KR102291460B1 - 공간적으로 분포된 가스 통로들을 갖는 유동 제어 라이너 - Google Patents

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Abstract

본 개시물의 실시예들은 복수의 개별적으로 분리된 가스 통로를 포함하는 라이너 어셈블리를 제공한다. 라이너 어셈블리는, 처리 중인 기판에 걸쳐, 속도, 밀도, 방향 및 공간 위치와 같은 유동 파라미터들의 튜닝가능성을 인에이블 한다. 처리 중인 기판에 걸친 처리 가스는 본 개시물의 실시예에 따른 라이너 어셈블리를 이용하여 개별 프로세스들에 대해 특별하게 조정될 수 있다.

Description

공간적으로 분포된 가스 통로들을 갖는 유동 제어 라이너{FLOW CONTROLLED LINER HAVING SPATIALLY DISTRIBUTED GAS PASSAGES}
본 개시물의 실시예들은 일반적으로 반도체 기판들을 처리하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 개시물의 실시예들은 프로세서 챔버에서의 개선된 가스 유동 분포를 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스들을 제조하기 위한 일부 프로세스들, 예를 들어 급속 열 처리(rapid thermal processing), 에피택셜 퇴적(epitaxial deposition), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition), 물리 기상 증착(physical vapor deposition), 전자-빔 경화(electron-beam curing)는 상승된 온도에서 수행된다. 일반적으로, 처리 중인 기판은 하나 이상의 열원에 의해 프로세스 챔버 내에서 원하는 온도로 가열된다. 통상적으로, 하나 이상의 열원은, 이러한 열원들에 의해 발생된 에너지가 챔버 바디 내에 위치된 기판들 상에 방사되도록 챔버 바디의 외부에 장착된다. 일반적으로, 처리 가스들은 가스 유입구로부터 챔버로 공급되고, 프로세스 챔버에 연결된 펌핑 시스템에 의해 챔버 바디 내에서 유동하는 것이 유지된다. 종래의 챔버에서의 가스 분포는 전체 프로세스 영역에 걸쳐 균일하지 않다. 예를 들어, 가스 유입구 부근의 가스 분포는 펌핑 포트 부근의 가스 분포와 상이하고, 에지 영역 부근의 가스 분포는 중앙 영역 부근의 가스 분포와 상이하다. 기판의 연속적인 회전은 가스 분포의 불균일을 감소시킬 수 있지만, 회전만으로는 균일성 증가를 위한 요건으로서 충분하지 않을 수 있다.
따라서, 개선된 가스 유동 분포를 갖는 열 프로세스 챔버가 필요하다.
본 개시물의 실시예들은 일반적으로 상승된 온도에서 하나 이상의 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 구체적으로는, 본 개시물의 실시예들은 프로세스 챔버에 하나 이상의 처리 가스를 분포시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 개시물의 일 실시예는 기판 프로세스 챔버의 내측 표면을 보호하기 위한 라이너 어셈블리를 제공한다. 라이너 어셈블리는 링 형상 바디를 포함하고, 링 형상 바디는 기판 프로세스 챔버의 내측 표면에 의해 수취되도록 크기가 정해진 외측 표면, 및 기판 처리 용적을 정의하는 내측 표면을 갖는다. 링 형상 바디는 외측 표면을 기판 처리 용적에 연결하는 복수의 가스 통로를 포함하고, 복수의 가스 통로 각각은, 가스 주입구(gas inject)와 연결되고 가스 유동을 튜닝하도록 설계된다.
본 개시물의 일 실시예는 기판을 처리하기 위한 장치를 제공한다. 이 장치는 챔버 인클로저를 형성하는 챔버 바디를 포함하고, 챔버 바디는 대향하는 측부들에 형성된 주입 개구 및 배기 개구, 및 주입 개구와 배기 개구 사이에 형성된 기판 개구를 포함한다. 이 장치는 주입 개구에 배치된 가스 유입구, 챔버 인클로저에 배치된 기판 지지체, 및 챔버 바디의 내측 표면을 보호하며 가스 주입구의 가스 유동을 튜닝하기 위한 라이너 어셈블리를 또한 포함한다. 라이너 어셈블리는 링 형상 바디를 포함하고, 링 형상 바디는 챔버 바디의 내측 표면에 의해 수취되도록 크기가 정해진 외측 표면, 및 기판 처리 용적을 정의하는 내측 표면을 갖고, 링 형상 바디는 외측 표면을 기판 처리 용적에 연결하는 복수의 가스 통로를 포함하고, 복수의 가스 통로 각각은, 가스 주입구와 연결되고 가스 유동을 튜닝하도록 설계된다.
본 개시물의 다른 실시예는 기판을 처리하기 위한 방법을 제공한다. 이 방법은 복수의 가열 요소로부터의 복사 에너지를 기판 프로세스 챔버의 인클로저를 향하여 지향시키는 단계; 및 프로세스 챔버에 배치된 라이너 어셈블리에 형성된 복수의 가스 통로를 사용하여 프로세스 가스의 유동을 튜닝하는 단계를 포함한다. 라이너 어셈블리는 링 형상 바디를 포함하고, 링 형상 바디는 챔버 바디의 내측 표면에 의해 수취되도록 크기가 정해진 외측 표면, 및 기판 처리 용적을 정의하는 내측 표면을 갖고, 링 형상 바디는 외측 표면을 기판 처리 용적에 연결하는 복수의 가스 통로를 포함하고, 복수의 가스 통로 각각은, 가스 주입구와 연결되고 가스 유동을 튜닝하도록 설계된다.
위에서 언급된 본 개시물의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 개시물의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 본 개시물은 동등한 효과의 다른 실시예들을 허용할 수 있으므로, 첨부 도면들은 본 개시물의 전형적인 실시예들만을 도시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 주목해야 한다.
도 1a는 본 개시물의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 1b는 도 1a의 프로세스 챔버의 개략적인 상부 단면도이다.
도 2a는 본 개시물의 일 실시예에 따른 라이너 어셈블리의 개략적인 측단면도이다.
도 2b는 도 2a의 라이너 어셈블리의 제2의 개략적인 측단면도이다.
도 3은 본 개시물의 일 실시예에 따른 라이너 어셈블리의 부분적인 측단면도이다.
도 4는 본 개시물의 일 실시예에 따른 라이너 어셈블리의 부분적인 측단면도이다.
도 5a는 본 개시물의 일 실시예에 따른 라이너 어셈블리의 부분적인 측단면도이다.
도 5b는 도 5a의 라이너 어셈블리의 개략적인 상부도이다.
도 5c는 본 개시물의 다른 실시예에 따른 라이너 어셈블리의 개략적인 부분 상부도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 통합될 수 있을 것으로 예상된다.
다음의 설명에서, 설명을 목적으로, 본 개시물의 철저한 이해를 제공하기 위해서 다수의 특정 상세가 제시된다. 일부 경우에, 본 개시물을 모호하게 하는 것을 회피하기 위해서 잘 알려진 구조들 및 디바이스들은 상세하게 도시되는 것이 아니라 블록도 형태로 도시된다. 이 실시예들은 관련 기술분야의 통상의 기술자가 본 개시물을 실시할 수 있게 할 정도로 충분히 상세하게 설명되고, 다른 실시예들이 이용될 수 있다는 것, 및 본 개시물의 범위로부터 벗어나지 않으면서 논리적, 기계적, 전기적 및 다른 변경들이 이루어질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
본 개시물의 실시예들은 복수의 개별적으로 분리된 가스 통로를 갖는 라이너 어셈블리를 제공한다. 라이너 어셈블리는, 처리 중인 기판에 걸쳐, 속도, 밀도, 방향 및 공간 위치와 같은 유동 파라미터들의 튜닝가능성(tunability)을 인에이블 한다. 처리 중인 기판에 걸친 처리 가스는 본 개시물의 실시예들에 따른 라이너 어셈블리를 이용하여 각각의 개별 프로세스에 대해 특별하게 조정될 수 있다. 본 개시물의 실시예들에 따른 라이너 어셈블리는 종래의 라이너들과 비교하여 가스 주입 경로에서의 압력 강하를 최소화하는 이점을 갖는다. 본 개시물의 일 실시예는, 압력 강하를 감소시키기 위해 기울어진(angled) 또는 단축된(shortened) 유동 경로들을 갖는 라이너 어셈블리를 포함한다. 본 개시물에 따른 라이너 어셈블리의 다른 이점은 유동 경로들에서 조정된 및/또는 다양한 유동 컨덕턴스(flow conductance)를 제공하는 것이다. 일 실시예에서, 라이너 어셈블리는 다양한 크기들을 갖는 복수의 가스 통로를 포함하고, 따라서 복수의 가스 통로 각각을 통해 다양한 유동 컨덕턴스를 제공할 수 있다. 라이너 어셈블리에서의 복수의 가스 통로의 공간 분포는 프로세스 챔버에서 조정된 유동을 달성하도록 또한 설계될 수 있다.
본 개시물의 실시예들에 따른 라이너 어셈블리는, 복수의 처리 가스가, 처리 중인 기판 부근에 도달하기 이전에 혼합되는 것을 방지하는 다른 이점을 가질 수 있다. 추가로, 본 개시물의 실시예들에 따른 라이너 어셈블리는, 간단한 방법들을 이용하여, 예컨대 건 드릴링에 의한 방법, 확산 본딩(diffusion bonding)에 의한 방법, 그리고 용접된 플러그들(welded plugs)을 이용한 방법을 이용하여 제조될 수 있다는 이점을 또한 갖는다.
도 1a는 본 개시물의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도를 도시한다. 도 1b는 프로세스 챔버(100)의 개략적인 상부 단면도이다. 프로세스 챔버(100)는, 기판(108)의 상부 표면(116) 상의 재료의 퇴적을 포함하여, 하나 이상의 기판을 처리하는데 사용될 수 있다. 프로세스 챔버(100)는, 다른 컴포넌트들 중에서도, 프로세스 챔버(100) 내에 배치된 기판 지지체(106)의 후면(back side)(104)을 가열하기 위한 복사 가열 램프들(102)의 어레이를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 복사 가열 램프들(102)의 어레이는 상부 돔(128) 위에 배치될 수 있다. 기판 지지체(106)는 도시된 바와 같이 중앙 개구가 없는 디스크형 기판 지지체(106)일 수 있다. 대안적으로, 기판 지지체(106)는 복수의 복사 가열 램프(102)의 열 복사에 대한 기판의 노출을 용이하게 하기 위해 기판의 에지로부터 기판을 지지하는 링형 기판 지지체일 수 있다.
기판 지지체(106)는 프로세스 챔버(100) 내에서 상부 돔(128)과 하부 돔(114) 사이에 위치된다. 베이스 링(136)은 상부 돔(128)과 하부 돔(114) 사이에 배치될 수 있다. 일반적으로, 상부 돔(128), 하부 돔(114) 및 베이스 링(136)은 프로세스 챔버(100)의 내부 영역을 정의한다. 기판(108)(실제 비례로 되어 있지 않음)은 도 1b에 도시된 로딩 포트(103)를 통해 프로세스 챔버(100) 내로 이동되어 기판 지지체(106) 상에 위치될 수 있다.
도 1a에서, 기판 지지체(106)는 프로세스 위치에 있는 것으로 도시되어 있다. 기판 지지체(106)는, 리프트 핀들(105)이 중앙 샤프트(132) 및 기판 지지체(106) 내의 구멍들을 통과하여 하부 돔(114)에 접촉하고 기판(108)을 기판 지지체(106)로부터 상승시키는 것을 허용하기 위해서 프로세스 위치 아래에 있는 로딩 위치까지 수직으로 이동할 수 있다. 기판 지지체(106)는, 프로세스 위치에 위치되어 있는 동안, 프로세스 챔버(100)의 내부 용적을, 기판 지지체(106) 위에 있는 프로세스 가스 영역(156) 및 기판 지지체(106) 아래에 있는 퍼지 가스 영역(158)으로 분할한다. 기판 지지체(106)는, 프로세스 챔버(100) 내에서의 열 및 프로세스 가스 유동의 공간적 비정상(thermal and process gas flow spatial anomalies)의 영향을 최소화하고, 그에 의해 기판(108)의 균일한 처리를 용이하게 하기 위해서, 처리 동안 중앙 샤프트(132)에 의해 회전된다. 기판 지지체(106)는 중앙 샤프트(132)에 의해 지지되고, 중앙 샤프트는 기판(108)의 로딩 및 언로딩 동안에 그리고 일부 경우들에서는 기판의 처리 동안에 기판(108)을 방향(134)을 따라 상하로 이동시킨다. 기판 지지체(106)는, 복사 가열 램프들(102)로부터의 복사 에너지를 흡수하고 이 복사 에너지를 기판(108)에 전도하기 위해서 실리콘 탄화물 또는 실리콘 탄화물로 코팅된 흑연으로 형성될 수 있다.
일반적으로, 상부 돔(128)의 중앙 윈도우 부분 및 하부 돔(114)의 저부는 석영과 같은 광학적으로 투명한 재료(optically transparent material)로 형성된다. 복사 가열 램프들(102)의 어레이와 같은 하나 이상의 램프는, 프로세스 가스가 위로 지나갈 때 기판(108)의 다양한 영역들에서 온도를 독립적으로 제어함으로써 기판(108)의 상부 표면(116) 상으로의 재료의 퇴적을 용이하게 하기 위해서, 중앙 샤프트(132) 주위에서, 특정 방식으로 하부 돔(114)에 인접하여 하부 돔 아래에 배치될 수 있다. 여기에서 상세하게 논의되지는 않지만, 퇴적된 재료는 갈륨 비화물, 갈륨 질화물 또는 알루미늄 갈륨 질화물을 포함할 수 있다.
복사 가열 램프들(102)은 약 섭씨 200도 내지 약 섭씨 1600도의 범위 내의 온도로 기판(108)을 가열하도록 구성된 전구들(141)을 포함할 수 있다. 각각의 복사 가열 램프(102)는 전력 분배 보드(도시되지 않음)에 연결되고, 전력 분배 보드를 통해 각각의 복사 가열 램프(102)에 전력이 공급된다. 복사 가열 램프들(102)은 램프 수취 개구들을 갖는 램프 헤드(145) 내에 배열될 수 있다. 램프 헤드(145)는, 예를 들어 복사 가열 램프들(102) 사이에 위치된 채널들(149)에 도입되는 냉각 유체에 의해 처리 동안에 또는 처리 이후에 냉각될 수 있다. 일 실시예에서, 램프 헤드(145) 내의 채널들(149)은, 부분적으로는 램프 헤드(145)가 하부 돔(114)에 매우 근접해 있는 것으로 인해, 하부 돔(114)을 전도 및 복사 냉각(conductively and radiatively cool)하기 위해 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 램프 헤드(145)는 램프들 주위의 반사기들(도시되지 않음)의 벽들 및 램프 벽들을 또한 냉각할 수 있다. 대안적으로, 하부 돔(114)은 본 산업에 공지되어 있는 대류 접근법에 의해 냉각될 수 있다. 응용례(application)에 따라, 램프 헤드(145)는 하부 돔(114)과 접촉할 수도 있고 접촉하지 않을 수도 있다.
선택적으로, 원형 쉴드(167)가 기판 지지체(106) 주위에 배치될 수 있다. 쉴드(167)는, 프로세스 가스들을 위한 예비 가열 구역을 제공하면서, 복사 가열 램프들(102)로부터의 열/광 잡음이 기판(108)의 디바이스 측(116)에 누설되는 것을 방지하거나 최소화한다. 쉴드(167)는 화학 기상 증착(CVD) SiC, SiC로 코팅된 소결 흑연(sintered graphite), 성장된 SiC, 불투명 석영, 코팅된 석영, 또는 프로세스 및 퍼지 가스들에 의한 화학적 파손(chemical breakdown)에 저항성이 있는 임의의 유사한 적합한 재료로 이루어질 수 있다.
라이너 어셈블리(163)는 프로세스 챔버(100) 내에 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 라이너 어셈블리(163)는 원형 쉴드(167)를 둘러쌀 수 있다. 라이너 어셈블리(163)는 베이스 링(136)의 내측 둘레 내에 놓이거나(nested) 이러한 내측 둘레에 의해 둘러싸이도록 크기가 정해진다. 라이너 어셈블리(163)는 프로세스 챔버(100)의 금속 벽들, 예를 들어, 베이스 링(136)으로부터의 금속 벽들로부터 처리 용적(즉, 프로세스 가스 영역(156) 및 퍼지 가스 영역(158))을 차폐한다. 금속 벽들은 프리커서들과 반응하여, 처리 용적에서 오염을 야기시킬 수 있다. 라이너 어셈블리(163)는 단일 바디로서 도시되어 있지만, 라이너 어셈블리(163)는 아래에 논의되는 바와 같이 하나 이상의 라이너를 포함할 수 있다. 본 개시물의 실시예들에 따르면, 라이너 어셈블리(163)는 하나 이상의 처리 가스를 프로세스 가스 영역(156)에 주입하기 위한 복수의 가스 통로(190)를 포함한다. 라이너 어셈블리(163)는 하나 이상의 가스를 퍼지 가스 영역(158)에 주입하기 위한 복수의 가스 통로(192)를 또한 포함할 수 있다.
기판(108)의 온도를 측정하기 위해 상부 돔(128)의 외부에 광학 고온계(118)가 위치될 수 있다. 기판 지지체(106)로부터의 기판(108)의 후면 가열의 결과로서, 기판 지지체 상에서의 온도 측정/제어를 위해 광학 고온계(118)를 사용하는 것이 수행될 수 있다. 광학 고온계(118)에 의한 이러한 온도 측정은 공지되지 않은 방사율을 갖는 기판 디바이스 측, 예를 들어 상부 표면(116) 상에서 또한 행해질 수 있는데, 그 이유는 이러한 방식으로 기판 후면(110)을 가열하는 것이 방사율에 독립적이기 때문이다. 결과적으로, 광학 고온계(118)는, 복사 가열 램프들(102)로부터의 배경 복사가 광학 고온계(118)에 직접적으로 도달하는 것을 최소로 하면서, 기판(108)으로부터의 복사를 검출할 수 있으며, 따라서 기판(108)의 정확한 온도 측정을 얻을 수 있다.
기판(108)으로부터 방사되는 적외선을 다시 기판(108) 상에 반사시키기 위해서 상부 돔(128)의 외부에 반사기(122)가 선택적으로 배치될 수 있다. 반사기(122)는 클램프 링(130)을 사용하여 상부 돔(128)에 고정될 수 있다. 반사기(122)는 알루미늄 또는 스테인리스 스틸과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 금과 같은 고반사성 코팅으로 반사기 영역을 코팅함으로써 반사 효율이 개선될 수 있다. 반사기(122)는 냉각 소스(도시되지 않음)에 연결된 하나 이상의 기계가공된 채널(126)을 가질 수 있다. 채널(126)은 반사기(122)의 일 측부 상에 형성된 통로(도시되지 않음)에 연결된다. 통로는 물과 같은 유체의 유동을 운반하도록 구성되고, 반사기(122)를 냉각하기 위해 반사기(122)의 일부 또는 전체 표면을 덮는 임의의 원하는 패턴으로 반사기(122)의 측부를 따라 수평으로 이어질 수 있다.
프로세스 가스 공급 소스(172)로부터의 하나 이상의 프로세스 가스는 베이스 링(136)의 측벽에 배치된 프로세스 가스 유입구(174)를 통해 프로세스 가스 영역(156)에 도입될 수 있다. 프로세스 가스 유입구(174)는 하나 이상의 개별 가스 유동을 전달하기 위해 (도 1b에 도시된) 하나 이상의 가스 주입구(196)를 포함할 수 있다. 프로세스 가스 유입구(174)는 속도, 밀도 또는 조성과 같은 다양한 파라미터들을 갖는 개별 가스 유동들을 제공하도록 구성될 수 있다. 프로세스 가스 유입구(174)의 하나 이상의 가스 주입구(196) 각각은 라이너 어셈블리(163)를 통해 형성된 복수의 가스 통로(190) 중 하나에 연결된다. 복수의 가스 통로(190)는 대체로 방사상 내측 방향으로 프로세스 가스를 지향시키도록 구성된다. 복수의 가스 통로(190) 각각은 프로세스 가스 유입구(174)로부터의 프로세스 가스의 속도, 밀도, 방향 및 위치와 같은 하나 이상의 파라미터를 조절하기 위해 이용될 수 있다. 복수의 가스 통로(190)는, 처리를 위해 프로세스 가스 유입구(174)로부터의 하나 이상의 프로세스 가스를 프로세스 가스 영역(156)에 지향시키기 이전에, 이러한 하나 이상의 프로세스 가스를 튜닝한다.
처리 동안, 기판 지지체(106)는 도 1a에 도시된 바와 같이 프로세스 위치에 위치될 수 있다. 프로세스 위치에서, 기판(108)은 프로세스 가스 유입구(174)와 대략 동일한 높이에서 프로세스 가스 유입구에 인접하여, 프로세스 가스가 층류 방식으로 기판(108)의 상부 표면(116)을 가로질러 유동 경로(173)를 따라 상방으로 그리고 주변으로 유동하는 것을 허용한다. 프로세스 가스는, 라이너 어셈블리(163)를 통해 형성된 배기 개구(194), 및 프로세스 챔버(100)에 있어서 프로세스 가스 유입구(174)의 반대측에 위치된 가스 유출구(178)를 통해 (유동 경로(175)를 따라) 프로세스 가스 영역(156)을 빠져나간다. 가스 유출구(178)를 통한 프로세스 가스의 제거는 가스 유출구(178)에 연결된 진공 펌프(180)에 의해 촉진될 수 있다. 프로세스 가스 유입구(174) 및 가스 유출구(178)가 서로에 대해 정렬되고 대략 동일한 높이에 배치되므로, 가스 유입구(174) 및 가스 유출구(178)의 이러한 평행 배열은, 더 평탄한 상부 돔(128)과 결합될 때, 기판(108)에 걸쳐 대체적으로 평면형의 균일한 가스 유동을 가능하게 하는 것으로 여겨진다. 기판 지지체(106)를 통한 기판(108)의 회전에 의해 추가의 방사상 균일성이 제공될 수 있다.
유사하게, 퍼지 가스는, 라이너 어셈블리(163)에 형성된 복수의 가스 통로(192)를 통해 베이스 링(136)의 측벽에 배치된 프로세스 가스 유입구(174)를 통해 또는 선택적인 퍼지 가스 유입구(164)를 통해, 퍼지 가스 소스(162)로부터 퍼지 가스 영역(158)에 공급될 수 있다. 퍼지 가스 유입구(164)는 프로세스 가스 유입구(174)보다 낮은 높이에 배치된다. 원형 쉴드(167)가 이용되는 경우, 원형 쉴드(167)는 프로세스 가스 유입구(174)와 퍼지 가스 유입구(164) 사이에 배치될 수 있다. 어느 경우에도, 퍼지 가스 유입구(164)는 대체로 방사상 내측 방향으로 퍼지 가스를 지향시키도록 구성된다. 막 형성 프로세스 동안, 기판 지지체(106)는 퍼지 가스가 층류 방식으로 기판 지지체(106)의 후면(104)을 가로질러 유동 경로(165)를 따라 하방으로 그리고 주변으로 유동하도록 하는 위치에 위치될 수 있다. 어떠한 특정 이론에도 얽매이지 않고, 퍼지 가스의 유동은 프로세스 가스의 유동이 퍼지 가스 영역(158)에 진입하는 것을 방지 또는 실질적으로 회피하거나, 퍼지 가스 영역(158)(즉, 기판 지지체(106) 아래의 영역)에 진입하는 프로세스 가스의 확산을 감소시키는 것으로 여겨진다. 퍼지 가스는 (유동 경로(166)를 따라) 퍼지 가스 영역(158)을 빠져나가고, 프로세스 챔버(100)에 있어서 퍼지 가스 유입구(164)의 반대측에 위치된 가스 유출구(178)를 통해 프로세스 챔버(100)의 밖으로 배기된다.
유사하게, 퍼징 프로세스 동안, 기판 지지체(106)는 퍼지 가스가 기판 지지체(106)의 후면(104)을 가로질러 측방향으로 유동하는 것을 허용하도록 상승된 위치에 위치될 수 있다.
도 1b는 프로세스 가스 유입구(174)로부터 가스 유출구(178)로의 유동 경로들을 도시한다. 복수의 가스 통로(190)는 유동 경로들(173)을 실질적으로 평행한 방식으로 지향시키기 위해 라이너 어셈블리(163)의 일부를 따라 분포될 수 있다. 가스 통로들(190) 각각의 위치, 치수 및 개수는 타깃 유동 패턴을 달성하도록 배열될 수 있다. 배기 개구(194)는 복수의 가스 통로(190)의 반대측에 라이너 어셈블리(163)를 통해 형성된 넓은 개구일 수 있다.
관련 기술분야의 통상의 기술자라면, 복수의 가스 통로(190, 192)는 예시를 목적으로 도시되어 있다는 것을 인식해야 한다. 가스 유입구 또는 유출구 등의 위치, 크기 및 개수는 기판(108) 상의 재료의 균일한 퇴적을 더 용이하게 하도록 조절될 수 있다. 본 개시물의 실시예들에 따른 라이너 어셈블리들의 예시적인 실시예들이 이하에 설명된다.
도 2a는 본 개시물의 일 실시예에 따른 라이너 어셈블리(200)의 개략적인 측단면도이다. 라이너 어셈블리(200)는 하부 라이너(210), 및 하부 라이너(210) 위에 배치된 상부 라이너(220)를 포함할 수 있다. 복수의 가스 통로(202)가 하부 라이너(210)에 형성될 수 있다. 상부 라이너(220)는 복수의 가스 통로(202)와 정렬되는 복수의 유동 가이드(flow guides)(222)를 포함할 수 있다. 복수의 유동 가이드(222) 각각은 대응하는 가스 통로(202)로부터의 가스 유동을 프로세스 가스 영역(156)에 지향시키도록 형성된다.
하부 라이너(210)는 링 형상 바디(212)를 가질 수 있다. 링 형상 바디(212)는 베이스 링(136)의 내측 표면을 향하는 외측 표면(214), 및 처리 중인 기판(108)을 향하는 내측 표면(216)을 갖는다. 하부 라이너(210)는 상부 라이너(220)를 향하는 상부 표면(218)을 갖는다. 복수의 가스 통로(202) 및 배기 개구(204)는 링 형상 바디(212)의 대향하는 측부들을 통해 형성된다. 일 실시예에서, 복수의 통로(202)와 배기 개구들(204) 사이에서 링 형상 바디(212)를 통하여 기판 개구(206)가 형성된다.
복수의 가스 통로(202) 각각은 서로 연결된 수평 부분(202a) 및 수직 부분(202b)을 포함할 수 있다. 수평 부분(202a)은 외측 표면(214)으로부터 막힌 구멍(blind hole)을 드릴링함으로써 형성될 수 있다. 수직 부분(202b)은 수평 부분(202a)과 연결되도록 상부 표면(218)으로부터 막힌 구멍을 드릴링함으로써 형성될 수 있다.
상부 라이너(220)는 방사상 내측으로 연장되는 립(lip)(226)을 갖는 링 형상 바디(228)를 포함한다. 립(226)은 중앙 개구(224)를 정의한다. 립(226)은 하부 라이너(210)로부터 떨어져 위치된다. 링 형상 바디(228)는 하부 라이너(210)를 향하는 만곡된 내측 표면(230)을 갖는다. 복수의 유동 가이드(222)는 가스 통로들(202)의 가스 유동을 지향시키기 위해 내측 표면(230)에 형성될 수 있다. 유동 가이드(222)의 기하형상은 타깃 유동 경로를 달성하도록 유동을 재지향시킨다. 유동 경로들(232)은 도 2a에 개략적으로 도시되어 있다.
도 2b는 본 개시물의 일 실시예에 따른 가스 통로들(202) 및 유동 가이드(222)의 분포를 도시하는 라이너 어셈블리(200)의 제2의 개략적인 측단면도이다.
상부 라이너(220) 및 하부 라이너(210)는 처리 화학반응들(processing chemistries)에 융화성(compatible)인 재료로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상부 라이너(220) 및 하부 라이너(210)는 석영으로 형성될 수 있다. 복수의 가스 통로(202)는 건 드릴링에 의해 형성될 수 있다.
도 3은 본 개시물의 일 실시예에 따른 라이너 어셈블리(300)의 부분적인 측단면도이다. 라이너 어셈블리(300)는, 외측 표면(312), 내측 표면(314) 및 상부 표면(316)을 갖는 링 형상 바디(310)를 포함한다. 링 형상 바디(310)는 외측 표면(312)과 내측 표면(314)을 연결하는 복수의 유동 경로(308)를 정의한다. 일 실시예에서, 복수의 유동 경로(308) 각각은, 외측 표면(312), 내측 표면(314) 및 상부 표면(316)으로부터 각각 막힌 구멍들을 드릴링함으로써 형성된 3개의 채널(302, 304, 306)을 포함한다. 상부 표면(316)으로부터 채널들(304) 각각에 복수의 인서트(320)가 배치될 수 있다.
도 4는 본 개시물의 일 실시예에 따른 라이너 어셈블리(400)의 부분적인 측단면도이다. 라이너 어셈블리(400)는, 채널들(304)에 플러깅하기 위한 복수의 돌출부(422)를 갖는 커버 링(420)을 제외하고는, 라이너 어셈블리(300)와 유사하다.
도 5a는 본 개시물의 일 실시예에 따른 라이너 어셈블리(500)의 부분적인 측단면도이다. 도 5b는 라이너 어셈블리(500)의 개략적인 상부도이다. 라이너 어셈블리(500)는 라이너 바디(520) 및 주입 링(510)을 포함한다. 라이너 바디(520)는, 외측 표면(522) 및 내측 표면(524)을 갖는 링 형상 바디를 갖는다. 주입 링(510)은 링 형상 라이너 바디(520)의 내측 표면(524)에 부착된다. 링 형상 라이너 바디(520)는 복수의 경사진 채널(slanted channels)(528) 중 대응하는 경사진 채널과 연결되는 복수의 수평 채널(526)을 포함한다. 수평 채널들(526)은 외측 표면(522)으로부터 막힌 구멍들을 드릴링함으로써 형성될 수 있고, 경사진 채널들(528)은 수평 채널(526)과 연결되도록 내측 표면(524)으로부터 경사진 막힌 구멍들을 드릴링함으로써 형성될 수 있다. 주입 링(510)은 복수의 경사진 채널(528)과 정렬되는 복수의 수평 채널(512)을 포함한다. 경사진 채널들(528)은 감소된 저항으로 가스 유동을 상향으로 지향시킨다. 주입 링(510)은 유동 경로들에서의 경사진 채널들(528)의 용이한 제조를 허용한다.
도 5c는 본 개시물의 다른 실시예에 따른 라이너 어셈블리(530)의 개략적인 부분 상부도이다. 라이너 어셈블리(530)는, 라이너 어셈블리(530)가 수평 채널들(534)이 내부에 형성된 복수의 이산 주입 블록(532)을 포함하는 것을 제외하고는, 라이너 어셈블리(500)와 유사하다.
전술한 것은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 실시예들 및 추가 실시예들은 그것의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 고안될 수 있으며, 그것의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (17)

  1. 기판 프로세스 챔버의 내측 표면을 보호하기 위한 라이너 어셈블리로서,
    처리 용적을 정의하는 내측 표면 및 외측 표면을 갖는 링 형상 바디를 갖는 하부 라이너 - 상기 링 형상 바디는 상기 링 형상 바디를 관통하는 복수의 가스 통로를 갖고, 상기 복수의 가스 통로는 상기 외측 표면을 상기 처리 용적에 연결함 - ; 및
    상기 링 형상 바디 위에 배치되는 상부 라이너 - 상기 상부 라이너는 상기 복수의 가스 통로와 정렬된 복수의 유동 가이드(flow guide)를 포함하고, 상기 복수의 유동 가이드는 상기 상부 라이너 내에 형성된 복수의 리세스이고, 각각의 유동 가이드는 상기 하부 라이너를 향하는 만곡된 내측 표면을 갖고, 상기 복수의 리세스는 서로에 대해 평행함 -
    를 포함하는, 라이너 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 가스 통로로부터 상기 링 형상 바디의 대향하는 측부 상에 배기 개구, 및 상기 배기 개구와 상기 복수의 가스 통로 사이에서 상기 링 형상 바디를 관통하는 기판 개구를 더 포함하는, 라이너 어셈블리.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하부 라이너는 상기 상부 라이너를 향하는 상부 표면을 더 포함하는, 라이너 어셈블리.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 가스 통로 각각은 수직 부분에 연결된 수평 부분을 포함하는, 라이너 어셈블리.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 수평 부분은 상기 링 형상 바디의 외측 표면에 개방되고, 상기 수직 부분은 상기 링 형상 바디의 상부 표면에 개방된 상단부(upper end) 및 상기 수평 부분에 연결된 하단부(lower end)를 갖는, 라이너 어셈블리.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 상부 라이너는 반경 방향 내측으로 연장되는 립(lip)을 갖는 링 형상 바디를 포함하는, 라이너 어셈블리.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 립은 중앙 개구를 정의하는, 라이너 어셈블리.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 립은 상기 하부 라이너로부터 떨어져 위치되는, 라이너 어셈블리.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 상부 라이너의 상기 링 형상 바디는 상기 하부 라이너를 향하는 만곡된내측 표면을 갖는, 라이너 어셈블리.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 유동 가이드는 상기 내측 표면에 형성되는, 라이너 어셈블리.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 상부 라이너 및 상기 하부 라이너는 석영을 포함하는, 라이너 어셈블리.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 기판을 처리하는 방법으로서,
    복수의 가열 요소로부터의 복사 에너지를 기판 프로세스 챔버의 인클로저(enclosure)를 향하여 지향시키는 단계; 및
    상기 프로세스 챔버에 배치된 라이너 어셈블리에 형성된 복수의 가스 통로를 사용하여 처리 가스의 유동을 튜닝하는 단계 - 상기 라이너 어셈블리는 처리 용적을 정의하는 내측 표면 및 외측 표면을 갖는 링 형상 바디를 갖는 하부 라이너를 포함하며, 상기 링 형상 바디는 상기 외측 표면을 상기 처리 용적에 연결하는 복수의 가스 통로, 및 상기 링 형상 바디 위에 배치된 상부 라이너를 포함하며, 상기 상부 라이너는 상기 복수의 가스 통로와 정렬된 복수의 유동 가이드를 포함하고, 상기 복수의 유동 가이드는 상기 상부 라이너 내에 형성된 복수의 리세스이고, 각각의 유동 가이드는 상기 하부 라이너를 향하는 만곡된 내측 표면을 갖고, 상기 복수의 리세스는 서로에 대해 평행함 -
    를 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 처리 가스의 유동을 튜닝하는 단계는 복수의 경사진 채널을 관통하여 상기 유동을 지향시키는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5837178B2 (ja) * 2011-03-22 2015-12-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 化学気相堆積チャンバ用のライナアセンブリ
US9512520B2 (en) * 2011-04-25 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing system
US20140116336A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Applied Materials, Inc. Substrate process chamber exhaust
CN107833848B (zh) 2013-04-30 2021-12-07 应用材料公司 具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫
US11414759B2 (en) * 2013-11-29 2022-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Mechanisms for supplying process gas into wafer process apparatus
US20150184292A1 (en) * 2013-12-30 2015-07-02 Lam Research Corporation Systems and methods for preventing mixing of two gas streams in a processing chamber
JP6807860B2 (ja) * 2015-03-20 2021-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ３ｄコンフォーマル処理用原子層処理チャンバ
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
US11150140B2 (en) * 2016-02-02 2021-10-19 Kla Corporation Instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications
US10260149B2 (en) * 2016-04-28 2019-04-16 Applied Materials, Inc. Side inject nozzle design for processing chamber
US10788764B2 (en) 2016-06-17 2020-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and a method of forming a particle shield
US11397385B2 (en) 2016-06-17 2022-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Apparatus and a method of forming a particle shield
US10168626B2 (en) 2016-06-17 2019-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and a method of forming a particle shield
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
USD837754S1 (en) 2017-04-28 2019-01-08 Applied Materials, Inc. Plasma chamber liner
USD838681S1 (en) 2017-04-28 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Plasma chamber liner
USD875055S1 (en) * 2017-04-28 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Plasma connector liner
USD875054S1 (en) * 2017-04-28 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Plasma connector liner
USD875053S1 (en) * 2017-04-28 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Plasma connector liner
USD842259S1 (en) 2017-04-28 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma chamber liner
KR20190137935A (ko) * 2017-05-01 2019-12-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 격리 및 사전-프로세싱 환경을 갖는 고압 어닐링 챔버
JP6837911B2 (ja) 2017-05-17 2021-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
KR102081704B1 (ko) * 2018-02-05 2020-02-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN214848503U (zh) 2018-08-29 2021-11-23 应用材料公司 注入器设备、基板处理设备及在机器可读介质中实现的结构
US11486038B2 (en) * 2019-01-30 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Asymmetric injection for better wafer uniformity
US10995419B2 (en) * 2019-04-16 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for gallium nitride deposition
JP2022533134A (ja) * 2019-05-15 2022-07-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド チャンバ残留物を低減する方法
US11032945B2 (en) * 2019-07-12 2021-06-08 Applied Materials, Inc. Heat shield assembly for an epitaxy chamber
US11952660B2 (en) * 2019-07-29 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chambers and methods for cleaning the same
US20230114538A1 (en) * 2020-03-02 2023-04-13 Lam Research Corporation Adapter plate to attach turbo pumps to process modules
KR20220118535A (ko) 2020-04-20 2022-08-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 공유 가스 전달 및 배기 시스템을 갖는 다중-열 cvd 챔버들
CN112002660B (zh) * 2020-08-27 2024-01-19 南京国盛电子有限公司 一种半导体处理装置、处理方法及应用
US20220195617A1 (en) * 2020-12-22 2022-06-23 Applied Materials, Inc. Multi-layer epi chamber body
CN112768384B (zh) * 2021-01-26 2024-02-27 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 预热环及晶圆外延生长设备
US11781212B2 (en) * 2021-04-07 2023-10-10 Applied Material, Inc. Overlap susceptor and preheat ring
WO2022240553A1 (en) * 2021-05-11 2022-11-17 Applied Materials, Inc. Gas injector for epitaxy and cvd chamber

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5269847A (en) 1990-08-23 1993-12-14 Applied Materials, Inc. Variable rate distribution gas flow reaction chamber
JP2002231641A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
US20060112876A1 (en) * 2004-11-26 2006-06-01 Choi Jin H Semiconductor processing apparatus
KR100659964B1 (ko) * 1999-07-09 2006-12-22 오또꿈뿌 오와이제이 구멍을 막기 위한 방법 및 이 방법에 의해 제조되는 냉각요소
JP2007324286A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 成膜反応装置及び同方法
US20120240853A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Applied Materials, Inc. Liner assembly for chemical vapor deposition chamber

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4142004A (en) * 1976-01-22 1979-02-27 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of coating semiconductor substrates
US4223048A (en) * 1978-08-07 1980-09-16 Pacific Western Systems Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers
US5433780A (en) * 1992-11-20 1995-07-18 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and exhaust system that prevents particle contamination
US5916369A (en) 1995-06-07 1999-06-29 Applied Materials, Inc. Gas inlets for wafer processing chamber
US6500734B2 (en) * 1993-07-30 2002-12-31 Applied Materials, Inc. Gas inlets for wafer processing chamber
JP3243125B2 (ja) * 1994-06-27 2002-01-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR19990002605A (ko) 1997-06-20 1999-01-15 이형도 브러쉬레스 모터용 연성 회로판의 단속 구조
KR19990002605U (ko) * 1997-06-27 1999-01-25 김영환 챔버 내벽 보호용 실린더
US6486081B1 (en) * 1998-11-13 2002-11-26 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for a CVD processing chamber
JP2002001100A (ja) * 2000-06-22 2002-01-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ処理装置
JP2002100570A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 枚葉式気相成長装置
JP2002231614A (ja) 2001-02-05 2002-08-16 Canon Inc 剥離用当て板、剥離装置及び方法
US20030198754A1 (en) * 2001-07-16 2003-10-23 Ming Xi Aluminum oxide chamber and process
JP4147017B2 (ja) * 2001-10-19 2008-09-10 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ基板処理装置
JP2004134625A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法と製造装置
JP4379585B2 (ja) * 2003-12-17 2009-12-09 信越半導体株式会社 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US7253084B2 (en) * 2004-09-03 2007-08-07 Asm America, Inc. Deposition from liquid sources
JP4854317B2 (ja) * 2006-01-31 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
CN101322225B (zh) * 2006-03-06 2012-06-27 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
JP2007324285A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 成膜反応装置
JP5074741B2 (ja) * 2006-11-10 2012-11-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US7976634B2 (en) 2006-11-21 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems
KR20080073840A (ko) * 2007-02-07 2008-08-12 세메스 주식회사 내벽 보호체를 구비하는 반도체 제조 설비
US20080220150A1 (en) * 2007-03-05 2008-09-11 Applied Materials, Inc. Microbatch deposition chamber with radiant heating
JP2008235830A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 気相成長装置
JP2010524225A (ja) * 2007-04-02 2010-07-15 ソースル シーオー エルティディー 基板支持装置及びこれを備えるプラズマエッチング装置
US7942969B2 (en) * 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
JP5096047B2 (ja) * 2007-06-14 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波透過板
US20100081284A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for improving flow uniformity in a process chamber
US8147137B2 (en) 2008-11-19 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Pyrometry for substrate processing
JP2010263112A (ja) * 2009-05-08 2010-11-18 Sumco Corp エピタキシャル成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
WO2011100293A2 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Applied Materials, Inc. Process chamber gas flow improvements
KR101092122B1 (ko) * 2010-02-23 2011-12-12 주식회사 디엠에스 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템
US8597462B2 (en) * 2010-05-21 2013-12-03 Lam Research Corporation Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses
US9499905B2 (en) * 2011-07-22 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate
CN107833848B (zh) 2013-04-30 2021-12-07 应用材料公司 具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5269847A (en) 1990-08-23 1993-12-14 Applied Materials, Inc. Variable rate distribution gas flow reaction chamber
KR100659964B1 (ko) * 1999-07-09 2006-12-22 오또꿈뿌 오와이제이 구멍을 막기 위한 방법 및 이 방법에 의해 제조되는 냉각요소
JP2002231641A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
US20060112876A1 (en) * 2004-11-26 2006-06-01 Choi Jin H Semiconductor processing apparatus
JP2007324286A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 成膜反応装置及び同方法
US20120240853A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Applied Materials, Inc. Liner assembly for chemical vapor deposition chamber

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Publication number Publication date
JP6368773B2 (ja) 2018-08-01
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