JP6309398B2 - 高周波電源 - Google Patents
高周波電源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6309398B2 JP6309398B2 JP2014174855A JP2014174855A JP6309398B2 JP 6309398 B2 JP6309398 B2 JP 6309398B2 JP 2014174855 A JP2014174855 A JP 2014174855A JP 2014174855 A JP2014174855 A JP 2014174855A JP 6309398 B2 JP6309398 B2 JP 6309398B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time
- pulse
- high frequency
- overshoot
- undershoot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 81
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 72
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 44
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 36
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 13
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 11
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
Description
1 高周波電源
11 AC−DC変換部
12 DC−DC変換部
13 DC−RF変換部
131 フィルタ回路
14 進行波電圧検出部(高周波検出手段)
15 RF電力制御部(記憶手段、第2の記憶手段、抽出手段、第2の抽出手段)
15A 進行波電力変換部(電力検出手段)
15B 出力電力設定部
15C 差分演算部(差分演算手段)
15D DC電圧制御部
15E 高周波条件設定部
15F 高周波信号生成部(高周波生成手段)
15G パルス条件設定部
15H パルス波形制御部(オーバーシュート検出手段、アンダーシュート検出手段、判定手段、第2の判定手段、検出手段、第2の検出手段、比較手段、第2の比較手段)
15H−1 立ち上がり時間調整部(立ち上がり時間調整手段、立ち上がり時間変更手段、立ち上がり時間変更制御手段、)
15H−2 立ち下がり時間調整部(立ち下がり時間調整手段、立ち下がり時間変更手段、立ち下がり時間変更制御手段)
15I メモリ
15J パルス信号生成部(パルス信号生成手段)
15K 乗算部(高周波パルス出力手段)
2 インピーダンス整合装置
3 プラズマ処理装置(プラズマ処理手段)
4 システム制御部
5 同軸ケーブル
Claims (13)
- 高周波を生成する高周波生成手段と、
前記高周波よりも低周波のパルス信号を生成するパルス信号生成手段と、
前記パルス信号に基づいて、前記高周波生成手段が生成した高周波を負荷にパルス出力する高周波パルス出力手段と、
を備えた高周波電源において、
前記高周波のパルス出力の立ち上がり時にオーバーシュートが発生したことを検出するオーバーシュート検出手段と、
前記オーバーシュート検出手段で前記オーバーシュートの発生が検出されると、前記パルス信号の立ち上がり時間を、前記高周波のパルス出力の立ち上がり時に前記オーバーシュートを抑制させる立ち上がり時間に調整する立ち上がり時間調整手段と、
を備えたことを特徴とする、高周波電源。 - 前記オーバーシュート検出手段は、前記高周波がパルス出力される毎に当該パルス出力で前記オーバーシュートが発生したか否かを判定する判定手段を含み、
前記立ち上がり時間調整手段は、前記判定手段により前記オーバーシュートが発生したと判定される毎に、前記立ち上がり時間の調整処理を行う、請求項1に記載の高周波電源。 - 前記オーバーシュート検出手段は、前記高周波がパルス出力される毎に当該パルス出力で前記オーバーシュートが発生したか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により前記オーバーシュートが発生したという判定が所定の回数以上連続したことを検出する検出手段とを含み、
前記立ち上がり時間調整手段は、前記検出手段により前記オーバーシュートが連続して前記所定の回数以上検出されたときに、前記立ち上がり時間の調整処理を行う、請求項1に記載の高周波電源。 - 前記高周波の電力を検出する電力検出手段を備え、
前記判定手段は、前記電力検出手段で検出される前記高周波の電力と予め設定された目標電力値との差分を演算する差分演算手段と、前記差分と予め設定された閾値とを比較する比較手段と、を含み、前記差分が前記閾値を超えている場合に前記オーバーシュートが発生したと判定する、請求項2又は3に記載の高周波電源。 - 前記立ち上がり時間調整手段は、前記高周波がパルス出力される毎に前記パルス信号の立ち上がり時間を予め設定された時間だけ増加させる処理を所定の回数だけ繰り返す立ち上がり時間変更手段と、前記立ち上がり時間変更手段による前記立ち上がり時間の変更処理中に、前記判定手段で前記オーバーシュートが発生しないと判定されると、前記パルス信号の立ち上がり時間をその判定時の立ち上がり時間に設定する立ち上がり時間変更制御手段とを含む、請求項1乃至4のいずれかに記載の高周波電源。
- 前記立ち上がり変更制御手段は、前記差分演算手段で前記差分が演算される毎にその演算値をその時点での立ち上がり時間と対応させて記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶される複数の前記差分の演算値のうち、最小の演算値を抽出する抽出手段とを備え、前記立ち上がり時間変更手段により前記立ち上がり時間を最長の立ち上がり時間に変更しても前記判定手段で前記オーバーシュートが発生していると判定された場合、前記パルス信号の立ち上がり時間を前記最小の演算値を有する差分に対応する立ち上がり時間に設定する、請求項5に記載の高周波電源。
- 前記高周波のパルス出力の立ち下がり時にアンダーシュートが発生したことを検出するアンダーシュート検出手段と、
前記アンダーシュート検出手段で前記アンダーシュートの発生が検出されると、前記パルス信号の立ち下がり時間を、前記高周波のパルス出力の立ち下がり時に前記アンダーシュートを抑制させる立ち下がり時間に調整する立ち下がり時間調整手段と、
を更に備える、請求項1乃至6のいずれかに記載の高周波電源。 - 前記アンダーシュート検出手段は、前記高周波がパルス出力される毎に当該パルス出力で前記アンダーシュートが発生したか否かを判定する第2の判定手段を含み、
前記立ち下がり時間調整手段は、前記第2の判定手段により前記アンダーシュートが発生したと判定される毎に、前記立ち下がり時間の調整処理を行う、請求項7に記載の高周波電源。 - 前記アンダーシュート検出手段は、前記高周波がパルス出力される毎に当該パルス出力で前記アンダーシュートが発生したか否かを判定する第2の判定手段と、前記第2の判定手段により前記アンダーシュートが発生したという判定が所定の回数以上連続したことを検出する第2の検出手段とを含み、
前記立ち下がり時間調整手段は、前記第2の検出手段により前記アンダーシュートが連続して前記所定の回数以上検出されたときに、前記立ち下がり時間の調整処理を行う、請求項7に記載の高周波電源。 - 前記高周波の電力を検出する電力検出手段を備え、
前記第2の判定手段は、前記電力検出手段で検出される前記高周波の電力と予め設定された第2の目標電力値との第2の差分を演算する第2の差分演算手段と、前記第2の差分と予め設定された第2の閾値とを比較する第2の比較手段と、を含み、前記第2の差分が前記第2の閾値を超えている場合に前記アンダーシュートが発生したと判定する、請求項8又は9に記載の高周波電源。 - 前記立ち下がり時間調整手段は、前記高周波がパルス出力される毎に前記パルス信号の立ち下がり時間を予め設定された時間だけ増加させる処理を所定の回数だけ繰り返す立ち下がり時間変更手段と、前記立ち下がり時間変更手段による前記立ち下がり時間の変更処理中に、前記第2の判定手段で前記アンダーシュートが発生しないと判定されると、前記パルス信号の立ち下がり時間をその判定時の立ち下がり時間に設定する立ち下がり時間変更制御手段とを含む、請求項7乃至9のいずれかに記載の高周波電源。
- 前記立ち下がり変更制御手段は、前記第2の差分演算手段で前記第2の差分が演算される毎にその演算値をその時点での立ち下がり時間と対応させて記憶する第2の記憶手段と、前記第2の記憶手段に記憶される複数の前記第2の差分の演算値のうち、最小の演算値を抽出する第2の抽出手段とを備え、前記立ち下がり時間変更手段により前記立ち下がり時間を最長の立ち下がり時間に変更しても前記第2の判定手段で前記アンダーシュートが発生していると判定された場合、前記パルス信号の立ち下がり時間を前記最小の演算値を有する第2の差分に対応する立ち下がり時間に設定する、請求項11に記載の高周波電源。
- 前記負荷は、前記高周波パルス出力手段からパルス出力される高周波によってプラズマを発生させ、そのプラズマを用いて所定の処理を行うプラズマ処理手段である、請求項1乃至12のいずれかに記載の高周波電源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014174855A JP6309398B2 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | 高周波電源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014174855A JP6309398B2 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | 高周波電源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016051542A JP2016051542A (ja) | 2016-04-11 |
JP6309398B2 true JP6309398B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=55658928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014174855A Active JP6309398B2 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | 高周波電源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6309398B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10264663B1 (en) * | 2017-10-18 | 2019-04-16 | Lam Research Corporation | Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication |
CN113169026B (zh) * | 2019-01-22 | 2024-04-26 | 应用材料公司 | 用于控制脉冲电压波形的反馈回路 |
JP6797273B2 (ja) * | 2019-02-05 | 2020-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN111524782B (zh) | 2019-02-05 | 2023-07-25 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
WO2021124427A1 (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法 |
KR102565113B1 (ko) * | 2021-03-29 | 2023-08-09 | 남광우 | Dc-dc 컨버터의 피크신호 보정장치 및 그 보정방법 |
JP7418389B2 (ja) * | 2021-12-28 | 2024-01-19 | 株式会社京三製作所 | 高周波電源 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3042450B2 (ja) * | 1997-06-24 | 2000-05-15 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理方法 |
US6459067B1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-01 | Eni Technology, Inc. | Pulsing intelligent RF modulation controller |
JP2010009870A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 無電極放電灯点灯装置及び照明器具 |
US9136093B2 (en) * | 2013-02-07 | 2015-09-15 | Mks Instruments, Inc. | Synchronization of RF pulsing with RF metrology, processing, and control |
-
2014
- 2014-08-29 JP JP2014174855A patent/JP6309398B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016051542A (ja) | 2016-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6309398B2 (ja) | 高周波電源 | |
US10192721B2 (en) | High-frequency power source | |
US9083249B2 (en) | Mixed control method for resonant converter, resonant converter system and mixed controller | |
US20150103562A1 (en) | Switching Power Supply with a Resonant Converter and Method Controlling the Same | |
US8228118B1 (en) | Switching amplifier using capacitor for transmitting energy | |
RU2012110517A (ru) | Схема накопителя энергии постоянного тока и способ ее работы | |
US8674619B2 (en) | High frequency power supply device | |
TWI530076B (zh) | 電源開關驅動方法 | |
JP6342235B2 (ja) | 高周波電源 | |
JP5709928B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP6309411B2 (ja) | 高周波電源 | |
KR101844981B1 (ko) | 플라즈마 공정용 llcc 공진컨버터 | |
US11916482B2 (en) | DC/DC converter and soft start overshoot prevention method thereof | |
KR101128768B1 (ko) | 고주파전원장치 | |
JP6362931B2 (ja) | 高周波電源 | |
JP2020124050A (ja) | 共振インバータ装置 | |
JP6353142B2 (ja) | 沿面放電素子駆動用電源回路 | |
KR20200067021A (ko) | 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치 | |
JP6153786B2 (ja) | 高周波電源装置 | |
KR20120020268A (ko) | 부하 매칭을 최적화하기 위한 대기압 플라즈마 생성용 전원 공급 장치 및 그 제어 방법 | |
JP4893120B2 (ja) | 誘導加熱装置 | |
JP2003274645A (ja) | 高力率電源の制御回路及びこの制御回路を備えた電源 | |
CN114900028A (zh) | 过流保护装置、变换器控制装置及电子设备 | |
JP7423233B2 (ja) | 高周波電源装置及び高周波電力の出力方法 | |
KR20220063898A (ko) | 공진형 인버터 및 그 제어 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6309398 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |