JP5395491B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
((RF1オンの期間)/(RF1オンの期間+RF1オフの期間))×100
で表される。本実施の形態において、RF1のパルスオンのデューティー比は、例えば50%〜98%とする。
22 処理室(チャンバ)
23 載置台
24 シャワーヘッド
27 高周波電力印加ユニット
35 高周波電力印加ユニット
40 制御部
45 DCパルス印加ユニット
50 基板処理装置
51 高周波電力印加ユニット
60 制御部
Claims (5)
- 基板を収容する収容室と、
該収容室内に配置され前記基板を保持するように形成された下部電極と、
前記収容室内にガス励起用高周波電力を印加する励起電力印加部と、
前記下部電極にバイアス用高周波電力を印加するバイアス電力印加部と、
を有する基板処理装置を用いた基板処理方法において、
前記励起電力印加部の出力を所定のタイミングで変更して前記ガス励起用高周波電力が間欠的に変化するように制御すると共に所定のパルス周期にしたがって前記バイアス電力印加部の出力が周期的に変化するように制御し、
前記励起電力印加部がオフである期間においては、前記所定のパルス周期にしたがわずに、前記バイアス電力印加部をオフにするか、又はその出力が、前記励起電力印加部の出力が設定出力の場合における前記バイアス電力印加部の出力よりも垂下するように制御し、
前記バイアス電力印加部の出力を垂下させる際、前記バイアス用高周波電力の振幅(Vpp)が、前記励起電力印加部の出力が設定出力の場合における前記バイアス用高周波電力の振幅(Vpp)を超えないように、前記バイアス電力印加部の出力を調整し、
前記バイアス電力印加部をオフにする時間及び出力を垂下させる時間の合計は、前記励起電力印加部がオフである時間の合計よりも長くすることを特徴とする基板処理方法。 - 前記バイアス電力印加部の出力を垂下させる際、前記バイアス電力印加部の出力を、前記励起電力印加部の出力が設定出力の場合における前記バイアス用高周波電力に対して、前記ガス励起用高周波電力のパルスオンのデューティー比(%)以下とすることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記励起電力印加部の出力を変化させるパルス周期と、前記所定のパルス周期とを、異ならせることを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理方法。
- 前記励起電力印加部の出力を変化させるパルス周期の周波数を100Hz〜100kHzとし、前記所定のパルス周期の周波数を1Hz〜1kHzとすることを特徴とする請求項3記載の基板処理方法。
- 基板を収容する収容室と、
該収容室内に配置され前記基板を保持するように形成された下部電極と、
前記収容室内にガス励起用高周波電力を印加する励起電力印加部と、
前記下部電極にバイアス用高周波電力を印加するバイアス電力印加部と、
を有する基板処理装置において、
前記励起電力印加部の出力を所定のタイミングで変更して前記ガス励起用高周波電力が間欠的に変化するように制御すると共に所定のパルス周期にしたがって前記バイアス電力印加部の出力が周期的に変化するように制御し、前記励起電力印加部がオフである期間においては、前記所定のパルス周期にしたがわずに、前記バイアス電力印加部をオフにするか、又はその出力が、前記励起電力印加部の出力が設定出力の場合における前記バイアス電力印加部の出力よりも垂下するように制御し、前記バイアス電力印加部の出力を垂下させる際、前記バイアス用高周波電力の振幅(Vpp)が、前記励起電力印加部の出力が設定出力の場合における前記バイアス用高周波電力の振幅(Vpp)を超えないように、前記バイアス電力印加部の出力を調整し、前記バイアス電力印加部をオフにする時間及び出力を垂下させる時間の合計は、前記励起電力印加部の制御がオフである時間の合計よりも長くするように制御する制御部を備えた
ことを特徴とする基板処理装置。
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