JP2015162570A - 高周波プラズマ処理装置および高周波プラズマ処理方法 - Google Patents
高周波プラズマ処理装置および高周波プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015162570A JP2015162570A JP2014036767A JP2014036767A JP2015162570A JP 2015162570 A JP2015162570 A JP 2015162570A JP 2014036767 A JP2014036767 A JP 2014036767A JP 2014036767 A JP2014036767 A JP 2014036767A JP 2015162570 A JP2015162570 A JP 2015162570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- frequency power
- plasma processing
- humidity
- electrode housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 12
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 12
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 8
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 229920004738 ULTEM® Polymers 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
Abstract
【解決手段】絶縁物17に接触した電極13を有し、電極13に高周波電力を印加し、それにより生じたプラズマにより基板Gをプラズマ処理する高周波プラズマ処理装置は、基板Gに対してプラズマ処理を行う処理室4と、絶縁物17に接触した状態の電極13を収容する電極収容部3と、電極13に高周波電力を印加する高周波電源15と、電極収容部3内の湿度を、電極収容部3内で沿面放電が生じないように調整する湿度調整手段58とを具備する。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の一実施形態に係る高周波プラズマ処理装置を示す断面図である。
2;誘電体壁
3;アンテナ室
4;処理室
13;高周波アンテナ
13a;アンテナ線
14;整合器
15;高周波電源
17;絶縁物
19;給電線
20;処理ガス供給系
23;載置台
30;排気装置
51;ドライエア供給源
52;ドライエア配管
53;流量調節バルブ
54;流量センサ
55;排気ポート
56;湿度計
57;放電防止部
58;ドライエア供給機構
60;全体制御部
G;基板
Claims (12)
- 絶縁物に接触した電極を有し、前記電極に高周波電力を印加し、それにより生じたプラズマにより基板をプラズマ処理する高周波プラズマ処理装置であって、
基板に対してプラズマ処理を行う処理室と、
前記絶縁物に接触した状態の前記電極を収容する電極収容部と、
前記電極に高周波電力を印加する高周波電源と、
前記電極収容部内の湿度を、前記電極収容部内で沿面放電が生じないように調整する湿度調整手段と
を具備することを特徴とする高周波プラズマ処理装置。 - 前記湿度調整手段は、前記電極収容部に乾燥気体を供給する乾燥気体供給機構を有することを特徴とする請求項1に記載の高周波プラズマ処理装置。
- 前記電極収容部内の湿度を測定する湿度計と、
前記乾燥気体供給機構から前記電極収容部に乾燥気体が供給された際に、前記湿度計の測定値が所定の閾値を超えている場合に、前記高周波電源の作動を許可せず、前記湿度計の測定値が前記閾値以下の場合に前記高周波電源の作動を許可する放電防止部と
をさらに具備することを特徴とする請求項2に記載の高周波プラズマ処理装置。 - 前記電極収容部に前記乾燥気体が供給される際の流量を測定する流量センサと、
乾燥気体供給機構から前記電極収容部に所定流量で乾燥気体を流した際における、前記電極収容部内の湿度が所定の閾値以下になるまでの必要時間が設定され、前記流量センサが前記所定流量となった後、前記必要時間経過するまでは前記高周波電源の作動を許可せず、前記必要時間経過後に前記高周波電源の作動を許可する放電防止部と
をさらに具備することを特徴とする請求項2に記載の高周波プラズマ処理装置。 - 前記放電防止部は、前記流量センサにより乾燥気体の流量異常が検出され、その異常時間が所定時間を超えた場合に、前記高周波電源の作動を許可しないことを特徴とする請求項4に記載の高周波プラズマ処理装置。
- 前記高周波プラズマ処理装置は、誘導結合プラズマ処理装置であり、
前記電極は、前記処理室内に誘導磁界を形成する高周波アンテナであり、
前記電極収容部は、前記処理室の上方に設けられた、前記高周波アンテナを収容するアンテナ室であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の高周波プラズマ処理装置。 - 絶縁物に接触した電極に高周波電源から高周波電力を印加し、それにより生じたプラズマにより処理室内の基板をプラズマ処理する高周波プラズマ処理方法であって、
前記絶縁物に接触した状態の前記電極を電極収容部に収容し、
前記電極収容部内の湿度を、前記電極収容部内で沿面放電が生じないように調整しつつ、プラズマ処理を行うことを特徴とする高周波プラズマ処理方法。 - 前記湿度の調整は、前記電極収容部に乾燥気体を供給することにより行われることを特徴とする請求項7に記載の高周波プラズマ処理方法。
- 前記電極収容部内の湿度を湿度計により測定し、
前記電極収容部に乾燥気体が供給された際に、前記湿度計の測定値が所定の閾値を超えている場合に、前記高周波電源の作動を許可せず、前記湿度計の測定値が前記閾値以下の場合に前記高周波電源の作動を許可することを特徴とする請求項8に記載の高周波プラズマ処理方法。 - 前記電極収容部に前記乾燥気体が供給される際の流量を流量センサにより測定し、
前記電極収容部に所定流量で乾燥気体を流した際における、前記電極収容部内の湿度が所定の閾値以下になるまでの必要時間を設定しておき、前記流量センサが前記所定流量となった後、前記必要時間経過するまでは前記高周波電源の作動を許可せず、前記必要時間経過後に前記高周波電源の作動を許可することを特徴とする請求項8に記載の高周波プラズマ処理方法。 - 前記流量センサにより乾燥気体の流量異常が検出され、その異常時間が所定時間を超えた場合に、前記高周波電源の作動を許可しないことを特徴とする請求項10に記載の高周波プラズマ処理方法。
- 前記高周波プラズマは、誘導結合プラズマであり、
前記電極は、前記処理室内に誘導磁界を形成する高周波アンテナであり、
前記電極収容部は、前記処理室の上方に設けられた、前記高周波アンテナを収容するアンテナ室であることを特徴とする請求項7から請求項11のいずれか1項に記載の高周波プラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014036767A JP6317138B2 (ja) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | 高周波プラズマ処理装置および高周波プラズマ処理方法 |
TW104105033A TWI670747B (zh) | 2014-02-27 | 2015-02-13 | 高頻電漿處理裝置及高頻電漿處理方法 |
KR1020150023092A KR101768761B1 (ko) | 2014-02-27 | 2015-02-16 | 고주파 플라즈마 처리 장치 및 고주파 플라즈마 처리 방법 |
CN201510090022.6A CN104882376B (zh) | 2014-02-27 | 2015-02-27 | 高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014036767A JP6317138B2 (ja) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | 高周波プラズマ処理装置および高周波プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015162570A true JP2015162570A (ja) | 2015-09-07 |
JP6317138B2 JP6317138B2 (ja) | 2018-04-25 |
Family
ID=53949821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014036767A Active JP6317138B2 (ja) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | 高周波プラズマ処理装置および高周波プラズマ処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6317138B2 (ja) |
KR (1) | KR101768761B1 (ja) |
CN (1) | CN104882376B (ja) |
TW (1) | TWI670747B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018118220A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | アズビル株式会社 | ガス処理装置 |
CN109216251A (zh) * | 2017-07-04 | 2019-01-15 | 三星电子株式会社 | 静电吸盘、衬底处理装置以及制造半导体器件的方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6999368B2 (ja) * | 2017-11-01 | 2022-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102326020B1 (ko) * | 2020-02-20 | 2021-11-16 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 애싱 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07226383A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-08-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を用いたプラズマ処理装置 |
JPH09115895A (ja) * | 1995-08-17 | 1997-05-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH11124677A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-05-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009087992A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2012213721A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Azbil Corp | ガス処理装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW293983B (ja) * | 1993-12-17 | 1996-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JP3015268B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2000-03-06 | オーニット株式会社 | 低温プラズマ発生体 |
US5716451A (en) * | 1995-08-17 | 1998-02-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP4017274B2 (ja) * | 1999-01-07 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2000277487A (ja) | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | ドライエッチング装置 |
US6331754B1 (en) * | 1999-05-13 | 2001-12-18 | Tokyo Electron Limited | Inductively-coupled-plasma-processing apparatus |
JP4961948B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに記憶媒体 |
CN101647090B (zh) | 2007-03-01 | 2012-08-29 | 应用材料公司 | 射频遮板及沉积方法 |
JP5940239B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2016-06-29 | 株式会社イー・スクエア | プラズマ表面処理装置およびその製造方法 |
-
2014
- 2014-02-27 JP JP2014036767A patent/JP6317138B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-13 TW TW104105033A patent/TWI670747B/zh active
- 2015-02-16 KR KR1020150023092A patent/KR101768761B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-27 CN CN201510090022.6A patent/CN104882376B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07226383A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-08-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を用いたプラズマ処理装置 |
JPH09115895A (ja) * | 1995-08-17 | 1997-05-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH11124677A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-05-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009087992A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2012213721A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Azbil Corp | ガス処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018118220A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | アズビル株式会社 | ガス処理装置 |
CN109216251A (zh) * | 2017-07-04 | 2019-01-15 | 三星电子株式会社 | 静电吸盘、衬底处理装置以及制造半导体器件的方法 |
CN109216251B (zh) * | 2017-07-04 | 2023-07-21 | 三星电子株式会社 | 静电吸盘、衬底处理装置以及制造半导体器件的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150101928A (ko) | 2015-09-04 |
TWI670747B (zh) | 2019-09-01 |
TW201543530A (zh) | 2015-11-16 |
CN104882376B (zh) | 2018-11-09 |
KR101768761B1 (ko) | 2017-08-17 |
JP6317138B2 (ja) | 2018-04-25 |
CN104882376A (zh) | 2015-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5317424B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US8597463B2 (en) | Inductively coupled plasma processing apparatus | |
KR101891445B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용하는 배기 구조 | |
US7815740B2 (en) | Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR102434559B1 (ko) | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP7018801B2 (ja) | プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法 | |
TWI645066B (zh) | 電漿處理裝置 | |
KR20150009445A (ko) | 유도 결합 플라스마 처리 장치 | |
JP6203476B2 (ja) | 基板温度制御方法及びプラズマ処理装置 | |
JP5666991B2 (ja) | 誘導結合プラズマ用アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 | |
JP6974088B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP6804392B2 (ja) | プラズマ処理装置及びガスシャワーヘッド | |
JP6317138B2 (ja) | 高周波プラズマ処理装置および高周波プラズマ処理方法 | |
JP2017022216A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2019176030A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2017017180A (ja) | プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造 | |
TW201447963A (zh) | 感應耦合電漿處理裝置 | |
JP2012104579A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI600048B (zh) | Inductively coupled plasma processing device | |
JP2019176032A (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2020059596A1 (ja) | 載置台及び基板処理装置 | |
TW202233023A (zh) | 電漿處理裝置與其製造方法及電漿處理方法 | |
JP2022058790A (ja) | プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171027 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6317138 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |