TW201732078A - 具有空間分配氣體通道的氣流控制襯墊 - Google Patents

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Abstract

本案所揭露之實施例提供一種襯墊組件，該襯墊組件包括複數個個別分開的氣體通道。該襯墊組件能實現遍及受處理基板上的流動參數的可保持性，所述流動參數諸如流率、密度、方向與空間位置。遍及受處理之基板上的處理氣體可特別受到根據本案所揭露之實施例的襯墊組件修整以用於個別製程。

Description

具有空間分配氣體通道的氣流控制襯墊
本案所揭露之實施例大體上關於用於處理半導體基板的設備與方法，更特定而言，本案所揭露之實施例關於用於改良處理腔室中氣流分配的設備與方法。
一些用於製造半導體元件的製程是在高溫下執行，該製程例如為快速熱處理、磊晶沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積、電子束固化。通常受處理的基板由一或多個熱源加熱至處理腔室中的期望溫度。該一或多個熱源一般裝設在腔室主體外，使得由該等熱源生成的能量輻照在定位於腔室主體內的基板上。處理氣體通常由氣體入口供應至腔室，且由連接處理腔室的泵送系統維持處理氣體在腔室主體內流動。習知腔室中的氣體分配在遍及整個處理區域中並非均勻。舉例而言，接近氣體入口的氣體分配有別於接近泵送通口的氣體分配，且接近邊緣區域的氣體分配有別於接近中央區域的氣體分配。儘管基板的連續旋轉可減少氣體分配的不均勻，但當均勻度的需求增加時，單單只靠旋轉可能是不夠的。
因此，需要一種具有改良的氣流分配的熱處理腔室。
本案所揭露之實施例大體上提供用於在高溫下處理一或多個基板的設備與方法。更特定而言，本案所揭露之實施例關於用於分配一或多個處理氣體至處理腔室的設備與方法。
本案所揭露之一個實施例提供一種用於保護基板處理腔室之內表面的襯墊組件。該襯墊組件包括環形主體，該環形主體具有外表面與內表面，該環形主體之外表面之尺寸設計成由基板處理腔室的內表面所收納，而該環形主體之內表面界定基板處理空間。該環形主體包括複數個氣體通道（passage），該等氣體通道將外表面連接至基板處理空間，且該複數個氣體通道的每一者設計成連接氣體注射器且設計成調節（tune）氣流。
本案所揭露之一個實施例提供一種用於處理基板的設備。該設備包括腔室主體，該腔室主體形成腔室包殼（enclosure），其中該腔室主體包括：形成在相對側的注射開口與排氣開口；以及基板開口，形成在該注射開口與該排氣開口之間。該設備也包括：氣體入口，配置在該注射開口中；基板支座，配置在該腔室包殼中；以及襯墊組件，用於保護該腔室主體之內表面且用於調節該氣體入口的氣流。該襯墊組件包含環形主體，該環形主體具有外表面與內表面，該環形主體之外表面之尺寸設計成由該腔室主體的內表面所收納，而該環形主體之內表面界定基板處理空間。該環形主體包括複數個氣體通道，該等氣體通道將該外表面連接至基板處理空間，且該複數個氣體通道的每一者設計成連接氣體注射器且設計成調節氣流。
本案所揭露之另一個實施例提供一種用於處理基板的方法。該方法包括：將輻射能量從複數個加熱元件導向基板處理腔室之包殼，以及使用複數個氣體通道調節處理氣流，該等氣體通道形成在襯墊組件中，該襯墊組件配置於該處理腔室中。該襯墊組件包含環形主體，該環形主體具有外表面與內表面，該環形主體之外表面之尺寸設計成由腔室主體的內表面所收納，而該環形主體之內表面界定基板處理空間。該環形主體包括複數個氣體通道，該等氣體通道將外表面連接至基板處理空間，且該複數個氣體通道的每一者設計成連接氣體注射器且設計成調節氣流。
在下文的敘述中，為了解釋，提出許多特定細節以使世人透徹瞭解本案所揭露之發明。一些例子中，已知的結構與裝置不詳細顯示，而是以方塊形式顯示，以避免混淆本案所揭露之發明。在此充分詳細地描述這些實施例，以使發明所屬技術領域中具有通常知識者操作本案所揭露之發明，且應瞭解可利用其他實施例，並應瞭解可不背離本案所揭露之發明的範疇而製作邏輯上、機械上、電力上、與其他方面的改變。
本案所揭露之實施例提供一種襯墊組件，該襯墊組件具有複數個個別分開的氣體通道。該襯墊組件實現遍及受處理之基板上的流動參數調節能力，該等參數例如速度、密度、方向、與空間位置。遍及受處理之基板上的處理氣體可特別地經過根據本案所揭露之實施例的襯墊組件所修整，以適用於每一個別製程。根據本案所揭露之實施例的襯墊組件具有相較於傳統襯墊更能將氣體注射路徑中的壓降減至最小的優點。本案所揭露之一個實施例包括一種具有呈角度或縮短的流動通道以減少壓降的襯墊組件。根據本案所揭露之襯墊組件的另一優點是，提供流徑中經過修整及/或變化的流動導通性（flow conductance）。一個實施例中，襯墊組件可包括複數個具有變化尺寸的氣體通道，從而提供通過該複數個氣體通道之每一者的變化流動導通性。襯墊組件中的該複數個氣體通道的空間分佈也可經過設計以達成處理腔室中有經修整的氣流。
根據本案所揭露之實施例的襯墊組件可具有另一優點，該優點為：防止多種處理氣體在抵達受處理之基板的鄰近地區之前混合。此外，根據本案所揭露之實施例的襯墊組件也具有能夠使用直接簡單的方法製造的優點，該等方法諸如透過槍鑽孔、擴散黏接、以及使用焊塞。
第1A圖繪示根據本案所揭露之一個實施例的處理腔室100的概略剖面視圖。第1B圖是處理腔室100的概略剖面頂視圖。處理腔室100可用於處理一或多個基板，包括沉積材料在基板108的上表面116上。處理腔室100可包括輻射加熱燈102之陣列，該等輻射加熱燈102除了用於加熱其他部件外，特別用於加熱配置在處理腔室100內的基板支座106的背側104。一些實施例中，輻射加熱燈102之陣列可配置在上圓頂128上方。基板支座106可以是不具有中央開口的碟狀基板支座106，如圖所示。或者，基板支座106可以是環形基板支座，該支座從基板邊緣支撐該基板，以助於將該基板暴露至複數個輻射加熱燈102的熱輻射。
基板支座106在處理腔室100內位於上圓頂128與下圓頂114之間。基底環136可配置在上圓頂128與下圓頂114之間。上圓頂128、下圓頂114、與基底環136大體上界定處理腔室100的內部區域。基板108（並未按比例繪製）可透過裝載通口103帶至處理腔室100中且定位於基板支座106上，如第1B圖所示。
第1A圖中，顯示基板支座106處於處理位置。該基板支座106可垂直越過（traverse）到處理位置下方的裝載位置，以使升舉銷105得以接觸下圓頂114、通過基板支座106與中央軸桿132中的孔洞、且將基板108從基板支座106抬升。當基板支座106位於處理位置時，該基板支座106將處理腔室100的內部空間劃分成處理氣體區域156與沖洗氣體（purge gas）區域158，該處理氣體區域156位於基板支座106上方，該沖洗氣體區域158位於基板支座106下方。基板支座106在處理期間由中央軸桿132旋轉，以將處理腔室100內的熱效應與處理氣流空間上的不規則減至最小，從而助於基板108的均勻處理。基板支座106由中央軸桿132支撐，該中央軸桿132在裝載與卸載期間沿著方向134上下移動基板108，且在一些例子中，在處理基板108期間沿著方向134上下移動基板108。基板支座106可由碳化矽或塗佈有碳化矽的石墨形成，以吸收來自輻射加熱燈102的輻射能，並且將該輻射能傳導至基板108。
大體而言，上圓頂128的中央窗部分以及下圓頂114的底部是由透光材料形成，諸如石英。一或多盞燈（諸如輻射加熱燈102之陣列）可在中央軸桿132周圍用指定的方式配置於下圓頂114下方且鄰近該下圓頂114，以當處理氣體通過上方時獨立控制基板108各個區域處的溫度，從而助於使材料沉積到基板108的上表面116上。雖然在此並無詳細討論，但沉積材料可包括砷化鎵、氮化鎵、或氮化鋁鎵。
輻射加熱燈102可包括燈泡141，該燈泡141裝設成將基板108加熱至一溫度，該溫度在約攝氏200度至約攝氏1600度的範圍內。每一輻射加熱燈102耦接電力分配板（圖中未示），電力透過該電力分配板供應至每一輻射加熱燈102。該輻射加熱燈102可排列在燈頭145內，該燈頭145具有燈收納開口。燈頭145可在處理期間或處理之後冷卻，該冷卻是透過例如冷卻流體所達成，該冷卻流體被導入位在輻射加熱燈102之間的溝道（channel）149中。一個實施例中，燈頭145中的溝道149可用於傳導式與輻射式冷卻下圓頂104，這部分是由於燈頭145緊密接近下圓頂104所致。一個實施例中，燈頭145也可冷卻燈壁與燈周圍的反射器（圖中未示）之壁。或者，下圓頂104可由業界已知的對流式方式冷卻。取決於應用，燈頭145可或可不與下圓頂114接觸。
圓形屏蔽件167可視情況任選地配置在基板支座106周圍。屏蔽件167防止或盡量減少熱/光噪訊從輻射加熱燈102漏損至基板108之元件側116，同時提供處理氣體預熱區。屏蔽件167可由化學氣相沉積（CVD）SiC、塗佈有SiC的燒結石墨、生長的SiC、不透明石英、塗佈的石英、或任何抗處理氣體與沖洗氣體之化學裂解的類似適合材料所製成。
襯墊組件163可定位在處理腔室100中。一個實施例中，襯墊組件163可環繞圓形屏蔽件167。襯墊組件163之尺寸設計成嵌套在基底環136的內周邊內，或被基底環136的內周邊環繞。襯墊組件163屏蔽處理空間隔離處理腔室100的金屬壁，所述處理空間即處理氣體區域156與沖洗氣體區域158。舉例而言，來自基底環136的金屬壁。該等金屬壁可與前驅物反應，且引發處理空間中的污染。雖然襯墊組件163顯示為單一主體，但襯墊組件163可包括一或多個襯墊，這將會在下文中討論。根據本案所揭露之實施例，襯墊組件163包括複數個氣體通道190，該等氣體通道190用於將一或多個處理氣體注射至處理氣體區域156。襯墊組件163也可包括複數個氣體通道192，該等氣體通道192用於將一或多個處理氣體注射至沖洗氣體區域158。
光高溫計118可定位在上圓頂128外側，以測量基板108之溫度。從基板支座106背側式加熱基板的結果是，可利用光高溫計118以用於基板支座上的溫度測量/控制。此由光高溫計118進行的溫度測量也可在具有未知發射率的基板元件側（例如上表面116）上完成，因為以此方式加熱基板背側110與發射率無涉。於是，光高溫計118可在來自輻射加熱燈102直接抵達光高溫計的背景輻射極為微量的情況下偵測來自基板108的輻射，從而獲得基板108的準確溫度測量。
反射器122可視情況任選地放置在上圓頂128外側，以將從基板108輻射的紅外光反射回到基板108上。反射器122可透過使用夾箝環130而緊固至上圓頂128。反射器122可由諸如鋁或不鏽鋼之金屬製成。反射效能可透過以高反射塗層（諸如金）塗佈反射器區域而改善。反射器122可具有一或多個機械切削之溝道126，該等溝道126連接冷卻源（圖中未示）。溝道126連接形成在反射器122之一側上的通道（圖中未示）。該通道裝設成搭載諸如水之流體流，且可沿著反射器122之側以任何期望的樣式水平延伸，該通道覆蓋一部分或全部的反射器122之表面，以冷卻該反射器122。
來自處理氣體供應源172的一或多個處理氣體可穿過處理氣體入口174而導入處理氣體區域156中，該處理氣體入口174配置在基底環136的側壁中。處理氣體入口174可包括一或多個氣體注射器196（顯示於第1B圖中）以遞送一或多個個別的氣流。處理氣體入口174可裝設成提供具不同參數的個別氣流，該等參數諸如速度、密度、或組成。處理氣體入口174的一或多個氣體注射器196的每一者連接複數個氣體通道190的其中一者，該等氣體通道190形成為穿過襯墊組件163。複數個氣體通道190裝設成以大體上徑向向內的方向引導處理氣體。該複數個氣體通道190的每一者可用於調整來自處理氣體入口174的處理氣體的一或多個參數，該等參數諸如速度、密度、方向、與位置。該複數個氣體通道190在引導來自處理氣體入口174的一或多個處理氣體至處理氣體區域156以供處理之前，先調整該來自處理氣體入口174的一或多個處理氣體。
處理期間，基板支座106可位在如第1A圖所示的處理位置。在該處理位置，基板108鄰近處理氣體入口174且與處理氣體入口174大約相同高度，而使處理氣體以層流流動樣式遍及基板108之上表面116沿著流徑173向上及四處流動。處理氣體（沿著流徑175）通過排氣開口194與氣體出口178離開處理氣體區域156，該排氣開口194形成為穿過襯墊組件163，而該氣體出口178位在處理腔室100與處理氣體入口174相對的側面上。透過氣體出口178移除處理氣體可借助於真空泵180，該真空泵180耦接氣體出口178。因處理氣體入口174與氣體出口178彼此對齊且配置在大略相同高度，所以相信此氣體入口174與氣體出口178的平行排列在結合較平坦之上圓頂128時，將能實現遍及基板108上大體上平面、均勻的氣流。進一步的徑向均勻度可由透過基板支座106旋轉基板108而提供。
類似地，沖洗氣體可由沖洗氣體源162透過視情況任選的沖洗氣體入口164（或透過配置在基底環136的側壁中的處理氣體入口174），再通過形成於襯墊組件163中的複數個氣體通道192，供應至沖洗氣體區域158。沖洗氣體入口164配置在低於處理氣體入口174的高度。倘若使用圓形屏蔽件167，該圓形屏蔽件167可配置在處理氣體入口174與沖洗氣體入口164之間。在任一實例中，沖洗氣體入口164裝設成以大體上徑向向內的方向引導沖洗氣體。在膜形成製程期間，基板支座106可位在一位置，使得沖洗氣體以層流流動樣式遍及基板支座106之背側104沿著流徑165向下及四處流動。不受任何特定理論所拘束，相信沖洗氣體的流動防止或實質上避免處理氣體流進入沖洗氣體區域158，或減少進入沖洗氣體區域158（即基板支座106下方的區域）的處理氣體的擴散。沖洗氣體離開沖洗氣體區域158（沿著流徑166）且透過氣體出口178從處理腔室100排放，該氣體出口178位在處理腔室100與沖洗氣體入口164相對之側面上。
類似地，在沖洗程序期間，基板支座106可位在升高的位置，以使沖洗氣體得以側向流動橫越基板支座106的背側104。
第1B圖顯示從處理氣體入口174到氣體出口178的流徑。複數個氣體通道190可沿著襯墊組件163的一部分分佈，以用實質平行的方式引導流徑173。氣體通道190的每一者的數目、尺寸、與位置可根據達成目標流態（flow pattern）而安排。排氣開口194可以是寬開口，形成為穿過襯墊組件163而位於複數個氣體通道190的相對側。
發明所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，所示的複數個氣體通道190、192僅為了說明。氣體入口或出口等位置、尺寸、與數目可經調整以進一步協助材料均勻地沉積在基板108上。根據本案所揭露之實施例的襯墊組件的示範性實施例如下所述。
第2A圖是根據本案所揭露之一個實施例的襯墊組件200的概略剖面側視圖。襯墊組件200可包括下襯墊210與上襯墊220，該上襯墊220配置在該下襯墊210上方。複數個氣體通道202可形成於下襯墊210中。上襯墊220可包括複數個流動導引件222，該等流動導引件222與複數個氣體通道202對齊。複數個流動導引件222的每一者形成為將氣流從相對應的氣體通道202引導至處理氣體區域156。
下襯墊210可具有環形主體212。該環形主體具有外表面214與內表面216，該環形主體之外表面214用於面向基底環136的內表面，而該環形主體之內表面216面向受處理之基板108。下襯墊210具有面向上襯墊220的上表面218。複數個氣體通道202與排氣開口204形成為穿過環形主體212的相對側。一個實施例中，基板開口206形成為穿過環形主體212且位於該複數個通道202與排氣開口204之間。
該複數個氣體通道202的每一者可包括彼此連接的水平部分202a與垂直部分202b。水平部分202a可透過從外表面214鑽出盲孔而形成。垂直部分202b可透過從上表面218鑽出盲孔而形成，以與水平部分202a連接。
上襯墊220包括環形主體228，該環形主體228具有徑向向內延伸的唇部226。唇部226界定中央開口224。唇部226定位成遠離下襯墊210。環形主體228具有彎曲內表面230，該彎曲內表面230面向下襯墊210。該複數個流動導引件222可形成在內表面230中，以引導氣體通道202的氣流。流動導引件222的幾何形狀重新引導氣流達成目標的流徑。流徑232概略性繪示於第2A圖中。
第2B圖是根據本案所揭露之一個實施例的襯墊組件200的第二概略剖面側視圖，顯示氣體通道202與流動導引件222的分佈。
上襯墊220與下襯墊210可由與處理的化學條件相容的材料形成。一個實施例中，上襯墊220與下襯墊210可由石英形成。複數個氣體通道202可由槍鑽孔形成。
第3圖是根據本案所揭露之一個實施例的襯墊組件300的部分剖面側視圖。襯墊組件300包括環形主體310，該環形主體310具有外表面312、內表面314、與上表面316。環形主體310界定複數個流徑308，該等流徑308連接外表面312與內表面314。一個實施例中，複數個流徑308的每一者包括三個溝道302、304、306，該等溝道分別透過從外表面312、內表面314、與上表面316鑽盲孔而形成。複數個插件320可從上表面316配置在溝道304的每一者中。
第4圖是根據本案所揭露之一個實施例的襯墊組件400的部分剖面側視圖。該襯墊組件400類似襯墊組件300，差異處在於有覆蓋環420，該覆蓋環420具有複數個突出部422用於塞住溝道304。
第5A圖是根據本案所揭露之一個實施例的襯墊組件500的部分剖面側視圖。第5B圖是襯墊組件500的概略頂視圖。襯墊組件500包括襯墊主體520與注射環510。襯墊主點520具有環形主體，該環形主體具外表面522與內表面524。注射環510附接環形襯墊主體520的內表面524。環形襯墊主體520包括複數個水平溝道526，該等水平溝道526連接相對應的複數個傾斜溝道528的其中一者。水平溝道526可由從上表面522鑽盲孔而形成，且傾斜溝道528可透過從內表面524鑽傾斜盲孔而形成，以與水平溝道526連接。注射環510包括複數個水平溝道512，該等水平溝道512與複數個傾斜溝道528對齊。該等傾斜溝道528以減少的阻力引導氣流向上。注射環510容許簡便地製造流徑中的傾斜溝道528。
第5C圖是根據本案所揭露之另一實施例的襯墊組件530的概略部分頂視圖。襯墊組件530類似襯墊組件500，差異處在於該襯墊組件530包括複數個分立的注射塊532，該等注射塊532具有形成在該注射塊532中的水平溝道534。
雖然前述內容涉及本案所揭露之發明的實施例，但可不背離本發明之基本範疇而設計本案所揭露之發明的其他與進一步的實施例，該等實施例範疇由隨後的申請專利範圍界定。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧輻射加熱燈
103‧‧‧裝載通口
104‧‧‧背側
105‧‧‧升舉銷
106‧‧‧基板支座
108‧‧‧基板
110‧‧‧基板背側
114‧‧‧下圓頂
116‧‧‧基板元件側
118‧‧‧光高溫計
122‧‧‧反射器
126‧‧‧溝道
128‧‧‧上圓頂
130‧‧‧夾箝環
132‧‧‧中央軸桿
134‧‧‧方向
136‧‧‧基底環
141‧‧‧燈泡
145‧‧‧燈頭
149‧‧‧溝道
156‧‧‧處理氣體區域
158‧‧‧沖洗氣體區域
162‧‧‧沖洗氣體源
163‧‧‧襯墊組件
164‧‧‧沖洗氣體入口
165、166‧‧‧流徑
167‧‧‧屏蔽件
172‧‧‧處理氣體供應源
173、175‧‧‧流徑
174‧‧‧處理氣體入口
178‧‧‧氣體出口
180‧‧‧真空泵
190、192‧‧‧氣體通道
194‧‧‧排氣開口
196‧‧‧氣體注射器
200‧‧‧襯墊組件
202‧‧‧通道
202a‧‧‧水平部分
202b‧‧‧垂直部分
204‧‧‧排氣開口
206‧‧‧基板開口
210‧‧‧下襯墊
212‧‧‧環形主體
214‧‧‧外表面
216‧‧‧內表面
218‧‧‧上表面
220‧‧‧上襯墊
222‧‧‧流動導引件
224‧‧‧中央開口
226‧‧‧唇部
228‧‧‧環形主體
230‧‧‧內表面
232‧‧‧流徑
300‧‧‧襯墊組件
302-306‧‧‧溝道
308‧‧‧流徑
310‧‧‧環形主體
312‧‧‧外表面
314‧‧‧內表面
316‧‧‧上表面
320‧‧‧插件
400‧‧‧襯墊組件
420‧‧‧覆蓋環
422‧‧‧突出部
500‧‧‧襯墊組件
510‧‧‧注射環
520‧‧‧襯墊主體
522‧‧‧外表面
524‧‧‧內表面
526‧‧‧水平溝道
528‧‧‧傾斜溝道
530‧‧‧襯墊組件
532‧‧‧注射塊
534‧‧‧水平溝
藉由參考實施例（一些實施例說明於附圖中），可獲得於上文中簡要總結的本案所揭露之發明的更特定說明，而能詳細瞭解本案所揭露之發明的上述特徵。然而應注意附圖僅說明本案所揭露之發明的典型實施例，因而不應將該等附圖視為限制本案所揭露之發明的範疇，因為本案所揭露之發明可容許其他等效實施例。
第1A圖是根據本案所揭露之一個實施例的處理腔室之概略剖面側視圖。
第1B圖是第1A圖的處理腔室的概略剖面頂視圖。
第2A圖是根據本案所揭露之一個實施例的襯墊組件的概略剖面側視圖。
第2B圖是第2A圖的襯墊組件的第二概略剖面側視圖。
第3圖是根據本案所揭露之一個實施例的襯墊組件的部分剖面側視圖。
第4圖是根據本案所揭露之一個實施例的襯墊組件的部分剖面側視圖。
第5A圖根據本案所揭露之一個實施例的襯墊組件的部分剖面側視圖。
第5B圖是第5A圖的襯墊組件的概略頂視圖。
第5C圖是根據本案所揭露之另一實施例的襯墊組件的概略部分頂視圖。
為了助於瞭解，如可能則已使用同一元件符號指定各圖共通的同一元件。應考量一個實施例的元件與特徵可有利地併入其他實施例而無需進一步記敘。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
103‧‧‧裝載通口
108‧‧‧基板
136‧‧‧基底環
156‧‧‧處理氣體區域
163‧‧‧襯墊組件
172‧‧‧處理氣體供應源
173、175‧‧‧流徑
174‧‧‧處理氣體入口
178‧‧‧氣體出口
190‧‧‧氣體通道
194‧‧‧排氣開口
196‧‧‧氣體注射器

Claims (17)

  1. 一種用於保護基板處理腔室之內表面的襯墊組件，包括： 一下襯墊，該下襯墊具有一環形主體，該環形主體有一外表面與一內表面，該內表面界定一處理空間，該環形主體具有穿過該環形主體的複數個氣體通道，該複數個氣體通道將該外表面連接至該處理空間；以及一上襯墊，配置在該環形主體上方，該上襯墊包括複數個流動導引件，該等流動導引件對齊該複數個氣體通道。
  2. 如請求項1所述之襯墊組件，進一步包括一排氣開口及一基板開口，該排氣開口位在與該複數個氣體通道相對的該環形主體的一側上，而該基板開口在該排氣開口與該複數個氣體通道之間穿過該環形主體。
  3. 如請求項1所述之襯墊組件，其中該下襯墊進一步包括一上表面，該上表面面向該上襯墊。
  4. 如請求項1所述之襯墊組件，其中該複數個氣體通道的每一者包含一水平部分，該水平部分連接一垂直部分。
  5. 如請求項4所述之襯墊組件，其中該水平部分對該環形主體的該外表面開啟，且其中該垂直部分具有一上端與一下端，該上端對該環形主體的該上表面開啟，且該下端連接該水平部分。
  6. 如請求項1所述之襯墊組件，其中該上襯墊包括一環形主體，該環形主體具有徑向向內延伸的一唇部。
  7. 如請求項6所述之襯墊組件，其中該唇部界定一中央開口。
  8. 如請求項6所述之襯墊組件，其中該唇部定位成遠離該下襯墊。
  9. 如請求項6所述之襯墊組件，其中該上襯墊的該環形主體具有面向該下襯墊的一彎曲內表面。
  10. 如請求項9所述之襯墊組件，其中該複數個流動導引件形成於該內表面中。
  11. 如請求項1所述之襯墊組件，其中該上襯墊與該下襯墊包括石英。
  12. 一種用於保護基板處理腔室之內表面的襯墊組件，包括： 一襯墊主體，該襯墊主體具有一環形主體，該環形主體有一外表面與一內表面，該環形主體具有複數個水平溝道，該複數個水平溝道連接複數個傾斜溝道；以及一注射環，該注射環附接該環形主體之該內表面，該注射環具有複數個水平溝道，該複數個水平溝道形成為穿過該注射環，且該複數個水平溝道之每一者對齊且連接該複數個傾斜溝道的其中一者。
  13. 如請求項12所述之襯墊組件，其中形成為穿過該注射環的該複數個水平溝道彼此平行。
  14. 如請求項12所述之襯墊組件，進一步包含複數個注射塊，該等注射塊耦接該環形主體的該內表面，其中每一注射塊包括一水平溝道，該水平溝道形成為穿過該注射塊，且每一注射塊中的該水平溝道對齊該複數個傾斜溝道的其中一者。
  15. 如請求項14所述之襯墊組件，其中形成為穿過該等注射塊的該等水平溝道彼此平行。
  16. 一種用於處理基板的方法，包含以下步驟： 將輻射能量從複數個加熱元件導向一基板處理腔室之一包殼；以及使用複數個氣體通道調節一處理氣體之氣流，該等氣體通道形成在一襯墊組件中，該襯墊組件配置於該處理腔室中，其中該襯墊組件包含一環形主體及一上襯墊，該環形主體有一外表面與一內表面，該內表面界定一處理空間，該環形主體包括複數個氣體通道，該等氣體通道將該外表面連接至該處理空間，且該上襯墊配置在該環形主體上方，該上襯墊包括複數個流動導引件，該複數個流動導引件對齊該複數個氣體通道。
  17. 如請求項16所述之方法，其中調節該處理氣體之氣流包含以下步驟：引導該氣流通過複數個傾斜溝道。
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