CN107845558B - 等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造 - Google Patents
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Abstract
一种等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。在等离子体处理装置中，在处理室内将基板载置于载置台的载置面上，在处理室内对载置台施加偏压用的高频电力并对基板进行等离子体处理，其具有多个分隔构件，该分隔构件设于载置面的下方位置且有导电性材料构成，将处理室分隔成对基板进行等离子体处理的处理区域和与排气系统相连的排气区域，多个分隔构件不具有开口部且与接地电位相连接使得该多个分隔构件作为偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成将供给到处理区域的处理气体导向排气区域的豁口的方式分开地配置。本发明能够有效地防止在处理室内的不期望部分处的放电、等离子体进入到排气区域。
Description
本申请是申请日为2015年05月12日、申请号为201510239622.4、发明名称为“等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及用于对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。
背景技术
在半导体器件、平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等等离子体处理的工序。
在这样的等离子体处理中，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。在利用等离子体处理装置进行等离子体处理时，在将基板载置于在被保持为真空的处理室内设置的载置台上的状态下，在处理室内生成规定的气体的等离子体而对基板实施等离子体处理。
在等离子体处理装置中，为了防止处理室内的处理区域中的等离子体进入到排气区域中而使排气路径、设置在排气路径上的构件产生放电，公知有如下一种技术：在处理室的内壁与载置台之间设置挡板并使挡板接地，在挡板的整个面上形成有冲孔、狭缝等开口部而确保通路(例如专利文献1)。
专利文献1：日本特开2010－238980号公报
发明内容
发明要解决的问题
另外，在这样的等离子体处理装置中，为了有效地吸引等离子体中的离子，有时对载置台施加高频偏压。在大型基板的等离子体处理中，需要使这样的高频偏压为高功率的，但是，若在对载置台施加高功率的高频电力的基础上使挡板接地，则有时会在形成于挡板的冲孔处产生辉光放电或使辉光放电四处转移(日文：動き回る)这样的现象而使等离子体变得不稳定。
本发明是鉴于该情况而做出的，其课题在于，提供即使在像处理大型基板的情况那样对载置台施加高功率的高频电力的情况下也能够有效地防止在处理室内的不期望部分处产生放电、等离子体进入到排气区域的等离子体处理装置和应用于这样的等离子体处理装置的排气构造。
用于解决问题的方案
为了解决所述问题，本发明的第1技术方案提供一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括：处理室，其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理；载置台，其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面；处理气体供给系统，其用于向所述处理室内供给处理气体；排气系统，其用于对所述处理室内进行排气；等离子体生成机构，其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；高频电源，其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力；以及多个分隔构件，其由导电性材料构成且不具有开口部，该分隔构件设于所述载置面的下方位置，用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域，所述多个分隔构件与接地电位相连接使得所述多个分隔构件作为所述偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口(日文：間口)的方式分开地配置。
另外，本发明的第2技术方案提供一种排气构造，其是用于在等离子体处理装置中将供给到处理室的处理气体导向排气系统的排气构造，该等离子体处理装置包括：所述处理室，其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理；载置台，其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面；处理气体供给系统，其用于向所述处理室内供给处理气体；所述排气系统，其用于对所述处理室内进行排气；等离子体生成机构，其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；以及高频电源，其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力，其特征在于，该排气构造具有多个分隔构件，该分隔构件由导电性材料构成且不具有开口部，该分隔构件设于所述载置面的下方位置，用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域，所述多个分隔构件与接地电位相连接使得所述多个分隔构件作为所述偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口的方式分开地配置。
在所述第1技术方案和第2技术方案中，优选的是，该等离子体处理装置还在与所述分隔构件的高度位置不同的高度位置包括遮蔽构件，该遮蔽构件以在俯视时将所述豁口的至少一部分遮蔽的方式设置，该遮蔽构件由导电性材料构成且不具有开口部，并与接地电位相连接。优选的是，所述遮蔽构件设于所述分隔构件的下方位置，另外，优选的是，所述遮蔽构件以在俯视时将所述豁口全部遮蔽的方式设置。
能够将所述分隔构件设置在所述处理室的内壁与所述载置台的同该内壁相对的侧壁之间。在该情况下，能够进行如下设置：所述处理室具有俯视形状为矩形形状的空间，使所述载置台的俯视形状呈矩形形状，将所述分隔构件以与所述载置台的各侧壁相对应的方式设置，使所述豁口形成于所述矩形形状的空间的角部。
另外，优选的是，所述等离子体生成机构具有高频天线，以便在所述处理区域中生成感应耦合等离子体。在该情况下，所述高频天线既可以隔着电介质窗设置在所述处理室的上部，也可以隔着金属窗设置在所述处理室的上部。
发明的效果
采用本发明，在载置面的下方位置设置多个分隔构件，该多个分隔构件由导电性材料构成且不具有开口部，用于将处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与排气系统相连的排气区域，将多个分隔构件与接地电位相连接，将相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到处理区域的处理气体导向排气区域的豁口的方式分开地配置。由此，使分隔构件作为偏压用高频电力的相对电极发挥功能，从而能够抑制等离子体进入到排气区域而在位于排气系统的排气路径上的构件处发生放电，并且，由于分隔构件不具有开口部，因此不易在处理室内产生不期望的放电。因此，能够使在处理区域中生成的等离子体在整体上稳定。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的等离子体处理装置的剖视图。
图2是表示本发明的一实施方式的等离子体处理装置的水平剖视图。
图3是表示等离子体处理装置中的排气口的配置的另一例的水平剖视图。
图4是表示本发明的另一实施方式的等离子体处理装置的剖视图。
图5是表示本发明的另一实施方式的等离子体处理装置的水平剖视图。
图6是表示本发明的另一实施方式的等离子体处理装置中的分隔构件与遮蔽构件之间的位置关系的立体图。
图7是表示实验例的结果的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。图1是表示本发明的一实施形态的等离子体处理装置的铅垂剖视图，图2是表示本发明的一实施方式的等离子体处理装置的水平剖视图。该等离子体处理装置构成为感应耦合等离子体处理装置，该感应耦合等离子体处理装置用于生成感应耦合等离子体，对例如FPD用玻璃基板那样的矩形基板进行蚀刻处理、灰化处理等感应耦合等离子体处理。
该等离子体处理装置具有由导电性材料、例如内壁面被阳极氧化处理后的铝构成的方筒形状的气密的主体容器1。该主体容器1以能够拆卸的方式组装起来并通过接地线1a接地。主体容器1在上下方向上被电介质壁(电介质窗)2划分成天线室3和处理室4。电介质壁2构成处理室4的顶壁。电介质壁2由Al2O3等陶瓷、石英等构成。
在主体容器1的天线室3的侧壁3a与主体容器1的处理室4的侧壁4a之间设有向内侧突出的支承架5，在该支承架5之上载置有电介质壁2。
在电介质壁2的下侧部分嵌入有处理气体供给用的喷淋框体11。喷淋框体11呈十字状设置并成为自下方支承电介质壁2的构造、例如梁构造。此外，支承所述电介质壁2的喷淋框体11成为被多根悬挂件(suspender)(未图示)吊在主体容器1的顶部上的状态。金属支承架5和喷淋框体11也可以被电介质构件覆盖。
该喷淋框体11由导电性材料构成，优选由金属、例如为了不产生污染物而对其内表面或外表面进行阳极氧化处理后的铝构成。在该喷淋框体11上形成有沿水平延伸的气体流路12，该气体流路12与朝向下方延伸的多个气体喷出孔12a相连通。另一方面，在电介质壁2的上表面中央设有与该气体流路12相连通的气体供给管20a。气体供给管20a自主体容器1的顶部向主体容器1的外侧贯穿主体容器1并与包括处理气体供给源和阀系统等在内的处理气体供给系统20相连接。因而，在等离子体处理中，能将自处理气体供给系统20供给过来的处理气体经由气体供给管20a供给至喷淋框体11内，并将该处理气体自喷淋框体11的下表面的气体喷出孔12a向处理室4内喷出。
在天线室3内配置有高频(RF)天线13。高频天线13构成为，将由铜、铝等良好导电性的金属构成的天线13a配置为环状、漩涡状等以往使用的任意的形状。天线13a也可以是具有多个天线部的多重天线。
天线13a的端子22与向天线室3的上方延伸的供电构件16相连接。供电构件16的上端经由供电线19与高频电源15相连接。另外，在供电线19上设有匹配器14。并且，高频天线13利用由绝缘构件构成的间隔件17而与电介质壁2分开。并且，通过自电源15向高频天线13供给高频、例如频率为13.56MHz的高频电力，从而在处理室4内形成感应电场，在该感应电场的作用下，自喷淋框体11供给过来的处理气体被等离子体化而生成感应耦合等离子体。
在处理室4内的下方，以隔着电介质壁2与高频天线13相对的方式设有载置台23，该载置台23具有用于载置矩形形状的基板G的载置面。载置台23具有由导电性材料、例如表面被阳极氧化处理后的铝构成的主体23a和以能容纳主体23a的方式设置的绝缘体框23b。载置在载置台23上的基板G被静电卡盘(未图示)吸附保持。
载置台23支承于中空的支柱25。支柱25贯穿主体容器1的底部并支承于被配置在主体容器1之外的升降机构(未图示)，在基板G的输入输出时，利用升降机构将载置台23沿上下方向驱动。在载置台23的绝缘体框23b与主体容器1的底部4b之间配置有气密地包围支柱25的波纹管26，由此，即使载置台23的上下移动，也能够保证处理室4内的气密性。另外，在处理室4的四个侧壁4a中的一个侧壁上设有用于将基板G输入输出的输入输出口27a和对该输入输出口27a进行开闭的闸阀27。此外，也可以是，不针对载置台设置升降机构，而是将载置台固定。
载置台23的主体23a通过设于中空的支柱25内的供电线25a并经由匹配器28而与高频电源29相连接。该高频电源29用于在等离子体处理中向载置台23施加偏压用的高频电力、例如频率为6MHz的高频电力。在该偏压用的高频电力的作用下，将在处理室4内生成的等离子体中的离子有效地吸引至基板G。
并且，在载置台23内，为了控制基板G的温度而设有温度传感器和由陶瓷加热器等加热部件、制冷剂流路等构成的温度控制机构(均未图示)。将针对这些机构、构件的配管、配线均经由中空的支柱25导出到主体容器1之外。
在处理室4的内壁(侧壁4a的内侧部分)与载置台23之间设有将处理室4内分隔成处理区域41和排气区域42的4张分隔构件50。分隔构件50由板材构成，该板材由呈不具有开口部的矩形形状的金属等导电性材料构成。各分隔构件50以与载置台23的各侧面相对应的方式设置并通过接地线50a与接地电位相连接。此外，也可以是，将分隔构件50与侧壁4a电连接，从而使分隔构件50经由主体容器1接地。相邻的分隔构件50以在彼此之间形成有用于将供给到处理区域41的气体导向排气区域的豁口60的方式分开地配置，豁口60位于分隔构件50的形成面的四角。
处理区域41是处理室4中的比分隔构件50靠上方的区域，其是形成用于对基板G进行等离子体处理的感应耦合等离子体的区域。另外，排气区域42是处理室4中的比分隔构件50靠下方的区域，其是被导入来自处理区域41的处理气体并将该处理气体排出的区域。
在处理室4的底部4b，沿着处理室4的各侧壁4a设有各两个合计8个排气口30，各排气口30与排气管31相连接。各排气管31与自动压力控制阀(APC)32以及真空泵33相连接。并且，利用真空泵33对处理室4内进行排气，在等离子体处理中，通过调整自动压力控制阀(APC)32的开度而将处理室4内设定并维持在规定的真空气氛。由这些排气配管31、自动压力控制阀(APC)32以及真空泵33构成排气系统。此外，排气口30的数量、位置能够根据装置的大小而适当设定。例如，如图3的水平剖视图所示，也可以将排气口30设于处理室4的底部4b的四角。
在载置在载置台23上的基板G的背面侧形成有冷却空间(未图示)，并且设有用于供给作为恒定的压力的热传递用气体的He气体的He气体流路35。通过如此向基板G的背面侧供给热传递用气体，能够避免在真空气氛下基板G的温度上升、温度变化。
另外，等离子体处理装置具有由微型处理器(计算机)构成的控制部100、用户界面101、存储部102。控制部100用于向等离子体处理装置的各构成部分、例如阀、高频电源、真空泵等发送指令以控制这些构成部分。另外，用户界面101与控制部100相连接，该用户界面101具有为了操作者管理等离子体处理装置而进行命令输入等输入操作的键盘、将等离子体处理装置的运行状况可视化显示的显示器等。存储部102与控制部100相连接，在该存储部102中存储有用于通过控制部100的控制来实现由等离子体处理装置执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件使等离子体处理装置的各构成部分执行处理的程序即处理制程。处理制程被存储在存储部102中的存储介质中。存储介质既可以是内置于计算机的硬盘、半导体存储器，也可以是CDROM、DVD、闪速存储器等便携性的存储介质。另外，存储介质也可以从其他装置例如经由专用线路而适当传送制程。并且，根据需要，基于来自用户界面101的指示等从存储器102调出任意的处理制程并由控制部100执行，从而在控制部100的控制下，等离子体处理装置进行期望的处理。
接下来，说明使用如上那样构成的等离子体处理装置来对基板G实施等离子体处理、例如等离子体蚀刻、等离子体灰化时的处理动作。
首先，在将闸阀27打开的状态下利用输送机构(未图示)将基板G自输入输出口27a输入到处理室4内并将基板G载置在载置台23的载置面上，之后，利用静电卡盘(未图示)将基板G固定在载置台23上。接下来，自处理气体供给系统20将处理气体经由喷淋框体11的气体喷出孔12a供给到处理室4内，并在利用自动压力控制阀(APC)32来控制压力的同时利用真空泵33自排气口30经由排气管31对处理室4内进行真空排气，从而将处理室内维持在例如0.66Pa～26.6Pa左右的压力气氛。
另外，此时，为了避免基板G的温度上升、温度变化，经由He气体流路35向基板G的背面侧的冷却空间供给作为热传递用气体的He气体。
接着，自高频电源15向高频天线13施加例如13.56MHz的高频电力，由此，经由电介质壁2在处理室4内形成均匀的感应电场。在如此形成的感应电场的作用下，在处理室4内使处理气体等离子体化而生成高密度的感应耦合等离子体。利用该等离子体对基板G进行等离子体处理、例如对基板G的规定的膜进行等离子体蚀刻、等离子体灰化。此时，作为来自高频电源29的偏压用的高频电力，向载置台23施加例如频率为6MHz的高频电力，从而将在处理室4内生成的等离子体中的离子有效地吸引至基板G。
在处理气体在处理室4内的处理区域41等离子体化而用于等离子体处理之后，通过利用真空泵33吸引处理气体，从而使处理气体自形成于相邻的分隔构件50之间的豁口60到达排气区域42，并将处理气体自排气口30经由排气管31排出。
此时，以往公知有如下一种技术：设置利用冲孔、狭缝等开口部来确保气体通路的挡板并使挡板接地，从而抑制等离子体放电通过开口部而到达排气区域。然而，如对大型基板进行等离子体处理的情况那样，在对载置台施加高功率的高频电力的基础上使挡板接地时，有时存在在形成于挡板的冲孔处产生辉光放电或使辉光放电四处转移而使等离子体变得不稳定的现象。即，在大型基板的处理中，在不使挡板接地的情况下，不能有效地防止等离子体通过开口部进入到排气区域，结果会导致在排气路径等上的放电，在使挡板接地的情况下，也会在冲孔处产生辉光放电，如此这样在任何情况下均产生问题。
因此，为了防止等离子体进入到排气区域和冲孔处的辉光放电这两者，尝试不设置挡板，而设置没有开口部的板状的分隔构件并使分隔构件为电浮动的状态(浮动电位)。由此，确认了直到某一程度以下的偏压用高频电力具有效果，但在使基板进一步大型化而使偏压用的高频功率更大时，不能充分地防止等离子体进入到排气区域，有时会在自动压力控制阀(APC)等设于排气路径的构件处产生电弧放电。对该原因进行了研究，结果想到其原因在于，在为感应耦合型等离子体处理装置的情况下，要被施加偏压用高频电力的电极的相对电极的面积较小。
对此，进行了进一步研究，结果得到了进行如下两种设置是有效的结论，即，不设置挡板而设置多个没有开口部的分隔构件，使这些分隔构件与接地电位相连接。即，通过使分隔构件接地，从而使分隔构件作为偏压用高频电力的相对电极发挥功能，由此能够抑制在自动压力控制阀(APC)等处的放电(电弧放电)，并且发现，即使使没有开口部的分隔构件接地，也不易产生挡板那样的辉光放电。
因此，在本实施方式中，在以往设有挡板的、处理室4的内壁(侧壁4a的内侧部分)与载置台23之间的位置设置了不具有开口部且接地的多个分隔构件50，将这些分隔构件50中的相邻的分隔构件50以在彼此之间形成达到排气区域42的豁口60的方式分开地配置。由此，即使将高功率的偏压用高频电力施加于载置台23，也能够抑制在分隔构件50附近处的辉光放电，进而能够抑制等离子体进入到排气区域42而在自动压力控制阀(APC)等设置在排气路径上的构件处发生放电(电弧放电)。并且，由于能够如此抑制不期望的放电，因此能够使在处理区域41生成的等离子体在整体上稳定。
此外，以往的具有冲孔、狭缝等开口部的挡板原本是为了在处理圆形的基板的半导体处理装置等中自基板的周缘部均匀地进行排气而发展起来的技术，在处理矩形基板的矩形的处理室中，与自周缘部均匀地进行排气相比，向处理室的四角引导气流并自四角进行排气的方法在构造上有优势。因而，从该点考虑，处理矩形基板的处理装置也优选为利用不具有开口的分隔构件在四角设置用于进行排气的豁口的结构。
接下来，说明本发明的另一实施方式。图4是表示本发明的另一实施方式的等离子体处理装置的铅垂剖视图，图5是表示本发明的另一实施方式的等离子体处理装置的水平剖视图，图6是表示该等离子体处理装置中的分隔构件与遮蔽构件之间的位置关系的立体图。在该等离子体处理装置中，除了在形成于相邻的分隔构件50之间的豁口60的下方位置设有遮蔽构件52之外，其他结构均与之前的实施方式相同。
具体而言，遮蔽构件52由板材构成，该板材由金属等导电性材料构成，该遮蔽构件52位于处理室4的内壁(侧壁4a的内侧部分)与载置台23之间的四角且分别配置于分隔构件50的下方位置。遮蔽构件52以在俯视时其至少一部分与分隔构件50相重叠的方式配置，从而将豁口60遮蔽。另外，遮蔽构件52由接地线52a与接地电位相连接。此外，也可以将遮蔽构件52经由主体容器1或分隔构件50接地。
通过如此在分隔构件50的下方位置以将豁口60遮蔽的方式设置被接地的遮蔽构件52，能够将排气路径与位于处理区域41的等离子体隔开，从而能够更可靠地抑制在自动压力控制阀(APC)等设置在排气路径上的构件处的放电(电弧放电)。由此，能够进一步提高在处理区域41中生成的等离子体的整体稳定性。
此外，即使遮蔽构件52没有将豁口60完全遮蔽而仅将豁口60的一部分遮蔽，也能够获得某一程度的遮蔽效果。另外，遮蔽构件52只要设置在与分隔构件50的高度位置不同的高度位置即可，其也可以设于分隔构件50的上方位置。
接下来，说明实验例。
在此，使用设有分隔构件的感应耦合型等离子体处理装置，并对在使偏压用高频电力的功率(偏置电力)变化而进行O2灰化时在自动压力控制阀(APC)处有无产生电弧放电的情况进行了掌握。在此，作为等离子体处理装置而分别使用了设有浮动状态的分隔构件的等离子体处理装置、设有接地的分隔构件的等离子体处理装置(图1和图2所示的实施方式)、设有接地的分隔构件和接地的遮蔽构件的等离子体处理装置(图4和图5所示的实施方式)这3种等离子体处理装置，并以如下基础条件进行了实验，即，使O2气体流量为1000sccm，使压力为20mTorr，使等离子体生成用高频电力的功率为40kW。
其结果，如图7所示，确认了：在分隔构件为浮动状态的情况下，在偏置电力达到30kW时，在自动压力控制阀(APC)处产生了电弧放电，与此相对，通过使分隔构件接地，即使偏置电力为40kW，也没有在自动压力控制阀(APC)处产生电弧放电。另外，确认了：通过在设有接地的分隔构件的基础上设置接地的遮蔽构件，即使偏置电力为50kW，也没有在自动压力控制阀(APC)处产生电弧放电。
此外，本发明并不限定于所述实施方式，而能够进行各种变形。例如，在所述实施方式中，示出了能够将本发明特别有效地应用于被施加偏压用高频电力的电极的相对电极的面积较小的感应耦合型等离子体处理装置，但并不限于此，同样地，也能够将本发明有效地应用于使用微波的等离子体处理装置中，另外，即使是被施加偏压用高频电力的电极的相对电极的面积较大的电容耦合型(平行平板型)等离子体处理装置，也能够应用本发明。
另外，在所述实施方式中，作为感应耦合型等离子体处理装置，示出了在处理室的上部隔着电介质窗设有高频天线的情况下的感应耦合型等离子体处理装置，但也能够将本发明应用于不隔着电介质窗、而是隔着金属窗设有高频天线的情况下的感应耦合型等离子体处理装置。在该情况下，也可以是，并不自梁构造等十字状的喷淋框体供给处理气体，而是在金属窗上设置气体喷头并自该气体喷头供给处理气体。
另外，在所述实施方式中，示出了将本发明应用于用于进行等离子体蚀刻、等离子体灰化的装置的情况，但也能够将本发明应用于进行CVD成膜等的其他等离子体处理装置。并且，在所述实施方式中，示出了作为基板而使用FPD用的矩形基板的例子，但本发明也可以应用于对其他矩形基板进行处理的情况，并且，本发明并不限于矩形基板，还能够应用于例如半导体晶圆等圆形的基板。另外，在所述实施方式中，示出了将相邻的分隔构件之间的豁口形成于处理室的四角的例子，但并不限于此，在为了最优化与基板处理内容相对应的气流而将豁口设于四角以外的位置的情况下，也能够应用本发明。另外，分隔构件的形状也不限于矩形，例如，在基板为圆形且处理室、载置台为圆形的情况下，能够将分隔构件的形状形成为圆弧状。
附图标记说明
1、主体容器；2、电介质壁(电介质构件)；3、天线室；4、处理室；13、高频天线；14、匹配器；15、高频电源；16、供电构件；19、供电线；20、处理气体供给系统；22、端子；23、载置台；30、排气口；31、排气配管；32、自动压力控制阀(APC)；33、真空泵；41、处理区域；42、排气区域；50、分隔构件；50a、52a、接地线；52、遮蔽构件；60、豁口；100、控制部；101、用户界面；102、存储部；G、基板。
Claims (6)
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，
该等离子体处理装置包括：
处理室，其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理；
载置台，其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面；
处理气体供给系统，其用于向所述处理室内供给处理气体；
排气系统，其用于对所述处理室内进行排气；
等离子体生成机构，其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；
高频电源，其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力；以及
多个分隔构件，其由导电性材料构成且不具有开口部，该分隔构件设于所述载置面的下方位置，用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域，
所述多个分隔构件与接地电位相连接使得所述多个分隔构件作为所述偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口的方式分开地配置，所述分隔构件设置在所述处理室的内壁与所述载置台的同该内壁相对的侧壁之间，
所述处理室具有俯视形状为矩形形状的空间，所述载置台的俯视形状呈矩形形状，所述分隔构件以与所述载置台的各侧壁相对应的方式设置，所述豁口形成于所述矩形形状的空间的角部。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体生成机构具有高频天线，以便在所述处理区域中生成感应耦合等离子体。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述高频天线隔着电介质窗设置在所述处理室的上部。
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述高频天线隔着金属窗设置在所述处理室的上部。
5.一种排气构造，其是用于在等离子体处理装置中将供给到处理室的处理气体导向排气系统的排气构造，该等离子体处理装置包括：所述处理室，其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理；载置台，其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面；处理气体供给系统，其用于向所述处理室内供给处理气体；所述排气系统，其用于对所述处理室内进行排气；等离子体生成机构，其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；以及高频电源，其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力，其特征在于，
该排气构造具有多个分隔构件，该分隔构件由导电性材料构成且不具有开口部，该分隔构件设于所述载置面的下方位置，用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域，
所述多个分隔构件与接地电位相连接使得所述多个分隔构件作为所述偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口的方式分开地配置，所述分隔构件设置在所述处理室的内壁与所述载置台的同该内壁相对的侧壁之间，
所述处理室具有俯视形状为矩形形状的空间，所述载置台的俯视形状呈矩形形状，所述分隔构件以与所述载置台的各侧壁相对应的方式设置，所述豁口形成于所述矩形形状的空间的角部。
6.根据权利要求5所述的排气构造，其特征在于，
所述等离子体生成机构具有高频天线，以便在所述处理区域中生成感应耦合等离子体。
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| JP7308711B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP7437985B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2024-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP7418285B2 (ja) * | 2020-05-27 | 2024-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置とその製造方法、及び排気構造 |
| CN113838730B (zh) * | 2020-06-08 | 2024-05-14 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法 |
| CN112233962B (zh) * | 2020-09-17 | 2023-08-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 套装于基座上的收集组件及半导体腔室 |
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| CN112708865B (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-09 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 用于改善薄膜均匀性的镀膜设备 |
| JP2023137352A (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1543666A (zh) * | 2001-08-20 | 2004-11-03 | 东京毅力科创株式会社 | 干式显影方法 |
| CN101552188A (zh) * | 2008-03-31 | 2009-10-07 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| JP2010238980A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3150058B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US5891350A (en) * | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
| JP4330315B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2009-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4255747B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2009-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20080110567A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | Miller Matthew L | Plasma confinement baffle and flow equalizer for enhanced magnetic control of plasma radial distribution |
| CN101207001B (zh) * | 2006-12-22 | 2010-05-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 排气装置及包含该排气装置的反应腔室 |
| JP5168907B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2013-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
| KR20090024522A (ko) * | 2007-09-04 | 2009-03-09 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 |
| JP5256866B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP5230225B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置 |
| KR101083448B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2011-11-14 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 다중 기판처리챔버 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1543666A (zh) * | 2001-08-20 | 2004-11-03 | 东京毅力科创株式会社 | 干式显影方法 |
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