JP5839921B2 - 高周波電源装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 207
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 81
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 30
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 19
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 13
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
- H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
- H05B41/288—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps without preheating electrodes, e.g. for high-intensity discharge lamps, high-pressure mercury or sodium lamps or low-pressure sodium lamps
- H05B41/2881—Load circuits; Control thereof
- H05B41/2882—Load circuits; Control thereof the control resulting from an action on the static converter
- H05B41/2883—Load circuits; Control thereof the control resulting from an action on the static converter the controlled element being a DC/AC converter in the final stage, e.g. by harmonic mode starting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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Description
(a)第1の高周波電源装置Aから負荷Cに平均値がほぼ一定な連続波形の高周波電力を供給するに際して、第2の高周波電源装置Bから負荷Cにパルス波形等により変調されているためにレベルが周期的に変化する高周波電力が供給されていると、第2の高周波電源装置Bから負荷Cに与えられている高周波電力のレベルの周期的な変化に起因して、第1の高周波電源装置Aの高周波電力検出部で検出される進行波電力及び反射波電力に周期的なレベル変動が生じること。
(b)このレベル変動の周期と第1の高周波電源装置Aの出力制御の制御周期との差が微差であると、電力変動周期Tzでレベルが変動している高周波電力のレベルを制御周期Tc毎に検出して得た検出データから高周波電力の平均値を演算する場合に、第1の高周波電源装置Aの出力側で検出される高周波電力の1サイクルのレベル変動の算術平均値(真の平均値)を正しく演算するために必要とされる検出データの個数nsが、第1の高周波電源装置Aの高周波電力検出部で移動平均値の演算に用いる検出データの個数n(このnは予め設定されている。)に比べて極端に多くなるため、当該高周波電力検出部で移動平均値の演算に用いるn個の検出データに、高周波電力のレベル変動の1周期の波形の一部についての検出データしか含ませることができない状態が生じて、高周波電力検出部が制御周期毎に検出する高周波電力の移動平均値が真の平均値の上側に偏った状態と、下側に偏った状態とが低い周波数で繰り返されること。
(c)上記のように,第1の高周波電源装置Aの高周波電力検出部が制御周期毎に検出する高周波電力の移動平均値が真の平均値の上側に偏った状態と、下側に偏った状態とが低い周波数で繰り返されると、第1の高周波電源装置Aの高周波電力発生部の出力の平均値に低い周波数のレベル変動(ゆらぎ)が生じること。
(d)上記のように、第2の高周波電源装置Bが負荷Cに与える高周波電力の変調周波数が変更されて、第1の高周波電源装置Aの高周波電力発生部の出力側で検出される高周波電力のレベル変動の周期が変化すると、第1の高周波電源装置Aの高周波電力検出部が検出する高周波電力の移動平均値と真の平均値との間の誤差が大きくなって、その出力制御の精度が低下することがあること。
ns ={Tz/|m・Tz−Tc|} …(1)
但しmは1以上の整数であり、TzとTcとの間に下記の関係が成立しているものとする。
mTz≠Tc …(2)
なお、式(1)の演算結果が整数でない場合は、四捨五入、切り上げ、切り捨て等の適宜の端数処理を行う。
(1)式において、分母の電力変動周期Tzにmを乗じているのは、一般に制御周期Tcとm・Tzとの差が微差である場合に同様の問題が生じるからである。
(A)n個の検出データを用いて演算される高周波電力の移動平均値と該高周波電力の真の平均値との間に生じる誤差を許容範囲内に収めることができ、かつn個の検出データを得るために必要な時間を高周波電力発生部の制御において許容される上限時間以下に収めることができる範囲の値に制御周期の適正値を設定する。
(B)高周波電力検出部が移動平均値の演算に用いる直近のn個の検出データを得るために要する時間(n×Tc)を、n個の検出データを用いて演算される高周波電力の移動平均値と該高周波電力の真の平均値との間に生じる誤差を許容範囲内に収めることができる時間とするように、電力変動周期検出部により検出された電力変動周期に応じて制御周期の適正値を設定する。
(C)高周波電力検出部が移動平均値の演算に用いる直近のn個の検出データを得るために要する時間(n×Tc)と、電力変動周期Tz(但しTz≠Tc)でレベルが変動している高周波電力のレベルを制御周期Tc毎に検出して得た検出データを用いて該高周波電力のk(kは1以上の整数)サイクルのレベル変動の算術平均値を演算するために必要なデータ数ns個の検出データを得るのに要する時間(ns×Tc)との時間差ΔT(=Tc×|n−ns|)を、n個の検出データを用いて演算される高周波電力の移動平均値と該高周波電力の真の平均値との間に生じる誤差を許容範囲内に収めることができる範囲の時間差とするように、制御周期の適正値を設定する。
(D)高周波電力検出部が移動平均値の演算に用いる直近のn個の検出データを得るために要する時間(n×Tc)と、電力変動周期Tz(但しTz≠Tc)でレベルが変動している高周波電力のレベルを前記制御周期Tc毎に検出して得た検出データを用いて該高周波電力のkサイクル(kは1以上の整数)のレベル変動の算術平均値を演算するために必要なデータ数ns個の検出データを得るために必要な時間(ns×Tc)との時間差ΔT(=Tc×|n−ns|)を許容範囲内に収めるように、制御周期の適正値を設定する。
(E)高周波電力検出部が移動平均値の演算に用いる直近のn個の検出データを得るために要する時間(n×Tc)と、電力変動周期Tz(但しTz≠Tc)でレベルが変動している高周波電力のレベルを制御周期Tc毎に検出して得た検出データを用いて該高周波電力のkサイクル(kは1以上の整数)のレベル変動の算術平均値を演算するために必要なデータ数ns個の検出データを得るために必要な時間(ns×Tc)との時間差ΔT(=Tc×|n−ns|)を最小とするように、制御周期Tcの適正値を設定する。
2 直流電源部
201 整流回路
202 インバータ
203 整流・平滑回路
3 高周波電力増幅部
4 高周波電力発生部
5 方向性結合器
6 インピーダンス整合器
7 負荷
8 制御部
801 高周波電力検出部
802 デューティ比演算部(操作量演算部)
803 制御信号出力部
10 電力変動周期検出部
11 制御周期設定手段
12 タイミングコントローラ
20 他の高周波電源装置
30 模擬信号発生器
Claims (10)
- 負荷に供給する高周波電力を出力する高周波電力発生部と、前記高周波電力発生部の出力側で制御対象とする高周波電力の平均値を検出して、検出した高周波電力の平均値を設定値に保つように前記高周波電力発生部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、設定された制御周期Tc毎に到来するタイミングを検出タイミングとして前記制御対象とする高周波電力を求めるために検出対象とする必要がある高周波電力のレベルの検出データを得るとともに、直近のn個(nは2以上の整数)の検出タイミングでそれぞれ得られたn個の検出データから検出対象とする高周波電力の移動平均値を求めて、該移動平均値を検出対象とする高周波電力の平均値として前記制御対象とする高周波電力の平均値を検出する高周波電力検出部と、前記高周波電力発生部が出力する高周波電力のレベルを決定する変数の大きさを前記高周波電力発生部の操作量とし、前記高周波電力検出部により検出された制御対象とする高周波電力の平均値を設定値に保つために必要な前記操作量を演算する操作量演算部と、前記高周波電力発生部の操作量を前記操作量演算部により演算された操作量とするために前記高周波電力発生部に与える制御信号を前記制御周期毎に出力する制御信号出力部とを備えている高周波電源装置であって、
前記負荷に他の高周波電源装置から与えられている高周波電力のレベルの周期的な変化に起因して前記高周波電力発生部の出力側で検出される高周波電力のレベル変動の周期を電力変動周期Tzとして検出する電力変動周期検出部と、
前記電力変動周期検出部により検出された電力変動周期Tzに応じて前記制御周期Tcを適正値に設定する制御周期設定手段と、
を具備し、
前記制御周期Tcの適正値は、前記制御周期Tcと前記電力変動周期Tzとが接近して前記高周波電力発生部の出力にゆらぎが生じるのを防ぎ、かつ前記高周波電力検出部が検出する高周波電力の移動平均値と真の平均値との誤差を許容範囲内に収めることができる範囲の値に設定される高周波電源装置。 - 前記制御周期設定手段は、前記n個の検出データを用いて演算される高周波電力の移動平均値と該高周波電力の真の平均値との間に生じる誤差を許容範囲内に収めることができ、かつ前記n個の検出データを得るために必要な時間を前記高周波電力発生部の制御において許容される上限時間以下に収めることができる範囲の値に前記制御周期の適正値を設定するように構成されている請求項1に記載の高周波電源装置。
- 前記制御周期設定手段は、前記高周波電力検出部が前記移動平均値の演算に用いる直近のn個の検出データを得るために要する時間(n×Tc)を、前記n個の検出データを用いて演算される高周波電力の移動平均値と該高周波電力の真の平均値との間に生じる誤差を許容範囲内に収めることができる時間とするように、前記電力変動周期検出部により検出された電力変動周期に応じて前記制御周期の適正値を設定することを特徴とする請求項1に記載の高周波電源装置。
- 前記制御周期設定手段は、前記高周波電力検出部が前記移動平均値の演算に用いる直近のn個の検出データを得るために要する時間(n×Tc)と、前記電力変動周期Tz(但しm・Tz≠Tc、mは1以上の整数)でレベルが変動している高周波電力のレベルを前記制御周期Tc毎に検出して得た検出データを用いて該高周波電力のk(kは1以上の整数)サイクルのレベル変動の算術平均値を求めるために必要なデータ数ns個の検出データを得るのに要する時間(ns×Tc)との時間差ΔT(=Tc×|n−ns|)を、前記n個の検出データを用いて演算される高周波電力の移動平均値と該高周波電力の真の平均値との間に生じる誤差を許容範囲内に収めることができる範囲の時間差とするように、前記制御周期の適正値を設定することを特徴とする請求項1に記載の高周波電源装置。
- 前記制御周期設定手段は、前記高周波電力検出部が前記移動平均値の演算に用いる直近のn個の検出データを得るために要する時間(n×Tc)と、前記電力変動周期Tz(但しm・Tz≠Tc、mは1以上の整数)でレベルが変動している高周波電力のレベルを前記制御周期Tc毎に検出して得た検出データを用いて該高周波電力のkサイクル(kは1以上の整数)のレベル変動の算術平均値を演算するために必要なデータ数ns個の検出データを得るために必要な時間(ns×Tc)との時間差ΔT(=Tc×|n−ns|)を許容範囲内に収めるように、前記制御周期の適正値を設定することを特徴とする請求項1に記載の高周波電源装置。
- 前記制御周期設定手段は、前記高周波電力検出部が前記移動平均値の演算に用いる直近のn個の検出データを得るために要する時間(n×Tc)と、前記電力変動周期Tz(但しm・Tz≠Tc、mは1以上の整数)でレベルが変動している高周波電力のレベルを前記制御周期Tc毎に検出して得た検出データを用いて該高周波電力のkサイクル(kは1以上の整数)のレベル変動の算術平均値を演算するために必要なデータ数ns個の検出データを得るために必要な時間(ns×Tc)との時間差ΔT(=Tc×|n−ns|)を最小とするように、前記制御周期の適正値を設定することを特徴とする請求項1に記載の高周波電源装置。
- 前記制御周期設定手段は、検出された電力変動周期と制御周期との関係を与えるマップを用いて前記制御周期の適正値を演算するように構成されていることを特徴とする請求項1ないし6の何れかに記載の高周波電源装置。
- 前記制御周期設定手段は、前記高周波電力発生部の出力制御において前記制御周期がとり得る値の範囲内で前記制御周期の適正値を設定することを特徴とする請求項1ないし7の何れかに記載の高周波電源装置。
- 前記制御周期設定手段は、前記制御周期がとり得る値の範囲内に前記制御周期の適正値が存在しないときに、前記制御周期がとり得る値の範囲内で前記制御周期を時間の経過に伴って変化させるように構成されている請求項1ないし6の何れかに記載の高周波電源装置。
- 前記kサイクル(kは1以上の整数)のレベル変動波形に対して取得する必要がある検出データの数nsは、式ns =k×{Tz/|m・Tz−Tc|}(但しmは1以上の整数で、m・Tz≠Tcとする。)により演算されることを特徴とする請求項4,5又は6に記載の高周波電源装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011217628A JP5839921B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 高周波電源装置 |
US13/603,556 US8674619B2 (en) | 2011-09-30 | 2012-09-05 | High frequency power supply device |
KR1020120104513A KR101964470B1 (ko) | 2011-09-30 | 2012-09-20 | 고주파 전력 공급 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011217628A JP5839921B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 高周波電源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013077505A JP2013077505A (ja) | 2013-04-25 |
JP5839921B2 true JP5839921B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
ID=47991917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011217628A Active JP5839921B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 高周波電源装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8674619B2 (ja) |
JP (1) | JP5839921B2 (ja) |
KR (1) | KR101964470B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9372492B2 (en) * | 2013-01-11 | 2016-06-21 | Qualcomm Incorporated | Programmable frequency range for boost converter clocks |
JP6099995B2 (ja) * | 2013-01-24 | 2017-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 試験装置 |
JP6153786B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-06-28 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源装置 |
JP6374647B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5704772B1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-04-22 | 株式会社京三製作所 | 高周波電源装置およびプラズマ着火方法 |
JP6667343B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR102012743B1 (ko) * | 2017-06-23 | 2019-08-21 | 인투코어테크놀로지 주식회사 | 전원 공급 장치 및 부하에 전원을 공급하는 방법 |
US10361744B1 (en) * | 2018-03-05 | 2019-07-23 | Qorvo Us, Inc. | Transceiver circuit and related radio frequency circuit |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015287A (ja) * | 1999-04-30 | 2001-01-19 | Ushio Inc | 誘電体バリア放電ランプ光源装置 |
US7221102B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-05-22 | Daihen Corporation | High-frequency power supply device |
US8829799B2 (en) * | 2006-03-28 | 2014-09-09 | Wireless Environment, Llc | Autonomous grid shifting lighting device |
US8491159B2 (en) * | 2006-03-28 | 2013-07-23 | Wireless Environment, Llc | Wireless emergency lighting system |
US8033686B2 (en) * | 2006-03-28 | 2011-10-11 | Wireless Environment, Llc | Wireless lighting devices and applications |
JP5090986B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-12-05 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源装置 |
US7847489B2 (en) * | 2008-06-28 | 2010-12-07 | Huan-Po Lin | Apparatus and method for driving and adjusting light |
JP5395491B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2011
- 2011-09-30 JP JP2011217628A patent/JP5839921B2/ja active Active
-
2012
- 2012-09-05 US US13/603,556 patent/US8674619B2/en active Active
- 2012-09-20 KR KR1020120104513A patent/KR101964470B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101964470B1 (ko) | 2019-04-01 |
JP2013077505A (ja) | 2013-04-25 |
US8674619B2 (en) | 2014-03-18 |
US20130082620A1 (en) | 2013-04-04 |
KR20130035887A (ko) | 2013-04-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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