JP6114370B2 - 基板処理装置及びその制御方法 - Google Patents
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Description
)高周波電圧」という。)をサセプタへ印加するLF高周波電源とを備える。
高周波電圧や矩形波状の直流電圧は、サセプタ12においてバイアス電圧を生じさせる。上述したように、サセプタ12においてバイアス電圧は負の領域において変動するため、プラズマ中のイオンは電位差によってサセプタ12に引き込まれる。
らなるスイッチング素子41及び直流電源42を有し、接地配線39は、分岐点37aから接地43までの間に、例えば、FETからなるスイッチング素子44を有する。
、高周波電圧は直流電圧に比べて高い電圧値を容易に実現することができ、もって、バイアス電圧及びイオンの電位差を大きくして高いエネルギーのイオンによるエッチングを行うことができるので、LF高周波電源20からの出力値の割合を大きくした場合、高いエネルギーのイオンによるエッチングによって難エッチング材をエッチングすることができる。
/分離を制御可能な接続切替スイッチ50bを備えてもよい。
10,45,46 基板処理装置
11 チャンバ
12 サセプタ
18 HF高周波電源
20 LF高周波電源
22 ローパスフィルタ
23 直流電圧印加ユニット
47,49,50a,50b 接続切替スイッチ
Claims (7)
- 内部が減圧される処理室と、
該処理室内に配置されて基板を載置する載置台と、
プラズマ生成用高周波電圧を印加する第1の高周波電源と、
バイアス電圧発生用高周波電圧を前記載置台に印加して前記載置台においてバイアス電圧を生じさせる第2の高周波電源と、
矩形波状の直流電圧を前記載置台に印加して前記載置台においてバイアス電圧を生じさせる直流電圧印加ユニットと、
前記載置台と、前記第2の高周波電源及び前記直流電圧印加ユニットとの間に配されて前記載置台と前記第2の高周波電源との接続、及び前記載置台と前記直流電圧印加ユニットとの接続を制御可能なスイッチ機構と、
前記第1の高周波電源からの前記プラズマ生成用高周波電圧を遮断するローパスフィルタを備え、
前記ローパスフィルタは、前記第1の高周波電源及び前記第2の高周波電源の間、並びに、前記第1の高周波電源及び前記直流電圧印加ユニットの間に介在する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記スイッチ機構は、前記載置台と前記第2の高周波電源との接続、及び前記載置台と前記直流電圧印加ユニットとの接続のいずれか一方のみを選択可能であることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記スイッチ機構は、前記載置台及び前記第2の高周波電源の間に配されて前記載置台と前記第2の高周波電源との接続/分離を制御可能な第1のスイッチ、並びに、前記載置台及び前記直流電圧印加ユニットの間に配されて前記載置台と前記直流電圧印加ユニットとの接続/分離を制御可能な第2のスイッチを有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記プラズマ生成用高周波電圧の周波数は40MHz〜300MHzであり、前記バイアス電圧発生用高周波電圧の周波数は380KHz〜20MHzであり、前記直流電圧の矩形波状の周波数は3MHz以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 内部が減圧される処理室と、該処理室内に配置されて基板を載置する載置台と、プラズマ生成用高周波電圧を印加する第1の高周波電源と、バイアス電圧発生用高周波電圧を前記載置台に印加して前記載置台においてバイアス電圧を生じさせる第2の高周波電源と、矩形波状の直流電圧を前記載置台に印加して前記載置台においてバイアス電圧を生じさせる直流電圧印加ユニットと、前記第1の高周波電源からの前記プラズマ生成用高周波電圧を遮断するローパスフィルタを備え、前記ローパスフィルタは、前記第1の高周波電源及び前記第2の高周波電源の間、並びに、前記第1の高周波電源及び前記直流電圧印加ユニットの間に介在する基板処理装置の制御方法であって、
前記処理室内にプラズマが生じた際、前記載置台と前記第2の高周波電源との接続、及び前記載置台と前記直流電圧印加ユニットとの接続を制御する接続制御ステップを有することを特徴とする基板処理装置の制御方法。 - 前記接続制御ステップでは、前記載置台と前記第2の高周波電源との接続、及び前記載置台と前記直流電圧印加ユニットとの接続のいずれか一方のみが選択されることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置の制御方法。
- 前記接続制御ステップでは、前記載置台と前記第2の高周波電源との接続/分離、並びに、前記載置台と前記直流電圧印加ユニットとの接続/分離が個別に制御されることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置の制御方法。
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