TWI703632B - 電漿處理裝置及電漿處理方法 - Google Patents

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山本浩一
安井尚輝
池田紀彥
森功
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Abstract

[課題] 提供使樣品的處理的均勻性提升的電漿處理裝置及電漿處理方法。 　　[解決手段] 一種電漿處理裝置，具備處理室、被設置於此處理室的內部而載置樣品的被電性分割為複數個區域的樣品台、對處理室的內部導入電磁波的電磁波導入部、對樣品台施加偏壓電力的偏壓電力施加部；偏壓電力施加部，係構成為具備對樣品台的被電性分割為複數個的區域之中的第1區域施加第1高頻電力的第1高頻電力施加部、對樣品台的被電性分割為複數個的區域之中的第2區域施加第2高頻電力的第2高頻電力施加部、控制第1高頻電力施加部與第2高頻電力施加部而使第1高頻電力與第2高頻電力的相位偏差既定的量的相位調整部。

Description

電漿處理裝置及電漿處理方法
[0001] 本發明，係有關一種電漿處理裝置及電漿處理方法，利用具備真空容器內部的處理室與樣品台的電漿處理裝置，一面在處理室內形成電漿，一面對配置於樣品台的內部的電極供應高頻電力而實施樣品的處理，該樣品台係配置於該處理室內側，且半導體晶圓等的基板狀的樣品被載置於其上表面上。
[0002] 在以予以產生於處理室內的電漿就半導體元件等的樣品進行加工的電漿蝕刻裝置方面，如記載於例如專利文獻1及2，已知一種方法，利用形成為同心圓狀的複數個基板電極，在予以產生電漿的狀態下對基板電極施加高頻偏壓電力從而就微細圖案高精度地實施蝕刻處理。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0003] 　　[專利文獻1]日本專利特開2007-67037號公報 　　[專利文獻2]日本專利特開2004-22822號公報
[發明所欲解決之問題] 　　[0004] 於專利文獻1已記載：於一種電漿處理裝置，利用作為被同心圓狀地2分割的電極的樣品台就樣品進行加工，就對於作為電極的樣品台之中心側的樣品台區塊與外周側的樣品台區塊從2個高頻偏壓電源施加的RF偏壓電力分別獨立進行控制。 　　[0005] 此外，於專利文獻2已記載如下構成：於一種電漿處理裝置，利用被同心圓狀地2分割為中心側的內側載台與外周側的外側載台的電極台而就樣品進行加工，使對於電極台的內側載台與外側載台從2個高頻偏壓電源所供應的個別的高頻電力的相位為相同而施加。使個別的高頻電力的相位為相同而施加，使得透過使內側載台與外側載台的個別的電力產生差異，從而可於電極台使施加於樣品的高頻電力的峰對峰電壓(以下，稱為VPP )在內側載台與外側載台產生差異。 　　[0006] 然而，使來自2個高頻偏壓電源的電力施加於樣品時存在如下的2個課題。 　　[0007] 首先，如記載於專利文獻2，將2個高頻偏壓電源的輸出供應至電極台的內側載台與外側載台，使施加於樣品的VPP 在中心側與外周側產生差異時，來自個別的高頻偏壓電源的輸出的相位相同的情況下，需要使2個高頻偏壓電源的輸出差變大，產生在其中一個高頻偏壓電源方面需要額定輸出大的高頻偏壓電源的問題。 　　[0008] 此外，透過來自外部的相位控制裝置而使2個高頻偏壓電源的輸出為相同的情況下，在個別的偏壓電源內部的相位的繞轉方式方面存在機差時，產生實際施加於電極台的內側載台與外側載台的高頻電力仍不會成為相同相位如此的問題。 　　[0009] 此外，在揭露於專利文獻1的構成方面，係電流在個別的被分割的中心側的樣品台區塊與外周側的樣品台區塊的電極間流通而成為電壓差的起因的電極間電路不足，因而產生無法在電極間使VPP 產生充分的差如此的問題。 　　[0010] 本發明，係提供一種電漿處理裝置及電漿處理方法，可解決上述之先前技術的課題，而使樣品的處理的均勻性提升，抑制成本。 [解決問題之技術手段] 　　[0011] 為了解決上述的課題，在本發明，係一種電漿處理裝置，具備樣品被電漿處理的處理室、供應供於生成電漿用的高頻電力的高頻電源、具有被電性分割的第1區域與第2區域並載置樣品的樣品台、對第1區域供應第1高頻電力的第1高頻電源、對第2區域供應第2高頻電力的第2高頻電源、就屬第1高頻電力的相位與第2高頻電力的相位的差之相位差進行控制的控制裝置，進一步具備第1高頻電源被供應至第1區域的第1傳送線路與第2高頻電源被供應至第2區域的第2傳送線路之間的電極間電路部，電極間電路部的其中一個連接部連接於樣品台與第1高頻電源的整合器之間，電極間電路部的另一個連接部連接於樣品台與第2高頻電源的整合器之間，控制裝置係構成為以屬施加於第1區域的高頻電壓的峰對峰電壓與施加於第2區域的高頻電壓的峰對峰電壓的差之電壓差成為既定的值的方式控制相位差。 　　[0012] 此外，為了解決上述的課題，在本發明，係一種電漿處理方法，採用一電漿處理裝置，該電漿處理裝置係具備樣品被電漿處理的處理室、供應供於生成電漿用的高頻電力的高頻電源、具有被電性分割的第1區域與第2區域並載置樣品的樣品台、對第1區域供應第1高頻電力的第1高頻電源、對第2區域供應第2高頻電力的第2高頻電源、就屬第1高頻電力的相位與第2高頻電力的相位的差的相位差進行控制的控制裝置、第1高頻電源被供應至第1區域的第1傳送線路與第2高頻電源被供應至第2區域的第2傳送線路之間的電極間電路部，電極間電路部的其中一個連接部連接於樣品台與第1高頻電源的整合器之間，電極間電路部的另一方的連接部連接於樣品台與第2高頻電源的整合器之間，以屬施加於第1區域的高頻電壓的峰對峰電壓與施加於第2區域的高頻電壓的峰對峰電壓的差之電壓差成為既定的值的方式控制前述相位差。 [對照先前技術之功效] 　　[0013] 依本發明時，可利用相較下小的額定輸出的高頻偏壓電源而改善在晶圓之中心部至外周部方面的蝕刻率的均勻性，可抑制電漿處理裝置的裝置成本。
[0015] 本發明，係有關一種電漿處理裝置及電漿處理方法，能以相較下便宜的構成使樣品的處理的均勻性提升。 　　[0016] 在本發明，係構成為在對於內側電極與外側電極(構成載置樣品的樣品台者)分別施加高頻電力的高頻電力施加電路間設置電極間電路，可進一步控制分別施加於內側電極與外側電極的高頻電力的相位差。 　　[0017] 藉此，即使不使用額定輸出大的高頻電源仍可透過控制施加於內側電極與外側電極的高頻電力的相位差從而控制內側電極與外側電極的VPP 的差。 　　[0018] 結果，在本發明，係可控制載置於樣品台的晶圓的面內的VPP 分布，可利用較小的額定輸出的高頻偏壓電源而改善在晶圓之中心部至外周部方面的蝕刻率的均勻性。 　　[0019] 於以下，就本發明的實施例，利用圖進行說明。 [實施例1] 　　[0020] 就本發明的第1方式，使用圖1至圖3進行說明。 　　圖1，係作為本實施例相關的電漿處理裝置之例，為就ECR(Electron Cyclotron Resonance：電子迴旋諧振)方式的微波電漿蝕刻裝置(以下，記載為蝕刻裝置)100的縱剖面的概略的構成進行繪示的圖。 　　[0021] 本實施例相關的蝕刻裝置100，係具備：真空容器101、作為電漿生成用高頻電源的電磁波產生用電源103、導波管104、磁場產生線圈105、樣品載置用電極107、高頻偏壓電力施加電路部120及控制整體的控制部150。 　　[0022] 在真空容器101之上部係設置介電體窗108，透過將內部密封從而形成處理室102。於處理室102係連接氣體供應裝置(圖式省略)，用於流放使用於作為樣品的晶圓10的蝕刻處理的蝕刻氣體。此外，於真空容器101係經由排氣用開閉閥109而連接真空排氣裝置(圖式省略)。 　　[0023] 處理室102內係使排氣用開閉閥109為開，驅動真空排氣裝置藉以減壓而成為真空狀態。蝕刻氣體，係從未圖示的氣體供應裝置導入至處理室102內，透過未圖示的真空排氣裝置進行排氣。 　　[0024] 作為樣品台的樣品載置用電極107，係在處理室102的內部，與介電體窗108相向而設於真空容器101的下部。 　　[0025] 以作為電漿生成用高頻電源的電磁波產生用電源103而發出的電磁波，係往導波管104傳送。導波管104，係將電磁波從形成於真空容器101之上部的開口部106傳送至真空容器101的內部。傳送至真空容器101的內部的電磁波，係穿過介電體窗108而供應至處理室102的內部。另外，本實施例的效果，係雖未特別於電磁波的頻率方面有所限定，惟在本實施例係使用2.45GHz的微波。 　　[0026] 磁場產生線圈105，係在真空容器101的處理室102之上部，於介電體窗108的附近，形成對於從開口部106所傳送的電磁波成立ECR條件下的強度的磁場。 　　[0027] 透過電磁波產生用電源103而發出的電磁波，係由於與透過磁場產生線圈105形成於介電體窗108的附近的如滿足ECR條件的強度的磁場的相互作用，從而在處理室102內生成高密度電漿。透過此所生成的高密度電漿，從而對配置於樣品載置用電極107上的作為樣品的晶圓10實施蝕刻處理。 　　[0028] 樣品載置用電極107、磁場產生線圈105、排氣用開閉閥109及載置於樣品載置用電極107的晶圓10，係相對於處理室102之中心軸上而同軸配置，故蝕刻氣體的流動、透過電漿而生成的自由基及離子、再者因蝕刻而生成的反應生成物，係相對於晶圓10被同軸地導入、排出。此同軸配置係使蝕刻率、蝕刻形狀的晶圓面內均勻性接近軸對稱，具有使晶圓處理均勻性提升的效果。 　　[0029] 於樣品載置用電極107，係具有在介電體膜(圖式省略)的內部配置於中心側的屬膜狀的電極的中心側電極114、被配置於其外周側並環狀地形成的屬膜狀的電極的外周側電極115。此等被施加高頻電力的中心側電極114與外周側電極115，係與載置於樣品載置用電極107的晶圓10電性連接。 　　[0030] 中心側電極114，係經由第一匹配電路122而連接高頻偏壓電力施加電路部120的第一高頻偏壓電源121。經由第一匹配電路122從第一高頻偏壓電源121對中心側電極114施加高頻電力，使得形成一電場，該電場係用於將離子引至載置於樣品載置用電極107的晶圓10之中心部。 　　[0031] 於外周側電極115，係經由第二匹配電路124而連接高頻偏壓電力施加電路部120的第二高頻偏壓電源123。經由第二匹配電路124從第二高頻偏壓電源123對外周側電極115施加高頻電力，使得形成一電場，該電場係用於將離子引至載置於樣品載置用電極107的晶圓10之外周部。 　　[0032] 此外，施加高頻電力之下的中心側電極114與外周側電極115之間，係以電極間電路130而連接。透過此電極間電路130，使得電流流於中心側電極114與外周側電極115之間，在中心側電極114與外周側電極115之間產生電位差。在本實施例，係作為此電極間電路130，使用線圈，作成對於高頻電力形成電感。 　　[0033] 在本實施例，係如此般，構成為透過設置電極間電路130從而界定流於內側電極與外側電極之間的電流，就分別施加於內側電極與外側電極的高頻電力的相位差進行控制從而可控制VPP 差。 　　[0034] 另外，本實施例的效果，係雖在從第一高頻偏壓電源121及第二高頻偏壓電源123所輸出的高頻偏壓電力的頻率方面未特別限定，惟在本實施例係使用400kHz的高頻電力。 　　[0035] 利用圖2，就連接於本實施例的樣品載置用電極107的高頻偏壓電力施加電路部120的電路構成，更詳細進行說明。 　　[0036] 在中心側電極114與第一匹配電路122之間係連接第一直流截止用濾波電路125，在此第一直流截止用濾波電路125與中心側電極114之間，係經由第一高頻截止濾波器1251而連接第一直流電源1252。第一直流截止用濾波電路125係設為對第一高頻偏壓電源121及第一匹配電路122不會施加直流電壓而造成破損。第一高頻截止濾波器1251，係設為對第一直流電源1252不會施加作為偏壓電力的高頻電力而造成破損。 　　[0037] 同樣，在外周側電極115與第二匹配電路124之間係連接第二直流截止用濾波電路126，在此第二直流截止用濾波電路126與外周側電極115之間，係經由第二高頻截止濾波器1261連接第二直流電源1262。第二直流截止用濾波電路126係設為對第二高頻偏壓電源123及第二匹配電路124不會施加直流電壓而造成破損。第二高頻截止濾波器1261，係設為對第二直流電源1262不會施加作為偏壓電力的高頻電力而造成破損。對於此中心側電極114與外周側電極115，分別從第一直流電源1252與第二直流電源1262施加極性不同的直流電壓，從而在覆蓋中心側電極114的介電體膜及覆蓋外周側電極115的介電體膜予以產生介電極化。如此般予以產生介電極化，使得覆蓋中心側電極114的介電體膜內及載置於覆蓋外周側電極115的介電體膜之上表面的晶圓10，係被因靜電力而吸附(靜電吸附)於覆蓋中心側電極114的介電體膜內及覆蓋外周側電極115的介電體膜之上表面，晶圓10被保持於樣品載置用電極107上。 　　[0038] 第一匹配電路122與第一直流截止用濾波電路125之間、第二匹配電路124與第二直流截止用濾波電路126之間，係以電極間電路130而連接。 　　[0039] 再者，於第一高頻偏壓電源121及第二高頻偏壓電源123，係連接相位調整器128。 　　[0040] 接著，利用圖3說明有關在本實施例中就施加於晶圓10之中心側及外周側的高頻電力的VPP 進行控制的方法。 　　[0041] 圖3，係就透過示於圖2的相位調整器128所為的相位控制進行繪示的圖。於該相位調整器128，係從控制部150輸入基準時鐘1281(例如400kHz的矩形波)。從相位調整器128的內部的第1相位信號產生部1282，係與此基準時鐘1281同步，輸出與基準時鐘1281無相位差的信號1284，輸入至第一高頻偏壓電源121。 　　[0042] 另一方面，從相位調整器128的內部的第2相位信號產生部1283，係與基準時鐘1281同步，輸出對於基準時鐘1281具有θRF 的相位差的信號1285，輸入至第二高頻偏壓電源123。 　　[0043] 第一高頻偏壓電源121及第二高頻偏壓電源123，係以從相位調整器128所輸入的信號為基礎，發出輸出至中心側電極114及外周側電極115的電力，故於個別的輸出之間係產生θRF 的相位差。 　　[0044] 在本實施例的電路，透過連接於第一高頻偏壓電源121的中心側電極114而施加至晶圓10之中心側的電壓VIN ，係以式1(數學表達式1)所示的形式而表現。 　　[0045]
Figure 02_image001
[0046] 此外，透過連接於第二高頻偏壓電源123的外周側電極115而施加至晶圓10的外周側的電壓VOUT ，係以示於式2(數學表達式2)的形式而表現。 　　[0047]
Figure 02_image003
[0048] 分別於VIN 及VOUT 中θRF 包含於cos之中，此外個別的cos項的θα 的符號成為相反。於此，一般而言θα 的值非0，故在中心側的VPP (＝2VIN )與外周側的VPP (＝2VOUT )之間係產生差。 　　[0049] 將透過電路模擬器而求出搭載於樣品載置用電極107的晶圓10之中心側與外周側之間的VPP 的差之下的圖形，示於圖4。於圖4的圖形400，係示出第一高頻偏壓電源121與第二高頻偏壓電源123的輸出電壓的差為0V時的資料410、50V時的資料420、90V時的資料430。 　　[0050] 根據示於圖4的結果，可得知第一高頻偏壓電源121與第二高頻偏壓電源123的輸出電壓的差為0V時的資料410，比起其他資料420及430，相對於相位差的變化下的VPP 的變化量為大。此外，第一高頻偏壓電源121與第二高頻偏壓電源123的輸出電壓的差為0V時的資料410方面，比起相位差為0度的情況，相位差為135度時VPP 的差較大。此外電極間電路130的常數(本實施例的情況下，係構成電極間電路130的線圈的電感)可不為固定，變更常數的情況下，施加於晶圓的Vpp 差的分布成為與示於圖4的結果不同。 　　[0051] 根據此結果，可得知在如示於圖2及圖3的本實施例中的高頻偏壓電力施加電路部120的構成方面，係透過控制部150將第一高頻偏壓電源121與第二高頻偏壓電源123的輸出電力的差、相位差設定為適切的值，使得比起不予以具有相位差的情況，可使晶圓10之中心側與外周側之間的VPP 差的調整幅度為大。 　　[0052] 依本實施例時，在高頻電力施加電路間形成電極間電路的狀態下，控制第一高頻偏壓電源121與第二高頻偏壓電源123的相位差，對內側電極與外側電極(構成載置樣品的樣品台者)施加具有相位差的高頻電力，使得可控制分別施加於內側電極與外側電極的VPP 的差。 　　[0053] 藉此，即使不使用額定輸出大的高頻電源，仍可確實控制施加於內側電極與外側電極的高頻電力的輸出差及相位差而確實控制內側電極與外側電極的VPP 的差。 　　[0054] 此結果，依本實施例時，可控制載置於樣品台的晶圓的面內的VPP 分布，可利用額定輸出相較下小的複數個高頻偏壓電源而改善在晶圓之中心部至外周部方面的蝕刻率的均勻性。 　　[0055] 藉此，變得可改善偏及晶圓之中心部至外周部的蝕刻率的均勻性，且可因使用相較下小的額定輸出的高頻偏壓電源而抑制電漿處理裝置的裝置成本。 [實施例2] 　　[0056] 就本發明的第2實施例，利用圖5進行說明。 　　本實施例，係將實施例1中的示於圖1的蝕刻裝置100的高頻偏壓電力施加電路部120，置換為如示於圖5的高頻偏壓電力施加電路部500。高頻偏壓電力施加電路部500以外，係與實施例1相同的構成，故省略圖示及重複的說明。 　　[0057] 示於圖5的本實施例相關的高頻偏壓電力施加電路部500，係可測定中心側電極114與外周側電極115之間的相位差，自動調整從二個偏壓電源所輸出的高頻電力的相位差。 　　[0058] 在示於圖5的本實施例相關的高頻偏壓電力施加電路部500，係構成為在第一高頻偏壓電源501與第一匹配電路502之間、及第二高頻偏壓電源503與第二匹配電路504之間，連接相位調整器505。 　　[0059] 再者，在連接第一匹配電路502與中心側電極114的線路5021、連接第二匹配電路504與外周側電極115的線路5041之間，連接相位差測定器506。此外，在第一匹配電路502及第二匹配電路504與相位差測定器506之間，設置將來自第一匹配電路502的輸出與來自第二匹配電路504的輸出連結的電極間電路510。 　　[0060] 接著，在如示於圖5的構成方面，在將作為樣品的晶圓10載置於在實施例1中利用圖1而說明的真空容器101的內部的樣品載置用電極107的狀態下在真空容器101的內部予以產生電漿，對樣品載置用電極107之中心側電極114與外周側電極115，分別從第一高頻偏壓電源501與第二高頻偏壓電源503，施加高頻偏壓電力。 　　[0061] 在此狀態下，透過相位差測定器506，測定施加於中心側電極114的高頻電力與施加於外周側電極115的高頻電力的相位差。將此以相位差測定器506而測定的相位差的信號輸入至相位調整器505。 　　[0062] 於相位調整器505，就從相位差測定器506所輸入的相位差的信號、和從相位差信號設定部507所輸入的相位差信號的設定值：θRF 進行比較，以雙方的相位差信號的差成為零的方式，如在實施例1利用圖3所說明，調整從第一高頻偏壓電源501所輸出的高頻電力的相位與從第二高頻偏壓電源503所輸出的高頻電力的相位。 　　[0063] 如此般，依本實施例時，可基於在蝕刻處理中檢測出的以相位差測定器506而測定的施加於中心側電極114的高頻電力與施加於外周側電極115的高頻電力的相位差的資訊、和預先設定於相位差信號設定部507的相位差信號的設定值：θRF 的差，以相位調整器505調整從第一高頻偏壓電源501所輸出的高頻電力的相位與從第二高頻偏壓電源503所輸出的高頻電力的相位的差。 　　[0064] 藉此，可在就晶圓10進行蝕刻處理中，將施加於中心側電極114的高頻電力與施加於外周側電極115的高頻電力的相位差，維持為在相位差信號設定部507所設定的值。 　　[0065] 此結果，依本實施例時，可在就載置於樣品載置用電極的晶圓進行蝕刻處理中，控制晶圓的面內的VPP 分布，不需要額定輸出相較下大的高頻偏壓電源，可利用額定輸出相較下小的複數個高頻偏壓電源而改善在晶圓之中心部至外周部方面的蝕刻率的均勻性。 　　[0066] 藉此，變得可改善偏及晶圓之中心部至外周部的蝕刻率的均勻性，且可因使用相較下小的額定輸出的高頻偏壓電源而抑制電漿處理裝置的裝置成本。 　　[0067] 以上，雖基於實施例具體說明由本發明人創作的發明，惟本發明非限定於前述實施例者，在不脫離其要旨的範圍下可進行各種變更不言而喻。例如，上述之實施例係為了以容易理解的方式說明本發明而詳細說明者，未必限定於具備所說明之全部的構成。此外，就各實施例之構成的一部分，可進行其他構成之追加、刪除、置換。
[0068]100‧‧‧蝕刻裝置101‧‧‧真空容器102‧‧‧處理室103‧‧‧電磁波產生用電源104‧‧‧導波管105‧‧‧磁場產生線圈107‧‧‧樣品載置用電極108‧‧‧介電體窗114‧‧‧中心側電極115‧‧‧外周側電極120、500‧‧‧高頻偏壓電力施加電路部121、501‧‧‧第一高頻偏壓電源122、502‧‧‧第一匹配電路123、503‧‧‧第二高頻偏壓電源124、504‧‧‧第二匹配電路125‧‧‧第一直流截止用濾波電路1251‧‧‧第一高頻截止濾波器1252‧‧‧第一直流電源126‧‧‧第二直流截止用濾波電路1261‧‧‧第二高頻截止濾波器1262‧‧‧第二直流電源128、505‧‧‧相位調整器130、510‧‧‧電極間電路506‧‧‧相位差測定器507‧‧‧相位差信號設定部
[0014] 　　[圖1]示意性就本發明之實施例1相關的電漿處理裝置之構成的概略進行繪示的縱剖面圖。 　　[圖2]就本發明的實施例1相關的電漿處理裝置的高頻偏壓電力施加電路構成的細節進行繪示的方塊圖。 　　[圖3]就本發明的實施例1相關的高頻偏壓電力施加電路的相位調整器的構成進行繪示的方塊圖。 　　[圖4]就基於本發明的實施例1中的高頻偏壓電力施加電路透過電路模擬器而求出的施加於晶圓的高頻偏壓電力的相位差與在晶圓的面內產生的Vpp 的差的關係進行繪示的圖形。 　　[圖5]就本發明的實施例2相關的電漿處理裝置的高頻偏壓電力施加電路的構成進行繪示的方塊圖。
10‧‧‧晶圓
100‧‧‧蝕刻裝置
101‧‧‧真空容器
102‧‧‧處理室
103‧‧‧電磁波產生用電源
104‧‧‧導波管
105‧‧‧磁場產生線圈
106‧‧‧開口部
107‧‧‧樣品載置用電極
108‧‧‧介電體窗
109‧‧‧排氣用開閉閥
114‧‧‧中心側電極
115‧‧‧外周側電極
120‧‧‧高頻偏壓電力施加電路部
121‧‧‧第一高頻偏壓電源
122‧‧‧第一匹配電路
123‧‧‧第二高頻偏壓電源
124‧‧‧第二匹配電路
128‧‧‧相位調整器
130‧‧‧電極間電路
150‧‧‧控制部

Claims (8)

  1. 一種電漿處理裝置，具備樣品被電漿處理的處理室、供應供於生成電漿用的高頻電力的高頻電源、具備將前述樣品予以靜電吸附用的第1電極與第2電極並載置前述樣品的樣品台、對前述第1電極供應第1高頻電力的第1高頻電源、對前述第2電極供應第2高頻電力的第2高頻電源、和就屬前述第1高頻電力的相位與前述第2高頻電力的相位的差之相位差進行控制的控制裝置，進一步具備配置在將前述第1高頻電力供應至前述第1電極的第1傳送線路與將前述第2高頻電力供應至前述第2電極的第2傳送線路之間的電極間電路部，前述電極間電路部的其中一個連接部連接於前述樣品台與前述第1高頻電源的整合器之間，前述電極間電路部的另一個連接部連接於前述樣品台與前述第2高頻電源的整合器之間，前述控制裝置以屬施加於前述第1電極的高頻電壓的峰對峰電壓與施加於前述第2電極的高頻電壓的峰對峰電壓的差之電壓差成為既定的值的方式控制前述相位差。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中，前述電極間電路部具有電感。
  3. 如請求項1之電漿處理裝置，其進一步具備就前述其 中一個連接部與前述樣品台之間的前述第1高頻電力的相位進行監視的第1監視部、和就前述另一個連接部與前述樣品台之間的前述第2高頻電力的相位進行監視的第2監視部，前述控制裝置基於透過前述第1監視部而監視的相位、透過前述第2監視部而監視的相位、和前述既定的值而控制前述相位差。
  4. 如請求項1之電漿處理裝置，其中，前述控制裝置以前述相位差成為與基於前述電壓差與前述相位差的相關關係而求出的前述既定的值對應的相位差的方式控制前述相位差。
  5. 如請求項1之電漿處理裝置，其中，前述第1高頻電力的頻率與前述第2高頻電力的頻率相同。
  6. 一種電漿處理方法，採用一電漿處理裝置，該電漿處理裝置具備樣品被電漿處理的處理室、供應供於生成電漿用的高頻電力的高頻電源、具備將前述樣品予以靜電吸附用的第1電極與第2電極並載置前述樣品的樣品台、對前述第1電極供應第1高頻電力的第1高頻電源、對前述第2電極供應第2高頻電力的第2高頻電源、就屬前述第1高頻電力的相位與前述第2高頻電力的相位的差的相位差進行控制的控制裝置、和配置在將前述第1高頻電力供應至前述第1 電極的第1傳送線路與將前述第2高頻電力供應至前述第2電極的第2傳送線路之間的電極間電路部，前述電極間電路部的其中一個連接部連接於前述樣品台與前述第1高頻電源的整合器之間，前述電極間電路部的另一方的連接部連接於前述樣品台與前述第2高頻電源的整合器之間，以屬施加於前述第1電極的高頻電壓的峰對峰電壓與施加於前述第2電極的高頻電壓的峰對峰電壓的差之電壓差成為既定的值的方式控制前述相位差。
  7. 如請求項6之電漿處理方法，其中，基於透過就前述其中一個連接部與前述樣品台之間的前述第1高頻電力的相位進行監視的第1監視部而監視的相位、透過就前述另一個連接部與前述樣品台之間的前述第2高頻電力的相位進行監視的第2監視部而監視的相位、和前述既定的值而控制前述相位差。
  8. 如請求項6之電漿處理方法，其中，以前述相位差成為與基於前述電壓差與前述相位差的相關關係而求出的前述既定的值對應的相位差的方式控制前述相位差。
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