KR101257131B1 - 조정가능 전극 면적비를 갖는 제한된 플라즈마 - Google Patents

조정가능 전극 면적비를 갖는 제한된 플라즈마 Download PDF

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Abstract

플라즈마 리액터 (200) 는 챔버 (202), 하부 전극 (204), 상부 전극 (206), 한정 링들의 제 1 세트 (208), 한정 링들의 제 2 세트 (210), 및 접지 연장부 (212) 를 포함한다. 상부 및 하부 전극들, 한정 링들의 제 1 및 제 2 세트, 및 접지 연장부는 모두 챔버 내로 내포된다. 한정 링들의 제 1 세트는 하부 전극 및 상부 전극에 실질적으로 평행하고 하부 전극과 상부 전극 사이의 제 1 체적을 에워싼다. 한정 링들의 제 2 세트는 하부 전극 및 상부 전극에 실질적으로 평행하고 하부 전극과 상부 전극 사이의 제 2 체적을 에워싼다. 제 2 체적은 적어도 제 1 체적보다 더 크다. 접지 연장부는 하부 전극에 근접하며 에워싼다. 한정 링들의 제 1 세트 및 한정 링들의 제 2 세트는 접지 연장부 위의 영역으로 확장하도록 상승시키거나 하강시키는 것이 가능하다.
Figure R1020077029216
챔버, 플라스마, 한정 링, 하부 전극, 상부 전극, 접지 연장부

Description

조정가능 전극 면적비를 갖는 제한된 플라즈마{CONFINED PLASMA WITH ADJUSTABLE ELECTRODE AREA RATIO}
기술 분야
본 발명은 반도체 제조에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 플라즈마 에칭 장치에 관한 것이다.
발명의 배경
통상의 플라즈마 에칭 장치는 반응 가스 또는 가스들이 통과하여 흐르는 챔버가 있는 리액터를 포함한다. 챔버 내에서, 가스들은 통상적으로 무선 주파수 에너지에 의해, 플라즈마로 이온화된다. 플라즈마의 높은 반응 이온들은 집적 회로들 (IC; Integrated Circuits) 로 프로세싱되는 동안 반도체 웨이퍼의 상면 폴리머 마스크 또는 인터커넥트들 간의 유전체와 같은 재료와 반응할 수 있다. 에칭에 앞서, 웨이퍼는 챔버 내에 위치되고 플라즈마에 웨이퍼의 최상 표면을 노출시키도록 홀더 또는 척 (chuck) 에 의해 적합한 위치에 홀딩된다.
반도체 프로세싱에서, 각 프로세스 동안 웨이퍼에 걸친 에칭율 또는 증착율 균일성은 디바이스 수율에 직접적으로 영향을 준다. 이는 프로세스 리액터에 대한 주요 자격 요건들 중의 하나가 되었고 따라서 그 설계 및 개발 동안 매우 중요한 파라미터로 고려된다. 웨이퍼 직경 사이즈의 각각의 증가와 함께, 집적 회로 각각의 배치 (batch) 의 균일성 보장의 문제는 더욱 어려워졌다. 예를 들 어, 200 mm 에서 300 mm 로의 웨이퍼 사이즈의 증가 및 웨이퍼 당 더욱 작아진 회로 사이즈와 함께, 에지 익스클루젼 (exclusion) 은 예를 들면, 2 mm 로 감소한다. 따라서, 웨이퍼의 에지로부터 항상 2 mm 까지의 균일한 에칭율, 프로파일, 임계 치수 (critical dimension) 들을 유지하는 것은 매우 중요해졌다.
플라즈마 에칭 리액터에서, 에칭 파라미터들 (에칭율, 프로파일, CD, 등) 의 균일성은 수개의 파라미터들에 의해 영향을 받는다. 균일한 플라즈마 방출의 유지 및 그에 따른 웨이퍼 상의 플라즈마 화학반응은 균일성을 개선시키는데 매우 중요하게 되었다. 많은 시도들이, 샤워헤드를 통한 가스 흐름 주입의 조작, 샤워헤드 설계의 수정, 및 웨이퍼 주변에 에지 링들을 위치시킴으로써 웨이퍼의 균일성을 개선하기 위해 착상되어왔다.
상이한 사이즈들의 전극들을 갖는 용량성-커플링된 (capacitively-coupled) 에칭 리액터의 하나의 문제점은 특히 웨이터의 균일한 에지 주변의 RF 커플링의 부족이다. 도 1 은 기판을 에칭하도록 통상적으로 채용된 타입의 예시적인 플라즈마 프로세싱 챔버를 나타내는, 통상적인 용량성-커플링된 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 를 도시한다. 이제 도 1 에 참조하면, 웨이퍼 (104) 와 같은 기판이 에칭동안 위치되는 공정대상물 홀더를 나타내는 척 (102) 이 제공된다. 척 (102) 은 예를 들면 정전기적, 기계적, 클램핑 (clamping), 진공 등의 임의의 적합한 척 (chucking) 기술에 의해 구현될 수도 있다. 에칭 동안, 척 (102) 에는 통상적으로 듀얼 주파수 소스 (106) 에 의한 에칭 동안 동시에 예를 들면 2 MHz 및 27 MHz 인 듀얼 RF 주파수들 (저 주파수 및 고 주파수) 이 공급된다.
상부 전극 (108) 이 웨이퍼 (104) 상에 위치된다. 상부 전극 (108) 은 접지된다. 도 1 은 상부 전극 (108) 의 표면적이 척 (102) 및 웨이퍼 (104) 의 표면적보다 더 넓은 에칭 리액터를 도시한다. 에칭 동안, 플라즈마 (110) 가 가스 라인 (112) 을 통해 공급된 에천트 소스 가스로부터 형성되고 배기 라인 (114) 을 통해 배출된다.
RF 전력 소스 (106) 로부터 척 (102) 으로 RF 전력이 공급된 경우, 등전위 (equipotential) 필드 라인들이 웨이퍼 (104) 상에 셋업된다. 등전위 필드 라인들은 웨이퍼 (104) 와 플라즈마 (110) 사이인 플라즈마 시스 (sheath) 를 가로지르는 전계 라인들이다.
플라즈마 프로세싱동안, 양이온들이 등전위 필드 라인들을 가로질러 가속하여 웨이퍼 (104) 의 표면에 충돌하고, 따라서 에칭 방향성의 개선과 같은 원하는 에칭 효과를 제공한다. 상부 전극 (108) 및 척 (102) 의 형상 (geometry) 으로 인해, 필드 라인들은 웨이퍼 표면에 걸쳐 균일하지 않을 수도 있고 웨이퍼 (104) 의 에지에서 상당히 변화할 수도 있다. 따라서, 포커스 링 (118) 이 전체 웨이퍼 표면에 걸쳐 프로세스 균일성을 개선하도록 통상적으로 제공된다.
전기 도전성 실드 (120) 가 포커스 링 (118) 을 실질적으로 에워싼다. 전기 도전성 실드 (120) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 접지되도록 구성된다. 실드 (120) 는 포커스 링 (118) 외부의 원하지 않는 등전위 필드 라인들의 존재를 방지한다.
한정 링들 (116) 은 상부 전극 (108) 과 도 2 의 척 (102) 과 같은 하부 전 극의 사이에 위치할 수도 있다. 일반적으로, 한정 링들 (116) 은 프로세스 콘트롤을 개선하고 반복성을 보장하도록 에칭 플라즈마 (110) 를 웨이퍼 (104) 위의 영역으로 제한하게 한다. 한정 링들 (116) 은 추가의 플라즈마 확장에 대한 물리적 배리어를 배치하며 웨이퍼 (104) 로부터 소정의 방사상 거리에 위치된다. 그러나, 한정 링들 (116) 의 직경은 변할 수 없기 때문에, 플라즈마 (110) 의 직경 및 그에 따른 그의 단면적은 모든 프로세스들에 대해 거의 고정된 양이다. 따라서, 접지된 전극의 표면적을 RF 전극의 표면적으로 나눔으로써 정의되는, 액티브 전극 면적비는, 정적으로 위치된 한정 링들을 갖는 플라즈마 리액터에 대해 정적이다.
따라서, 조정가능 전극 면적비를 갖는 플라즈마를 제한하기 위한 방법 및 장치가 필요하다. 본 발명의 주 목적은 이 필요들을 해결하고 또한 관련된 이점들을 제공하는 것이다.
발명의 간단한 설명
플라즈마 리액터는 챔버, 하부 전극, 상부 (top) 전극, 한정 링들의 제 1 세트, 한정 링들의 제 2 세트, 및 접지 연장부 (ground extension) 를 포함한다. 상부 및 하부 전극들, 한정 링들의 제 1 및 제 2 세트, 및 접지 연장부는 모두 챔버 내로 내포된다. 한정 링들의 제 1 세트는 하부 전극 및 상부 전극에 실질적으로 평행하고 하부 전극과 상부 전극 사이의 제 1 체적을 에워싼다. 한정 링들의 제 2 세트는 하부 전극 및 상부 전극에 실질적으로 평행하고 하부 전극과 상부 전극 사이의 제 2 체적을 에워싼다. 제 2 체적은 적어도 제 1 체적보다 더 크다. 그라운드 확장은 하부 전극에 근접하며 에워싼다. 한정 링들의 제 1 세트 및 한정 링들의 제 2 세트는 접지 연장부 위의 영역으로 확장하도록 상승되거나 하강되는 것이 가능하다.
도면의 간단한 설명
본 명세서에 포함되고 그 일부를 구성하는 첨부하는 도면들은, 본 발명의 하나 이상의 실시예들을 도시하며, 상세한 설명과 함께, 본 발명의 구현 및 원리를 설명하도록 서빙한다.
도 1 은 종래 기술에 따른 플라즈마 리액터를 개략적으로 도시하는 도면이다;
도 2a 는 일 실시예에 따른 하강된 한정 링들의 내부 세트 및 상승된 한정 링들의 외부 세트를 갖는 플라즈마 리액터를 개략적으로 도시하는 도면이다;
도 2b 는 일 실시예에 따른 상승된 한정 링들의 내부 세트 및 하강된 한정 링들의 외부 세트를 갖는 플라즈마 리액터를 개략적으로 도시하는 도면이다;
도 2c 는 일 실시예에 따른 하강된 한정 링들의 내부 및 외부 세트를 갖는 플라즈마 리액터를 개략적으로 도시하는 도면이다;
도 2d 는 일 실시예에 따른 상승된 한정 링들의 내부 및 외부 세트를 갖는 플라즈마 리액터를 개략적으로 도시하는 도면이다;
도 3 은 도 2a, 도 2b, 도 2c, 및 도 2d 에 도시된 플라즈마 리액터의 동작 방법을 개략적으로 도시하는 흐름도이다.
상세한 설명
본 발명의 실시예들이 조정가능 전극 면적비를 갖는 제한된 플라즈마와 관련하여 여기에서 설명된다. 당업자는 이하의 본 발명의 상세한 설명은 오직 예시적인 것이며 제한적으로는 전혀 의도되지 않음을 이해할 것이다. 본 명세서의 이점을 갖는 본 발명의 다른 실시예들이 당업자들에게 자명하다. 이제, 참조되는 첨부 도면에서 도시되는 바와 같은 본 발명의 구현에 대해 상세히 참조할 것이다. 동일한 참조 표시자들은 도면 및 이하의 상세한 설명을 통해서 동일 또는 유사 부분을 지칭하도록 사용될 것이다.
명확성을 위하여, 여기에 설명된 구현의 모든 통상적인 특징들이 도시되고 설명되지는 않는다. 임의의 이러한 실제 구현의 개발에 있어서, 애플리케이션 및 비지니스-관련 제한에 따른 것과 같이 개발자의 특정 목적을 달성하기 위해 다수의 구현-특정 결정들이 내려질 수 있으며, 이 특정 목적들은 개발자에 따라 하나의 구현에서 다른 구현들로 변할 수 있음이 이해될 것이다. 또한, 이러한 개발 노력은 복잡하고 시간-소비적이지만, 그럼에도 불구하고 본 명세서의 이익을 갖는 당업자들에 대한 엔지니어링의 통상적인 착수일 것임을 알 수 있다.
300 mm 애플리케이션에 대한 제한된 플라즈마의 생성은 에칭 프로세스동안 적용되는 더 높은 RF 전력과 더 높은 가스 유량 때문에 어렵다. 여기에 설명된 장치 및 방법은 300 mm 애플리케이션으로 제한되지 않음을 당업자들은 이해할 수 있을 것이다. 그 장치 빛 방법은 높은 RF 전력 레벨들을 채용하는 높은 가스 흐름 환경에서의 플라즈마 제한을 요구하는 애플리케이션들에 사용되도록 적용될 수도 있다. 본 발명에서, 높은 가스 유량은 약 2000 sccm 의 유량을 지칭하며, 높은 RF 전력 레벨들은 플라즈마 체적 cm3 당 약 2 W 의 전력 레벨들을 지칭한다.
도 2a, 도 2b, 도 2c 및 도 2d 는 챔버 (202), 하부 RF 전극 (204), 상부 접지 전극 (206), 한정 링들의 제 1 (내부) 세트 (208), 한정 링들의 제 2 (외부) 세트, 및 플라즈마 경계들로부터 전하를 배출하는 접지 연장부 (212) 를 포함하는 조정가능 전극 면적비를 갖는 플라즈마 리액터 (200) 의 일 실시예를 도시한다.
플라즈마 리액터 (200) 는 플라즈마 리액터 (200) 에 의해 플라즈마 (214) 로 변환되는 가스 (도시되지 않음) 를 수용하도록 구성된다. 제한이 아닌 예시로서, 챔버 (202) 로 펌핑되는 비교적 높은 가스 유량은 1500 sccm 이다. 1500 sccm 보다 적은 가스 유량뿐만 아니라 1500 sccm 보다 높은 유량이 또한 적용될 수도 있다.
하부 RF 전극 (204) 은 공정대상물 (workpiece; 216) 를 수용하도록 구성되고 공정대상물 (216) 을 수용하도록 적응되는 관련 하부 전극 면적을 갖는다. 하부 RF 전극 (204) 은 적어도 하나의 전원 (218) 에 커플링된다. 전원 (218) 은 하부 전극 (204) 에 전달되는 RF 전력을 생성하도록 구성된다.
상부 접지 전극 (206) 은 하부 RF 전극 (204) 위로 일정 거리에 배치된다. 접지 연장부 (212) 와 함께 상부 접지 전극 (206) 은 하부 RF 전극 (204) 로부터 전달되는 RF 전력에 대한 완전한 전기적 회로를 제공하도록 구성된다. 추가로, 접지 연장부 (212) 와 함께 상부 접지 전극 (206) 은 각각 내부 및 외부 한정 링들 (208 및 210) 의 위치에 기초하여 사이즈가 변화할 수도 있는 그라운드 전극 면적 을 갖는다. 일 위치에서, 접지 전극 면적은 RF 전극 면적보다 더 크다. 다른 위치에서, 그라운드 전극 면적은 RF 전극 면적과 실질적으로 동일하다.
챔버 (202) 내에서 플라즈마 (214) 를 생성하기 위해, 전원 (218) 이 관여되고 RF 전력이 하부 RF 전극 (204) 와 상부 접지 전극 (206) 사이에서 전달된다. 그 후 가스가 공정대상물 (216) 또는 반도체 기판을 프로세싱하는데 사용되는 플라즈마 (214) 로 변환된다. 제한이 아닌 예시로서, 플라즈마 체적 cm3 당 2 W 의 RF 전력 레벨들이 적용될 수도 있다. 플라즈마 체적 cm3 당 2 W 미만의 RF 전력 레벨들이 또한 적용될 수도 있다.
한정 링들의 내부 및 외부 세트들 (각각 208 및 210) 은 상부 전극 면적 및 하부 전극 면적 근처에 배치된다. 한정 링들의 내부 및 외부 세트들 (각각 208 및 210) 은 플라즈마 (214) 를 한정 링들의 두 세트들 (208 또는 210) 에 의해 제한된 체적 내부로 실질적으로 제한하게 하도록 구성된다. 상부 전극 (206) 은 제 1 노치 (notch; 224) 및 제 2 노치 (226) 를 포함하며, 제 1 노치 (224) 는 제 2 노치 (226) 보다 더 큰 방사상 거리를 갖는다. 제 1 및 제 2 노치들 (224 및 226) 은 한정 링들의 제 1 및 제 2 세트 중 어느 하나 (208 및 210) 를 각각 하우징 (house) 한다. 플라즈마 (214) 는 상부 접지 전극 (216) 과 하부 RF 전극 (204) 사이에서 전달되는 RF 전력으로 생성된다.
접지 연장부 (212) 는 하부 RF 전극 (204) 에 근접하고 제 1 유전체 링 (220) 및 제 2 유전체 링 (222) 에 의해 하부 RF 전극 (204) 로부터 분리된다. 제 1 유전체 링 (220) 은 하부 RF 전극 (204) 및 접지 연장부 (212) 를 수용하도록 구성된다. 제 2 유전체 링 (222) 은 하부 RF 전극 (204) 을 접지 연장부 (212) 로부터 분리한다. 제 2 유전체 링 (222) 은 접지 연장부 (212) 및 공정대상물 (216) 와 동일 평면에 위치한다. 접지 연장부 (212) 는 플라즈마 경계들로부터 RF 전류를 배출하고 RF 접지된 표면을 포함한다. 예로써, 접지 연장부 (212) 는 알루미늄과 같은 도전성 재료로 제조될 수도 있다. 제 1 및 제 2 유전체 링들 (220 및 222) 은 모두 석영으로 제조될 수도 있다.
예시적인 목적에서, 도 2a 및 도 2b 에서 설명된 플라즈마 리액터 (200) 는 프로세싱 챔버 (202) 에서 플라즈마 (214) 를 생성하도록 용량성 커플링을 채용한다. 당업자는 본 장치 및 방법이 유도성 (inductive) 으로 커플링된 플라즈마에 사용되도록 적용될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
추가로, 오직 예시적인 목적에서, 듀얼 주파수 전원 (218) 은 플라즈마 (214) 를 생성하도록 가스에 인가되는 높은 전위를 생성하도록 사용될 수도 있다. 더욱 상세하게는, 도시된 전원 (218) 은 Lam Researgh 사에 의해 제조된 에칭 시스템들에 포함되는 2 MHz 및 27 MHz 에서 동작하는 듀얼 주파수 전원이다. 당업자는 프로세싱 챔버 (202) 에서의 플라즈마의 생성이 가능한 다른 전원들이 또한 채용될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 당업자는 본 발명이 2 MHz 및 27 MHz 의 RF 주파수들로 제한되지 않으며 넓은 범위의 주파수들로 적용가능할 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 발명은 또한 듀얼 주파수 전원으로 제한되지 않으며 더 다양한 주파수들을 갖는 3 개 이상의 RF 전력 소스들을 갖는 시스템들에 또한 적용될 수도 있다.
한정 링들의 제 1 세트 (내부; 208) 는 하부 RF 전극 (204) 및 상부 접지 전극 (206) 과 실질적으로 평행하고, 한정 링들의 제 1 세트 (내부; 208) 가 하강되고 한정 링들의 제 2 세트 (외부; 210) 가 상승된 경우 하부 RF 전극 (204) 과 상부 접지 전극 (206) 사이의 (플라즈마 (214) 를 에워싸는) 제 1 체적을 에워싼다. 노치 (224) 는 상승된 경우 한정 링들의 제 1 세트 (208) 를 하우징한다.
한정 링들의 제 2 세트 (외부; 210) 는 하부 RF 전극 (204) 및 상부 접지 전극 (206) 과 실질적으로 평행하고, 한정 링들의 제 2 세트 (외부; 210) 가 하강되고 한정 링들의 제 1 세트 (내부; 208) 가 상승된 경우 하부 RF 전극 (204) 과 상부 접지 전극 (206) 사이의 제 2 체적을 에워싼다. 노치 (226) 는 상승된 경우 한정 링들의 제 2 세트 (208) 를 하우징한다.
제 2 세트 (210) 가 하강된 경우 정의되는 제 2 체적은, 제 1 세트 (208) 가 하강된 경우 정의되는 제 1 체적보다는 적어도 더 크다. 도 2b 에서의 플라즈마 (214) 의 체적은 도 2a 에서의 플라즈마 (214) 의 체적보다 더 크다. 한정 링들의 제 2 세트 (외부; 210) 의 직경은 한정 링들의 제 1 세트 (내부; 208) 의 직경보다 적어도 더 크다. 한정 링들의 각각의 세트는 또한 개별 링들의 서스펜딩된 (suspended) 조립식 스택을 포함할 수도 있다. 개별 링 사이의 갭은 조정가능할 수도 있다. 예시적인 목적에서, 도 2a 및 도 2b 는 4 개의 평행 링들을 갖는 한정 링들의 각각의 세트를 도시한다. 예로써, 한정 링들의 두 세트들 (208 및 210) 모두는 석영으로 제조될 수도 있다.
한정 링들의 세트들 (208 및 210) 각각은 접지 연장부 (212) 위의 영역으로 확장하도록 상승되거나 하강되는 것이 가능하다. 한정 링들의 제 1 세트 (208) 는 도 2a 에 도시된 바와 같이 한정 링들의 제 2 세트 (210) 가 상승된 경우 하강될 수도 있다. 한정 링들의 제 1 세트 (208) 는 도 2b 에 도시된 바와 같이 한정 링들의 제 2 세트 (210) 가 하강된 경우 상승될 수도 있다. 한정 링들의 제 1 및 제 2 세트 (208 및 210) 양자는 도 2c 에 도시된 바와 같이 하강될 수도 있다. 한정 링들의 제 1 및 제 2 세트 (208 및 210) 양자는 도 2d 에 도시된 바와 같이 상승될 수도 있다. 당업자는 한정 링들의 세트들을 하강 또는 상승시키는 다수의 방식들이 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들면, 기계적 또는 운동력화된 (motorized) 노브 (knob) 가 챔버 (202) 내부를 개방하고 액세스함이 없이 한정 링들을 상승 또는 하강시키도록 사용될 수도 있다.
도 2a 에 도시된 구성에서, 플라즈마 (214) 는 공정대상물 (216) 의 단면과 유사한 단면으로 제한된다. 접지된 상부 전극 면적은 RF 하부 전극 면적과 거의 동일하여 전극 면적비가 1 에 가까운 결과를 도출한다. 결과적으로, 공정대상물 (216) 에서의 바이어스 전압 및 이온 에너지는 매우 낮다. 도 2a 에서 도시된 한정 링들 (208 및 210) 의 구성은 스트립 (Strip) 또는 배리어 개방과 같은 손상-민감형 프로세스들에 대한 특정 사용일 수 있다.
도 2b 에 도시된 구성에서, 플라즈마 (214) 는 외측으로 훨씬 더 확장될 수 있다. 도 2b 에 도시된 접지된 상부 접지 전극 (206) 에 대한 유효 표면적은 도 2a 에 도시된 상부 접지 전극 (206) 에 대한 유효 표면적보다 실질적으로 더 크 다. 추가로, 접지 연장부 (212) 는 이제 플라즈마 (214) 와 접촉하여 전극 면적을 효과적으로 더욱 증가시킨다. 상부 접지 전극 (206) 및 하부 RF 전극 (204) 간의 전극 면적비는 도 2a 에서 도 2b 로 증가되었다. 이 증가된 면적비는 하부 RF 전극 (204) 상에서 증가된 바이어스 전압을 도출하고, 상부 접지 전극 (206) 및 외부 한정 링들 (210) 상에서 감소된 바이어스 전압을 도출한다. 도 2b 에 도시된 한정 링들 (208 및 210) 의 구성은 에칭을 위해 높은 이온 에너지들을 요구하는 비아 (Via) 또는 HARC (High Aspect Ratio Contacts) 에 대한 특정 사용이 될 것이다.
도 2c 에 도시된 구성에서, 플라즈마 (214) 는, 한정 링들 (208 및 210) 양자가 하강되어 플라즈마 (214) 에 대한 더블 레이어 베리어를 제공하기 때문에, 공정대상물 (216) 의 단면에 유사한 단면으로 제한된다. 그라운드된 상부 전극 면적은 하부 RF 전극 면적에 거의 동일하여 전극 면적비가 1 에 가까운 결과를 도출한다. 결과적으로, 공정대상물 (216) 에서의 바이어스 전압 및 이온 에너지는 매우 낮다. 도 2c 에 도시된 한정 링들 (208 및 210) 의 구성은 또한 스트립 또는 배리어 개방과 같은 손상-민감형 프로세스들에 대한 특정 사용일 수 있다.
도 2d 에 도시된 구성에서, 플라즈마 (214) 는, 한정 링들 (208 및 210) 양자가 상승되므로, 내부 및 외부 한정 링들 (208 및 210) 을 지나서 확장될 수 있다. 도 2d 에 도시된 상부 접지 전극 (206) 의 유효 표면적은 도 2a, 도 2b, 및 도 2c 에 도시된 상부 접지 전극 (206) 에 대한 유효 표면적보다 실질적으로 더 크다. 추가로, 접지 연장부 (212) 는 이제 플라즈마 (214) 와 접촉하며 전극 면적을 효과적으로 더욱 증가시킨다. 상부 접지 전극 (206) 과 하부 RF 전극 (204) 간의 전극 면적비는 도 2a, 도 2b, 도 2c 에서 도 2d 로 증가되었다. 이 증가된 전극 면적비는 하부 RF 전극 (204) 상에서 증가된 바이어스 전압을 도출하고, 상부 접지 전극 (206) 상에서 감소된 바이어스 전압을 도출한다. 도 2d 에 도시된 내부 및 외부 한정 링들 (208 및 210) 의 구성은 또한 에칭을 위해 높은 이온 에너지를 요구하는 비아 및 HARC 에 대한 특정 사용일 수 있다.
당업자는 도 2a, 도 2b, 도 2c 및 도 2d 에 도시된 상기 구성들은 제한적인 의도가 아니며 다른 구성들이 여기에 개시된 발명적 컨셉들로부터 벗어나지 않고 사용될 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 적어도 2 개 이상의 한정 링들의 세트들이 위치되어 전극 면적비를 더 콘트롤할 수도 있다.
도 3 은 도 2a, 도 2b, 도 2c 및 도 2d 에 도시된 플라즈마 리액터를 사용하는 방법을 도시한다. 302 에서, 각각의 한정 링들의 내부 및 외부 세트에 대한 (상승 또는 하강된) 위치가 선택된다. 한정 링들의 내부 및 외부 세트들은 접지 연장부 상의 영역으로 확장되도록 상승 또는 하강되는 것이 가능하다. 한정 링들의 내부 세트는 한정 링들의 제 2 세트가 상승된 경우 하강되도록 구성될 수도 있으며, 반대의 경우에도 마찬가지이다. 304 에서, 하강된 한정 링들의 세트 (내부, 외부, 또는 어떤 것도 아닌) 의 각각의 한정 링 간의 갭이 또한 조정될 수도 있다. 한정 링들의 세트 양자는 또한 도 2c 및 도 2d 에 도시된 바와 같이 동시에 하강 또는 상승될 수도 있다.
본 발명의 실시예들 및 애플리케이션들이 도시되고 설명되었지만, 여기에서 의 발명적 컨셉들에서 벗어남이 없이 본 명세서의 이점을 갖는 상술된 것보다 더욱 많은 변형예가 가능함이 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구항들의 사상 이외로 제한되지 않는다.

Claims (31)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내로 내포되는 하부 전극 및 상부 전극으로서, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극은 수직 거리만큼 이격되어 있고, 상기 상부 전극은 제 1 노치 및 제 2 노치를 포함하며, 상기 상부 전극은 상기 제 1 노치와 상기 제 2 노치 사이에 배치된 상부 전극 부분을 더 포함하는, 상기 하부 전극 및 상부 전극;
    상기 상부 전극 부분에 의해 에워싸이는 한정 링들의 제 1 세트로서, 상기 한정 링들의 제 1 세트는 제 1 복수의 한정 링들을 포함하고, 상기 제 1 복수의 한정 링들의 모든 한정 링들은 상기 제 1 노치 내부에 배치되고, 상기 한정 링들의 제 1 세트는, 상기 한정 링들의 제 1 세트의 세트가 상기 한정 링들의 제 1 세트의 하강 위치에 있을 때 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 제 1 체적을 에워싸는, 상기 한정 링들의 제 1 세트; 및
    상기 상부 전극 부분을 에워싸는 한정 링들의 제 2 세트로서, 상기 한정 링들의 제 2 세트는 제 2 복수의 한정 링들을 포함하고, 상기 제 2 복수의 한정 링들의 모든 한정 링들은 상기 제 2 노치 내부에 배치되고, 상기 한정 링들의 제 2 세트는, 상기 한정 링들의 제 2 세트가 상기 한정 링들의 제 2 세트의 하강 위치에 있을 때 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 제 2 체적을 에워싸는, 상기 한정 링들의 제 2 세트를 포함하는, 플라즈마 리액터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 세트가 상기 한정 링들의 제 1 세트의 상승 위치에 있을 때 상기 한정 링들의 제 1 세트의 적어도 2 개의 한정 링들이 상기 제 1 노치 내부에 배치되도록, 상기 제 1 노치의 체적은 상기 한정 링들의 제 1 세트의 체적보다 더 큰, 플라즈마 리액터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 세트는 상기 한정 링들의 제 2 세트가 상승된 경우에 상승되도록 구성되고, 상기 한정 링들의 제 1 세트는 상기 한정 링들의 제 2 세트가 하강된 경우에 하강되도록 구성되는, 플라즈마 리액터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 세트 및 상기 한정 링들의 제 2 세트는 서스펜딩되는, 플라즈마 리액터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 세트는 각각의 한정 링 간에 조정가능 갭을 포함하는, 플라즈마 리액터.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 2 세트는 각각의 한정 링 간에 조정가능 갭을 포함하는, 플라즈마 리액터.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 세트는 액티브 전극 면적비가 1 에 가깝도록 위치되는, 플라즈마 리액터.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 2 세트는 액티브 전극 면적비가 1 보다 더 크도록 위치되는, 플라즈마 리액터.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 전극에 커플링된 전원을 더 포함하며, 상기 하부 전극은 공정대상물을 수용하도록 구성되는, 플라즈마 리액터.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전원은 상기 하부 전극에 대한 복수의 주파수들을 생성하는, 플라즈마 리액터.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전극은 수평 방향으로 상기 한정 링들의 제 2 세트 너머로 연장되는, 플라즈마 리액터.
  12. 제 1 항에 있어서,
    접지 연장부를 더 포함하고, 상기 접지 연장부는 유전체 링과 접촉하고, 상기 유전체 링은 다시 상기 하부 전극과 접촉하며, 상기 접지 연장부는 상기 상부 전극에 전기적으로 접속되고 액티브 전극 면적비에 포함되는, 플라즈마 리액터.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 전극과 접촉하고 상기 하부 전극을 에워싸는 유전체 링을 더 포함하는, 플라즈마 리액터.
  14. 챔버;
    상기 챔버 내로 내포되는 하부 전극 및 상부 전극으로서, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극은 수직 거리만큼 이격되어 있고, 상기 상부 전극은 제 1 노치 및 제 2 노치를 포함하며, 상기 상부 전극은 상기 제 1 노치와 상기 제 2 노치 사이에 배치된 상부 전극 부분을 더 포함하는, 상기 하부 전극 및 상부 전극;
    제 1 직경을 갖는 한정 링들의 제 1 세트로서, 상기 한정 링들의 제 1 세트는 상기 상부 전극 부분에 의해 에워싸이고, 상기 한정 링들의 제 1 세트는 제 1 복수의 한정 링들을 포함하고, 상기 제 1 복수의 한정 링들의 모든 한정 링들은 상기 제 1 노치 내부에 배치되고, 상기 한정 링들의 제 1 세트는, 상기 한정 링들의 제 1 세트가 상기 한정 링들의 제 1 세트의 하강 위치에 있을 때 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 제 1 체적을 에워싸는, 상기 한정 링들의 제 1 세트; 및
    제 2 직경을 갖는 한정 링들의 제 2 세트로서, 상기 제 2 직경은 상기 제 1 직경보다 더 크고, 상기 한정 링들의 제 2 세트는 상기 상부 전극 부분을 에워싸며, 상기 한정 링들의 제 2 세트는 제 2 복수의 한정 링들을 포함하고, 상기 제 2 복수의 한정 링들의 모든 한정 링들은 상기 제 2 노치 내부에 배치되며, 상기 한정 링들의 제 2 세트는, 상기 한정 링들의 제 2 세트가 상기 한정 링들의 제 2 세트의 하강 위치에 있을 때 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 제 2 체적을 에워싸는, 상기 한정 링들의 제 2 세트를 포함하는, 플라즈마 리액터.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 세트는 상기 한정 링들의 제 2 세트가 상승된 경우에 하강되도록 구성되고, 상기 한정 링들의 제 1 세트는 상기 한정 링들의 제 2 세트가 하강된 경우에 상승되도록 구성되는, 플라즈마 리액터.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 세트가 상기 한정 링들의 제 1 세트의 상승 위치에 있고 상기 한정 링들의 제 2 세트가 상기 한정 링들의 제 2 세트의 상승 위치에 있을 때, 상기 상부 전극 부분은 상기 한정 링들의 제 1 세트와 상기 한정 링들의 제 2 세트 사이에 배치되는, 플라즈마 리액터.
  17. 플라즈마 리액터로서,
    챔버;
    상기 챔버 내로 내포되는 하부 전극 및 상부 전극으로서, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극은 수직 거리만큼 이격되어 있고, 상기 상부 전극은 제 1 노치 및 제 2 노치를 포함하며, 상기 상부 전극은 상기 제 1 노치와 상기 제 2 노치 사이에 배치된 상부 전극 부분을 더 포함하는, 상기 하부 전극 및 상부 전극;
    상기 상부 전극 부분에 의해 에워싸이는 한정 링들의 제 1 세트로서, 상기 한정 링들의 제 1 세트는 제 1 복수의 한정 링들을 포함하고, 상기 제 1 복수의 한정 링들의 모든 한정 링들은 상기 제 1 노치 내부에 배치되고, 상기 한정 링들의 제 1 세트는, 상기 한정 링들의 제 1 세트의 세트가 상기 한정 링들의 제 1 세트의 하강 위치에 있을 때 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 제 1 체적을 에워싸는, 상기 한정 링들의 제 1 세트; 및
    상기 상부 전극 부분을 에워싸는 한정 링들의 제 2 세트로서, 상기 한정 링들의 제 2 세트는 제 2 복수의 한정 링들을 포함하고, 상기 제 2 복수의 한정 링들의 모든 한정 링들은 상기 제 2 노치 내부에 배치되고, 상기 한정 링들의 제 2 세트는, 상기 한정 링들의 제 2 세트가 상기 한정 링들의 제 2 세트의 하강 위치에 있을 때 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 제 2 체적을 에워싸는, 상기 한정 링들의 제 2 세트를 포함하며,
    상기 한정 링들의 제 1 세트 및 상기 한정 링들의 제 2 세트는 동심인, 플라즈마 리액터.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 세트는 상기 한정 링들의 제 2 세트가 상승된 경우에 하강되도록 구성되고, 상기 한정 링들의 제 1 세트는 상기 한정 링들의 제 2 세트가 하강된 경우에 상승되도록 구성되는, 플라즈마 리액터.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 적어도 2 개의 동심 세트가 함께 상승 및 하강되도록 구성되는, 플라즈마 리액터.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 및 제 2 세트 양자 바로 아래에 연장부가 위치되는, 플라즈마 리액터.
  21. 플라즈마 리액터로서,
    챔버;
    상기 챔버 내로 내포되는 하부 전극 및 상부 전극으로서, 상기 상부 전극은 접지되고 상기 하부 전극은 전력 소스에 의해 전력이 공급되며, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극은 수직 거리만큼 이격되고, 상기 상부 전극은 제 1 노치 및 제 2 노치를 포함하고, 상기 상부 전극은 상기 제 1 노치와 상기 제 2 노치 사이에 배치된 상부 전극 부분을 더 포함하는, 상기 하부 전극 및 상부 전극;
    접지 연장부로서, 상기 접지 연장부는 유전체 링과 접촉하고, 상기 유전체 링은 다시 상기 하부 전극과 접촉하고 상기 하부 전극을 에워싸는, 상기 접지 연장부;
    상기 상부 전극 부분에 의해 에워싸이는 한정 링들의 제 1 세트로서, 상기 한정 링들의 제 1 세트는 제 1 복수의 한정 링들을 포함하고, 상기 제 1 복수의 한정 링들의 모든 한정 링들은 상기 제 1 노치 내부에 배치되는, 상기 한정 링들의 제 1 세트; 및
    상기 상부 전극 부분을 에워싸는 한정 링들의 제 2 세트로서, 상기 한정 링들의 제 2 세트는 제 2 복수의 한정 링들을 포함하고, 상기 제 2 복수의 한정 링들의 모든 한정 링들은 상기 제 2 노치 내부에 배치되는, 상기 한정 링들의 제 2 세트를 포함하고,
    상기 한정 링들의 제 1 세트 및 상기 한정 링들의 제 2 세트의 위치들은 상기 상부 전극에 대한 복수의 바이어스-영향 유효 표면적들을 발생시키도록 조정가능한, 플라즈마 리액터.
  22. 제 21 항에 있어서,
    하강 위치에 있을 때 상기 한정 링들의 제 1 세트는 제 1 체적 내에 플라즈마를 한정하고 상기 한정 링들의 제 2 세트는 제 2 체적 내에 플라즈마를 한정하는, 플라즈마 리액터.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 한정 링들의 제 1 세트 전체 아래에 접지 연장부가 위치되는, 플라즈마 리액터.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7430986B2 (en) * 2005-03-18 2008-10-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
US7943007B2 (en) * 2007-01-26 2011-05-17 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher
US8398778B2 (en) 2007-01-26 2013-03-19 Lam Research Corporation Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter
US7824519B2 (en) * 2007-05-18 2010-11-02 Lam Research Corporation Variable volume plasma processing chamber and associated methods
US8522715B2 (en) * 2008-01-08 2013-09-03 Lam Research Corporation Methods and apparatus for a wide conductance kit
JP5264231B2 (ja) * 2008-03-21 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
JP5350043B2 (ja) * 2009-03-31 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9337004B2 (en) * 2009-04-06 2016-05-10 Lam Research Corporation Grounded confinement ring having large surface area
EP2360292B1 (en) * 2010-02-08 2012-03-28 Roth & Rau AG Parallel plate reactor for uniform thin film deposition with reduced tool foot-print
JP5782226B2 (ja) * 2010-03-24 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5781808B2 (ja) * 2010-03-31 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR20110113066A (ko) 2010-04-08 2011-10-14 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 플라즈마 처리 방법
US20120083129A1 (en) 2010-10-05 2012-04-05 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for focusing plasma
US9478428B2 (en) 2010-10-05 2016-10-25 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for shielding a plasma etcher electrode
SG10201604037TA (en) * 2011-11-24 2016-07-28 Lam Res Corp Symmetric rf return path liner
JP5808012B2 (ja) * 2011-12-27 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9679751B2 (en) 2012-03-15 2017-06-13 Lam Research Corporation Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching
JP5937921B2 (ja) 2012-08-09 2016-06-22 株式会社ブリヂストン 路面状態判別方法とその装置
WO2014036147A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Jh Quantum Technology, Inc. System and method for plasma generation
US10008367B2 (en) * 2013-06-26 2018-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gas diffuser unit, process chamber and wafer processing method
JP2016051876A (ja) * 2014-09-02 2016-04-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US10358721B2 (en) * 2015-10-22 2019-07-23 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus
CN108470670B (zh) * 2018-02-26 2020-07-24 德淮半导体有限公司 刻蚀电极和边缘刻蚀装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5660673A (en) * 1993-08-31 1997-08-26 Nec Corporation Apparatus for dry etching
US6433484B1 (en) * 2000-08-11 2002-08-13 Lam Research Corporation Wafer area pressure control
US20030151371A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power Density conditions

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4392932A (en) 1981-11-12 1983-07-12 Varian Associates, Inc. Method for obtaining uniform etch by modulating bias on extension member around radio frequency etch table
JPS60187911A (ja) 1984-03-05 1985-09-25 Sony Corp 磁気ヘツド装置
US4632719A (en) 1985-09-18 1986-12-30 Varian Associates, Inc. Semiconductor etching apparatus with magnetic array and vertical shield
DE3835153A1 (de) 1988-10-15 1990-04-26 Leybold Ag Vorrichtung zum aetzen von substraten durch eine glimmentladung
US5089083A (en) 1989-04-25 1992-02-18 Tokyo Electron Limited Plasma etching method
US5292399A (en) 1990-04-19 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Plasma etching apparatus with conductive means for inhibiting arcing
US5463525A (en) 1993-12-20 1995-10-31 International Business Machines Corporation Guard ring electrostatic chuck
US5573596A (en) 1994-01-28 1996-11-12 Applied Materials, Inc. Arc suppression in a plasma processing system
US5534751A (en) 1995-07-10 1996-07-09 Lam Research Corporation Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement
US5534752A (en) 1995-07-26 1996-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Shutter linkage for an ion implantation apparatus
US5942042A (en) 1997-05-23 1999-08-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved power coupling through a workpiece in a semiconductor wafer processing system
US6008130A (en) 1997-08-14 1999-12-28 Vlsi Technology, Inc. Polymer adhesive plasma confinement ring
US6074488A (en) 1997-09-16 2000-06-13 Applied Materials, Inc Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring
WO1999014788A1 (en) 1997-09-16 1999-03-25 Applied Materials, Inc. Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US6019060A (en) 1998-06-24 2000-02-01 Lam Research Corporation Cam-based arrangement for positioning confinement rings in a plasma processing chamber
US5998932A (en) 1998-06-26 1999-12-07 Lam Research Corporation Focus ring arrangement for substantially eliminating unconfined plasma in a plasma processing chamber
US6178919B1 (en) 1998-12-28 2001-01-30 Lam Research Corporation Perforated plasma confinement ring in plasma reactors
NL1013954C2 (nl) * 1999-12-24 2001-06-29 Xycarb Ceramics B V Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrode voor een plasmareactor en een dergelijke elektrode.
US6492774B1 (en) 2000-10-04 2002-12-10 Lam Research Corporation Wafer area pressure control for plasma confinement
US6974523B2 (en) * 2001-05-16 2005-12-13 Lam Research Corporation Hollow anode plasma reactor and method
US6527911B1 (en) 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
US6770166B1 (en) * 2001-06-29 2004-08-03 Lam Research Corp. Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor
US6887340B2 (en) 2001-11-13 2005-05-03 Lam Research Corporation Etch rate uniformity
US6841943B2 (en) * 2002-06-27 2005-01-11 Lam Research Corp. Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies
KR20040107983A (ko) * 2003-06-16 2004-12-23 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
KR100539266B1 (ko) * 2004-06-02 2005-12-27 삼성전자주식회사 호 절편 형태의 한정부를 가지는 플라즈마 공정 장비
KR20060005560A (ko) * 2004-07-13 2006-01-18 삼성전자주식회사 플라즈마를 이용하는 반도체 소자 제조 장비
KR100790392B1 (ko) * 2004-11-12 2008-01-02 삼성전자주식회사 반도체 제조장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5660673A (en) * 1993-08-31 1997-08-26 Nec Corporation Apparatus for dry etching
US6433484B1 (en) * 2000-08-11 2002-08-13 Lam Research Corporation Wafer area pressure control
US20030151371A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power Density conditions

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