CN218333736U - 承载装置和半导体工艺腔室 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种承载装置，设置于半导体工艺腔室中，且用于承载待加工的晶圆，承载装置包括承载盘和设置在承载盘顶部的多个凸起部，凸起部用于支撑待加工的晶圆，承载盘的中心区域设置有多个气孔，多个气孔沿承载盘的周向均匀分布；承载盘的边缘区域还设置有环形气槽，各气孔与环形气槽之间通过多条导气槽连通，各导气槽在承载盘的顶部的投影呈轴对称分布。本实用新型提供的承载装置能够提高吸气时气体流速沿周向的均匀性，保证对晶圆的吸附效果，并提高晶圆温度沿周向的均匀性。本实用新型还提供一种半导体工艺腔室。

Description

承载装置和半导体工艺腔室

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种承载装置和一种包括该承载装置的半导体工艺腔室。

背景技术

在晶圆(wafer)的制备环节，尤其是沉积、光刻、刻蚀等关键环节，晶圆必须被稳定地固定和加热(或冷却)，以保证晶圆上的相关工艺操作顺利进行。因此，现有的半导体工艺技术通常对晶圆的固定及加热(冷却)的装置的性能要求极高。

真空吸附加热器(Vacuum Chuck heater，简称heater)是一种目前较为常用的晶圆固定及加热(冷却)装置。真空吸附加热器通过在晶圆和加热器之间抽真空的方式，利用晶圆上下两个表面的气压差实现吸附固定晶圆，同时晶圆与真空吸附加热器之间的气体也能够起到导热和匀热的作用。

现有的真空吸附加热器表面的匀气效果较差，容易导致真空吸附加热器表面与晶圆之间气流的流速沿周向分布不均匀，进而影响真空吸附加热器对晶圆的吸附效果以及加热(冷却)晶圆的均匀性。

因此，如何提供一种匀气效果更好的真空吸附加热器结构，成为本领域亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种承载装置和一种包括该承载装置的半导体工艺腔室，该承载装置能够保证承载盘对晶圆的吸附效果，并提高晶圆温度沿周向的均匀性。

为实现上述目的，作为本实用新型的一个方面，提供一种承载装置，设置于半导体工艺腔室中，且用于承载待加工的晶圆，所述承载装置包括承载盘和设置在所述承载盘顶部的多个凸起部，所述凸起部用于支撑所述待加工的晶圆，所述承载盘的中心区域设置有多个气孔，多个所述气孔沿所述承载盘的周向均匀分布；所述承载盘的边缘区域还设置有环形气槽，各所述气孔与所述环形气槽之间通过多条导气槽连通，各所述导气槽在所述承载盘的顶部的投影呈轴对称分布。

可选地，所述导气槽包括多条一级导气槽、多条二级导气槽和多条三级导气槽，每个所述气孔均与至少一条所述一级导气槽连通，所述一级导气槽沿垂直于所述承载盘的径向方向延伸，且所述一级导气槽的两端均与多条所述二级导气槽的第一端连通，所述二级导气槽的第二端沿远离所述承载盘的中心的方向延伸，且所述二级导气槽的第二端与多条所述三级导气槽的第一端连通；

所述三级导气槽的第二端与所述环形气槽连通。

可选地，所述导气槽还包括多条四级导气槽，每两条相邻且第一端与不同的所述二级导气槽连通的所述三级导气槽的第二端相互连通，并与对应的所述四级导气槽的第一端连通，所述四级导气槽的第二端与所述环形气槽连通。

可选地，沿周向相邻的每两个所述气孔之间均通过一条所述一级导气槽连通，所述一级导气槽的每一端均与两条所述二级导气槽的第一端连通，每条所述二级导气槽的第二端均与两条所述三级导气槽的第一端连通。

可选地，多条所述一级导气槽与多个所述气孔一一对应，且所述气孔位于对应的所述一级导气槽的中点位置，所述一级导气槽的每一端均与两条所述二级导气槽的第一端连通，每条所述二级导气槽的第二端均与两条所述三级导气槽的第一端连通，每两条相邻且第一端与不同的所述一级导气槽连通的所述二级导气槽的第二端相互连通。

可选地，多个所述气孔沿所述承载盘的周向均匀且成对设置，每对所述气孔之间通过一条所述一级导气槽连通，所述一级导气槽的每一端均与两条所述二级导气槽的第一端连通，每条所述二级导气槽的第二端均与两条所述三级导气槽的第一端连通，每两条相邻且第一端与不同的所述一级导气槽连通的所述二级导气槽的第二端相互连通。

可选地，每两条相邻且第一端与不同的所述二级导气槽连通的所述三级导气槽的第二端相互连通。

可选地，所述一级导气槽、所述二级导气槽、所述三级导气槽以及所述四级导气槽的宽度为1mm-3mm，所述一级导气槽、所述二级导气槽、所述三级导气槽以及所述四级导气槽的深度为0.1mm-0.5mm。

可选地，所述气孔的直径为2mm-4mm。

作为本实用新型的第二个方面，提供一种半导体工艺腔室，所述半导体工艺腔室包括腔体、吸气组件和前面所述的承载装置，所述吸气组件与所述承载装置的多个气孔连接，用于抽取位于承载盘的顶部与待加工的晶圆之间的气体，以吸附所述待加工的晶圆。

在本实用新型提供的承载装置和半导体工艺腔室中，承载盘的顶部形成有导气槽，从而在半导体工艺腔室的吸气组件启动后，工艺腔室中的工艺气体在依次被吸入环形气槽、导气槽和气孔的过程中经过多次分流及汇流，以提高气孔吸气的过程中各位置气体流速沿周向的均匀性，进而保证了通过晶圆上下气压对晶圆进行固定的压力的均匀性，保证了承载装置对晶圆的吸附效果。并且，在提高气体流速沿周向的均匀性的同时，也能够提高承载装置通过流动的气体向晶圆传递热量或者对晶圆进行冷却的速率沿周向的均匀性，从而提高了晶圆的温度沿周向的均匀性，保证了半导体工艺的效果。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是一种现有的真空吸附加热器的结构示意图；

图2是本实用新型一种实施例提供的承载装置的结构示意图；

图3是图2中承载装置的A-A向剖视图；

图4是图3中承载装置的B区域的局部放大示意图；

图5是图4中承载装置的C区域的局部放大示意图；

图6是本实用新型另一实施例提供的承载装置的结构示意图；

图7是本实用新型另一实施例提供的承载装置的结构示意图；

图8是本实用新型另一实施例提供的承载装置的结构示意图；

图9是本实用新型另一实施例提供的承载装置的结构示意图；

图10是本实用新型另一实施例提供的承载装置的结构示意图；

图11是本实用新型另一实施例提供的承载装置的结构示意图；

图12是本实用新型另一实施例提供的承载装置的结构示意图；

图13是本实用新型另一实施例提供的承载装置的结构示意图；

图14是图1所示真空吸附加热器承载晶圆时，晶圆表面所受压强的分布情况示意图；

如图15是图2所示承载装置承载晶圆时，晶圆表面所受压强的分布情况示意图，

如图16是本实用新型实施例提供的承载装置与现有的真空吸附加热器承载晶圆时，晶圆背压随时间变化的情况示意图。

附图标记说明：

100：承载层

110：气孔

111：第一气孔

120：环形气槽

131：一级导气槽

132：二级导气槽

133：三级导气槽

134：四级导气槽

140：边缘密封带

150：凸起部

160：顶针孔

161：顶针孔密封带

200：温控层

210：加热丝

220：第二气孔

300：支撑轴

310：气孔气道

320：线缆

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。

本实用新型的发明人对现有的真空吸附加热器进行研究后发现，现有的真空吸附加热器表面出现气体流速周向不均匀问题的主要原因在于气孔的偏心设置以及真空吸附加热器顶部表面上气道的结构缺陷。

具体地，如图1所示为一种现有的真空吸附加热器顶部的气孔及气道结构。其气道结构包括中央环形气道22、径向气道23以及边缘气道24，在通过气孔21抽取晶圆与真空吸附加热器顶部表面之间的气体时，气体先由四周流入多个边缘气道24中，再流入径向气道23，最后经中央环形气道22导入气孔21中。然而，气孔仅有一个，且位于偏心圆位置，无法达到对称均布的气压分布效果，且一个气孔的设计容易导致匀气时间长，并且径向气道23在周向无分支结构，真空吸附加热器顶部除少数几条设置有径向气道23的径向路径外，其他区域均无法通过气道结构与气孔21连通，未设置气道的区域的气体无法快速到达气孔21，从而造成匀气时间长和气压均匀性效果差的情况。

为解决上述技术问题，作为本实用新型的一个方面，提供一种承载装置(例如，可以是真空吸附加热器)，设置于半导体工艺腔室中，且用于承载待加工的晶圆，如图2至图13所示，承载装置包括承载盘(包括承载层100和温控层200)和固定设置在承载盘顶部的多个凸起部150，凸起部150用于支撑待加工的晶圆10，承载盘中的中心区域设置有多个气孔110，多个气孔110沿承载盘的轴线周向均匀分布；承载盘的边缘区域还设置有环形气槽120，各气孔110与环形气槽120之间通过多条导气槽连通，各导气槽在承载盘的顶部的投影呈轴对称分布。

需要说明的是，气孔110用于与半导体工艺腔室的吸气组件(例如干泵)连接，以抽取位于承载盘的顶部与待加工的晶圆10之间的气体，进而通过待加工的晶圆10上下空间之间的气压差实现将待加工的晶圆10按压固定在承载盘上。

在本实用新型提供的承载装置中，承载盘的顶部形成有导气槽，从而在半导体工艺腔室的吸气组件启动后，工艺腔室中的工艺气体在依次被吸入环形气槽120、导气槽和气孔110的过程中经过多次分流及汇流，以提高气孔110吸气的过程中各位置气体流速沿周向的均匀性，进而保证了通过晶圆上下气压对晶圆进行固定的压力的均匀性，保证了承载装置对晶圆的吸附效果。并且，在提高气体流速沿周向的均匀性的同时，也能够提高承载装置通过流动的气体向晶圆传递热量或者对晶圆进行冷却的速率沿周向的均匀性，从而提高了晶圆的温度沿周向的均匀性，保证了半导体工艺的效果。

为进一步提高承载盘的顶部与所述待加工的晶圆10的底部之间的气体流速沿周向的均匀性，作为本实用新型的一种优选实施方式，气孔110绕承载盘的轴线周向等间隔分布。

作为本实用新型的一种可选实施方式，气孔110的数量可以为4个、6个或8个。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图2、图6至图13所示，导气槽包括多条一级导气槽131、多条二级导气槽132和多条三级导气槽133，每个气孔110均与至少一条一级导气槽131连通，一级导气槽131沿垂直于承载盘的径向方向延伸，且一级导气槽131的两端均与多条二级导气槽132的第一端连通，二级导气槽132的第二端沿远离承载盘的中心的方向延伸，且二级导气槽132的第二端与多条三级导气槽133的第一端连通；

三级导气槽133的第二端与环形气槽120连通。

在本实用新型实施例中，导气槽包括一级导气槽131，且一级导气槽131的两端均与多条二级导气槽132连通，二级导气槽132外侧的一端又与多条三级导气槽133连通，从而通过多条三级导气槽133与环形气槽120连通，从而在半导体工艺腔室的吸气组件启动后，工艺腔室中的工艺气体在依次被吸入环形气槽120、导气槽和气孔110的过程中经过多次分流及汇流，以提高气孔110吸气的过程中各位置气体流速沿周向的均匀性，进而保证了通过待加工的晶圆10上下气压对待加工的晶圆10进行固定的压力的均匀性。

为进一步提高承载盘的顶部与所述待加工的晶圆10的底部之间的气体流速沿周向的均匀性，优选地，多条一级导气槽131、多条二级导气槽132和多条三级导气槽133均沿承载盘的周向均匀分布。

可选地，图2、图7、图8、图10、图11、图13所示，每两条相邻且第一端与不同的二级导气槽132连通的三级导气槽133的第二端相互连通。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图7、图10、图13所示，导气槽还包括多条四级导气槽134，每两条相邻且第一端与不同的二级导气槽132连通的三级导气槽133的第二端相互连通，并与对应的四级导气槽134的第一端连通，四级导气槽134的第二端与环形气槽120连通。

在本实用新型实施例中，导气槽包括沿承载盘的周向均匀分布的一级导气槽131，且一级导气槽131的两端均与多条二级导气槽132连通，二级导气槽132外侧的一端又与多条三级导气槽133连通，从而通过多条三级导气槽133以及多条四级导气槽134与环形气槽120连通，从而在半导体工艺腔室的吸气组件启动后，工艺腔室中的工艺气体在依次被吸入环形气槽120、导气槽和气孔110的过程中经过多次分流及汇流，以提高气孔110吸气的过程中各位置气体流速沿周向的均匀性，进而保证了通过待加工的晶圆10上下气压对待加工的晶圆10进行固定的压力的均匀性。

为进一步提高承载盘的顶部与所述待加工的晶圆10的底部之间的气体流速沿周向的均匀性，优选地，多条四级导气槽134沿承载盘的周向均匀分布。

可选地，导气槽的每一级均呈对称分布，且导气槽具有多个过承载盘中心的对称轴。

可选地，如图2、图8、图11所示，三级导气槽133的第二端与环形气槽120连通，并且，每两条相邻且第一端与不同的二级导气槽132连通的三级导气槽133的第二端均在与环形气槽120的连通处相交。

或者，如图6、图9、图12所示，在本实用新型的其他实施方式中，每条三级导气槽133的第二端均独立地与环形气槽120连通。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图2、图6至图13所示，一级导气槽131的每一端均与两条二级导气槽132的第一端连通，每条二级导气槽132的第二端均与两条三级导气槽133的第一端连通。

如图2、图6至图13所示，多级导气槽沿径向分叉延伸，将承载盘的顶面划分成周向均匀分布的多个匀气区域，气流在匀气区域相对缓慢地流动，并在导气槽中相对快速地流动。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图2、图6、图7所示，多条一级导气槽131与多个气孔110一一对应，且气孔110位于对应的一级导气槽131的中点位置，一级导气槽131的每一端均与两条二级导气槽132的第一端连通，每条二级导气槽132的第二端均与两条三级导气槽133的第一端连通，每两条相邻且第一端与不同的一级导气槽131连通的二级导气槽132的第二端相互连通。

可选地，如图2、图6、图7所示，相邻且与不同的一级导气槽131连通的二级导气槽132的第二端相连通且与相同的两条三级导气槽133的第一端连通。

作为本实用新型的另一种可选实施方式，如图8至图10所示，沿周向相邻的每两个气孔110之间均通过一条一级导气槽131连通。即，多个气孔110通过多条一级导气槽131连成正多边形图案。

作为本实用新型的另一种可选实施方式，如图11至图13所示，多个气孔110沿承载盘的周向均匀且成对设置，每对气孔110之间通过一条一级导气槽131连通，一级导气槽131的每一端均与两条二级导气槽132的第一端连通，每条二级导气槽132的第二端均与两条三级导气槽133的第一端连通，每两条相邻且第一端与不同的一级导气槽131连通的二级导气槽132在第二端相交。

可选地，该相邻且与不同的一级导气槽131连通的二级导气槽132的第二端与相同的两条三级导气槽133的第一端连通。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图2所示，承载盘中还形成有多个顶针孔160，用于供顶针穿出以顶起晶圆，或者经顶针缩回至承载盘的顶面下方以放下晶圆。一般地，承载盘中形成有三个顶针孔160。

可选地，如图2所示，承载盘的顶面上还形成有与多个顶针孔160一一对应的顶针孔密封带161，顶针孔密封带161环绕对应的顶针孔160，用于避免流向顶针孔160中的气流影响承载盘与晶圆之间气流的周向均匀性。

当采用一级导气槽131之间不直接连通的方案时，如图2、图6至图10所示，每条一级导气槽131的每一端均通过两条二级导气槽132与两对三级导气槽133连接，由于相邻两条与不同一级导气槽131连接的二级导气槽132实际与同一对三级导气槽133连接，因此，每条一级导气槽131平均仅对应三条二级导气槽132，即，每条一级导气槽131平均仅对应三个二级导气槽132与三级导气槽133之间的连接节点。

在此情况下，无论有几个气孔110，均能够确保二级导气槽132与三级导气槽133之间的连接节点的数量为3的倍数，进而保证将3个顶针孔160设置在无导气槽的匀气区域。

例如，可选地，如图2、图6、图7所示，承载盘中形成有四个气孔110以及对应的四个一级导气槽131，每个气孔110均位于对应的一级导气槽131的中点位置。或者，如图11至图13所示，承载盘包括四对气孔110以及对应的四个一级导气槽131，每对气孔110之间通过对应的一级导气槽131连通。

在如图8至图10所示的每相邻两个气孔110之间均通过一条一级导气槽131连通的情况下，为保证二级导气槽132与三级导气槽133之间的连接节点的数量为3的倍数，则需要气孔110的数量本身为3的倍数。例如，优选地，如图8至图10所示，承载盘中形成有六个气孔110，且包括六个一级导气槽131。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图2至图5所示，承载盘的顶面上还形成有边缘密封带140，环形气槽120环绕在凸起部150的外侧，边缘密封带140环绕在环形气槽120的外侧。边缘密封带140用于控制气体流入待加工的晶圆10与承载盘的顶面之间，即，工艺腔室中的气体通过边缘密封带140与待加工的晶圆10的底面之间的缝隙流入。

优选地，凸起部150沿周向均匀分布。可选地，凸起部150的水平投影的总面积占承载盘顶面的水平投影的面积的比例为1％-10％。

可选地，边缘密封带140、凸起部150和顶针孔密封带161的高度一致。

从气体的微观流动而言，匀气区域的气压主要与边缘密封带140、凸起部150和顶针孔密封带161的高度有关。由于在待加工的晶圆10与承载盘结构之间的贴合区域气体流动处于非连续流体流动(滑移流动和过度流动)时，不会出现在固体表面行程停滞的流动边界层，从而有助于气体的快速均匀分布，气体是否处于非连续流体流动的判断依据主要是克努森数(Kn，Kn>0.001时，流体的流动状态为非连续流动，计算式为Kn＝λ/H，

其中λ为气体平均自由程，R为气体常数，T为温度，N_A为阿伏伽德罗常数，π为弧度，P为压力，H为导气槽的特征尺寸)。不同气体的不同状态气体平均自由程不同，一般应用于承载装置的气体为氩气(Ar)，压力约为2Torr-3Torr，由此优选边缘密封带140、凸起部150和顶针孔密封带161的高度为10μm-30μm。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图3至图5所示，承载盘可以包括层叠设置的承载层100和温控层200，承载层100的顶面形成为承载盘的顶面。气孔110包括形成在承载层100中的第一气孔111和形成在温控层200中的第二气孔220。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图3至图5所示，温控层200中设置有多条加热丝210，多条加热丝210沿径向分区域分布，即，不同加热丝用于对不同径向位置的区域进行加热，例如，承载盘可以包括中央加热丝和边缘加热丝，分别用于控制中央区域和环绕中央区域的边缘区域的加热温度，从而根据热电偶等测温结构的测温反馈实时调节不同加热丝的加热功率，进而实时保持承载盘表面较为均匀的温度分布，然后经过待加工的晶圆10与承载盘之间的匀气区域的气体导热，实现加热晶圆。匀气区域的气压值一般约为2Torr-3Torr，待加工的晶圆10被加热的温度均布性主要与匀气区域气压的均匀分布情况有关。

可选地，如图3所示，承载装置还包括支撑轴300，支撑轴300的顶端与温控层200的底端固定连接，支撑轴300的内部具有与多个气孔110位置一一对应的多个气孔气道310，气孔气道310的顶端与对应的气孔110连通，支撑轴300的底端由工艺腔室的底部的开口穿出，以便气孔气道310的底端与吸气组件(例如干泵)连接。

可选地，如图3所示，支撑轴300中还形成有走线孔，温控层200中的加热丝210通过穿在走线孔中的线缆320与外部供电组件连接。或者，当温控层200中设置有冷却管路时，该冷却管路也可以通过穿在走线孔中的管路与腔体外部的冷源连接以实现冷却液的循环流动。

从气体的宏观传热角度而言，为保证匀气效果以及对晶圆的均匀加热效果，避免因流速和流量过大而在晶圆局部形成冷点，影响晶圆表面温度的均布性，导气槽的深度和宽度不能过大，气孔110的直径不能过小。

例如，作为本实用新型的一种优选实施方式，一级导气槽131、二级导气槽132、三级导气槽133以及四级导气槽134的宽度为1mm-3mm。

作为本实用新型的一种优选实施方式，一级导气槽131、二级导气槽132、三级导气槽133以及四级导气槽134的深度为0.1mm-0.5mm。

作为本实用新型的一种优选实施方式，气孔110的直径为2mm-4mm。

如图14所示为图1所示的现有的真空吸附加热器承载晶圆时，晶圆表面所受压强的分布情况示意图，如图15所示为本实用新型实施例提供的承载装置(图2所示结构)承载晶圆时，晶圆表面所受压强的分布情况示意图，如图16所示为本实用新型实施例提供的承载装置与现有的真空吸附加热器承载晶圆时，晶圆背压随时间变化的情况示意图(图中本实用新型中晶圆背压随时间变化的曲线为虚线，现有的真空吸附加热器上的晶圆背压随时间变化的曲线为实线)。

由图16可知，本实用新型实施例提供的承载装置承载晶圆时，晶圆的背压稳定时间约为1.8s，而现有的真空吸附加热器的背压稳定时间约为2.4s，即本实用新型提供的承载装置实现背压稳定时间约为现有真空吸附加热器的3/4。并且，对比图14与图15可知，本实用新型实施例提供的承载装置承载晶圆时，稳定后的气压均布效果也优于现有真空加热器的气压分布效果，本实用新型实施例提供的承载装置的气压分布呈现径向均布趋势，而现有的真空吸附加热器稳定后的气压分布效果稍差，且气压最低点位于偏心的气孔位置，由此可以明显看出本实用新型提供的承载装置的气压分布均布性明显优于现有真空吸附加热器。

作为本实用新型的第二个方面，提供一种半导体工艺腔室，该半导体工艺腔室包括腔体、吸气组件和本实用新型实施例提供的承载装置，吸气组件与承载装置的多个气孔110连接，用于抽取位于承载盘的顶部与待加工的晶圆之间的气体，以吸附待加工的晶圆。

在本实用新型提供的半导体工艺腔室中，承载盘的顶部形成有导气槽，从而在半导体工艺腔室的吸气组件启动后，工艺腔室中的工艺气体在依次被吸入环形气槽120、导气槽和气孔110的过程中经过多次分流及汇流，以提高气孔110吸气的过程中各位置气体流速沿周向的均匀性，进而保证了通过晶圆上下气压对晶圆进行固定的压力的均匀性，保证了承载装置对晶圆的吸附效果。并且，在提高气体流速沿周向的均匀性的同时，也能够提高承载装置通过流动的气体向晶圆传递热量或者对晶圆进行冷却的速率沿周向的均匀性，从而提高了晶圆的温度沿周向的均匀性，保证了半导体工艺的效果。

可选地，该吸气组件可以为干泵。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种承载装置，设置于半导体工艺腔室中，且用于承载待加工的晶圆，其特征在于，所述承载装置包括承载盘和设置在所述承载盘顶部的多个凸起部，所述凸起部用于支撑所述待加工的晶圆，所述承载盘的中心区域设置有多个气孔，多个所述气孔沿所述承载盘的周向均匀分布；所述承载盘的边缘区域还设置有环形气槽，各所述气孔与所述环形气槽之间通过多条导气槽连通，各所述导气槽在所述承载盘的顶部的投影呈轴对称分布。

2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述导气槽包括多条一级导气槽、多条二级导气槽和多条三级导气槽，每个所述气孔均与至少一条所述一级导气槽连通，所述一级导气槽沿垂直于所述承载盘的径向方向延伸，且所述一级导气槽的两端均与多条所述二级导气槽的第一端连通，所述二级导气槽的第二端沿远离所述承载盘的中心的方向延伸，且所述二级导气槽的第二端与多条所述三级导气槽的第一端连通；

所述三级导气槽的第二端与所述环形气槽连通。

3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述导气槽还包括多条四级导气槽，每两条相邻且第一端与不同的所述二级导气槽连通的所述三级导气槽的第二端相互连通，并与对应的所述四级导气槽的第一端连通，所述四级导气槽的第二端与所述环形气槽连通。

4.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，沿周向相邻的每两个所述气孔之间均通过一条所述一级导气槽连通，所述一级导气槽的每一端均与两条所述二级导气槽的第一端连通，每条所述二级导气槽的第二端均与两条所述三级导气槽的第一端连通。

5.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，多条所述一级导气槽与多个所述气孔一一对应，且所述气孔位于对应的所述一级导气槽的中点位置，所述一级导气槽的每一端均与两条所述二级导气槽的第一端连通，每条所述二级导气槽的第二端均与两条所述三级导气槽的第一端连通，每两条相邻且第一端与不同的所述一级导气槽连通的所述二级导气槽的第二端相互连通。

6.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，多个所述气孔沿所述承载盘的周向均匀且成对设置，每对所述气孔之间通过一条所述一级导气槽连通，所述一级导气槽的每一端均与两条所述二级导气槽的第一端连通，每条所述二级导气槽的第二端均与两条所述三级导气槽的第一端连通，每两条相邻且第一端与不同的所述一级导气槽连通的所述二级导气槽的第二端相互连通。

7.根据权利要求2或3所述的承载装置，其特征在于，每两条相邻且第一端与不同的所述二级导气槽连通的所述三级导气槽的第二端相互连通。

8.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述一级导气槽、所述二级导气槽、所述三级导气槽以及所述四级导气槽的宽度为1mm-3mm，所述一级导气槽、所述二级导气槽、所述三级导气槽以及所述四级导气槽的深度为0.1mm-0.5mm。

9.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述气孔的直径为2mm-4mm。

10.一种半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室包括腔体、吸气组件和权利要求1至9中任意一项所述的承载装置，所述吸气组件与所述承载装置的多个气孔连接，用于抽取位于承载盘的顶部与待加工的晶圆之间的气体，以吸附所述待加工的晶圆。

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