CN112768384B - 预热环及晶圆外延生长设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种预热环和晶圆外延生长设备，所述预热环包括环形主体，所述环形主体包括对进入晶圆外延生长设备的反应腔内的反应气体进行预热的第一表面，所述环形主体沿其轴向包括与晶圆外延生长设备上的多个进气口一一对应的多个第一区域，晶圆外延生长设备上的多个进气口在所述环形主体上的正投影位于所述第一区域，所述第一区域设置有间隔设置的多个凸起，多个所述凸起由所述第一表面向远离所述第一表面的方向延伸设置。通过所述凸起的设置，对进入反应腔的气体起到分流的作用，从而避免设置双气流通道造成的外延层厚度不均的问题。

Description

预热环及晶圆外延生长设备
技术领域
本发明涉及硅产品制作技术领域，尤其涉及一种预热环及晶圆外延生长设备。
背景技术
外延片生长过程中，由于灯源加热的热场分布和工艺气体流入反应腔体的特点，外延层的厚度分布呈现出中心和距离中心大致坐标±100mm处相较于其它区域略高的事实，而上述的凸起不利于晶圆片品质的提高，会影响产品的良率。造成上述现象的原因是控制气流的部件是内外气流通道结合的结构，具体包括中心气流通道和对称设置于中心气流通道相对的两侧的边缘气流通道，上述内外气流通道结合的结构和外延反应腔室温场分布方式共同导致了硅片外延层厚度分布不均匀。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种预热环及晶圆外延生长设备，解决外延层厚度不均的问题。
为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：一种预热环，包括环形主体，所述环形主体包括对进入晶圆外延生长设备的反应腔内的反应气体进行预热的第一表面，所述环形主体沿其轴向包括与晶圆外延生长设备上的多个进气口一一对应的多个第一区域，晶圆外延生长设备上的多个进气口在所述环形主体上的正投影位于所述第一区域，所述第一区域上设置有用于对进入所述第一区域的气体进行分流的分流结构。
可选的，所述分流结构包括沿所述环形主体的周向方向间隔设置于所述第一区域的至少一个凸起，至少一个所述凸起由所述第一表面向远离所述第一表面的方向延伸设置。
可选的，所述凸起设置为多个，多个所述凸起的密度由所述第一区域的中心向两侧逐渐减小。
可选的，相邻两个所述凸起之间的间距为1-1.5mm。
可选的，所述凸起设置为多个，多个所述凸起在垂直于所述第一表面的方向上的高度由所述第一区域的中心向两侧逐渐减小。
可选的，所述凸起的高度为0.2-0.3mm。
可选的，所述凸起为一个，所述凸起在垂直于所述第一表面的方向上的截面为等腰三角形。
可选的，所述凸起远离所述第一表面的一端的端面为弧形。
可选的，所述分流结构包括阵列排布于所述第一表面的所述第一区域上的多个所述凸起，以气体流向为列向方向，位于同一列中的多个所述凸起的结构相同。
可选的，所述分流结构包括阵列排布于所述第一区域上的多个通孔，所述环形本体包括与所述第一表面相对的第二表面，多个所述通孔沿从所述第一表面到所述第二表面的方向贯穿所述环形本体设置。
可选的，多个通孔沿所述环形主体的周向的密度由所述第一区域的中心向两侧逐渐减小。
可选的，相邻两个所述通孔之间的间距为1-1.5mm。
可选的，多个所述通孔的结构相同，所述通孔的孔径为0.2-0.3mm。
可选的，晶圆外延生长设备上设置了第一进气口、第二进气口和第三进气口，所述第一进气口和所述第三进气口对称设置于所述第二进气口的两侧，所述第二进气口的中心线经过所述环形主体的中心点；
所述环形主体包括三个所述第一区域，每个所述第一区域内设置所述分流结构，三个所述第一区域分别为与所述第一进气口对应的第一子区域，与所述第二进气口对应的第二子区域和与所述第三进气口对应的第三子区域；
所述第一子区域沿所述环形主体的周向的长度为72-76mm，所述第二子区域沿所述环形主体的周向的长度为56-62mm，所述第三子区域沿所述环形主体的周向为72-76mm；
所述第一子区域和所述第二子区域之间的间距为38-42mm，所述第二子区域和所述第三子区域之间的间距为38-42mm。
本发明还提供一种晶圆外延生长设备，包括壳体，壳体内形成反应腔体，所述腔体内设置有用于承载晶圆的基座，所述壳体的内侧壁上设置有上述的预热环，所述预热环围设于所述基座的外围。
本发明的有益效果是：通过所述凸起的设置，对进入反应腔的气体起到分流的作用，从而避免设置双气流通道造成的外延层厚度不均的问题。
附图说明
图1表示本发明实施例中预热环结构示意图一；
图2表示本发明实施例中预热环结构示意图二；
图3表示本发明实施例中分流结构示意图一；
图4表示本发明实施例中分流结构示意图二；
图5表示本发明实施例中至少一个凸起的排列示意图；
图6表示本发明实施例中分流结构示意图三。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
本实施例中，如图1-6所示，一种预热环，包括环形主体1，所述环形主体1包括对进入晶圆外延生长设备的反应腔内的反应气体进行预热的第一表面，其特征在于，所述环形主体1沿其轴向包括与晶圆外延生长设备上的多个进气口一一对应的多个第一区域11，晶圆外延生长设备上的多个进气口在所述环形主体1上的正投影位于所述第一区域11，所述第一区域11上设置有用于对进入所述第一区域11的气体进行分流的分流结构。
由于晶圆外延生长设备设置多个气流通道(进气口)，以及外延工艺腔室内的多个加热灯的分布(靠近加热灯和远离加热灯的位置的温度不同)，使得硅片进入腔室之后在进行外延沉积的时候，表面的温度不会完全相同，温度高的地方化学反应会相较剧烈一些，沉积速度也相对快一些；温场分布规律大致是中间区域和近边缘区域较高，从而使得晶圆外延层厚度不均匀，本实施例中，将与多个气流通道一一对应的第一区域11上，设置分流结构，从而实现分流，从而改善外延层厚度不均的现象。
本实施例中示例性的，所述分流结构包括沿所述环形主体1的周向方向间隔设置于所述第一区域的第一区域11至少一个凸起110，至少一个所述凸起110由所述第一表面向远离所述第一表面的方向延伸设置，所述环形本体1还包括与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面的边缘向远离所述第一表面的方向延伸设置有凸边12。
本实施例中示例性的，所述凸起110设置为多个，多个所述凸起110的密度由所述第一区域11的中心向两侧逐渐减小。
本实施例中示例性的，相邻两个所述凸起之间的间距为1-1.5mm。
多个所述凸起110的密度由所述第一区域11的中心向两侧逐渐减小，从而将气流由中心向两侧扩散，实现分流。
本实施例中示例性的，所述凸起110设置为多个，多个所述凸起110在垂直于所述第一表面的方向上的高度由所述第一区域11的中心向两侧逐渐减小。
多个所述凸起110在垂直于所述第一表面的方向上的高度由所述第一区域11的中心向两侧逐渐减小，相比于等高设置的方案，利于气流的分流。
本实施例中示例性的，所述凸起的高度为0.2-0.3mm。
本实施例中示例性的，多个所述凸起为一整体(也可以说是，所述第一区域上设置了一个凸起)，所述凸起在垂直于所述第一表面的方向上的截面为等腰三角形，参考图4。
本实施例中示例性的，所述分流结构包括阵列排布于所述第一表面的所述第一区域11上的多个所述凸起110，以气体流向为列向方向，位于同一列中的多个所述凸起110的结构相同。
图5中表示的是一列的所述凸起的排布状态示意图，一列中所述凸起的数量可以根据实际需要设定，相邻两列凸起110之间形成一个气流通道，避免对气流阻碍作用过大，形成气流紊乱。
本实施例中示例性的，所述凸起110远离所述第一表面的一端的端面为弧形，参考图3。
弧形的设置进一步保证气流流过时保持顺畅，不会因为凸起110的棱角造成气流紊流。
所述分流结构的具体结构形式并不限于上述凸起，本实施例中示例性的，所述分流结构包括阵列排布于所述第一区域11上的多个通孔114，多个通孔114沿着从所述第一表面到所述第二表面的方向，贯穿所述环形本体设置，参考图6。
本实施例中示例性的，多个通孔114沿所述环形主体1的周向的密度由所述第一区域11的中心向两侧逐渐减小。
本实施例中示例性的，相邻两个所述通孔114之间的间距为1-1.5mm。
本实施例中示例性的，多个所述通孔114的结构相同，所述通孔114的孔径为0.2-0.3mm。
参考图1，本实施例中示例性的，晶圆外延生长设备上设置了第一进气口、第二进气口和第三进气口，所述第一进气口和所述第三进气口对称设置于所述第二进气口的两侧，所述第二进气口的中心线经过所述环形主体的中心点；
所述环形主体1包括三个所述第一区域11，每个所述第一区域11内设置所述分流结构，三个所述第一区域11分别为与所述第一进气口对应的第一子区域111，与所述第二进气口对应的第二子区域112和与所述第三进气口对应的第三子区域113；
所述第一子区域沿所述环形主体的周向的长度为72-76mm，所述第二子区域沿所述环形主体的周向的长度为56-62mm，所述第三子区域沿所述环形主体的周向为72-76mm；
优选的，所述第一子区域111沿所述环形主体1的周向的长度为75mm，所述第二子区域112沿所述环形主体的周向的长度为60mm，所述第三子区域113沿所述环形主体1的周向为75mm；
所述第一子区域和所述第二子区域之间的间距为38-42mm，所述第二子区域和所述第三子区域之间的间距为38-42mm。
优选的，所述第一子区域111和所述第二子区域112之间的间距为40mm，所述第二子区域112和所述第三子区域113之间的间距为40mm。
本发明还提供一种晶圆外延生长设备，包括壳体，壳体内形成反应腔体，所述腔体内设置有基座，所述壳体的内侧壁上设置有上述的预热环，所述预热环围设于所述基座的外围。
以上所述为本发明较佳实施例，需要说明的是，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明保护范围。

Claims (8)

1.一种预热环，包括环形主体，所述环形主体包括对进入晶圆外延生长设备的反应腔内的反应气体进行预热的第一表面，其特征在于，所述环形主体沿其周向包括与晶圆外延生长设备上的多个进气口一一对应的多个第一区域，晶圆外延生长设备上的进气口在所述环形主体上的正投影位于对应的所述第一区域，所述第一区域上设置有用于对进入所述第一区域的气体进行分流的分流结构；
所述分流结构包括沿所述环形主体的周向方向间隔设置于所述第一区域的至少一个凸起，至少一个所述凸起由所述第一表面向远离所述第一表面的方向延伸设置；
所述凸起设置为多个，多个所述凸起的密度由所述第一区域的中心向两侧逐渐减小；或者，所述凸起为一个，所述凸起在垂直于所述第一表面的方向上的截面为等腰三角形。
2.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述凸起为多个时，相邻两个所述凸起之间的间距为1-1.5mm。
3.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述凸起设置为多个，多个所述凸起在垂直于所述第一表面的方向上的高度由所述第一区域的中心向两侧逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的预热环，其特征在于，所述凸起的高度为0.2-0.3mm。
5.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述凸起远离所述第一表面的一端的端面为弧形。
6.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述分流结构包括阵列排布于所述第一表面的所述第一区域上的多个所述凸起，以气体流向为列向方向，位于同一列中的多个所述凸起的结构相同。
7.根据权利要求1-6任一项所述的预热环，其特征在于，晶圆外延生长设备上设置了第一进气口、第二进气口和第三进气口，所述第一进气口和所述第三进气口对称设置于所述第二进气口的两侧，所述第二进气口的中心线经过所述环形主体的中心点；
所述环形主体包括三个所述第一区域，每个所述第一区域内设置所述分流结构，三个所述第一区域分别为与所述第一进气口对应的第一子区域，与所述第二进气口对应的第二子区域和与所述第三进气口对应的第三子区域；
所述第一子区域沿所述环形主体的周向的长度为72-76mm，所述第二子区域沿所述环形主体的周向的长度为56-62mm，所述第三子区域沿所述环形主体的周向为72-76mm；
所述第一子区域和所述第二子区域之间的间距为38-42mm，所述第二子区域和所述第三子区域之间的间距为38-42mm。
8.一种晶圆外延生长设备，其特征在于，包括壳体，所述壳体内形成反应腔体，所述反应腔体内设置有用于承载晶圆的基座，所述壳体的内侧壁上设置有权利要求1-7任一项所述的预热环，所述预热环围设于所述基座的外围。
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