JP2007250755A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007250755A5
JP2007250755A5 JP2006071027A JP2006071027A JP2007250755A5 JP 2007250755 A5 JP2007250755 A5 JP 2007250755A5 JP 2006071027 A JP2006071027 A JP 2006071027A JP 2006071027 A JP2006071027 A JP 2006071027A JP 2007250755 A5 JP2007250755 A5 JP 2007250755A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
monitor
plasma
processing apparatus
plasma processing
adsorption
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006071027A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007250755A (ja
JP4674177B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006071027A priority Critical patent/JP4674177B2/ja
Priority claimed from JP2006071027A external-priority patent/JP4674177B2/ja
Priority to US11/512,339 priority patent/US7931776B2/en
Publication of JP2007250755A publication Critical patent/JP2007250755A/ja
Publication of JP2007250755A5 publication Critical patent/JP2007250755A5/ja
Priority to US12/842,368 priority patent/US20100282414A1/en
Priority to US13/031,839 priority patent/US8282767B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4674177B2 publication Critical patent/JP4674177B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (20)

  1. 保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
    該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を
    備えた試料台と、
    前記反応室に処理ガスを分散して導入するガス放出板を備えたガス導入手段と、
    前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラ
    ズマ生成用高周波電源と、
    前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
    前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
    前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズ
    マ処理装置において、
    前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
    プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生
    成側インピーダンスモニタ、
    バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側
    インピーダンスモニタ、および
    前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸
    着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化、前記ガス放出板における異常放電の有無の何れか
    を判定する制御装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御装置は、吸着電流モニタのモニタ値がパルス状に急増し、プラズマ生成側イン
    ピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がないと
    き、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴とす
    るプラズマ処理装置。
  3. 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
    プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、
    前記制御装置は、プラズマ電位モニタのモニタ値がパルス状に急減し、プラズマ生成側
    インピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がな
    いとき、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴
    とするプラズマ処理装置。
  4. 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御装置は、バイアス印加側インピーダンスモニタ、および吸着電流モニタのモニ
    タ値が矩形波状に変化し、プラズマ生成側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がない
    とき、試料台の異常放電ありを判定することを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
    バイアス用高周波電源のピークツーピーク電圧モニタするピークツーピーク電圧モニタ
    を備え、前記制御装置は、バイアス印加側インピーダンスモニタ、吸着電流モニタ、およ
    びピークツーピーク電圧モニタのモニタ値が矩形波状に変化し、プラズマ生成側インピー
    ダンスモニタのモニタ値に変化がないとき、試料台の異常放電ありを判定することを特徴
    とするプラズマ処理装置。
  6. 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
    バイアス用高周波電源のピークツーピーク電圧モニタするピークツーピーク電圧モニタ
    を備え、前記制御装置は、前記プラズマ生成側インピーダンスモニタ、バイアス印加側イ
    ンピーダンスモニタ、ピークツーピーク電圧モニタ、および吸着電流モニタのモニタ値が
    矩形波状に変化したとき、前記ガス放出板の異常放電ありを判定することを特徴とするプ
    ラズマ処理装置。
  7. 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御装置は、前記インナ部品の交換後毎における吸着電流モニタのモニタ値の履歴
    をもとに吸着用電極を絶縁する絶縁被膜の絶縁劣化を判定することを特徴とするプラズマ
    処理装置。
  8. 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
    プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ電位
    のモニタ値が所定値を超えたとき、前記静電吸着用電源の出力電圧を低減して前記インナ
    部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。
  9. 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御装置は、吸着電流モニタがパルス状の電流を検出したとき静電吸着用電源の出力電圧を低減してプラズマ電位を低下させ前記インナ部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。
  10. 保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
    該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を
    備えた試料台と、
    前記反応室に処理ガスを分散して導入するガス放出板を備えたガス導入手段と、
    前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
    前記試料台に高周波電圧を印加して前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギ
    を供給してプラズマを生成するプラズマ生成用高周波電源と、
    前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
    前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズ
    マ処理装置において、
    前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
    プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生
    成側インピーダンスモニタ、
    バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側
    インピーダンスモニタ、および
    前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸
    着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化の有無の何れかを判定する制御装置を備えたことを
    特徴とするプラズマ処理装置。
  11. 請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御装置は、吸着電流モニタのモニタ値がパルス状に急増し、プラズマ生成側イン
    ピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がないと
    き、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴とす
    るプラズマ処理装置。
  12. 請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
    プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ生成
    側インピーダンスモニタ、バイアス印加側インピーダンスモニタ、吸着電流モニタ、およ
    びプラズマ電位モニタのモニタ値がパルス状に変化したとき、試料台の異常放電ありを判
    定することを特徴とするプラズマ処理装置。
  13. 請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
    バイアス用高周波電源のピークツーピーク電圧モニタするピークツーピーク電圧モニタ
    を備え、前記制御装置は、プラズマ生成側インピーダンスモニタ、バイアス印加側インピ
    ーダンスモニタ、吸着電流モニタ、およびピークツーピーク電圧モニタのモニタ値が矩形
    波状に変化したとき、試料台の異常放電ありを判定することを特徴とするプラズマ処理装
    置。
  14. 請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御装置は、前記インナ部品の交換後毎における吸着電流モニタのモニタ値の履歴
    をもとに吸着用電極を絶縁する絶縁被膜の絶縁劣化を判定することを特徴とするプラズマ
    処理装置。
  15. 請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
    プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ電位
    のモニタ値が所定値を超えたとき、前記静電吸着用電源の出力電圧を低減して前記インナ
    部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。
  16. 保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
    該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を
    備えた試料台と、
    前記反応室の中央部に処理ガスを導入するためのガス放出口を形成した誘電体真空窓を
    備えたガス導入手段と、
    前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
    前記反応室上部の前記誘電体真空窓上にループ状のアンテナを備え、該アンテナを介し
    て処理室内に高周波電磁界を印加して前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギ
    を供給してプラズマを生成するプラズマ生成用高周波電源と、
    前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
    前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズ
    マ処理装置において、
    前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
    プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生
    成側インピーダンスモニタ、
    バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側
    インピーダンスモニタ、および
    前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸
    着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化、前記誘電体真空窓の摩耗の有無の何れかを判定す
    る制御装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  17. 請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御装置は、前記吸着電流モニタのモニタ値がパルス状に急増し、プラズマ生成側
    インピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がな
    いとき、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴
    とするプラズマ処理装置。
  18. 請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御装置は、前記インナ部品の交換後毎における吸着電流モニタのモニタ値の履歴
    をもとに吸着用電極を絶縁する絶縁被膜の絶縁劣化を判定することを特徴とするプラズマ
    処理装置。
  19. 請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
    プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ電位
    のモニタ値が所定値を超えたとき、前記静電吸着用電源の出力電圧を低減して前記インナ
    部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。
  20. 請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御装置は、プラズマ生成側インピーダンスモニタのモニタ値の変化に基づいて前
    記誘電体真空窓の厚みの減少を判定することを特徴とするプラズマ処理装置。
JP2006071027A 2006-03-15 2006-03-15 プラズマ処理装置 Expired - Fee Related JP4674177B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006071027A JP4674177B2 (ja) 2006-03-15 2006-03-15 プラズマ処理装置
US11/512,339 US7931776B2 (en) 2006-03-15 2006-08-30 Plasma processing apparatus
US12/842,368 US20100282414A1 (en) 2006-03-15 2010-07-23 Plasma processing apparatus
US13/031,839 US8282767B2 (en) 2006-03-15 2011-02-22 Plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006071027A JP4674177B2 (ja) 2006-03-15 2006-03-15 プラズマ処理装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007250755A JP2007250755A (ja) 2007-09-27
JP2007250755A5 true JP2007250755A5 (ja) 2009-03-05
JP4674177B2 JP4674177B2 (ja) 2011-04-20

Family

ID=38516548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006071027A Expired - Fee Related JP4674177B2 (ja) 2006-03-15 2006-03-15 プラズマ処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (3) US7931776B2 (ja)
JP (1) JP4674177B2 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100978886B1 (ko) 2007-02-13 2010-08-31 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치
DE112008002223T5 (de) * 2007-08-21 2010-08-05 Panasonic Corp., Kadoma Plasmabearbeitungsvorrichtung und Plasmaentladungszustand-Überwachungsvorrichtung
JP5026916B2 (ja) * 2007-10-19 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US7910853B2 (en) * 2008-02-28 2011-03-22 Applied Materials, Inc Direct real-time monitoring and feedback control of RF plasma output for wafer processing
JP5397215B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 ソニー株式会社 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム
JP2012175001A (ja) * 2011-02-23 2012-09-10 Toshiba Corp 制御装置、プラズマ処理装置、及び制御方法
KR101206744B1 (ko) 2011-02-28 2012-11-30 성균관대학교산학협력단 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치, 박막 두께 측정 방법 및 그 기록 매체
DE102012205616B4 (de) * 2012-04-04 2016-07-14 Siltronic Ag Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung
JP6072462B2 (ja) * 2012-08-07 2017-02-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびマイクロ波出力装置
CN104733364B (zh) * 2013-12-23 2017-11-03 中微半导体设备(上海)有限公司 一种静电夹盘
KR102021961B1 (ko) 2014-01-13 2019-11-04 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 관리방법
US9412606B2 (en) * 2014-02-14 2016-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Target dimension uniformity for semiconductor wafers
JP6226777B2 (ja) * 2014-03-06 2017-11-08 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置の異常放電予知方法及び装置、並びに異常放電予知機能付きプラズマ処理装置
JP6321579B2 (ja) * 2015-06-01 2018-05-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理システム、基板処理装置及びプログラム
US11417501B2 (en) * 2015-09-29 2022-08-16 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
GB201615114D0 (en) * 2016-09-06 2016-10-19 Spts Technologies Ltd A Method and system of monitoring and controlling deformation of a wafer substrate
US20190242838A1 (en) * 2018-02-07 2019-08-08 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Non-Invasive Method for Probing Plasma Impedance
US11881381B2 (en) 2018-02-23 2024-01-23 Lam Research Corporation Capacitance measurement without disconnecting from high power circuit
US11437262B2 (en) * 2018-12-12 2022-09-06 Applied Materials, Inc Wafer de-chucking detection and arcing prevention
JP7374023B2 (ja) 2020-03-09 2023-11-06 東京エレクトロン株式会社 検査方法及びプラズマ処理装置
CN111413545B (zh) * 2020-04-20 2023-01-31 台达电子企业管理（上海）有限公司 车载充电机的绝缘阻抗检测电路和绝缘阻抗检测方法
JP7249315B2 (ja) * 2020-06-26 2023-03-30 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
CN114695044A (zh) * 2020-12-29 2022-07-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种基座组件以及等离子体处理设备
US11669079B2 (en) * 2021-07-12 2023-06-06 Tokyo Electron Limited Tool health monitoring and classifications with virtual metrology and incoming wafer monitoring enhancements
CN113991629B (zh) * 2021-11-05 2022-07-12 汇网电气有限公司 一种消除小间隙放电的方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3167820B2 (ja) * 1993-01-29 2001-05-21 東京エレクトロン株式会社 異常放電検出方法
KR100290748B1 (ko) * 1993-01-29 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
JPH08330095A (ja) * 1995-06-02 1996-12-13 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP3458548B2 (ja) * 1995-08-11 2003-10-20 日新電機株式会社 ワーク電位の測定方法
US5810963A (en) * 1995-09-28 1998-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma processing apparatus and method
JPH09106899A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法
US5737177A (en) * 1996-10-17 1998-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for actively controlling the DC potential of a cathode pedestal
US6184687B1 (en) * 1997-10-20 2001-02-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma process end point determination method and apparatus, and plasma evaluation method and apparatus
JP3812232B2 (ja) * 1998-10-23 2006-08-23 日新電機株式会社 多結晶シリコン薄膜形成方法及び薄膜形成装置
US6230651B1 (en) * 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
TW483037B (en) * 2000-03-24 2002-04-11 Hitachi Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and method of processing semiconductor wafer using plasma, and wafer voltage probe
JP4590031B2 (ja) * 2000-07-26 2010-12-01 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置機構
JP3689732B2 (ja) * 2001-12-05 2005-08-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置の監視装置
JP3977114B2 (ja) * 2002-03-25 2007-09-19 株式会社ルネサステクノロジ プラズマ処理装置
JP2003282545A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置
US7557591B2 (en) * 2002-03-28 2009-07-07 Tokyo Electron Limited System and method for determining the state of a film in a plasma reactor using an electrical property
JP5404984B2 (ja) * 2003-04-24 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置
JP2004355330A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Fujitsu Ltd 診断装置及び診断方法
JP4695362B2 (ja) * 2004-08-16 2011-06-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007250755A5 (ja)
TWI655881B (zh) 可變壓力環境中平衡的屏障放電中和
JP5317424B2 (ja) プラズマ処理装置
WO2020145051A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2020121819A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2013088677A1 (ja) プラズマ処理装置
TW200612488A (en) Plasma processing apparatus, method thereof, and computer readable memory medium
WO2010122459A3 (en) Method and apparatus for high aspect ratio dielectric etch
TW200802598A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW200644117A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4920991B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
EP1973140A3 (en) Plasma species and uniformity control through pulsed VHF operation
JP2006066905A5 (ja)
JP2007150012A5 (ja)
US20190122863A1 (en) Plasma processing apparatus
US8366833B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW201533837A (zh) 於載置台吸附被吸附物之方法及處理裝置
US11457522B2 (en) Skin treatment apparatus using fractional plasma
JP2020077862A (ja) エッチング方法及びプラズマ処理装置
TW202127964A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
KR101813558B1 (ko) 프락셔널 플라즈마를 이용한 피부 치료장치
US11417502B2 (en) Plasma processing system and substrate processing method
JP2012138581A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2010157483A (ja) プラズマ発生装置
WO2017188029A1 (ja) プラズマ処理装置