TWI539517B - 使用於處理腔室之套件及使用用於氣流改良之套件之處理腔室 - Google Patents

使用於處理腔室之套件及使用用於氣流改良之套件之處理腔室 Download PDF

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Description

使用於處理腔室之套件及使用用於氣流改良之套件之處理腔室
本發明之具體實施例一般關於半導體基材處理裝備。特別地，本發明關於用以改良處理腔室內之製程氣體流的設備及方法。
超大型積體(Ultra Large Scale Integrated Circuit，ULSI)電路可在諸如矽(Si)基材等半導體基材上，形成超過一百萬個電子裝置(例如，電晶體)，並相互合作執行多種功能。ULSI電路中使用的電子裝置之實例為互補金屬氧化物半導體(CMOS)場效應電晶體。CMOS電晶體具有閘極結構，其包含多晶矽閘極以及閘極介電層，且閘極結構設置在形成於基材中的源極與汲極區域之間。
電漿蝕刻經常被使用於電晶體及其它電子裝置的製造。然而，現今的電漿處理腔室在製程氣體的注射、流動以及排放上遭受缺陷。舉例來說，先前技術的電漿蝕刻腔室提供圍繞著腔室周圍的複數個氣體注射噴嘴，以及位在腔室之一側上的大型排放埠。氣體注射及排放的如此先前技術配置導致遍及待處理基材表面的不對稱製程氣體流、基材的不均勻蝕刻、製程氣體的無效率使用、以及最終的產量損失。
因此，有需要對電漿蝕刻腔室進行改良，以提供更有效率的製程氣體使用，並改善基材處理的均勻度。
於本發明之一具體實施例中，使用於處理腔室中之套件包含：氣體注射噴嘴，經配置以於遍及基材之表面的複數個同心的圓錐狀氣體流中分佈製程氣體，基材安置於處理腔室內之基材支撐件上；環狀流量控制元件，經配置以相對製程區域同心地安置於處理腔室中，以分隔製程區域與環狀排放區域，致使耦接至處理腔室的一或多個真空泵自基材支撐件周圍將氣體抽取進入環狀排放區域。
於另一具體實施例中，製程氣體注射噴嘴包含：支持元件；第一管體，耦接至支持元件；第二管體，經同心地安置於第一管體內，以於第二管體與第一管體之間形成第一環狀流體渠道；以及第一分散元件，耦接至第二管體，致使第一環狀間隙設置於第一管體與第一分散元件之間。
於本發明之又一具體實施例中，製程氣體注射噴嘴包含：噴嘴主體，其具有穿過其中的複數個氣體通道；複數個分散元件，經排列以提供複數個環狀間隙；以及複數個襯墊元件，具有形成於其中的一或多個狹縫，經安置以將氣體通道流動地耦接環狀間隙。
本發明之具體實施例一般提供電漿蝕刻製程腔室改良。茲提供經改良的氣體注射噴嘴，以於腔室之蓋體的中心位置處使用。氣體注射噴嘴可用於現有的電漿蝕刻腔室中，並經配置以提供一連串的圓錐狀氣體流遍及安置於腔室內之基材的表面。於一具體實施例中，茲提供經改良的排放套件，以於電漿蝕刻腔室中使用。排放套件包括可用於現有的電漿蝕刻腔室中的設備，並經配置以自腔室的處理區域提供環狀的排放氣體流。本發明之具體實施例使用氣體注射及/或排放之改良來提供更一致的處理氣體流遍及晶圓表面，造成更一致的蝕刻製程。此外，可以本發明之具體實施例來達成製程氣體的更有效使用。
第1圖為先前技術的電漿蝕刻處理腔室100之概要剖面圖。製程腔室100具有腔室本體，其具有側壁106、底部108以及圓頂型蓋體112經配置以部分封閉製程區域110。可於製程腔室100內置中提供基材支撐件114，使得提供於其上之基材101安置於製程區域110內。可提供控制器130來控制製程腔室100的多個態樣。
可於接近製程腔室100之蓋體112處提供一或多個天線或線圈164。線圈164經過匹配電路168耦接至RF功率源166。於製程腔室100內，施加至線圈164的功率感應耦合製程氣體，以形成電漿。一或多個偏壓功率源172經過匹配電路174耦接至基材支撐件114，以於處理期間偏壓基材101。
可透過周圍地設置於側壁106中的複數個側面注射噴嘴162以及設置於蓋體112中的上方氣體分佈噴嘴160，自一或多個氣體源102提供製程氣體進入製程腔室100的製程區域110。排放埠122位於製程腔室100之一側並耦接至真空泵104。設置於排放埠122附近的節流閥124可用以連結真空泵104，以控制製程區域110中的壓力。
氣體流路徑「P1」描繪於第1圖中，以圖解先前技術處理腔室100中的典型氣體流。可以看出，因上方氣體分佈噴嘴160、側面注射噴嘴162以及排放埠122之配置及位置的緣故，大部分的製程氣體流被導引離開製程腔室100而非均勻地分佈遍及基材101。事實上，已發現到，先前技術製程腔室100內高達95%的所有離子化氣體被直接抽取離開腔室100而未接觸基材101。因此，先前技術製程腔室100中之氣體注射及排放配置造成製程氣體的無效率使用，也造成基材101的不均勻蝕刻。
第2圖為根據本發明的某些具體實施例之製程腔室200的概要剖面圖。類似於先前技術製程腔室100，製程腔室200具有腔室本體，其具有側壁106、底部108以及圓頂型蓋體112經配置以部分封閉製程區域110。可於製程腔室100內置中提供基材支撐件114，使得提供於其上之基材101安置於製程區域110內。可藉由主幹216支撐基材支撐件114。主幹216可耦接至致動器，如馬達215，其用於基材支撐件114的垂直移動。控制器230可耦接至馬達215及一或多個動作控制感應器(未繪示)，以於處理之前、之間或之後提供對基材支撐件的垂直移動之控制。
控制器230一般包括記憶體232、CPU 234以及支援電路236。CPU 234可為任何形式的電腦處理器之一，其可用在供控制多種腔室及製程所用之工業設備中。支援電路236耦接至CPU 234，以習用的方式支援處理器。這類電路包括快取記憶體、電源供應、時脈電路、輸入/輸出電路、次系統，等等。記憶體232耦接至CPU 234。記憶體232，或電腦可讀取媒體，可為諸如本地或遠端之隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)或任何其它形式的數位儲存器等之容易獲得的記憶體之一或多者。供進行製程所用之指令可儲存於記憶體232。當由控制器230執行時，指令可造成處理腔室200進行製程，如電漿蝕刻製程。
於一具體實施例中，控制器230可透過馬達215、主幹216以及基材支撐件114，於處理期間協調基材101的垂直移動。於一具體實施例中，控制器230可以某種方式協調基材101的垂直移動，使得電漿特徵、製程材料流動型態以及排放型態等小變化可得到補償或調整以達成期望的蝕刻型態。於一實例中，控制器230可搭配製程配方(process recip)的變化或其它處理參數來協調基材101的垂直移動，如材料流動、材料供應型態、材料類型、RF及DC場斜上(ramping)或脈衝、腔室200之溫度、基材支撐件114之溫度，等等。
就製程腔室100來說，可於製程腔室200的蓋體112鄰近處提供一或多個天線或線圈164。線圈164經過匹配電路168耦接至RF功率源166。施加至線圈164的功率可感應地耦合製程腔室100內的製程氣體，以形成電漿。一或多個偏壓功率源172經過匹配電路174耦接至基材支撐件114，以於處理期間偏壓基材101。可藉由控制器230提供對RF功率源166及偏壓功率源172之控制。
於一具體實施例中，可自一或多個氣體源202經過氣體分佈噴嘴260提供製程氣體，氣體分佈噴嘴260置中定位於圓頂型蓋體112內。於一具體實施例中，氣體分佈噴嘴260定位於製程腔室200內的位置，與上方氣體分佈噴嘴160定位於製程腔室100內的位置相同。因此，可以氣體分佈噴嘴260來翻新製程腔室100。然而，氣體分佈噴嘴260包括對氣體分佈噴嘴160的數個改良。於一具體實施例中，氣體分佈噴嘴260包括配置於其中的複數個特徵結構265，以提供製程氣體平均分佈遍及基材101的面。特徵結構265可包括一或多個可控制的氣體入口以及供各個氣體入口所用的一或多個特定形狀之氣體出口。氣體出口可包括通孔狀、環狀外型之噴嘴、流動導引型態，等等。於一具體實施例中，經過個別入口及出口的氣體流可透過質量流控制器295進行控制，以平衡或調控各別的氣體流。於另一具體實施例中，可透過一或多個由控制器230控制的馬達，來自動調整或調控特徵結構265的位置。於某些具體實施例中，可於處理循環期間控制特徵結構265的調控，以將聲波能量(acoustic energy)以及塑型壓力脈衝(shaped pressure pulse)賦予製程氣體流，使能更大地控制製程腔室200中之基材101上所進行的特定製程。
於一具體實施例中，氣體分佈噴嘴260利用Coanda效應，通過噴嘴260中的一或多個環狀通孔注射氣體。在這樣的具體實施例中，氣體流沿著噴嘴260表面之預定路徑，直到其受力而自噴嘴260表面以期望角度分開。於一具體實施例中，可將表現Coanda效應的複數個特徵結構265利用來創造一連串的圓錐狀氣體流，其是專門用來供應平均的氣體流至基材101的表面。此外，噴嘴260內的特徵結構265可經配置，以造成氣體流在傳送至基材101表面的期間旋轉並混合。隨後將就第3及4圖來描述氣體分佈噴嘴260的特定實例。
於一具體實施例中，類似第1圖中之製程腔室100，排放埠122位在製程腔室200之一側上並耦接至真空泵104。設置於排放埠122附近的節流閥124協同真空泵104控制製程區域110中的壓力。於一具體實施例中，限制元件290安置於通往排放埠122的側面入口中。限制元件290可經配置以限制或防止氣體流通過側面入口流至排放埠122。於一具體實施例中，相同的真空泵104及節流閥124，或一或多個額外的真空泵104及/或節流閥124，流體連通複數個側面排放埠262，側面排放埠262設置於圍繞著腔室200周圍的側壁106中。於一具體實施例中，製程腔室200中之排放埠262的位置與製程腔室100中之側面氣體注射噴嘴162的位置重合。因此，可以排放埠262取代側面氣體注射噴嘴162來翻新腔室100。
於一具體實施例中，環狀流量控制元件280設置於製程腔室200內，以分隔製程區域110及排放區域250。環狀流量控制元件280可經配置以自側壁106的上部區域延伸至製程腔室200的基材支撐件114與底部108之間的區域。因此，製程腔室200的製程區域110比先前技術腔室100的製程區域110更圓滑也更一致，於製程區域110中造成更集中的電漿，且導致比先前技術腔室100中可能產生的更高的離子碰撞及更高的電漿密度。
於一具體實施例中，環狀流量控制元件280基本上為具中央開口281的碗形元件，中央開口281具有的直徑稍大於基材支撐件114的直徑，例如大於200 mm。環狀流量控制元件280可具有上方凸出部283，上方凸出部283自上方唇部284向下延伸至下方凹陷部285。下方凹陷部285可延伸至界定開口281的下方唇部286。
於一具體實施例中，環狀流量控制元件280包括位在其上方周圍處的一或多個連接特徵結構282，用以附接至側壁106的上方部分。因此，可用環狀流量控制元件280翻新製程腔室100。於一具體實施例中，流量控制元件280是一個連續的固體件。於一具體實施例中，流量控制元件280具有穿過其形成的複數個通孔或穿孔，供專門的氣體流穿過。於一具體實施例中，流量控制元件280可由金屬材料製成，例如鋁或不鏽鋼。於另一具體實施例中，流量控制元件280可由陶瓷或聚合物材料製作，其可抵抗製程腔室200中進行的電漿蝕刻製程。於一具體實施例中，流量控制元件280可透過一或多個間隔物272與腔室200的側壁106及/或底部108分隔開來。
氣體流路徑「P2」繪製於第2圖中，以圖解製程腔室200中的改良氣體流。如可見於圖中，因氣體分佈噴嘴260及流量控制元件280的配置與定位之故，氣體流可平均分佈於基材101的表面上，並向下抽至基材支撐件114的周圍與流量控制元件280之間。在離開基材101的表面之後，可將氣體流抽至流量控制元件280及製程腔室200的底部108之間。接著通過排放埠262及/或122將氣體抽離製程腔室200。
改良的氣體流路徑「P2」造成製程氣體應用效能以及RF功率效能的顯著增加。如此較大的效能也減少加熱製程腔室200，造成改良的效能以及減少的流出物。進而，藉由通過腔室200的下方區域抽取排放製程氣體，可抑制或防止處理電漿到達排放埠262及/或122，因而壓制那些區塊中的沉積物形成，也減少清潔腔室200所需的時間，並降低微粒於基材101的表面上發展之可能性。
於一具體實施例中，可於套件中提供氣體分佈噴嘴260及環狀流量控制元件280，與必要的硬體一起用來翻新電漿蝕刻腔室，如腔室100。於一具體實施例中，套件可進一步包括限制元件290。於一具體實施例中，套件可包括必要的硬體以及管，以使注射噴嘴162轉變為排放埠262。
第3圖為根據本發明之一具體實施例的用於製程腔室200中的氣體分佈噴嘴300的概要剖面圖。繪製於第3圖中的具體實施例包括複數個不同長度之嵌套管體，以提供複數個供製程氣體所用之流動間隙，造成重疊的圓錐狀氣體流「P3」於第2圖中繪製的製程腔室200中平均地分佈遍及基材101。
於一具體實施例中，氣體分佈噴嘴300包括支持元件302，其可經配置以接附至一或多個製程氣體入口管體。氣體分佈噴嘴300進一步包括外側管304接附至支持元件302。於一具體實施例中，第一中間管306係同心地安置於外側管304內並銜接支持元件302，致使第一中間管306的外側表面與外側管304的內側表面之間可界定外側環狀流體渠道308。第一分散元件310經配置以銜接第一中間管306的下方端，在第一分散元件310與外側管304的下方端之間留下外側環狀間隙312，致使外側環狀間隙312流體連通外側環狀流體渠道308。第一分散元件310可為可移動地銜接第一中間管306(例如，螺釘連接)，致使外側環狀間隙312成為可調整的，以調整穿過其而分散的製程氣體流。於一具體實施例中，第一分散元件310牢固地附接至第一中間管306，以維持製程氣體流的間隔。於另一具體實施例中，第一分散元件包括等距間隔於其上而呈圓形圖案的複數個凸起，以銜接外側管304並維持製程氣體流的間隔。
於一具體實施例中，第二中間管314係同心地安置於第一中間管306內並銜接支持元件302，使得第二中間管314之外側表面及第一中間管306之內側表面界定中間環狀流體渠道316。第二分散元件318經配置以銜接第二中間管314的下方端。可於第一分散元件310內設置一或多個孔洞320，其流體連通中間環狀流體渠道316。孔洞328可圍繞著第一分散元件310的周圍等距間隔。第二分散元件318可為可移動地銜接第二中間管314(例如，螺釘連接)，致使中間環狀間隙321，其也流體連通中間環狀流體渠道316，形成於第二分散元件318與第一分散元件310之間。中間環狀間隙321可成為可調整的，以使用第二分散元件318與第二中間管314之間的可動性銜接，來調整穿過其而分散的製程氣體流。於一具體實施例中，第二分散元件318附接至第二中間管314，以維持製程氣體流的間隔。於另一具體實施例中，第二分散元件318包括自其向上延伸的複數個凸起，以銜接第一分散元件310並維持製程氣體流的間隔。
於一具體實施例中，內側管322同心地安置於第二中間管314內，並銜接支持元件302，致使內側環狀流體渠道324由內側管322的外側表面及第二中間管314的內側表面所定義。第三分散元件326經配置以銜接內側管322的下方端。可於第二分散元件318內設置一或多個孔洞328，其流體連通內側環狀流體渠道324。孔洞328可圍繞著第二分散元件318的周圍等距間隔。第三分散元件326可為可移動地銜接內側管322(例如，螺釘連接)，致使內側環狀間隙329形成於第三分散元件326與第二分散元件318之間，內側環狀間隙329也流體連通內側環狀流體渠道324。內側環狀間隙329可成為可調整的，以使用第三分散元件326及內側管322之間的可動性銜接，來調整穿過其而分散的製程氣體流。於一具體實施例中，第三分散元件326接附至內側管322，以維持氣體流的間隔。於另一具體實施例中，第三分散元件326包括自其向上延伸的複數個凸起，以銜接第二分散元件318並維持製程氣體流的間隔。
於一具體實施例中，中央桿體330或螺栓可銜接支持元件302以及第三分散元件326，以將氣體分佈噴嘴300的個別部件固定在一起。於一具體實施例中，可使中央桿體330伸展或縮回，以調整外側環狀間隙312、中間環狀間隙321以及內側環狀間隙329，而依此調整通過氣體分佈噴嘴300分散之製程氣體的流動型態(flow pattern)。可藉由如螺紋連接(threaded connection)來手動調整中央桿體330及/或間隙312、321、329。或者，可藉由諸如線性推進器或壓電馬達等一或多個致動器自動調整，並藉由控制器230進行控制。於一具體實施例中，可藉由改變外側管304、第一中間管306、第二中間管314以及內側管322的長度，來分別調整外側環狀間隙312、中間環狀間隙321以及內側環狀間隙329。此外，也可調整管體直徑以及壁厚度，以提供期望的容積給外側環狀流體渠道308、中間環狀流體渠道316以及內側環狀流體渠道324。氣體分佈噴嘴300的各個組件可包含能抵抗用於期望應用中之特定製程氣體的材料，如陶瓷材料(例如，Al2O3、SiC、SiN)、金屬材料(例如，陽極化鋁、不鏽鋼、鎳)，或阻性聚合材料。
支持元件302可具有穿過其中形成的複數個通孔332，用以容許來自一或多個製程氣體入口管體之製程氣體經過支持元件302而通過，並進入氣體分佈噴嘴300中之期望的流體渠道。通孔332可經配置以從單一氣體入口傳送製程氣體進入各個單獨的流體渠道，即，外側環狀流體渠道308、中間環狀流體渠道316以及內側環狀流體渠道324。通孔332可經配置以分別自單獨的入口管傳送製程氣體至各個流體渠道。舉例來說，第一入口管可連接至外側環狀流體渠道308，且第二入口管可連接至中間環狀流體渠道316，且第三入口管可連接至內側環狀流體渠道324。於一具體實施例中，各個入口管連接至單獨的氣體源。於一具體實施例中，為了單獨調整流經氣體分佈噴嘴300中之各環狀間隙的流體，各個入口管透過單獨的質量流控制器連接至單一製程氣體源。
應注意的是，雖然與第3圖相關聯而描繪及描述的氣體分佈噴嘴300係針對三個同心分散間隙來配置，但可將管及分散元件增加至組件或自組件去掉管及分散元件，以根據需求獲得較大或較小數目的分散間隙。結果，氣體分佈噴嘴300可達成重疊的圓錐狀氣體流的任何期望配置，而重疊的圓錐狀氣體流可均勻地分佈遍及第2圖中所描繪之製程腔室200中的基材101。
第4圖為根據本發明之另一具體實施例的氣體分佈噴嘴400之概要、等距、展開圖。繪製於第4圖中的具體實施例包括複數個交集的襯墊，此些襯墊經配置以選擇性地導引製程氣體流通過複數個環狀間隙，以提供重疊的圓錐狀氣體流(類似第3圖中之氣體流「P3」)於第2圖中繪製的製程腔室200中平均地分佈遍及基材101。
於一具體實施例中，氣體分佈噴嘴400包括接附至噴嘴主體404的支持元件402。支持元件402及噴嘴主體404二者皆具有穿過其中而設置的複數個對齊的通孔406、407，以容許一或多種製程氣體穿過其中而通過。支持元件402可經配置以耦接至一或多個製程氣體入口管體，以提供製程氣體供應至氣體分佈噴嘴400。
第一襯墊408可安置於噴嘴主體404與第一分散元件412之間。第一襯墊408及第一分散元件412兩者皆具有穿過其中形成的複數個通孔409、411，通孔409、411並與穿過噴嘴主體404而形成的複數個通孔407對齊。第一分散元件412銜接噴嘴主體404，以在第一分散元件412與噴嘴主體404之間提供第一環狀間隙414。第一襯墊408進一步包括穿過其形成的一或多個狹縫410，且狹縫410選擇性地與噴嘴主體404中的一或多個通孔406對齊。一或多個狹縫410通往第一襯墊408的邊緣，以容許製程氣體自一或多個通孔406通過並經過第一環狀間隙414。結果，製程氣體可沿著路徑「P4」自氣體入口管流動經過支持元件402及噴嘴主體404，以經過如第4圖所示之第一環狀間隙414分散。
第二襯墊416可安置於第一分散元件412與第二分散元件420之間。第二襯墊416及第二分散元件420二者皆具有穿過其中形成的複數個通孔417、419，通孔417、419並與穿過第一分散元件412而形成的複數個通孔411對齊。第二分散元件420銜接第一分散元件412，以在第二分散元件420與第一分散元件412之間提供第二環狀間隙422。第二襯墊416進一步包括穿過其形成之一或多個狹縫418，且狹縫418選擇性地與穿過第一分散元件412形成的一或多個通孔411對齊。一或多個狹縫418通往第二襯墊416的邊緣，以容許製程氣體自一或多個通孔411通過並經過第二環狀間隙422。結果，製程氣體可沿著路徑「P5」自氣體入口管，通過支持元件402、噴嘴主體404、第一襯墊408以及第一分散元件412，以通過第4圖中所繪示之第二環狀間隙422分散。
於一具體實施例中，第三襯墊424安置於第二分散元件420與第三分散元件428之間。第三襯墊424具有穿透其形成的複數個通孔425，其與穿透第二分散元件420形成的複數個通孔417對齊。第三分散元件428銜接第二分散元件420，使得第三環狀間隙430被提供於第三分散元件428與第二分散元件420之間。第三襯墊424進一步包括穿過其形成的一或多個狹縫426，且一或多個狹縫426選擇性地與穿過第二分散元件420而形成的一或多個通孔417對齊。一或多個狹縫426通往第三襯墊424的邊緣，以容許製程氣體自一或多個通孔417通過並經過第三環狀間隙430。結果，製程氣體可沿著路徑「P6」自氣體入口管，通過支持元件402、噴嘴主體404、第一襯墊408、第一分散元件412、第二襯墊416以及第二分散元件420，以通過第4圖中所繪示之第三環狀間隙430分散。
中央桿體432或螺栓可銜接支持元件402以及第三分散元件428，以將氣體分佈噴嘴400的個別部件固定在一起。注意，為清晰起見，中央桿體432係以假想方式繪示於第4圖中。分散元件412、420、428及/或襯墊408、416、424之一或多者可接附至中央桿體432，致使當中央桿體432旋轉時，通孔之一或多者重疊以改變角度，造成對穿過其中之製程氣體流的調整。於一具體實施例中，可手動調整中央桿體432以及通過氣體分佈噴嘴400之製程氣體流。或者，可藉由諸如馬達等一或多個致動器自動調整，並藉由控制器230進行控制。可改變多個通孔的尺寸及數目或多個襯墊的厚度，以提供期望的氣體流。氣體分佈噴嘴400的各個組件可包含能抵抗用於期望應用中之特定製程氣體的材料，如陶瓷材料(例如，Al2O3、SiC、SiN)、金屬材料(例如，陽極化鋁、不鏽鋼、鎳)，或阻性聚合材料。
應注意的是，雖然與第4圖相關聯而描繪及描述的氣體分佈噴嘴400係針對三個同心分散間隙來配置，但可將襯墊及分散元件增加至組件或自組件去掉襯墊及分散元件，以根據需求獲得較大或較小數目的分散間隙。結果，氣體分佈噴嘴400可達成重疊的圓錐狀氣體流的任何期望配置，而重疊的圓錐狀氣體流可均勻地分佈遍及第2圖中所描繪之製程腔室200中的基材101。
因此，本發明之具體實施例一般提供電漿蝕刻製程腔室改良。於一具體實施例中，於腔室之蓋體的中心位置處提供經改良的氣體注射噴嘴。氣體注射噴嘴可用於現有的電漿蝕刻腔室中，並經配置以提供一連串的圓錐狀氣體流遍及安置於腔室內之基材的表面。於一具體實施例中，茲提供經改良的排放構造。排放構造包括可用於現有的電漿蝕刻腔室中的設備，並經配置以自腔室的處理區域提供環狀的排放氣體流。本發明之具體實施例使用氣體注射及/或排放之改良來提供更一致的處理氣體流遍及晶圓表面，造成更一致的蝕刻製程。此外，可以本發明之具體實施例來達成製程氣體得更有效使用。
儘管以上內容係針對本發明之具體實施例，但是可在不脫離本發明之基本範疇的情況下設計本發明之其它及進一步的具體實施例，且其範疇由以下申請專利範圍決定。
100．．．腔室
101．．．基材
102．．．氣體源
104．．．真空泵
106．．．側壁
108．．．底部
110．．．製程區域
112．．．蓋體
114．．．基材支撐件
122．．．排放埠
124．．．節流閥
130．．．控制器
160．．．氣體分佈噴嘴
162．．．注射噴嘴
164．．．線圈
166．．．RF功率源
168．．．匹配電路
172．．．偏壓功率源
174．．．匹配電路
200．．．腔室
202．．．氣體源
215．．．馬達
216．．．主幹
230．．．控制器
232．．．記憶體
234．．．CPU
236．．．支援電路
250．．．排放區域
260．．．氣體分佈噴嘴
262．．．排放埠
265．．．特徵結構
272．．．間隔物
280．．．流量控制元件
281．．．中央開口
282．．．連接特徵結構
283．．．上方凸出部
284．．．上方唇部
285．．．下方凹陷部
286．．．下方唇部
290．．．限制元件
295．．．質量流控制器
300．．．氣體分佈噴嘴
302．．．支持元件
304．．．外側管
306．．．第一中間管
308．．．外側環狀流體渠道
310．．．第一分散元件
312．．．外側環狀間隙
314．．．第二中間管
316．．．中間環狀流體渠道
318．．．第二分散元件
320．．．孔洞
321．．．中間環狀間隙
322．．．內側管
324．．．內側環狀流體渠道
326．．．第三分散元件
328．．．孔洞
329．．．內側環狀間隙
330．．．中央桿體
332．．．通孔
400．．．氣體分佈噴嘴
402．．．支持元件
404．．．噴嘴主體
406．．．通孔
407．．．通孔
408．．．第一襯墊
409．．．通孔
410．．．狹縫
411．．．通孔
412．．．第一分散元件
414．．．第一環狀間隙
416．．．第二襯墊
417．．．通孔
418．．．狹縫
419．．．通孔
420．．．第二分散元件
422．．．第二環狀間隙
424．．．第三襯墊
425．．．通孔
426．．．狹縫
428．．．第三分散元件
430．．．第三環狀間隙
432．．．中央桿體
P1、P2．．．氣體流路徑
P3．．．氣體流
P4、P5、P6．．．路徑
為使本發明之上述特徵得以更詳細被瞭解，係已參照具體實施例而更具體說明以上所簡述之發明，其中部分具體實施例係繪示於如附圖式中。然而，需注意的是，所附圖式僅為說明本發明之典型具體實施例，而非用於限制其範疇，本發明亦允許其它等效具體實施例。
第1圖為先前技術之電漿蝕刻處理腔室的概要剖面圖。
第2圖為根據本發明的某些具體實施例之製程腔室的概要剖面圖。
第3圖為根據本發明之一具體實施例的用於第2圖之製程腔室中的氣體分佈噴嘴的概要剖面圖。
第4圖為根據本發明之另一具體實施例的氣體分佈噴嘴之概要、等距、展開圖。
101．．．基材
104．．．真空泵
106．．．側壁
108．．．底部
110．．．製程區域
112．．．蓋體
114．．．基材支撐件
122．．．排放埠
124．．．節流閥
164．．．線圈
166．．．RF功率源
168．．．匹配電路
172．．．偏壓功率源
174．．．匹配電路
200．．．腔室
202．．．氣體源
215．．．馬達
216．．．主幹
230．．．控制器
232．．．記憶體
234．．．CPU
236．．．支撐電路
250．．．排放區域
260．．．氣體分佈噴嘴
262．．．排放埠
265．．．特徵結構
272．．．間隔物
280．．．流量控制元件
281．．．中央開口
282．．．連接特徵結構
283．．．上方凸出部
284．．．上方唇部
285．．．下方凹陷部
286．．．下方唇部
290．．．限制元件
295．．．質量流控制器
P2．．．氣體流路徑

Claims (16)

  1. 一種使用於一處理腔室中之套件，包含：一氣體注射噴嘴，經配置而被安裝至該處理腔室之一蓋體，該氣體注射噴嘴具有複數個可調整的堆疊式環狀氣體輸送間隙；以及一環狀流量控制元件，經配置而被設置於該處理腔室中之該氣體注射噴嘴下方，並與該氣體注射噴嘴處於分隔關係，該環狀流量控制元件具有一上方凸出部，該上方凸出部向下延伸進入一下方凹陷部，其中該環狀流量控制元件具有延伸穿過其中之一開口，該開口具有大於約200mm之一直徑。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之套件，其中該氣體注射噴嘴包含：複數個管體，經同心地排列以提供穿過其中之複數個環狀氣體渠道；以及複數個分散元件，經排列以提供該複數個環狀間隙，該複數個環狀間隙流體連通該複數個氣體渠道。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之套件，其中該複數個分散元件之至少一者係可動地銜接該複數個管體之至少一者。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之套件，其中該複數個分散元件之至少一者具有穿過其中而設置之一或多個孔洞，該一或多個孔洞流體連通該複數個環狀氣體渠道之至少一者。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之套件，其中該氣體注射噴嘴包含：一噴嘴主體，具有穿過其中的複數個氣體通道；複數個分散元件，經排列以提供該複數個環狀間隙；以及複數個襯墊元件，具有形成於其中的一或多個狹縫，經安置以將該等氣體通道流動地耦接該等環狀間隙。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之套件，其中該等襯墊之至少一者安置於該等分散元件之至少兩者之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之套件，其中該氣體注射噴嘴更包含穿過其中而設置之一中央桿體，該中央桿體並耦接至該複數個襯墊。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之套件，其中藉由轉動該中央桿體來調整流經該氣體注射噴嘴的氣體。
  9. 一種處理腔室，具有一蓋體及一基材支撐件，其改良包含：一種使用於一處理腔室中之套件，該套件包含：一氣體注射噴嘴，經配置而被安裝至該處理腔室之該蓋體，該氣體注射噴嘴具有複數個可調整的堆疊式環狀氣體輸送間隙；以及一環狀流量控制元件，經配置而被設置於該處理腔室中之該基材支撐件周圍並位於該氣體注射噴嘴下方，該環狀流量控制元件具有一上方凸出部，該上方凸出部向下延伸進入一下方凹陷部，其中該環狀流量控制元件具有延伸穿過其中之一開口，該開口具有大於約200mm之一直徑。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之處理腔室，其中該氣體注射噴嘴包含：複數個管體，經同心地排列以提供穿過其中之複數個環狀氣體渠道；以及複數個分散元件，經排列以提供該複數個環狀間隙，該複數個環狀間隙流體連通該複數個氣體渠道。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之處理腔室，其中該複 數個分散元件之至少一者係可動地銜接該複數個管體之至少一者。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之處理腔室，其中該複數個分散元件之至少一者具有穿過其中而設置之一或多個孔洞，該一或多個孔洞流體連通該複數個環狀氣體渠道之至少一者。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之處理腔室，其中該氣體注射噴嘴包含：一噴嘴主體，具有穿過其中的複數個氣體通道；複數個分散元件，經排列以提供該複數個環狀間隙；以及複數個襯墊元件，具有形成於其中的一或多個狹縫，經安置以將該等氣體通道流動地耦接該等環狀間隙。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之處理腔室，其中該等襯墊之至少一者安置於該等分散元件之至少兩者之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之處理腔室，其中該氣體注射噴嘴更包含穿過其中而設置之一中央桿體，該中央桿體並耦接至該複數個襯墊。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之處理腔室，其中藉由轉動該中央桿體來調整流經該氣體注射噴嘴的氣體。
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