TW201422842A - 用於提供電漿至處理腔室的裝置 - Google Patents

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Abstract

用於提供電漿至處理腔室之裝置可包含：一電極；一第一接地板材，該第一接地板材設置於該電極下方且定義出介於該電極與該第一接地板材之間之一空腔；一電性絕緣體，該電性絕緣體設置於該電極與該第一接地板材之間以避免該電極直接接觸於該第一接地板材；一第二接地板材，該第二接地板材設置於該第一接地板材下方且定義出一第一通道；複數個第一通孔，該等通孔設置成通過該第一接地板材以流體性地耦接該通道與該空腔；一第一氣體進氣口，該第一氣體進氣口耦接至該第一通道；一第三接地板材，該第三接地板材設置於該第二接地板材下方且定義出一第二通道；複數個導管，該等導管設置成通過該等接地板材以將該空腔流體性地耦接至位於該第三接地板材下方之一區域；複數個氣體出氣口孔洞，該等氣體出氣口孔洞通過該第三接地板材以將該第二通道流體性地耦接至該第三接地板材下方的該區域；以及一第二氣體進氣口，該第二氣體進氣口耦接至該第二通道。

Description

用於提供電漿至處理腔室的裝置
本發明之實施例一般而言與半導體處理設備相關。
習知的基板處理腔室通常使用具有一或更多電極之電漿源，該等電極經配置以從處理氣體形成一電漿。習知的電漿源在氣體以及/或電漿分佈於該處理腔室之前通常會將處理氣體以及/或電漿混合。然而，發明者已觀察到這樣將處理氣體混合會使電漿源不相容於需要處理氣體能單獨且獨立地提供至處理腔室的沉積處理，例如循環沉積作用處理，舉例而言，原子層沉積(ALD)。
因此，發明者提供用於提供電漿至處理腔室的經改良裝置的實施例。
茲提供用於提供電漿至處理腔室之裝置的實施例。在一些實施例中，一種用於提供電漿至處理腔室之裝置可包含：一電極；一第一接地板材，該第一接地板材設置於該電極下方且與該電極相間隔以定義出介於該電極與該第一接地板材之間之一空腔；及一電性絕緣體，該電性絕緣體設置於 該電極與該第一接地板材之間以避免該電極直接接觸於該第一接地板材；一第二接地板材，該第二接地板材設置於該第一接地板材下方且與該第一接地板材相間隔以定義出介於該第一接地板材與該第二接地板材之間之一第一通道；複數個第一通孔，該等通孔設置成通過該第一接地板材以將該通道流體性地耦接至該空腔；一第一氣體進氣口，該第一氣體進氣口耦接至該第一通道；一第三接地板材，該第三接地板材設置於該第二接地板材下方且與第二接地板材相間隔以定義出介於該第二接地板材與該第三接地板材之間之一第二通道；複數個導管，該等導管設置成通過該第一接地板材、該第二接地板材，以及該第三接地板材以將該空腔流體性地耦接至位於該第三接地板材下方之一區域；複數個氣體出氣口孔洞，該複數個氣體出氣口孔洞設置成通過該第三接地板材以將該第二通道流體性地耦接至該第三接地板材下方的該區域；以及一第二氣體進氣口，該第二氣體進氣口耦接至該第二通道。
在一些實施例中，處理腔室蓋體具有一整合裝置，該整合裝置用於提供電漿至該處理腔室，其中用於提供電漿之整合裝置可包含：一電極；一第一接地板材，該第一接地板材設置於該電極下方且與該電極相間隔以定義出介於該電極與該第一接地板材之間之一空腔；一電性絕緣體，該電性絕緣體設置於該電極與該第一接地板材之間以避免該電極直接接觸於該第一接地板材；一第二接地板材，該第二接地板材設置於該第一接地板材下方且與該第一接地板材相間隔以 定義出介於該第一接地板材與該第二接地板材之間之一第一通道；複數個第一通孔，該等通孔設置成通過該第一接地板材以將該通道流體性地耦接至該空腔；一第一氣體進氣口，該第一氣體進氣口耦接至該第一通道；一第一出氣口，該第一出氣口耦接至該第一通道；一第三接地板材，該第三接地板材設置於該第二接地板材下方且與第二接地板材相間隔以形成介於該第二接地板材與該第三接地板材之間之一第二通道；複數個導管，該等導管設置成通過該第一接地板材、該第二接地板材，以及該第三接地板材以將該空腔流體性地耦接至位於該第三接地板材下方之一區域；複數個氣體出氣口孔洞，該等氣體出氣口孔洞設置成通過該第三接地板材以將該第二通道流體性地耦接至該第三接地板材下方的該區域；以及一第二氣體進氣口，該第二氣體進氣口耦接至該第二通道；一第二出氣口，該第二出氣口耦接至該第二通道；以及以下至少一者：一環件，該環件設置於該第一通道內且定義出介於該複數個通孔與該第一氣體進氣口之間之一氣室，其中該環件具有複數個通孔，該通孔將該氣室流體性地耦接於該複數個通孔；或一環件，該環件設置於該第二通道內且定義出介於該複數個氣體出氣口孔洞與該第二氣體進氣口之間之一氣室，其中該環件具有複數個通孔，該等通孔將該氣室流體性地耦接於該複數個氣體出氣口孔洞。
本發明的其他與進一步實施例則敘述於下。
100‧‧‧裝置(電漿源)
102‧‧‧電極
104‧‧‧第一接地板材
105‧‧‧第二接地板材
106‧‧‧第三接地板材
107‧‧‧間隔器
108‧‧‧空腔
109‧‧‧第二導管
110‧‧‧電性絕緣體
111‧‧‧第一導管
112‧‧‧間隔器
114‧‧‧閥門
116‧‧‧第二通道
118‧‧‧真空幫浦
120‧‧‧第一氣體供應
122‧‧‧第三氣體供應
124‧‧‧閥門
126‧‧‧閥門
128‧‧‧閥門
130‧‧‧閥門
132‧‧‧第二氣體供應
134‧‧‧電力供應
136‧‧‧共接地
138‧‧‧第一氣體出氣孔洞
140‧‧‧孔洞
142‧‧‧孔洞
144‧‧‧基座
146‧‧‧上部
148‧‧‧第一通道
149‧‧‧處理容積
150‧‧‧導管
152‧‧‧孔洞
154‧‧‧第一氣體進氣口
156‧‧‧氣體進氣口
158‧‧‧中心
160‧‧‧第一出氣口
162‧‧‧出氣口
164‧‧‧第二通道
202‧‧‧圓錐形空腔
204‧‧‧面內表面
302A-F‧‧‧複數個進氣口
304A-F‧‧‧閥門
306A-F‧‧‧複數個出氣口
308A-F‧‧‧閥門
310‧‧‧氣室
312‧‧‧環件
314‧‧‧孔洞
400‧‧‧處理腔室
410‧‧‧腔室主體
412‧‧‧基板支座
416‧‧‧基板
420‧‧‧加熱器
422‧‧‧處理容積
480‧‧‧真空幫浦
藉由參照所附圖式中繪示之本發明的例示實施例， 可瞭解在下面更詳細討論且簡短總結於上之本發明的實施例。但是，注意到，所附圖式只例示本發明之一般實施例且因此不視為限制本發明之範圍，因為本發明可容許其他等效實施例。
根據本發明的一些實施例，第1圖圖示了用於提供電漿至處理腔室的裝置的示意性側視圖。
根據本發明的一些實施例，第2圖圖示了用於提供電漿至處理腔室的裝置的示意性側視圖。
根據本發明的一些實施例，第3圖圖示了用於提供電漿至處理腔室的裝置的示意性上視圖。
根據本發明的一些實施例，第4圖圖示了適於與用於提供電漿至處理腔室的裝置一起使用的處理腔室。
為了促進瞭解，已經在任何可能的地方使用相同的元件符號來表示圖式中共同的相同元件。圖式未依照尺寸繪製，且可以為了清楚加以簡化。可瞭解到，一實施例的元件與特徵可有利地併入在其他實施例中，而不用另外詳述。
茲提供用於提供電漿至處理腔室的裝置的實施例，該處理腔室可有助於氣體以及/或電漿單獨且獨立地供應至處理腔室。
參照第1圖，在一些實施例中，用於提供電漿至一處理腔室的裝置(電漿源100)通常可包含電極102、設置於該電極102下方且與該電極102間隔的第一接地板材104、設置於該第一接地板材104下方的第二接地板材105，以及設置 於該第二接地板材104下方的第三接地板材106。第一接地板材104、第二接地板材105，以及第三接地板材106皆耦接於地面，例如，共接地136，共接地136直接或間接耦接(例如透過耦接通過其他接地元件)。空腔108設置於電極102以及第一接地板材104之間。第一通道設置於第一接地板材104與第二接地板材105之間。第二通道164設置於第二接地板材105與第三接地板材106之間。
第一接地板材104、第二接地板材105、第三接地板材106以及電極102可由任何與處理相容之導電材料來製造。舉例而言，在一些實施例中，第一接地板材104、第二接地板材105、第三接地板材106，以及電極102可由金屬或金屬合金來製造，舉例而言，如鋁、塗覆鎳的鋁、鋼、不銹鋼、鐵、鎳、鉻、上述各者的合金、上述各者的組合或類似物。第一接地板材104、第二接地板材105、第三接地板材106以及電極102中之每一者可由相同材料來製造，或在一些實施例中，以不同材料來製造。
經電容耦合之電漿空腔被整合於電漿源100內且被置於電漿源100頂部。經電容耦合之電漿空腔由頂電極(如陽極)以及底電極(如陰極)所形成，且由絕緣間隔物所間隔開，如陶瓷間隔物。舉例而言，如第1圖所圖示，電性絕緣體110(如絕緣間隔物)被設置於電極102與第一接地板材104之間以形成介於電極102與第一接地板材104之間的空腔108。電性絕緣體110可為介於電極102與第一接地板材104的外緣之間的環件，以定義出空腔108且防止氣體從空腔108沿電極102 以及第一基地板材104之邊緣洩漏出來。一或更多與處理相容的密封件(未示)，如O環件或其他襯墊材料，可設置於電性絕緣體110與電極102以及/或第一基地板材104之間。空腔108提供一空腔，在該空腔內第一氣體(如一第一處理氣體)可被提供以允許氣體點燃以形成電漿。電性絕緣體110電性地將電極102絕緣於第一接地板材104。電性絕緣體110可由任何與處理相容的電性絕緣材料來製造，舉例而言，如石英(SiO2)、燒結的陶瓷，如氧化鋁(Al2O3)或氮化矽(SiN)，或者單晶藍寶石(Al2O3)。
在一些實施例中，電力供應134可耦接於電極102以提供電力至電極102以有助於氣體的點燃以形成電漿。電力供應134可為任何類型的適於提供足夠電力以點燃氣體的電力供應，舉例而言如直流、交流，或射頻電力供應或類似物。在一些實施例中，電力供應134可為交流電力供應而提供約50赫茲(Hz)至約300千兆赫茲(GHz)頻率範圍內的頻率的電力。在一些實施例中，電力供應134可操作於連續或脈衝模式。發明者觀察到提供電極102於第一接地板材104、第二接地板材105，以及第三接地板材106之上會使得將電力供應134耦接至與電極102中心158鄰近的電極更為容易。與將電力供應耦接至電極的邊緣相比，將電力供應134耦接至與電極102中心鄰近的電極提供了涵蓋整個電極102上更對稱與均勻的電力分佈。
第一通道148設置於第一接地板材104與第二接地板材105之間。舉例而言，在一些實施例中，間隔物107可 被提供於第一基地板材104與第二接地板材105之間以定義出第一通道148。間隔物107可為設置於第一接地板材104與第二接地板材105之外緣之間的環件以定義出第一通道148且防止氣體從第一通道148沿著第一基地板材104與第二接地板材105之邊緣洩漏。間隔物107可為第一接地板材104或第二接地板材105的整合部，或可為單獨元件。一或更多與處理相容的密封件(未示)，如O環件或其他襯墊材料，可被設置於間隔物107與第一接地板材104及/或第二接地板材105之間。
第一通道148可包含一第一氣體進氣口154以允許將第一氣體例如從氣體供應(所示之第一氣體供應120與第二氣體供應132)提供至第一通道148。發明者觀察到因為第一接地板材104與第二接地板材105和電極102電性隔離且接地，位於第一氣體進氣口154的電位會大大減少或消除，藉此減少或消除不良的潛在電弧以及/或寄生電漿形成於第一氣體進氣口154附近。藉由消除電弧與寄生電漿的形成，電漿源的電漿感應損壞與顆粒的形成可有利地被減少或消除。
閥門126被設置於第一氣體供應120與第一氣體進氣口154之間且閥門128被設置於第二氣體供應132與第一氣體進氣口154之間。閥門126、128允許氣體從第一氣體供應120與第二氣體供應132中之每一者選擇性地被提供至第一通道148。第一氣體供應120與第二氣體供應132中之每一者可被配置以提供任何類型的適於執行所期望之處理的氣體。舉例而言，在一些實施例中，第一氣體供應120可配置 成提供可被形成電漿的反應物氣體且第二氣體供應132可被配置成提供，舉例而言，清洗氣體或稀釋液氣體。
在一些實施例中，第一通道148可包含第一出氣口160以允許透過例如真空幫浦118來抽空第一通道148。在一些實施例中，閥門114可設置於第一出氣口160與真空幫浦118之間以允許第一通道148選擇性地被密封且與真空幫浦隔離。在一些實施例中，第一出氣口160與幫浦118可被使用於清洗第一通道148。舉例而言，在透過第一出氣口160而從真空幫浦118提供真空力時，來自氣體供應(如第二氣體供應132)的惰性氣體可藉由第一氣體進氣口154而被提供至第一通道148，藉此從進氣口提供惰性氣體氣流至第一出氣口160且該惰性氣體氣流通過第一通道148以有助於清洗第一通道148。
複數個第一通孔152可設置成通過第一接地板材104之一部分而將第一通道148流體性地耦接於空腔108。複數個第一通孔152有助於將來自第一氣體供應120或第二氣體供應132的一或更多氣體從第一通道148輸送至空腔108。因此，該通道為直接地、流體性地且僅僅耦接於空腔108的封閉體積且選擇性地耦接於一或更多氣體供應(如第一氣體供應120或第二氣體供應132)，以及，可選地耦接於真空源(如真空幫浦118)。
複數個第二通孔142可設置成通過第一接地板材104之一部分而將空腔108流體性地耦接於第三接地板材106下方之一區域(處理容積149)。複數個導管150設置於第一接 地板材104與第三接地板材106之間以將複數個第二通孔142耦接於第三接地板材106之複數個第一氣體出氣口孔洞138以有助於氣體以及/或電漿在處理容積149的分佈。
在一些實施例中，複數個導管150可形成於第二接地板材105內。可替換地，在一些實施例中，該複數個導管150中之每一者可為耦接於或設置成通過第一接地板材104之一部分的導管且可為通過第二接地板材105而延伸進入第一通道148內的導管，且可為延伸進入第二通道164(於下面討論)以將複數個第二通孔142耦接於第三接地版材106之複數個第一氣體出氣口孔洞138的導管。可替換地，在一些實施例中，複數個導管150中之每一者可包含設置於第一通道148內的第一導管111以及設置於第一接地板材104與第三接地板材106之間的第二導管109。在這樣的實施例中，第一導管111以及第二導管109可透過焊接、銅焊，或類似方式耦接於第一地板材104以及/或第三接地板材106。可替換地，第一導管111可為第一接地板材104或第二接地板材105之一部分。相似地，第二導管109可為第二接地板材105與第三接地板材106之一部分。
在一示範性操作中，第一氣體供應120以及/或第二氣體供應132中之一者或兩者皆可提供一或更多氣體至第一通道148。氣體透過複數個第一通孔152向上流進空腔108。射頻能量會由射頻電力源(電力供應134)來提供且透過電極102而被耦接至氣體以形成電漿。受激發物種(或自由基)在電漿中產生而後透過複數個第二通孔142、複數個導管150以及 第三接地板材106之複數個第一氣體出氣口孔洞138而從空腔108流至處理容積149。
在一些實施例中，電極102或第一接地板材104任一者或兩者皆可包含沿著面向電漿空腔(如空腔108)的表面均勻分佈的圓錐形微型腔。舉例而言，在一些實施例中，複數個第二通孔142可具有一或更多種圓錐形。舉例而言，在一些實施例中，複數個第二通孔142中之每一者可包含具有圓錐形之上部146，其中圓錐形的基座144(即，具有交長直徑的部位)面向空腔108。發明者觀察到圓錐形的複數個第二通孔142可有助於均勻地點燃氣體，藉此產生均勻電漿。在一些實施例中，圓錐形的複數個第二通孔142可抵銷例如因空腔108的不均勻尺寸所致之電漿點燃的不一致性，而空腔108的不均勻尺寸係由於第一接地板材104不平行於電極102所致。再者，發明者觀察到圓錐形的複數個第二通孔142可有助於點燃更高的電漿密度，藉此在電漿內產生更多的自由基。
可替換地，或結合地，在一些實施例中，電極102可包含複數個圓錐形凹槽202，圓錐形凹槽202設置於電極102之面內表面204，舉例而言，例如第2圖所示。圓錐形凹槽202通常設置於與複數個第二通孔142或複數個導管150相對的位置。如果圓錐形凹槽202存在時，圓錐形凹槽202會如上述般執行如圓錐形之複數個第二通孔142般相同的功能。在一些電極102包含圓錐形凹槽202之實施例中，第一接地板材之複數個第二通孔142可為圓柱形，例如第2圖所示。
習知的電漿源在氣體以及/或電漿分佈於該處理腔室之前通常會將處理氣體以及/或電漿混合。這樣的氣體混合會使電漿源不相容於需要氣體能單獨且獨立地提供至處理腔室的沉積處理，例如循環沉積作用處理，舉例而言，原子層沉積(ALD)。因此參照返回第1圖，在一些實施例中，電漿源100可包含設置於第二接地板材105與第三接地板材106之間的間隔物112以形成介於第二接地板材105與第三接地板材106之間的第二通道164。間隔物112可為介於第二接地板材105與第三接地板材106的外緣之間的環件以定義出第二通道164且防止氣體從第二通道164沿著第二基地板材105與第三接地板材106之邊緣洩漏。間隔物112可為第二接地板材105或第三接地板材106的整合部，或間隔物112可為單獨元件。一或更多與處理相容的密封件(未示)，如O環件或其他襯墊材料，可被設置於間隔物112與第二接地板材105及/或第三接地板材106之間。
第三接地板材106包含複數個第二氣體出氣口孔洞140，第二氣體出氣口孔洞140將第二通道168耦接於處理容積149。如果第二通道164與複數個第二氣體出氣口孔洞140存在時，第二通道164與複數個第二氣體出氣口孔洞140會允許第二氣體(如第二處理氣體)氣流流至處理容積149，處理容積149透過空腔108而單獨且獨立於第一氣體氣流。藉由提供獨立的氣體氣流通過空腔108以及第二通道164，在到達處理容積149之前(如在電漿源100內)，多種氣體可被單獨地提供至處理容積149且無混合以及/或反應，藉此允許電漿源 被使用於需要單獨或獨立地提供氣體至處理腔室的沉積處理，例如循環沉積作用處理，舉例而言，原子層沉積(ALD)。再者，提供至第二通道164的氣體有利地在無充分供能下形成電漿，藉此靠允許電漿與非電漿物種混合於處理容積內而提供處理上的機動性。
間隔物112可由任何與處理相容的材料所製造，舉例而言，導電材料、絕緣材料，或類似物。在一些實施例中，間隔物112為置於第二接地板材105與第三接地板材106之間的單獨元件。可替代地，在一些實施例中，間隔物112可為第二接地板材105或第三接地板材106之一部分且從第二接地板材105或第三接地板材106表面延伸。
在一些實施例中，第二通道164包含第二氣體進氣口156以允許將第二氣體從，如氣體供應(第二氣體供應132與第三氣體供應122)，提供至第二通道164。在一些實施例中，閥門124、130可設置於第二氣體供應132與第二氣體進氣口156之間以及第三氣體供應122與第二氣體進氣口156之間以允許來自第二氣體供應132與第三氣體供應122中之每一者的氣體選擇性地被提供至第二通道164。第二氣體供應132與第三氣體供應122中之每一者可被配置成提供任何類型的適於執行一所期望的處理的氣體。舉例而言，在一些實施例中，第三氣體供應122可被配置成提供前驅物氣體且第二氣體供應132可被配置成提供，例如，清洗氣體或稀釋液氣體至第二通道164。
在一些實施例中，第二通道164可包含第二出氣口 162以允許透過例如真空幫浦118來抽空第二通道164。在一些實施例中，閥門116可設置於第二出氣口162與真空幫浦118之間以允許第二通道164選擇性地被密封且與真空幫浦118隔離。在一些實施例中，第二出氣口162與幫浦118可被使用於清洗第二通道164。舉例而言，例如上述關於清洗第一通道148之內容。
參照第3圖，在一些實施例中，第一通道148或第二通道164中之每一者可包含多個分佈於電漿源100附近的進氣口與多個出氣口(如第一氣體進氣口154與第二氣體進氣口156，以及第一出氣口160與第二出氣口162)，以有助於均勻地分佈氣體且完整地清洗第一通道148或第二通道164。舉例而言，在一些實施例中，第二通道164可耦接於複數個進氣口302A-F以及複數個出氣口306A-F，如第3圖所示。在這樣的實施例中，複數個進氣口302A-F以及複數個出氣口306A-F中之每一者提供閥門304A-F、308A-F以有助於複數個進氣口302A-F以及複數個出氣口306A-F的選擇性的操作。在一些實施例中，具有複數個通孔314的環件312可設置於第二通道164之內且設置於第一氣體出氣口孔洞138與第二氣體出氣口孔洞140附近。環件312將第二通道164分隔成內部分與外部分，內部分包含第二氣體出氣口孔洞140且外部份將氣室310形成於環件312與具有進氣口與出氣口(如第一進氣口154與第一出氣口160或第二進氣口156與第二出氣口162)的電漿源100的外壁之間(如間隔物112)。舉例而言，設置於第二通道164內的環件312在複數個第二氣體 出氣口孔洞140與第二氣體進氣口156之間定義出氣室310。環件310具有複數個通孔314，或通路，該等通孔314，或通路將氣室310流體性地耦接至複數個第二氣體出氣口孔洞140。
環件312所提供的氣室310透過複數個進氣口302A-F以及複數個出氣口306A-F有助於將氣體均勻地分佈以及/或移除氣體。第二通道164具有複數個進氣口302A-F、複數個出氣口306A-F以及環件312三者中之每一者的各一組，儘管只有第二通道164圖示於第3圖中，如上述所討論地，第一通道148可相似地包含複數個進氣口、複數個出氣口以及環件。舉例而言，環件可設置於第一通道148以在複數個通孔152與第一氣體進氣口154之間定義出氣室，其中環件具有複數個通孔，該等通孔將氣室流體性地耦接至複數個通孔152。
電漿源100可為獨立操作裝置，該裝置被配置成產生隨後會被提供至處理腔室之電漿(如遠端電漿源)，或在一些實施例中，電漿源100可被整合為處理腔室。舉例而言，電漿源100可被整合為處理腔室蓋體，舉例而言如第4圖所示。
參照第4圖，處理腔室400可為任何適於電漿增強型半導體處理的處理腔室，舉例而言，如配置成執行電漿輔助化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)的處理腔室。示範性處理腔室可包含ENDURA®、PRODUCER®或CENTURA®工作台處理腔室，或其他處理腔室，皆可向美國加州聖克拉拉市的應用材料公司(Applied Materials,Inc.of Santa Clara, Calif.)取得。其他適合的處理腔室可相似地被使用。
在一些實施例中，處理腔室400一般而言可包含腔室主體410以及設置於腔室主體410內的基板支座412。在一些實施例中，本發明的電漿源100設置於腔室主體頂上且與腔室蓋體或其一部份整合在一起，或如腔室蓋體或其一部份般作用。
基板支座412配置成在由腔室主體410與電漿源100以及/或處理腔室蓋體所定義出的處理容積422中支撐一或更多基板416。在一些實施例中，基板支座412可包含加熱器420以及/或流體冷卻通道(未示)，流體冷卻通道適於將一或更多基板416的溫度控制於執行處理所需的溫度。
在一些實施例中，處理腔室400包含真空幫浦480以幫浦處理容積418以獲得以及/或維持處理容積418內的所期望的壓力。在處理過程中，真空幫浦480在處理容積418內提供相對於電漿源100的第二通道164的負壓，因此允許第二通道164內的物種流至處理容積418。
因此，用於提供電漿至處理腔室的裝置的實施例可有利地允許多個氣體以及/或電漿被單獨地與獨立地提供至處理腔室。
雖然前述是關於本發明之實施例，本發明之其他與 進一步實施例可被設想出而無偏離本發明之基本範圍。
100‧‧‧裝置(電漿源)
102‧‧‧電極
104‧‧‧第一接地板材
105‧‧‧第二接地板材
106‧‧‧第三接地板材
107‧‧‧間隔器
108‧‧‧空腔
109‧‧‧第二導管
110‧‧‧電性絕緣體
111‧‧‧第一導管
112‧‧‧間隔器
114‧‧‧閥門
116‧‧‧第二通道
118‧‧‧真空幫浦
120‧‧‧第一氣體供應
122‧‧‧第三氣體供應
124‧‧‧閥門
126‧‧‧閥門
128‧‧‧閥門
130‧‧‧閥門
132‧‧‧第二氣體供應
134‧‧‧電力供應
136‧‧‧共接地
138‧‧‧第一氣體出氣孔洞
140‧‧‧孔洞
142‧‧‧孔洞
144‧‧‧基座
146‧‧‧上部
148‧‧‧第一通道
149‧‧‧處理容積
150‧‧‧導管
152‧‧‧孔洞
154‧‧‧第一氣體進氣口
156‧‧‧氣體進氣口
158‧‧‧中心
160‧‧‧第一出氣口
162‧‧‧出氣口
164‧‧‧第二通道

Claims (20)

  1. 一種用於提供一電漿至一處理腔室之裝置，該裝置包含：一電極；一第一接地板材，該第一接地板材設置於該電極下方且與該電極相間隔以定義出介於該電極與該第一接地板材之間之一空腔；及一電性絕緣體，該電性絕緣體設置於該電極與該第一接地板材之間以避免該電極直接接觸於該第一接地板材；一第二接地板材，該第二接地板材設置於該第一接地板材下方且與該第一接地板材相間隔以定義出介於該第一接地板材與該第二接地板材之間之一第一通道；複數個第一通孔，該等通孔設置成通過該第一接地板材以將該通道流體性地耦接至該空腔；一第一氣體進氣口，該第一氣體進氣口耦接至該第一通道；一第三接地板材，該第三接地板材設置於該第二接地板材下方且與第二接地板材相間隔以定義出介於該第二接地板材與該第三接地板材之間之一第二通道；複數個導管，該等導管設置成通過該第一接地板材、該第二接地板材，以及該第三接地板材而將複數個第二通孔耦接於複數個第一氣體出氣口孔洞以將該空腔流體性地耦接至位於該第三接地板材下方之一區域，其中該等第二通孔設置成通過該第一接地板材，且該等第一氣體出氣口孔洞設置成通過該第三接地板材； 複數個第二氣體出氣口孔洞，該等第二氣體出氣口孔洞設置成通過該第三接地板材而將該第二通道流體性地耦接至該第三接地板材下方的該區域；以及一第二氣體進氣口，該第二氣體進氣口耦接至該第二通道。
  2. 如請求項1所述之裝置，其中該第一接地板材、該第二接地板材，以及該第三接地板材皆電性耦接於一地面。
  3. 如請求項1所述之裝置，其中該裝置經整合而成為一處理腔室之一蓋體。
  4. 如請求項1~3之任一者所述之裝置，其中該第一接地板材之該複數個第二通孔呈圓錐形。
  5. 如請求項1~3之任一者所述之裝置，其中面向該空腔之該電極的一表面具有複數個原錐形凹槽，該等凹槽位於該複數個導管的對面。
  6. 如請求項1~3之任一者所述之裝置，更包含一第一氣體供應器，該第一氣體供應器耦接於該第一氣體進氣口以提供該第一氣體至該通道。
  7. 如請求項6所述之裝置，其中該第一氣體為一反應物氣體。
  8. 如請求項1~3之任一者所述之裝置，更包含：一第二氣體供應器，該第二氣體供應器耦接於該第一氣體進氣口或該第二氣體進氣口之至少一者以提供一第二氣體至該第一通道或該第二通道之該至少一者。
  9. 如請求項8所述之裝置，其中該第二氣體為一先驅物氣體。
  10. 如請求項1~3之任一者所述之裝置，更包含：一第三氣體供應器，該第三氣體供應器耦接於該第二氣體進氣口以提供一第三氣體至該第二通道。
  11. 如請求項10所述之裝置，其中該第三氣體為一清洗氣體。
  12. 如請求項1~3之任一者所述之裝置，更包含：一第一出氣口，該第一氣體出氣口耦接於該第一通道以抽空該第一通道；以及一第二出氣口，該第二出氣口耦接於該第二通道以抽空該第二通道。
  13. 如請求項12所述之裝置，其中該第一出氣口以及該第二出氣口耦接於一真空幫浦。
  14. 如請求項12所述之裝置，其中該第一出氣口包含複數個第一出氣口且該第二出氣口包含複數個第二出氣口。
  15. 如請求項1~3之任一者所述之裝置，更包含以下至少一者：一環件，該環件設置於該第一通道內且定義出介於該複數個通孔與該第一氣體進氣口之間之一氣室，其中該環件具有複數個通孔，該通孔將該氣室流體性地耦接於該複數個通孔；或一環件，該環件設置於該第二通道內且定義出介於該複數個第二氣體出氣口孔洞與該第二氣體進氣口之間之一氣室，其中該環件具有複數個通孔，該通孔將該氣室流體性地耦接於該複數個第二氣體出氣口孔洞。
  16. 如請求項1~3之任一者所述之裝置，更包含：複數個第一進氣口，該等第一進氣口耦接於該第一通道；以及複數個第二進氣口，該等第二進氣口耦接於該第二通道。
  17. 一種處理腔室蓋體，該處理腔室蓋體具有一整合裝置，該整合裝置用於提供一電漿至該處理腔室，該處理腔室蓋體包含：一電極；一第一接地板材，該第一接地板材設置於該電極下方且與該電極相間隔以定義出介於該電極與該第一接地板材之間之一空腔；及一電性絕緣體，該電性絕緣體設置於該電極與該第一接地板材之間以避免該電極直接接觸於該第一接地板材；一第二接地板材，該第二接地板材設置於該第一接地板材下方且與該第一接地板材相間隔以定義出介於該第一接地板材與該第二接地板材之間之一第一通道；複數個第一通孔，該等通孔設置成通過該第一接地板材以將該通道流體性地耦接至該空腔；一第一氣體進氣口，該第一氣體進氣口耦接至該第一通道；一第一出氣口，該第一出氣口耦接至該第一通道；一第三接地板材，該第三接地板材設置於該第二接地板材下方且與第二接地板材相間隔以形成介於該第二接地板材與該第三接地板材之間之一第二通道；複數個導管，該等導管設置成通過該第一接地板材、該第二接地板材，以及該第三接地板材而將複數個第二通孔耦接於複數個第一氣體出氣口孔洞以將該空腔流體性地耦接至位於該第三接地板材下方之一區域，其中該等第二通孔通過 該第一接地板材，且該等第一氣體出氣口孔洞通過該第三接地板材；複數個第二氣體出氣口孔洞，該等第二氣體出氣口孔洞設置成通過該第三接地板材而將該第二通道流體性地耦接至該第三接地板材下方的該區域；以及一第二氣體進氣口，該第二氣體進氣口耦接至該第二通道；一第二出氣口，該第二出氣口耦接至該第二通道；以及以下至少一者：一環件，該環件設置於該第一通道內且定義出介於該複數個第一通孔與該第一氣體進氣口之間之一氣室，其中該環件具有複數個通孔，該通孔將該氣室流體性地耦接於該複數個第一通孔；或一環件，該環件設置於該第二通道內且定義出介於該複數個第二氣體出氣口孔洞與該第二氣體進氣口之間之一氣室，其中該環件具有複數個通孔，該通孔將該氣室流體性地耦接於該複數個第二氣體出氣口孔洞。
  18. 如請求項17所述之處理腔室蓋體，其中該第一接地板材之該複數個第二通孔呈圓錐形。
  19. 如請求項17所述之處理腔室蓋體，其中面向該空腔之該電極的一表面具有複數個圓錐形凹槽，該等凹槽位於該複數個導管的對面。
  20. 如請求項17~19之任一者所述之處理腔室蓋體，更包含：複數個第一氣體進氣口，該等第一氣體進氣口耦接至該第一通道；複數個第一出氣口，該等第一出氣口耦接至該第一通道；複數個第二氣體進氣口，該等第二氣體進氣口耦接至該第二通道；以及複數個第二出氣口，該等第二出氣口耦接至該第二通道。
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