TW201417171A - 上部電極及電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於維持上部電極之溫度的均勻性。為達成上述之目的，與設於處理室21內之載置台24對向配置的上部電極4，在一實施態樣中，具備板狀構件41與電極部42。在一實施態樣中，板狀構件41中，形成讓用於電漿處理之處理氣體流通的氣體流通孔43a。電極部，藉由將矽熱噴塗至對板狀構件41之氣體流通孔43a的流出口側表面，而形成薄膜狀。

Description

上部電極及電漿處理裝置
本發明的各種形態及實施態樣，係關於一種上部電極及電漿處理裝置。
半導體的製造製程中，廣泛地使用進行以堆積薄膜或是蝕刻等為目的的電漿處理的電漿處理裝置。作為電漿處理裝置，可舉例如進行薄膜之堆積處理的電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)裝置，及進行蝕刻處理的電漿蝕刻裝置等。
電漿處理裝置，具備例如：處理容器，劃分出電漿處理空間；載置台，在處理容器內載置被處理基板；及上部電極，具有，以隔著電漿處理空間與載置台對向的方式配置且具有導電性的電極板。
此處，電漿處理裝置中，因為上部電極直接曝露於電漿中，而使上部電極的溫度上升，而為了抑制溫度上升，對於熱傳導性較高的構件，設置上部電極的電極板，此為眾所周知。例如專利文獻1中，以熱傳導性高的導電性材料形成板狀構件(其中形成有用於電漿處理之處理氣體的流路)，藉由在該板狀構件之流路的流出口側的表面，自由拆卸地設置上部電極之電極板，藉此進行電極板的冷卻。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2007-273596號公報
然而，習知技術中，難以維持上部電極之溫度的均勻性。亦即，習知技術中，係相對於形成有處理氣體之流路的板狀構件的流路之流出口側表面，自由拆卸地設有電極板的構造，電極板因為自身的重量而撓曲，進而在板狀構件與電極板之間產生間隙，使得熱難以從電極板傳遞至板狀構件。結果，習知技術中，具有損及上部電極之溫度的均勻性的可能性。
本發明一形態之上部電極，具備板狀構件與電極部。板狀構件中形成有流路，使得用於電漿處理的處理氣體流通。並藉由將矽熱噴塗(Thermal Spray)於該板狀構件的該流路之流出口側表面，而使電極部形成薄膜狀。
根據本發明之各種型態及實施態樣，可實現能夠維持上部電極之溫度均勻性的上部電極及電漿處理裝置。
2‧‧‧電漿處理裝置
4、104、204、304、404、504、604、704‧‧‧上部電極
21a‧‧‧接地導體
21‧‧‧處理室
22‧‧‧絶緣板
23‧‧‧支持台
24‧‧‧載置台
25‧‧‧靜電夾頭
25a‧‧‧聚焦環
26‧‧‧電極
27‧‧‧直流電源
28‧‧‧內壁構件
29‧‧‧冷媒室
30a、30b‧‧‧配管
31‧‧‧氣體供給線
41‧‧‧板狀構件
41a‧‧‧流出口側表面
42a‧‧‧氣體導入孔
42、142、242‧‧‧電極部
43‧‧‧氣體擴散室
43a‧‧‧氣體流通孔
45‧‧‧遮蔽構件
46‧‧‧氣體導入口
47‧‧‧氣體供給管
48‧‧‧處理氣體供給源
49‧‧‧質量流量控制器
51‧‧‧低通濾波器
52‧‧‧可變直流電源
53‧‧‧開關
54‧‧‧控制器
61‧‧‧匹配器
62‧‧‧第1高頻電源
63‧‧‧匹配器
64‧‧‧第2高頻電源
71‧‧‧排氣口
72‧‧‧排氣管
73‧‧‧排氣裝置
74‧‧‧搬出入口
75‧‧‧閘門閥
76、77‧‧‧防沉積遮蔽構件
79‧‧‧導電性構件
344、444、544、644、744‧‧‧陶瓷薄膜部
【圖1】圖1係概略顯示一實施態樣之電漿處理裝置的構成的縱剖面圖。
【圖2】圖2係一實施態樣之上部電極的縱剖面圖。
【圖3】圖3係一實施態樣之上部電極的變化實施例1的縱剖面圖。
【圖4】圖4係一實施態樣之上部電極的變化實施例2的縱剖面圖。
【圖5】圖5係一實施態樣之上部電極的變化實施例3的縱剖面圖。
【圖6】圖6係一實施態樣之上部電極的變化實施例4的縱剖面圖。
【圖7】圖7係一實施態樣之上部電極的變化實施例5的縱剖面圖。
【圖8】圖8係一實施態樣之上部電極的變化實施例6的縱剖面圖。
【圖9】圖9係一實施態樣之上部電極的變化實施例7的縱剖面圖。
以下，參照圖式，就各種實施態樣進行詳細說明。又，對於各圖式中同一或是相當的部分，附上同一符號。
首先就電漿處理裝置的整體構成進行說明。圖1係概略表示一實施態樣之電漿處理裝置之構成的縱剖面圖。
電漿處理裝置2，係作為電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置而構成，具有處理室21，其為畫分出用以進行電漿處理之電漿處理空間的處理容器。在為處理容器之處理室21的底部，透過由陶瓷等所構成的絶緣板22，配置有支持台23。支持台23上，設有例如鋁所形成、構成下部電極的載置台24。載置台24的中央上部，設有靜電夾頭25，以靜電力吸附保持作為被處理基板的晶圓W。靜電夾頭25，具有以一對絶緣層夾住由導電膜形成之電極26的構造。電極26與直流電源27電性連接。
為了提升蝕刻的均勻性，載置台24的上部，以圍住靜電夾頭25的方式，配置有例如矽所構成之導電性的聚焦環(矯正環)25a。圖中，28為例如石英所構成的圓筒狀內壁構件，係以圍住載置台24及支持台23的方式設置。
支持台23的內部，例如沿著支持台23的圓周方向，設有冷媒室29。該冷媒室29，藉由設於外部之圖中未顯示的冷卻單元，透過配管30a、30b，循環供給既定溫度的冷媒，例如冷卻水，而藉由冷媒的溫度，可控制載置台24上之晶圓W的處理溫度。另外，來自圖中未顯示的傳熱氣體供給機構的傳熱氣體，例如He氣，透過氣體供給線31，被供給至靜電夾頭25的 頂面與晶圓W的背面之間。
為下部電極的載置台24上方，隔著處理室21的電漿處理空間，以與載置台24對向的方式，設有上部電極4。上部電極4與載置台24之間的空間，成為產生電漿的電漿處理空間。
此處，就上部電極4的詳細構成進行說明。圖2係表示一實施態樣之上部電極的縱剖面圖。如圖2所示，上部電極4，具有作為電極本體部的板狀構件41、及電極部42。
板狀構件41，透過絶緣性遮蔽構件45，被支持於處理室21的上部。板狀構件41，係以例如表面被施予陽極氧化處理的鋁等熱傳導性較高的導電性材料，而形成圓板狀，其具有作為冷卻板的功能，用以冷卻因為在電漿處理空間所產生之電漿而被加熱的電極部42。板狀構件41的內部，形成有：氣體導入口46，導入電漿處理用的處理氣體；氣體擴散室43，使從氣體導入口46導入的處理氣體擴散；及氣體流通孔43a，其作為使藉由氣體擴散室43分散的處理氣體流通的流路。
電極部42，係藉由將矽熱噴塗至板狀構件41之氣體流通孔43a的流出口側表面41a，而形成薄膜狀。本實施例中，電極部42，係藉由將矽熱噴塗至板狀構件41之氣體流通孔43a的流出口側表面41a，而形成薄膜狀，且形成與板狀構件41之形狀對應的圓板狀。作為矽的噴塗方法，可使用例如電漿噴塗法。電漿噴塗法，係對噴嘴內的惰性氣體通電以產生電漿流，並將例如粉末狀的矽等熱噴塗材料投入所產生的電漿流，再從噴嘴將置入熱噴塗材料的電漿流朝向被加工物噴射，藉此形成薄膜的成膜方法。電漿噴塗法，具有被加工物與薄膜之密合性較高的特性。另外，以電漿噴塗法所形成的薄膜為高硬度，具有粒子間之密合性強、高密度且形狀平滑的特性。另一方面，電漿噴塗法，亦具有被加工物的熱應變較少，可抑制被加工物劣化的特性。
電極部42中，形成貫通該電極部42之厚度方向的氣體導入孔42a。氣體導入孔42a，係以與板狀構件41之氣體流通孔43a的流出口重疊的方式排列。藉此，供給至氣體擴散室43的處理氣體，可透過氣體流通孔43a及氣體導入孔42a沖淋狀地分散並供給至處理室21內。
另外，本實施態樣中，在藉由矽的熱噴塗形成電極部42時，藉由在電極部42的邊緣部與電極部42的中央部，調整添加至矽之中的硼(Boron)濃度，以將電極部42之邊緣部的電阻係數與電極部42之中央部的電阻係數設為相異的值。較佳的態樣，係將電極部42之邊緣部的電阻係數與電極部42之中央部的電阻係數，在0.01mΩcm~100Ωcm的範圍中，設定為相異的值。例如，將電極部42的中央部之矽中的硼濃度，調整為大於電極部42的邊緣部之矽中的硼濃度，藉此將電極部42之中央部的電阻係數設定為大於電極部42之邊緣部的電阻係數。藉此，使電極部42之中央部對於電漿的阻抗，大於電極部42之邊緣部。另外，例如藉由將電極部42的中央部之矽中的硼濃度，調整為小於電極部42的邊緣部之矽中的硼濃度，以將電極部42之中央部的電阻係數設定為小於電極部42之邊緣部的電阻係數的值。藉此，使電極部42之中央部對電漿的阻抗，小於電極部42的邊緣部。
再次參照圖1。板狀構件41之氣體導入口46，與氣體供給管47連接。氣體供給管47，與處理氣體供給源48連接。氣體供給管47，從上游側依序設有質量流量控制器(MFC)49及開閉閥V1。接著，從處理氣體供給源48，將作用於蝕刻之處理氣體，例如C4F8氣體的碳氟氣體(CxFy)等的氣體，透過氣體供給管47供給至氣體擴散室43，之後供給至處理室21內。氣體供給管47、處理氣體供給源48及上部電極4，構成處理氣體供給部。
上部電極4，透過低通濾波器(LPF)51，與可變直流電源52電性連接。該可變直流電源52，藉由on．off開關53，可進行供電的on．off。可變直流電源52的電流．電壓及on．off開關53的on．off，係由控制器54所控制。
另外，在從第1及第2高頻電源62、64，將高頻施加於載置台24，以在電漿處理空間中產生電漿時，透過控制器54，使on．off開關53為on的態樣，而對上部電極4施加既定的直流負電壓。從處理室21的側壁，以延伸至比上部電極4之高度位置更上方的方式，設置圓筒狀的接地導體21a。該接地導體21a，其上部具有上壁。
為下部電極的載置台24上，透過匹配器61，與第1高頻電源62電性連接。另外，載置台24，透過匹配器63，與第2高頻電源64連接。第1高頻電源62，輸出27MHz以上的頻率，例如40MHz的高頻電力，具有在上部電極4與載置台24之間的電漿處理空間產生電漿的功能。藉由電漿處理空間中產生的電漿，對晶圓W實施蝕刻處理。第2高頻電源64，輸出13.56MHz以下的頻率，例如2MHz的高頻電力，具有將所產生的離子種吸引至保持於靜電夾頭上之晶圓W的功用。
處理室21的底部設有排氣口71，該排氣口71，透過排氣管72，與為排氣手段的排氣裝置73連接。排氣裝置73，具有例如真空泵，可使處理室21內減壓至期望的真空壓力。另外，處理室21之側壁，設有晶圓W的搬出入口74，該搬出入口74可藉由閘門閥75開閉。
圖中76、77為防沉積遮蔽構件，防沉積遮蔽構件76，沿著處理室21的內壁面設置，具有防止蝕刻副產物(沉積物)附著於處理室21的功能，係相對於該內壁面自由拆卸地設置。在防沉積遮蔽構件76中，構成處理室21之內壁的部分中，與晶圓W約略為相同高度的位置，設有導電性構件(GND區塊)79，以直流方式接地，藉此防止異常放電。
根據本實施態樣，將矽熱噴塗至板狀構件41的氣體流通孔43a之流出口側的表面41a，以使電極部42形成薄膜狀，藉此可避免在板狀構件41與電極部42之間產生成為熱阻抗之間隙的情況。結果，根據本實施態樣，因為可維持具備板狀構件41與電極部42的上部電極4之溫度的均勻性，故可對晶圓W之被處理面的整個面進行均勻的電漿處理。
又，上部電極4，隔著處理室21之電漿處理空間，以與載置台24對向的方式配置，上部電極4的電極部42承受到電漿所致之耗損。根據本實施態樣，因為將矽噴塗至板狀構件41的氣體流通孔43a之流出口側表面41a，而使電極部42形成薄膜狀，故即使是上部電極4之電極部42損耗的情況，亦可再度噴塗矽而輕易地使電極部42形成薄膜狀。結果，根據本實施態樣，因為可不需要交換上部電極4整體，故可抑制伴隨更換而來的成本的上升。
另外，根據本實施態樣，藉由將電極部42之邊緣部的電阻係數與電極部42之中央部的電阻係數設定為相異的值，可適當地控制電極部42對於電漿的阻抗。結果，根據本實施態樣，可對晶圓W的被處理面的整個面，進行均勻的電漿處理。
此外，上述實施態樣中，顯示的上部電極4之一例，係藉由在電極部42的邊緣部與電極部42之中央部調整添加至矽中的硼濃度，而將電極部42之邊緣部的電阻係數與電極部42之中央部的電阻係數設定為不同的值。然而，實施態樣並不限於此。以下，就上部電極4的變化實施例進行說明。
圖3係表示一實施態樣之上部電極的變化實施例1的縱剖面圖。變化實施例1之上部電極104，具有電極部142以代替電極部42，此點與圖2中所說明的上部電極4不同。因此，關於與圖2中說明的上部電極4相同的構成，省略其說明。
如圖3所示，變化實施例1的上部電極104中，藉由在電極部142的邊緣部與電極部142的中央部調整矽的膜厚，可將電極部142之邊緣部的電阻係數與電極部142之中央部的電阻係數設定為相異的值。較佳的態樣，係電極部142之邊緣部的電阻係數與電極部142之中央部的電阻係數，在0.01mΩcm~100Ωcm的範圍中，設定為相異的值。此例中，將電極部142之中央部的矽的膜厚，調整為比電極部142之邊緣部的矽的膜厚更厚，藉此將電極部142之中央部的電阻係數設定為比電極部142之邊緣部的電阻 係數更大的值。藉此，使電極部142的中央部對於電漿的阻抗大於電極部142的邊緣部。
根據變化實施例1之上部電極104，將電極部142之中央部的矽的膜厚調整為大於電極部142之邊緣部的矽的膜厚，藉此將電極部142之中央部的電阻係數設定為大於電極部142之邊緣部的電阻係數的值，故可適當地控制電極部142對電漿的阻抗。結果，根據變化實施例1之上部電極104，可對晶圓W的被處理面的整個面，進行均勻的電漿處理。
圖4係表示一實施態樣之上部電極的變化實施例2的縱剖面圖。變化實施例2之上部電極204，具有電極部242以代替電極部42，此點與圖2所說明之上部電極4不同。因此，關於與圖2所說明之上部電極4相同的構成，省略其說明。
如圖4所示，在變化實施例2的上部電極204中，於電極部242之邊緣部與電極部242之中央部調整矽的膜厚，藉此將電極部242之邊緣部的電阻係數與電極部242之中央部的電阻係數設定為相異的值。較佳的態樣，係電極部242之邊緣部的電阻係數與電極部242之中央部的電阻係數，在0.01mΩcm~100Ωcm的範圍中設定為相異的值。此例中，將電極部242之中央部的矽的膜厚，調整為小於電極部242之邊緣部的矽的膜厚，藉此將電極部242之中央部的電阻係數設定為小於電極部242之邊緣部的電阻係數的值。藉此，使電極部242之中央部對於電漿的阻抗，小於電極部242之邊緣部。
根據變化實施例2之上部電極204，將電極部242之中央部的矽的膜厚，調整為小於電極部242之邊緣部的矽的膜厚，而將電極部242之中央部的電阻係數設定為小於電極部242之邊緣部的電阻係數的值，故可適當地控制電極部242對於電漿的阻抗。結果，根據變化實施例2之上部電極204，可對晶圓W之被處理面的整個面，進行更均勻的電漿處理。
圖5係表示一實施態樣之上部電極的變化實施例3的縱剖面圖。變化實施例3之上部電極304，在板狀構件41與電極部42之間形成陶瓷薄膜部344此點，與圖2所說明的上部電極4相異。因此，關於與圖2所說明之上部電極4相同的構成，省略其說明。
如圖5所示，變化實施例3之上部電極304，在板狀構件41與電極部42之間，具有藉由噴塗陶瓷而形成薄膜狀的陶瓷薄膜部344。作為噴塗於板狀構件41與電極部42之間的陶瓷，可使用例如氧化鋁(Al2O3)或是氧化釔(Y2O3)。本例中，陶瓷薄膜部344，係形成於板狀構件41及電極部42的整個面上。
又，陶瓷薄膜部344中，形成與板狀構件41的氣體流通孔43a及電極部42的氣體導入孔42a重疊的開口。藉此，供給至氣體擴散室43的處理氣體，氣體流通孔43a，透過陶瓷薄膜部344的開口及氣體導入孔42a，以沖淋狀分散並供給至處理室21內。
根據變化實施例3之上部電極304，藉由陶瓷薄膜部344，保護板狀構件41不受電漿影響，而可適當地控制電極部42對於電漿的阻抗。結果，根據變化實施例3之上部電極304，可對晶圓W之被處理面的整個面，進行均勻的電漿處理。
圖6係表示一實施態樣之上部電極的變化實施例4的縱剖面圖。變化實施例4之上部電極404，具有與圖5所說明之上部電極304相同的構成，而具有陶瓷薄膜部444以代替陶瓷薄膜部344此點，與圖5所說明之上部電極304相異。因此，關於與圖5所說明之上部電極304相同的構成，省略其說明。
如圖6所示，變化實施例4的上部電極404，藉由在板狀構件41與電極部42之間噴塗陶瓷，而具有形成薄膜狀的陶瓷薄膜部444。作為噴塗於板狀構件41與電極部42之間的陶瓷，可使用例如氧化鋁(Al2O3)或是氧化 釔(Y2O3)。陶瓷薄膜部444，形成於與電極部42之中央部對應的位置。亦即，變化實施例4的上部電極404中，陶瓷薄膜部並非係形成於電極部42的整個面，而是僅在與電極部42之中央部對應的位置，形成陶瓷薄膜部444。
根據變化實施例4之上部電極404，藉由形成於與電極部42之中央部對應之位置的陶瓷薄膜部444，在保護板狀構件41不受電漿影響的同時，可使電極部42的中央部對於電漿的阻抗增大。結果，根據變化實施例4之上部電極404，可對晶圓W之被處理面的整個面，進行均勻的電漿處理。
圖7係一實施態樣之上部電極的變化實施例5的縱剖面圖。變化實施例5之上部電極504，具有陶瓷薄膜部544以代替陶瓷薄膜部344，此點與圖5所說明之上部電極304不同。因此，關於與圖5所說明之上部電極304相同的構成，省略其說明。
如圖7所示，變化實施例5之上部電極504，具有在板狀構件41與電極部42之間藉由噴塗陶瓷而形成薄膜狀的陶瓷薄膜部544。作為噴塗於板狀構件41與電極部42之間的陶瓷，可使用例如氧化鋁(Al2O3)或是氧化釔(Y2O3)。陶瓷薄膜部544，形成於與電極部42之邊緣部對應的位置。亦即，變化實施例5之中，陶瓷薄膜部並非係形成於上部電極504中電極部42的整個面上，而是僅在與電極部42之邊緣部對應的位置形成陶瓷薄膜部544。
根據變化實施例5之上部電極504，藉由形成於與電極部42之邊緣部對應的位置的陶瓷薄膜部544，保護板狀構件41不受電漿影響，可適當控制電極部42之邊緣部對於電漿的阻抗。結果，根據變化實施例5之上部電極504，可對晶圓W之被處理面的整個面，進行均勻的電漿處理。
圖8係表示一實施態樣之上部電極的變化實施例6的縱剖面圖。變化實施例6之上部電極604，具有陶瓷薄膜部644以代替陶瓷薄膜部344此點，與在圖5中說明之上部電極304相異。因此，關於與圖5說明之上部電極304相同的構成，省略其說明。
如圖8所示，變化實施例6之上部電極604，在板狀構件41與電極部42之間，具有以噴塗陶瓷而形成薄膜狀的陶瓷薄膜部644。作為板狀構件41與電極部42之間噴塗的陶瓷，可使用例如氧化鋁(Al2O3)或是氧化釔(Y2O3)。陶瓷薄膜部644的膜厚，在與電極部42之邊緣部對應的位置及與電極部42之中央部對應的位置，係設定為相異的值。此例中，將與電極部42之中央部對應的位置之陶瓷薄膜部644的膜厚，設定為大於在與電極部42之邊緣部對應的位置之陶瓷薄膜部644的膜厚。藉此，電極部42之中央部對於電漿的阻抗大於電極部42之邊緣部。
根據變化實施例6之上部電極604，因為可將在與電極部42之中央部對應之位置的陶瓷薄膜部644的膜厚，設定為大於在與電極部42之邊緣部對應之位置的陶瓷薄膜部644的膜厚的值，故可控制電極部42對於電漿的阻抗。結果，根據變化實施例6之上部電極604，可對晶圓W的被處理面的整個面，進行均勻的電漿處理。
圖9係表示一實施態樣之上部電極的變化實施例7的縱剖面圖。變化實施例7之上部電極704，具有與圖5所說明之上部電極304相同的構成，而具有陶瓷薄膜部744以代替陶瓷薄膜部344此點，與圖5所說明之上部電極304相異。因此，關於與圖5所說明之上部電極304相同的構成，省略其說明。
如圖9所示，變化實施例7的上部電極704，在板狀構件41與電極部42之間，具有藉由噴塗陶瓷而形成薄膜狀的陶瓷薄膜部744。作為板狀構件41與電極部42之間噴塗的陶瓷，可使用例如氧化鋁(Al2O3)或是氧化釔(Y2O3)。陶瓷薄膜部744的膜厚，在與電極部42之邊緣部對應的位置，及與電極部42之中央部對應的位置，係設定為相異的值。此例中，將與電極部42之中央部對應的位置的陶瓷薄膜部744之膜厚，設定為小於與電極部42之邊緣部對應的位置之陶瓷薄膜部744的膜厚的值。藉此，使電極部42之中央部對於電漿的阻抗小於電極部42之邊緣部。
根據變化實施例7之上部電極704，因為將在與電極部42之中央部對應之位置的陶瓷薄膜部744的膜厚，設定為小於在與電極部42之邊緣部對應之位置的陶瓷薄膜部744的膜厚的值，故可適當地控制電極部42對於電漿的阻抗。結果，根據變化實施例7的上部電極704，可對晶圓W之被處理面的整個面，進行均勻的電漿處理。
以上，根據本實施態樣之電漿處理裝置，將矽噴塗至板狀構件41之氣體流通孔43a的流出口側表面41a，而薄膜狀地形成電極部42，藉此可避免在板狀構件41與電極部42之間產生成為熱抵抗之間隙的情況。結果，根據本實施態樣，因為可維持具備板狀構件41與電極部42之上部電極4的溫度的均勻性，故可對晶圓W之被處理面的整個面，進行均勻的電漿處理。
2‧‧‧電漿處理裝置
4‧‧‧上部電極
21a‧‧‧接地導體
21‧‧‧處理室
22‧‧‧絶緣板
23‧‧‧支持台
24‧‧‧載置台
25‧‧‧靜電夾頭
25a‧‧‧聚焦環
26‧‧‧電極
27‧‧‧直流電源
28‧‧‧內壁構件
29‧‧‧冷媒室
30a、30b‧‧‧配管
31‧‧‧氣體供給線
41‧‧‧板狀構件
42a‧‧‧氣體導入孔
42‧‧‧電極部
43‧‧‧氣體擴散室
43a‧‧‧氣體流通孔
45‧‧‧遮蔽構件
46‧‧‧氣體導入口
47‧‧‧氣體供給管
48‧‧‧處理氣體供給源
49‧‧‧質量流量控制器
51‧‧‧低通濾波器
52‧‧‧可變直流電源
53‧‧‧開關
54‧‧‧控制器
61‧‧‧匹配器
62‧‧‧第1高頻電源
63‧‧‧匹配器
64‧‧‧第2高頻電源
71‧‧‧排氣口
72‧‧‧排氣管
73‧‧‧排氣裝置
74‧‧‧搬出入口
75‧‧‧閘門閥
76、77‧‧‧防沉積遮蔽構件
79‧‧‧導電性構件

Claims (9)

  1. 一種上部電極，其特徵為包含：板狀構件，形成有讓用於電漿處理之處理氣體流通的流路；及電極部，藉由將矽熱噴塗至該板狀構件之該流路的流出口側表面而形成為薄膜狀。
  2. 如申請專利範圍第1項之上部電極，其中，藉由在該電極部的邊緣部與該電極部之中央部，調整添加至該矽中的硼之濃度，以將該電極部之邊緣部的電阻係數與該電極部之中央部的電阻係數設為相異的值。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之上部電極，其中，藉由在該電極部之邊緣部與該電極部之中央部調整該矽的膜厚，將該電極部之邊緣部的電阻係數與該電極部之中央部的電阻係數設定為相異的值。
  4. 如申請專利範圍第2項之上部電極，其中，該電極部之邊緣部的電阻係數與該電極部之中央部的電阻係數，係在0.01mΩcm~100Ωcm的範圍中，設定為相異的值。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之上部電極，其中更包含：陶瓷薄膜部，係藉由將陶瓷噴塗於該板狀構件與該電極部之間而形成為薄膜狀。
  6. 如申請專利範圍第5項之上部電極，其中，該陶瓷薄膜部，形成於與該電極部之中央部對應的位置。
  7. 如申請專利範圍第5項之上部電極，其中，該陶瓷薄膜部，形成於與該電極部之邊緣部對應的位置。
  8. 如申請專利範圍第5項之上部電極，其中，該陶瓷薄膜部之膜厚，在與該電極部之邊緣部對應的位置，及在與該電極部之中央部對應的位置，係設定為相異的值。
  9. 一種電漿處理裝置，包含：處理容器，劃分出電漿處理空間；下部電極，設於該處理容器內並載置被處理基板；及上部電極，隔著該電漿處理空間與該下部電極對向配置；其特徵為，該上部電極具備： 板狀構件，形成有讓用於電漿處理之處理氣體流通的流路；電極部，藉由將矽熱噴塗至該板狀構件之該流路的流出口側表面而形成為薄膜狀。
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