 진행하는 단계(120), 상기 기판의 특성을 조사하는 단계(130), 소정의 공정 균일성을 충족하는 최적 공정 위치를 선택하는 단계(140), 상기 최적 공정 위치에 대응되는 상기 예비 유체 분배부의 위치를 선정하는 단계(150), 및 상기 최적 공정 위치를 선택할 수 없는 영역에 대응하는 상기 예비 유체 분배부의 예비 단위 영역의 스플릿 영역들의 유량을 조절하는 단계(160)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따는 상기 유체 분배 방법은 스핀 코팅, 세정, 식각, 증착, 이온 주입, 확산, 표면처리 공정등에 적용될 수 있다.
상기 예비 유체 분배부는 상기 예비 단위 영역들을 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역들은 서로 동일한 물리적 구조를 가질 수 있다. 상기 예비 단위 영역들은 서로 분리 결합할 수 있다. 상기 예비 단위 영역들은 복수의 스플릿 영역들을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역들은 서로 다른 유량을 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 스플릿 영역들은 상기 예비 단위 영역 내에서 서로 다른 유량을 제공하여 상기 예비 단위 영역에 대응되는 기판에 위치에 따라 다른 압력 또는 가스 분압을 제공할 수 있다. 상기 압력 혹은 가스 분압을 제어함으로써, 상기 기판의 처리 속도 혹은 막질을 제어할 수 있다. 상기 스플릿 영역들이 서로 다른 유량을 제공할 수 있는 한, 상기 예비 유체 분배부의 구조는 다양하게 변형될 수 있다. 상기 예비 유체 분배부는 기판 상의 영역을 복수의 예비 단위 영역으로 구분하고, 각 예비 단위 영역은 유량에 따라 서로 다른 공정 결과를 제공할 수 있도록 제작될 수 있다. 이에 따라, 상기 예비 유체 분배부는 위치에 따라 다른유량을 제공할 수 있다.
상기 예비 유체 분배부를 이용하여 상기 기판에 예비 공정을 진행할 수 있다. 상기 예비 공정은 증착, 표면처리, 식각, 이온 주입 공정 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판은 반도체 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속 기판, 및 유전체 기판 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판은 상기 예비 공정에 의하여 처리될 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 공정이 실리콘 증착 공정인 경우, 상기 기판의 실리콘의 막질, 증착률 등이 조사될 수 있다. 동일한 유량을 제공하는 스플릿 영역들인 경우, 상기 예비 단위 영역의 배치 위치에 따라 상기 증착률은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 동일한 유량을 제공하는 스플릿 영역들은 처리 용기의 중심부 또는 외곽부에 배치됨에 따라 증착률은 변동될 수 있다.
상기 기판의 전 영역의 기판의 특성은 조사될 수 있다. 상기 기판의 전 영역에서 최적 공정 위치를 선택할 수 있는지 확인될 수 있다. 상기 최적 공정 위치는 소정의 공정 균일성을 충족하는 위치 또는 영역일 수 있다. 상기 최적 공정 위 치는 상기 예비 단위 영역에 대응하는 기판 단위 영역별로 선택될 수 있다. 상기 최적 공정 위치에 대응되는 상기 예비 유체 분배부의 위치가 선정될 수 있다. 예를 들어, 선택된 상기 예비 유체 분배부의 위치는 상기 기판의 중심부에서 작은 유량을 제공하는 스플릿 영역일 수 있고, 상기 기판의 주변부에서 큰 유량을 제공하는 스플릿 영역일 수 있다. 상기 최적 공정 위치는 배기부의 위치, 상기 기판의 온도 균일성, 상기 유체 분배부에 전력의 인가 여부 등에 의존할 수 있다.
상기 기판에서 상기 최적 공정 위치를 선택할 수 없는 경우, 상기 최적 공정 위치를 선택할 수 없는 영역에 대응하는 상기 예비 유체 분배부의 예비 단위 영역의 스플릿 영역들은 새로운 유량의 조합으로 재구성될 수 있다(S160).
상기 유체 분배부는 복수의 단위 영역들을 포함할 수 있다. 상기 단위 영역들은 상기 예비 유체 분배부의 상기 예비 단위 영역과 같은 면적을 가질 수 있다. 상기 유체 분배부는 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 예비 유체 분배부의 상기 예비 단위 영역별로 전사되어 형성될 수 있다. 상기 단위 영역들 각각은 균일한 유량을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 단위 영역은 균일한 노즐 밀도를 가질 수 있다.
상기 유체 분배부를 이용하여 기판에 시험 공정이 진행될 수 있다. 상기 유체 분배부는 상기 단위 영역별로 분리될 수 있다. 상기 유체 분배부의 단위 영역들은 서로 다른 유량을 제공할 수 있다. 상기 단위 영역들은 서로 분리 결합할 수 있다. 따라서, 상기 단위 영역의 용이하게 교체됨에 따라, 상기 유체 분배부는 빠른 시간 내에 공정 균일성을 제공할 수 있다.
기판 전체의 공정 균일성 상기 시험 공정이 진행된 상기 기판의 처리 특성이 조사될 수 있다. 상기 기판의 공정 균일성이 소정의 범위 안에 있는지 확인할 수 있다. 만약, 상기 기판이 소정의 공정 균일성을 충족하지 못하는 경우, 상기 기판의 공정 균일성을 불충족 하는 영역에 대응하는 상기 유체 분배부의 상기 단위 영역은 다른 유량을 제공하도록 조절될 수 있다. 상기 유체 분배부가 소정의 공정 균일성을 충족하는 경우, 상기 유체 분배부를 이용하여 기판은 연속적으로 처리될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 예비 유체 분배부를 설명하는 도면이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 상기 기판 처리 장치는 처리 용기(270), 상기 처리 용기의 내부에 배치된 기판 홀더(250), 상기 기판 홀더(250) 상에 배치된 기판(260), 상기 기판(260)과 대향하여 배치된 예비 유체 분배부(201)를 포함할 수 있다. 상기 처리 용기(270)의 유체는 상기 유체 분배부(201)를 통하여 제공될 수 있다. 상기 유체는 배기부(미도시)를 통하여 상기 처리 용기(270)로부터 배출될 수 있다.
상기 기판(260)은 반도체 기판, 유전체 기판, 폴리머, 옷감, 및 금속을 포함할 수 있다. 상기 기판(260)은 유연성을 가진 물질일 수 있다. 전원(280)은 상기 유체 분배부(201)에 전력을 공급할 수 있다. 상기 전원(280)에 의하여 제공된 전력은 상기 유체 분배부(201)와 상기 기판(260) 사이에 방전을 제공할 수 있다. 상기 방전은 상기 전원(280)의 주파수에 따라 DC 방전, AC 방전, RF 방전, 또는 초고주 파 방전일 수 있다. 상기 방전의 압력은 대기압, 진공, 또는 대기압 이상의 고압일 수 있다. 상기 기판 처리 장치는 세정, 증착, 이온 주입, 또는 표면 처리 공정을 수행할 수 있다.
상기 예비 유체 분배부(201)는 제1 노즐판(210), 제2 노즐판(220), 및 가드부(230)를 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐판(210)은 규칙적으로 배열되어 관통하는 제1 노즐들(214)을 포함할 수 있다. 상기 제2 노즐판(220)은 상기 제1 노즐판(210)의 일면 상에 배치되어 상기 제1 노즐(214)의 지름보다 작은 제2 노즐들(224a~d)을 포함할 수 있다. 가드부(230)는 상기 제1 노즐판(210) 및 상기 제2 노즐판(220) 주위에 배치되어 버퍼 공간(203)을 제공하고 유체가 공급되는 유체 공급 라인(240)과 연결될 수 있다. 상기 제1 노즐들(214)과 상기 제2 노즐들(224a~d)은 서로 연결되도록 배치되고, 상기 제2 노즐들(224a~d)은 위치에 따라 적어도 둘 이상의 다른 직경을 포함한다. 상기 제1 노즐판(210)의 타면은 상기 기판(260)과 마주볼 수 있다.
상기 제2 노즐판(220)은 예비 단위 영역들(222a)을 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(222a)은 서로 분리될 수 있다. 상기 예비 단위 영역들은 복수의 스플릿 영역들(226a~d)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(226a~d)은 서로 다른 유량(Q1~Q4)을 상기 기판(260)에 제공할 수 있다. 상기 기판(260) 상의 압력은 상기 예비 단위 영역(222a) 내의 상기 스플릿 영역(226a~d)별로 다를 수 있다. 상기 기판(260)의 처리 속도는 상기 압력에 의존하여 서로 다를 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(222a)은 서로 동일한 구조를 가지는 것이 바람직할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(222a)은 서로 다른 직경을 가진 제2 노즐들(224a~d)을 구비할 수 있 다. 한편, 상기 스플릿 영역(226a~d) 내의 상기 제2 노즐들(224a~d)은 동일한 직경을 가질 수 있다. 상기 스플릿 영역(222a) 당 상기 제2 노즐들(224a~d)의 수는 같을 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 노즐들(224a~d)의 직경은 상기 제2 노즐(224a~d)을 통과하는 유량(Q1~Q4)을 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 단위 영역(222a)은 4 개의 스플릿 영역들(226a~d)을 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역(222a)은 4각형 형상이고, 상기 스플릿 영역(226a~d)은 상기 예비 단위 영역(222a)을 균등하게 분할하여 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제4 스플릿 영역(226a~d)의 제2 노즐들(224a~d)의 지름은 차례로 감소할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 스플릿 영역들(226a~d)은 각각 제1 내지 제4 유량(Q1~Q4)을 제공할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(226a~d) 각각은 설명의 편의상 4개의 제2 노즐을 포함하나, 4 개 이상을 포함할 수 있다.
상기 제1 노즐판(210)은 상기 제1 노즐들(214)을 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐들(214)은 상기 제2 노즐들(224a~d)에 대응하여 규칙적으로 배열될 수 있다. 상기 제1 노즐들(214)의 중심축과 상기 제2 노즐들(224a~d)의 중심축은 서로 일치할 수 있다. 상기 제1 노즐판(210)과 상기 제2 노즐판(220)은 서로 고정 결합할 수 있다. 상기 제1 노즐판(210)에 전력이 공급될 수 있다. 상기 전력에 의하여 상기 제1 노즐판(210)의 하부에 플라즈마가 형성될 수 있다.
상기 가드부(230)는 제1 노즐판(210) 및 상기 제2 노즐판(220) 주위에 배치되어 상기 버퍼 공간(203)을 제공할 수 있다. 상기 가드부(230)는 유체가 공급되는 유체 공급 라인(240)과 연결될 수 있다. 상기 버퍼 공간(203)은 복수의 유체가 공급되는 경우 혼합 공간을 제공할 수 있다. 상기 가드부(230)는 상기 처리 용기(270)의 투껑의 기능을 수행할 수 있다. 상기 가드부(230)는 상기 제1 노즐판(210)과 고정 결합할 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 예비 유체 분배부는 사각형 형상이 아니고, 원형 형상일 수 있다. 상기 예비 단위 영역은 다양한 형태로 변형될 수 있다. 상기 예비 단위 영역은 모두 동일한 형태로 한정되는 것은 아니다.
도 3a 및 도 3b는 도 2b의 예비 유체 분배부의 평면도 및 상기 유체 분배부를 이용하여 기판을 처리한 경우의 가상의 증착률을 설명하는 도면이다. 도 2b에서 설명한 부분과 중복되는 설명은 생략한다.
도 3a를 참조하면, 상기 제2 노즐판(220)은 예비 단위 영역들(222a)로 구분될 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(222a)은 서로 분리될 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(222a)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(222a)은 제1 내지 제4 스플릿 영역들(226a~d)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 스플릿 영역들(226a~d)은 각각 제1 내지 제4 유량(Q1~Q4)을 상기 기판(미도시)에 제공할 수 있다. 상기 기판의 처리는 실리콘 플라즈마 도움 화학 기상 증착(silicon plasma enhanced chemical vapor deposition: Si PECVD)일 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 기판(260)은 상기 예비 단위 영역들(222a)에 대응하여 기판 단위 영역들(262)로 구분될 수 있다. 또한, 상기 기판 단위 영역(262)은 상기 스플릿 영역(226a~d)에 대응하여 기판 스플릿 영역들(266a~d)으로 구분될 수 있다. 상기 기판(260)의 숫자는 스플릿 영역별 가상 증창률을 나타낸다. 상기 가 상 증착률은 상기 예비 단위 영역(262)별로 다를 수 있다. 상기 가상 증착률은 상기 기판 스플릿 영역에 대한 평균값일 수 있다. 또한, 상기 가상 증착률은 상기 기판 단위 영역(262) 내의 상기 기판 스플릿 영역(266a~d)별로 다를 수 있다.
상기 기판 단위 영역(262)별로 최적 공정 위치가 선택될 수 있다. 상기 최적 공정 위치는 상기 기판 단위 영역(262) 당 상기 기판 스플릿 영역들(266a~266d) 중에서 하나로 선택될 수 있다. 가상 증착률 3은 상기 기판(260)의 모든 기판 단위 영역들(262)에 존재함을 알 수 있다. 따라서, 상기 증착률 3인 위치를 최적 공정위치로 선택될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 도 3b의 기판의 최적 공정 위치에 대응하는 예비 유체 분배부의 구조를 전사하여 형성한 유체 분배부, 상기 유체 분배부를 이용하여 기판을 처리한 경우의 증착률을 설명하는 도면들이다.
도 4a , 도 2a, 및 도 2b를 참조하면, 상기 유체 분배부(301)는 노즐판(302), 및 가드부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 노즐판(302)은 제1 노즐판(310) 및 제2 노즐판(320)을 포함할 수 있다. 상기 유체 분배부(301)는 상기 예비 유체 분배부(201)와 동일하고 상기 제2 노즐판(320)만 교체된 구조일 수 있다.
상기 가드부(230)는 상기 제1 노즐판(310) 및 상기 제2 노즐판(320) 주위에 배치되어 버퍼 공간(203)을 제공하고 유체가 공급되는 유체 공급 라인(240)과 연결될 수 있다.
상기 제1 노즐판(310)은 규칙적으로 배열되어 관통하는 제1 노즐들(314)을 포함할 수 있다. 상기 제2 노즐판(320)은 상기 제1 노즐판(310)의 일면 상에 배치 되어 상기 제1 노즐(314)의 지름보다 작은 제2 노즐들(324a~d)을 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐들(314)과 상기 제2 노즐들(324a~d)은 서로 연결되도록 배치되고, 상기 제2 노즐들(324a~d)은 단위 영역에 따라 적어도 둘 이상의 다른 직경을 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐판(310)의 타면은 상기 기판(260)과 마주볼 수 있다. 상기 제1 노즐(314)의 직경은 동일할 수 있다. 상기 제1 노즐(314)의 중심축과 상기 제2 노즐(324a~d)의 중심축은 서로 일치할 수 있다. 상기 제1 노즐판(310)과 상기 제2 노즐판(320)은 서로 고정 결합할 수 있다. 상기 제1 노즐판(310)에 전력이 공급될 수 있다. 상기 전력에 의하여 상기 제1 노즐판(310)의 하부에 플라즈마가 형성될 수 있다.
상기 제2 노즐판(320)은 단위 영역들(322a)을 포함할 수 있다. 상기 단위 영역들(322a)은 서로 분리될 수 있다. 상기 단위 영역들(322a) 각각은 상기 기판의 최적 공정 위치에 대응하는 예비 유체 분배부(201)의 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 3b를 참조하면, 상기 기판(260)의 좌하의 예비 단위 영역의 최적 공정 위치가 증착률 3인 스플릿 영역으로 선택된 경우, 상기 스플릿 영역은 제2 유량(Q2)을 공급하는 구조일 수 있다. 이에 따라, 상기 예비 단위 영역에 대응하는 상기 단위 영역(322a)의 제2 노즐(324b)은 동일한 제2 유량(Q2)을 공급하도록 선택될 수 있다. 상기 단위 영역들(322a)은 스플릿 영역을 가지지 않을 수 있다. 상기 제2 노즐판(320)은 상기 단위 영역들(322a)이 서로 조합되어 형성될 수 있다. 상기 단위 영역들(322a) 각각의 면적과 상기 예비 단위 영역들 각각의 면적은 동일할 수 있다.
도 4b, 도 2a를 참조하면, 상기 유체 분배부(301)를 이용하여 기판(260a)을 처리한 경우의 가상의 증착률 나타낸다. 상기 기판(260a)의 숫자는 상기 기판 단위 영역(262a)별 증착률을 나타낸다. 3개의 기판 단위 영역들(261a,261b,261)은 소정의 균일성을 충족하지 못할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 단위 영역들(261a,261b,261)에 대응하는 노즐판(302)의 단위 영역들의 유량은 조절될 필요가 있다.
도 5a 및 도 5b는 유체 분배부의 소정의 균일성을 충족하지 못한 영역들의 유량 조절을 설명하는 도면과 상기 유체 분배부를 이용하여 처리한 균일성을 설명하는 도면이다.
도 5a 및 도 4b를 참조하면, 노즐판(302a)의 소정의 단위 영역들(321a,321b,321c)의 유량은 공정 균일성을 위하여 조절될 필요가 있다. 상기 단위 영역들(321a,321b,321c)은 기판 단위 영역들(261a,261b,261)에 대응할 수 있다. 상기 단위 영역들(321a,321b,321c)의 유량은 증착률을 참작하여 조절될 수 있다. 상기 단위 영역들(321a,321b,321c)은 제2 노즐판(302a)에 용이하게 분리결합할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 위치에 따른 유량을 조절한 상기 유체 분배부(302a)를 이용하여 기판의 처리한 가상의 증착률을 나타낸다. 상기 가상 증착률은 공정 균일성을 충족할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 노즐판을 설명하는 도면들이다.
도 6a를 참조하면, 상기 제1 노즐판(310)은 기판(미도시)을 등지고 있는 일면(310b)과 상기 기판을 마주보는 타면(310a)을 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐판(310)은 상기 타면(310a)의 표면에 형성된 홀들(315)을 포함할 수 있다. 상기 홀의 수는 스플릿 영역(313) 당 복수 개를 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐판(310)은 제1 노즐(314)을 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐(314)은 규칙적으로 배열될 수 있다. 상기 홀들(315)은 상기 제1 노즐(314)과 중첩되지 않을 수 있다. 상기 제1 노즐(314)의 직경은 상기 홀(315)의 직경보다 작을 수 있다. 상기 홀들(315)는 상기 제1 노즐판(310)을 관통하지 않을 수 있다. 상기 홀(315)은 상기 제1 노즐판에 전력이 인가된 경우 할로우 케소드 방전을 유발할 수 있다. 한편, 상기 제1 노즐(314)은 상기 제1 노즐판(310)에 전력이 인가된 경우 할로우 케소드 방전을 유발하지 못할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 상기 제1 노즐판(310)은 기판(미도시)을 등지고 있는 일면(310b)과 상기 기판을 마주보는 타면(310a)을 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐판(310)은 상기 타면(310a)의 표면에 형성된 홀들(315)을 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐판(310)은 제1 노즐(314)을 포함할 수 있다. 상기 홀(315)의 수는 스플릿 영역(313) 당 복수 개를 포함할 수 있다.
상기 제1 노즐(314)은 예비 노즐(314b)과 메인 노즐(314a)을 포함할 수 있다. 상기 예비 노즐(314b)과 상기 메인 노즐(315a)의 중심축은 일치할 수 있다. 상기 메인 노즐(314a)의 직경 및 깊이는 상기 홀(315)의 직경 및 깊이와 같을 수 있다. 상기 제1 노즐(314)은 규칙적으로 배열될 수 있다. 상기 홀(315) 및 상기 메인 노즐(314a)은 상기 제1 노즐판(310)에 전력이 인가된 경우 할로우 케소드 방전을 유발할 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 예비 유체 분배부를 설명하는 도면들이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 상기 기판 처리 장치는 처리 용기(170), 상기 처리 용기의 내부에 배치된 기판 홀더(150), 상기 기판 홀더(150) 상에 배치된 기판(160), 상기 기판(160)과 대향하여 배치된 예비 유체 분배부(101)를 포함할 수 있다. 상기 처리 용기(170)의 유체는 상기 유체 분배부(101)를 통하여 제공될 수 있다. 상기 유체는 배기부(미도시)를 통하여 상기 처리 용기(170)로부터 배출될 수 있다.
상기 예비 유체 분배부(101)는 규칙적으로 배열되어 관통하는 노즐들(124a~d)을 포함하는 노즐판(120), 상기 노즐판(120)에 전력을 공급하는 전원(180), 및 상기 노즐판(120) 주위에 배치되어 버퍼 공간(103)을 제공하고 유체가 공급되는 유체 공급 라인(140)과 연결되는 가드부(130)를 포함한다. 상기 노즐판(120)은 예비 단위 영역들(122a)을 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(122a) 각각은 위치에 따라 서로 다른 유량(Q1~Q4)을 공급하는 스플릿 영역들(126a~d)을 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(122a)은 서로 분리 결합할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(126a~d)은 서로 다른 직경의 노즐들(124a~d)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(126a~d) 각각은 4개의 노즐을 포함하는 것에 한정되는 것은 아니다. 상기 버퍼 공간(103)은 유체의 흐름을 제어하거나, 공간 내 부 방전을 방지하기 위해 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 버퍼 공간(103)은 세라믹 조각이 채워지거나, 기둥 구조물이 세워질 수 있다.
상기 예비 단위 영역들(122a)은 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(122a)은 서로 결합할 수 있도록 측면에 볼록부(123a)와 오목부(123b)를 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(122a)은 사각형 형상일 수 있다. 상기 볼록부(123a)는 상기 예비 단위 영역(122a)의 두 측면에 배치될 수 있다. 상기 오목부(123b)는 상기 예비 단위 영역(122a)의 다른 두 측면에 배치될 수 있다. 상기 가드부(130)는 상기 볼록부(123a)에 결합하는 가드 오목부(133a) 및 상기 오목부(133b)에 결합하는 가드 볼록부(133b)를 포함할 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 노즐판(120)은 타면에 형성된 홀들(미도시)을 포함할 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 도 1에 설명한 과정을 통하여 유체 분배부가 제공될 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 예비 유체 분배부(101)를 설명하는 도면들이다. 도 7a 및 도 7b에서 설명한 것과 중복되는 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 예비 유체 분배부(101)는 규칙적으로 배열되어 관통하는 노즐들(124a,124b)을 포함하는 노즐판(120), 상기 노즐판(120)에 전력을 공급하는 전원(180), 및 상기 노즐판(120) 주위에 배치되어 버퍼 공간(103)을 제공하고 유체가 공급되는 유체 공급 라인(140)과 연결되는 가드부(130)를 포함한다. 상기 노즐판(120)은 위치에 따라 서로 다른 유량(Q1,Q2)을 공급하는 스플릿 영역들을 가지는 예비 단위 영역들(122a)을 포함하고, 상기 예비 단위 영역들(122a)은 분리 결합할 수 있다. 상기 노즐판(120)은 복수 예비 단위 영역들(122a)을 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역(122a)은 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 예비 단위 영역(122a)은 사각형 형상일 수 있다. 상기 노즐판(120)은 전원(180)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 예비 단위 영역들(122a)은 연결부(131)에 의하여 상기 가드부(130)에 결합할 수 있다. 상기 연결부(131)는 상기 예비 단위 영역(122a)의 가장 자리 부분에 배치될 수 있다. 상기 연결부(131)는 나사 결합에 의하여 상기 가드부(130)와 상기 예비 단위 영역(122a)을 결합시킬 수 있다. 상기 연결부(131)가 배치되는 부분은 다양하게 변형될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐판을 설명하는 도면이다. 도 8에서 설명한 부분과 중복되는 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 예비 유체 분배부는 규칙적으로 배열되어 관통하는 노즐들(124a~d)을 포함하는 노즐판(120), 상기 노즐판(120)에 전력을 공급하는 전원, 및 상기 노즐판(120) 주위에 배치되어 버퍼 공간을 제공하고 유체가 공급되는 유체 공급 라인과 연결되는 가드부를 포함한다.
상기 노즐판(120)은 노즐판 프레임(121) 및 예비 단위 영역들(122a)을 포함할 수 있다. 상기 노즐판 프레임(121)은 상기 예비 단위 영역들(122a)이 삽입되는 형틀일 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(122a)은 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지른 제2 방향을 따라 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 레일(125)이 상기 노즐 판 프레임(121)을 상기 제2 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 예비 단위 영역(122a)은 상기 예비 단위 영역(122a)의 측면에 형성된 트렌치(127)를 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(122a)의 상기 트렌치(127)는 상기 레일(125)에 의하여 끼여져 서로 결합할 수 있다.
상기 예비 단위 영역들(122a)은 위치에 따라 서로 다른 유량(Q1~Q4)을 공급하는 스플릿 영역들(126a~d)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(126a~d)은 서로 다른 노즐들(124a~d)을 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역들(122a)은 분리 결합할 수 있다. 상기 예비 단위 영역(122a)은 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 예비 단위 영역(122a)은 사각형 형상일 수 있다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치들 및 예비 유체 분배부를 설명하는 도면들이다.
도 10a 및 도 10c를 참조하면, 상기 기판 처리 장치는 처리 용기(570), 상기 처리 용기의 내부에 배치된 기판 홀더(550), 상기 기판 홀더(550) 상에 배치된 기판(560), 상기 기판(560)과 대향하여 배치된 예비 유체 분배부(501)를 포함할 수 있다. 상기 처리 용기(570)의 유체는 상기 예비 유체 분배부(501)를 통하여 제공될 수 있다. 상기 유체는 배기부(미도시)를 통하여 상기 처리 용기(570)로부터 배출될 수 있다.
상기 기판(560)은 반도체 기판, 유전체 기판, 폴리머, 옷감, 및 금속을 포함할 수 있다. 상기 기판(560)은 유연성을 가진 물질일 수 있다. 전원(580)은 상기 유체 분배부(501)에 전력을 공급할 수 있다. 상기 전원(580)에 의하여 제공된 전력 은 방전을 제공할 수 있다. 상기 방전은 상기 전원(580)의 주파수에 따라 DC 방전, AC 방전, RF 방전, 또는 초고주파 방전일 수 있다. 상기 방전의 압력은 대기압, 진공, 또는 대기압 이상의 고압일 수 있다. 상기 기판 처리 장치는 세정, 증착, 이온 주입, 또는 표면 처리 공정을 수행할 수 있다.
상기 예비 유체 분배부(501)는 상기 처리 용기(570) 내부에 배치될 수 있다. 상기 예비 유체 분배부(501)는 노즐판(510), 고립 구조체(524), 스플릿판(522), 및 가드부(530)를 포함할 수 있다. 상기 노즐판(510)은 규칙적으로 배열된 노즐들(514)을 포함할 수 있다.
상기 고립 구조체(524)는 상기 노즐판(510)의 일면 상에 배치될 수 있다. 상기 고립 구조체(524)는 복수의 판들(525a,525b)이 서로 교차하여 다각형 형상들(526)을 구성할 수 있다.
상기 스플릿판(522)은 상기 고립 구조체(524) 상에 배치될 수 있다. 상기 스플릿판(522)은 상기 다각형 형상의 상부에 하나 또는 복수의 관통홀(523a~d)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿판(522)은 예비 단위 영역들(522a)을 포함할 수 있다. 상기 예비 단위 영역(522a)은 스플릿 영역들(526a~d)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역(522a)은 일대일로 상기 다각형 형상(526)과 대응될 수 있다. 상기 스플릿 영역(526a~d)을 통하여 흐르는 유량(Q1~Q4)은 상기 관통홀(523a~d)에 직경 또는 밀도에 의하여 조절될 수 있다. 상기 노즐판(510), 상기 다각형 형상(526), 및 상기 스플릿판(523a~d)은 케비티(526)를 형성할 수 있다.
상기 케비티(526)에 제공된 유체는 상기 노즐판(510)의 노즐(514)을 통하여 유체를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 노즐판(510)은 위치에 따라 다른 유량을 제공할 수 있다. 상기 스플릿판(522)은 용이하게 교체될 수 있다. 따라서, 상기 스플릿판(522)을 교체하여 위치에 따른 유량을 조절할 수 있다. 상기 스플릿판(522)의 상기 관통홀의 직경 및 밀도 중에서 적어도 하나를 제어하여 상기 노즐(514)을 통과하는 유량을 제어할 수 있다.
상기 가드부(530)는 상기 스플릿판(522) 상에 배치되어 버퍼 공간(503)을 제공하고 유체가 공급되는 유체 공급 라인(540)과 연결될 수 있다. 상기 유체 공급라인(540)은 유체 저장부(590)에 연결될 수 있다. 상기 가드부(530)는 상기 처리 용기(570)의 내부에 배치될 수 있다.
도 10b 및 도 10c를 참조하면, 상기 가드부(530)는 상기 처리 용기(270)의 투껑의 기능을 수행할 수 있다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 예비 유체 분배부를 이용하여 기판의 처리 결과와 그 결과를 반영하여 형성한 유체 분배부를 설명하는 도면이다.
도 11a 및 도 10c를 참조하면, 도 11a는 도 10c에서 설명한 예비 유체 분배부를 이용하여 기판에 예비 공정을 진행한 경우, 상기 기판의 가상의 증착률을 나타낸다. 상기 기판(560)은 기판 단위 영역들(562)으로 구분될 수 있다. 상기 기판 단위 영역들(562)은 상기 예비 유체 분배부의 단위 영역들에 대응될 수 있다. 상기 기판 단위 영역들(562)은 기판 스플릿 영역들(566a~d)로 구분될 수 있다. 상기 기판 스플릿 영역들(566a~d)은 상기 스플릿 영역에 대응될 수 있다. 상기 기판의 숫 자는 증착 공정을 진행한 경우 증착률을 나타낸다. 도 1에서 설명한 바와 같이, 증착률 3에 대응하는 영역을 최적 공정위치로 선정할 수 있다. 따라서, 증착률 3에 대응하는 예비 유체 분배부의 스플릿 영역들의 구조를 전사하여 유체 분배부가 형성될 수 있다.
도 11b를 참조하면, 도 1에서 설명한 단계를 통하여 형성된 유체 분배부(501a)가 제공될 수 있다. 상기 유체 분배부(501a)는 노즐판(510), 고립 구조체(524), 스플릿판(522), 및 가드부를 포함할 수 있다. 상기 노즐판(510)은 규칙적으로 배열된 노즐들(514)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿판(522)은 복수의 단위 영역들(522b)을 포함할 수 있다. 상기 단위 영역들(522b)은 동일한 관통홀들(523a~d)을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 예비 유체 분배부를 설명하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2b의 예비 유체 분배부의 평면도 및 상기 유체 분배부를 이용하여 기판을 처리한 경우의 가상의 증착률을 설명하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3b의 기판의 최적 공정 위치에 대응하는 예비 유체 분배부의 구조를 전사하여 형성한 유체 분배부, 상기 유체 분배부를 이용하여 기판을 처리한 경우의 증착률을 설명하는 도면들이다.
도 5a 및 도 5b는 유체 분배부의 소정의 균일성을 충족하지 못한 영역들의 유량 조절을 설명하는 도면과 상기 유체 분배부를 이용하여 처리한 균일성을 설명하는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 노즐판을 설명하는 도면들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 예비 유체 분배부를 설명하는 도면들이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 예비 유체 분배부(101)를 설명하는 도면들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐판을 설명하는 도면이다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치들 및 예비 유체 분배부를 설명하는 도면들이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 예비 유체 분배부를 이용하여 기판의 처리 결과와 그 결과를 반영하여 형성한 유체 분배부를 설명하는 도면이다.

Claims (19)

  1. 예비 단위 영역들을 포함하는 예비 유체 분배부를 이용하여 기판의 최적 공정 위치를 선택하는 단계; 및
    상기 기판의 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 예비 유체 분배부의 구조를 전사하여 유체 분배부를 제공하는 단계를 포함하되,
    상기 예비 단위 영역들은 영역에 따라 서로 다른 유량을 공급하도록 다른 구조의 노즐들을 가지는 스플릿 영역들을 포함하고,
    상기 최적 공정 위치는 소정의 공정 균일성을 충족하는 위치이고, 상기 최적 공정 위치는 상기 예비 단위 영역에 대응하는 기판 단위 영역별로 선정되고, 상기 최적 공정 위치는 기판 단위 영역별로 공정 균일성을 충족할 수 있도록 하는 예비 유체 분배부에서의 각 스플릿 영역들에 대응하는 공정 위치이고,
    상기 예비 유체 분배부의 구조를 전사하여 형성된 유체 분배부는 상기 예비 단위 영역들 마다 상기 최적 공정 위치에 대응하여 선택된 스플릿 영역의 노즐 구조를 가지고,
    상기 예비 유체 분배부는 복수의 스플릿 영역들을 포함하고, 상기 스플릿 영역들은 각 영역에서 서로 다른 유량을 공급할 수 있는 구조의 노즐을 각각 가지고,
    상기 전사는 기판에 대한 소정의 공정 균일성을 충족하도록 스플릿 영역에서의 노즐 구조를 변경 배치하고, 상기 변경 배치된 노즐 구조를 상기 예비 유체 분배부와 동일한 구조를 갖는 상기 유체 분배부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유체 분배 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 최적 공정 위치를 선택하는 단계는:
    상기 예비 단위 영역들을 포함하는 상기 예비 유체 분배부를 제공하는 단계;
    상기 예비 유체 분배부를 이용하여 기판에 예비 공정을 진행하는 단계;
    상기 예비 공정이 진행된 상기 기판의 특성을 조사하는 단계;
    상기 기판에서 소정의 공정 균일성을 충족하는 최적 공정 위치를 선택하는 단계; 및
    상기 최적 공정 위치에 대응하는 위치를 상기 예비 단위 영역별로 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 분배 방법.
  3. 제 2 항에서,
    상기 최적 공정 위치를 선택하는 단계는:
    상기 최적 공정 위치를 선택할 수 없는 영역에 대응하는 상기 예비 유체 분배부에서 상기 예비 단위 영역의 스플릿 영역들의 유량을 조절하는 단계를 더 포함하고,
    상기 스플릿 영역들의 유량의 조절은 상기 스플릿 영역들 마다 노즐의 밀도, 크기, 또는 모양 등의 노즐 구조를 변경하여 수행하고,
    상기 최적 공정 위치를 선택할 수 없는 영역은 상기 기판에서 소정의 공정 균일성을 확보하는 최적 공정 위치가 선택되지 않은 영역인 것을 특징으로 하는 유체 분배 방법.
  4. 제 1 항에서,
    상기 유체 분배부를 사용하여 기판에 시험공정을 진행하는 단계;
    기판에서 소정의 범위 안의 공정 균일성을 확인하는 단계;
    상기 공정 균일성을 불충족하는 영역에 대응하는 유체 분배부의 유량을 조절하는 단계; 및
    상기 유체 분배부를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 분배 방법.
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